JPS5933818A - セラミツク電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミツク電子部品の製造方法Info
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- JPS5933818A JPS5933818A JP57144513A JP14451382A JPS5933818A JP S5933818 A JPS5933818 A JP S5933818A JP 57144513 A JP57144513 A JP 57144513A JP 14451382 A JP14451382 A JP 14451382A JP S5933818 A JPS5933818 A JP S5933818A
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- plating
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- ceramic electronic
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミック印刷配線板などのセラミック電子部
品の製造方法に関するものである。
品の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、セラミック印刷配線板の導電性電極や誘１
電体素子、圧電体素子、半導体素子等の機能特性を利用
したセラミック電子部品の電極の形成方法としては、セ
ラミック基板の表面にＡ、９．Ａ３−Ｐｄ。
したセラミック電子部品の電極の形成方法としては、セ
ラミック基板の表面にＡ、９．Ａ３−Ｐｄ。
Ａｐ−Ｐｔ、ＡソーＮ１等の貴金属を主体とした焼料電
極法が実用化さねでいる。また近年、高価な貴金属の代
用として多くのメッキによる電極形成方法が開発されつ
つある。たとえば、セラミック基板表面に焼付銀電極薄
層を形成した後、電気メッキによりニッケル、銅などの
金属電極を形成する方法があるが、この方法は焼伺金団
薄層の表面が粗面で多くの小孔が存在するために、電気
メッキ工程においてメッキ液が小孔内部に浸透し、焼付
金属層と磁器素体の付着強度を劣化させる欠点があった
。また、磁器素体表面を塩化第一錫、塩化パラジウム等
を用いて触媒活性化処理を施こした後、無電解メッキに
よりニッケル、銅等の金属電極を形成している。しかし
ながらこの方法は、電極形成領域のみに限定した局部選
ＩＲメッキは不可能で、メッキ処理後、不必要な金属層
を化学的エツチング捷たは機械的研磨等によって除去せ
ざるを得な３・に かった。そのために、この方法−誘電体素子、圧電体素
子、半導体素子等のセラミック電子部品用電極としては
以下に示すような多くの問題点を有している。
極法が実用化さねでいる。また近年、高価な貴金属の代
用として多くのメッキによる電極形成方法が開発されつ
つある。たとえば、セラミック基板表面に焼付銀電極薄
層を形成した後、電気メッキによりニッケル、銅などの
金属電極を形成する方法があるが、この方法は焼伺金団
薄層の表面が粗面で多くの小孔が存在するために、電気
メッキ工程においてメッキ液が小孔内部に浸透し、焼付
金属層と磁器素体の付着強度を劣化させる欠点があった
。また、磁器素体表面を塩化第一錫、塩化パラジウム等
を用いて触媒活性化処理を施こした後、無電解メッキに
よりニッケル、銅等の金属電極を形成している。しかし
ながらこの方法は、電極形成領域のみに限定した局部選
ＩＲメッキは不可能で、メッキ処理後、不必要な金属層
を化学的エツチング捷たは機械的研磨等によって除去せ
ざるを得な３・に かった。そのために、この方法−誘電体素子、圧電体素
子、半導体素子等のセラミック電子部品用電極としては
以下に示すような多くの問題点を有している。
（１）不要なメッキ層の除去工程、前処理［稈熔の工程
数が多く、製造コストが高くなる。
数が多く、製造コストが高くなる。
（２）基板周面のメッキ皮膜の研削除去またはザンドブ
ラスト等により不要なメッキ１り膜を除去するため、セ
ラミック基板の界面のｊｔ４傷、マイクロクラックの発
生、研削粉のイ」着等によって電気的機械的特性、温度
特性変化率、祠湿負荷寿命特性などの特性が劣化する。
ラスト等により不要なメッキ１り膜を除去するため、セ
ラミック基板の界面のｊｔ４傷、マイクロクラックの発
生、研削粉のイ」着等によって電気的機械的特性、温度
特性変化率、祠湿負荷寿命特性などの特性が劣化する。
さらに端面耐電圧間隙は基板の厚みで決まり、電極周端
部における短絡状態によって絶縁破壊も起り易く、基板
の厚みを余り薄くすることはできなかった。
部における短絡状態によって絶縁破壊も起り易く、基板
の厚みを余り薄くすることはできなかった。
（３）化学的エツチング法によってメッキ層の不要部分
を除去する場合は、処理工程が多く製造のコスｉ・アン
プを招くうえに、エツチング液等によりセラミック基板
が損傷を受け、電気的機械的特性の劣化を招き易くなる
。
を除去する場合は、処理工程が多く製造のコスｉ・アン
プを招くうえに、エツチング液等によりセラミック基板
が損傷を受け、電気的機械的特性の劣化を招き易くなる
。
この、］：うな無電解メノギの工法や腸性上の欠点に対
１７て、いくつかの部分メッギカ法が試みられている。
１７て、いくつかの部分メッギカ法が試みられている。
たとえば、磁器表面の所要個所にメツキレジス１〜を旧
！ヱし、磁器表面を活性化処理し、メッキレジストを除
去後無電解メッキにより金属型（；シを形成する方法と
か、真空蒸着に」：り所定の部分にのみ活性金属を伺′
テした後前電解メッキする方法などが知られているが、
セラミック電子部品用電極の形成方法としては隈産性、
電気的機械的特性などの面で満足されるものでは斤かっ
た。
！ヱし、磁器表面を活性化処理し、メッキレジストを除
去後無電解メッキにより金属型（；シを形成する方法と
か、真空蒸着に」：り所定の部分にのみ活性金属を伺′
テした後前電解メッキする方法などが知られているが、
セラミック電子部品用電極の形成方法としては隈産性、
電気的機械的特性などの面で満足されるものでは斤かっ
た。
以上のように、従来から知られているメッキによるセラ
ミック電子部品用電極の形成法は、基板との密着性、セ
ラミック電子部品としての特性。
ミック電子部品用電極の形成法は、基板との密着性、セ
ラミック電子部品としての特性。
量産性、特に荷物基板に対して量産を嵩慮した場合困難
なものであった。しかし、小型化、電気機械特性の改善
をするためには基板厚みを薄くし、信頼性の面から十ラ
ミック基板面の電極部に縁を設けることが必要であった
。
なものであった。しかし、小型化、電気機械特性の改善
をするためには基板厚みを薄くし、信頼性の面から十ラ
ミック基板面の電極部に縁を設けることが必要であった
。
発明の［］的
本発明は、−１−記のような従来の無電解メッキ法とは
異なる新しい方法によってセラミック物質の必要個所に
電極を形成するものであり、量産性にすぐれ、かつ特性
の安定したセラミック電子部品の製造方法の提供を目的
とする。
異なる新しい方法によってセラミック物質の必要個所に
電極を形成するものであり、量産性にすぐれ、かつ特性
の安定したセラミック電子部品の製造方法の提供を目的
とする。
発明θ〕構成
本発明では上記目的を達成するため、Ｐｄおよびｐｔの
少なくとも１種を０．０３〜５ｗｔ％含むペーストをこ
のペーストにおかされないプラスチックフィルムに塗布
した後、前記プラスチックフィルムを溶解することので
きる溶媒で濡らした耐熱性セラミック基板に転写して、
３５ｏ〜９２００Ｇの温度で熱処理を施し、Ｐｄおよび
ｐｔのいずれか１種またはこれらの合金の触媒金属を析
出させ、その後、無電解メッキにより金属電極を形成し
ている。
少なくとも１種を０．０３〜５ｗｔ％含むペーストをこ
のペーストにおかされないプラスチックフィルムに塗布
した後、前記プラスチックフィルムを溶解することので
きる溶媒で濡らした耐熱性セラミック基板に転写して、
３５ｏ〜９２００Ｇの温度で熱処理を施し、Ｐｄおよび
ｐｔのいずれか１種またはこれらの合金の触媒金属を析
出させ、その後、無電解メッキにより金属電極を形成し
ている。
本発明の製造方法について更に詳しく説明すると、捷ず
Ｐｄ又はｐｔの化合物、微粉末からなる貴金属成分を樹
脂ワニスに分散させてペーストを作り、このペーストに
侵されないプラスチック薄膜フィルムに塗布乾燥して印
刷フィルムを作る。
Ｐｄ又はｐｔの化合物、微粉末からなる貴金属成分を樹
脂ワニスに分散させてペーストを作り、このペーストに
侵されないプラスチック薄膜フィルムに塗布乾燥して印
刷フィルムを作る。
６ベーン
これを機能特１イ１ミを利用したセラミック基板に貼付
ける。まずセラミック基板の所定の場所を印刷フィルム
を侵す溶剤でａｔらし、その」二に印可フィルムを結句
けて乾燥した後、３５０〜９２０°Ｃの温度の熱処理に
よりセラミック基板表面の所定箇所に金属微粒子を析出
さぜ、その後、無電解メッキに」ニリＮｉ、Ｇｏ、Ｃｕ
、Ａｕ ｔ７）うちいずれか１種の金属電極を形成す
る。本発明の方法によって得られたセラミック基板の電
極は、電極の附与９機械特性、電気特性等の諸特性の点
において優れたものである。
ける。まずセラミック基板の所定の場所を印刷フィルム
を侵す溶剤でａｔらし、その」二に印可フィルムを結句
けて乾燥した後、３５０〜９２０°Ｃの温度の熱処理に
よりセラミック基板表面の所定箇所に金属微粒子を析出
さぜ、その後、無電解メッキに」ニリＮｉ、Ｇｏ、Ｃｕ
、Ａｕ ｔ７）うちいずれか１種の金属電極を形成す
る。本発明の方法によって得られたセラミック基板の電
極は、電極の附与９機械特性、電気特性等の諸特性の点
において優れたものである。
実施例の説明
以下本発明の詳細な説明する。
無電解メッキ用活性ペーストの作成方法としては、金団
成分としてＰｄ捷たばｐｔの化合物、微粉末を０．０３
〜５ｗｔ％加え、樹脂ワニスとしてポリビニールアルコ
ール樹脂、アルキッド樹脂。
成分としてＰｄ捷たばｐｔの化合物、微粉末を０．０３
〜５ｗｔ％加え、樹脂ワニスとしてポリビニールアルコ
ール樹脂、アルキッド樹脂。
ポリビニールブチラール樹脂、エチルセルロース樹脂、
硝化＠などを２〜３５ｗｔ％加え、溶剤としては水、メ
タノール、エタノール、トルエン、カルビトール、混合
吐剤の１種捷たは数■１をｌ［’Ｊ、合（７だものを７
０〜ｅ ｃｓ ｗｔ 形加え／こ。プラスチックフィル
ムとしてはエチルセルロース８ｔｌｌＦｒ 、ポリビニ
ールアルコールＭＪＬ［Ｉｌｅ、ポリビニールブチラー
ル枝ｌ脂を１１１体とする厚さ２０７１のフィルムから
選１１りした。このようにして調合したペーストば３０
０〜７ｏ○ボイズに調整して印刷した。なおこの［原、
印刷用ペース１−とプラスチックフィルムはお互に浸し
合わないように溶剤と樹脂を組合せた。次に、ペースト
の溶剤を乾燥した後にプラスチックフィルムを溶解する
溶剤でセラミック基板の所定の箇所を濡らしてプラスチ
ックフィルムを貼付ケた。
硝化＠などを２〜３５ｗｔ％加え、溶剤としては水、メ
タノール、エタノール、トルエン、カルビトール、混合
吐剤の１種捷たは数■１をｌ［’Ｊ、合（７だものを７
０〜ｅ ｃｓ ｗｔ 形加え／こ。プラスチックフィル
ムとしてはエチルセルロース８ｔｌｌＦｒ 、ポリビニ
ールアルコールＭＪＬ［Ｉｌｅ、ポリビニールブチラー
ル枝ｌ脂を１１１体とする厚さ２０７１のフィルムから
選１１りした。このようにして調合したペーストば３０
０〜７ｏ○ボイズに調整して印刷した。なおこの［原、
印刷用ペース１−とプラスチックフィルムはお互に浸し
合わないように溶剤と樹脂を組合せた。次に、ペースト
の溶剤を乾燥した後にプラスチックフィルムを溶解する
溶剤でセラミック基板の所定の箇所を濡らしてプラスチ
ックフィルムを貼付ケた。
次に溶剤を１２０００で乾燥した後、３５０〜９２００
Ｇの温度で熱処理を行って有機物を除去し、金属粒子を
形成した。その後、セラミック基板を無電解メッキ液に
浸漬して必要箇所にＮｉ、Ｃｕ、Ｇｏ。
Ｇの温度で熱処理を行って有機物を除去し、金属粒子を
形成した。その後、セラミック基板を無電解メッキ液に
浸漬して必要箇所にＮｉ、Ｃｕ、Ｇｏ。
Ａｕのうちいずれか１種のメッキ皮膜電極を形成した。
次にＰｂ−３ｕ系主体の半田（Ａ料を用い、浸漬法によ
ってリード線を取付け、その後フェノールーエポオギシ
系塗料で被覆、ワックス含浸を行ｔ１−５−． Ｂ ａ
Ｔｉ ０３を１三成分とする系で、厚み０．０６ ｍ
ｍ、：形状１０〜２０ｍｍＶの基板を用いた。
ってリード線を取付け、その後フェノールーエポオギシ
系塗料で被覆、ワックス含浸を行ｔ１−５−． Ｂ ａ
Ｔｉ ０３を１三成分とする系で、厚み０．０６ ｍ
ｍ、：形状１０〜２０ｍｍＶの基板を用いた。
後掲の表は−に記した本発明の無電解メッギ用活件化ペ
ーストおよびその方法を用いて製造した誘電体の特性を
示したものである。捷だ第１図〜第３図は本発明に係る
電子部品の製造方法の各工程を示す断面図である。各図
において１はセラミック基板、２はプラスチックフィル
ム、３は活性化ペースト層、３′は触媒金属微粒子層、
４は無電解メッキ層であり、第１図は活性化ペーストの
プラスチックフィルムへの印刷工程、第２図はセラミッ
ク基板への転写工程、第３図は熱処理および無電解メッ
キ工程を示している。
ーストおよびその方法を用いて製造した誘電体の特性を
示したものである。捷だ第１図〜第３図は本発明に係る
電子部品の製造方法の各工程を示す断面図である。各図
において１はセラミック基板、２はプラスチックフィル
ム、３は活性化ペースト層、３′は触媒金属微粒子層、
４は無電解メッキ層であり、第１図は活性化ペーストの
プラスチックフィルムへの印刷工程、第２図はセラミッ
ク基板への転写工程、第３図は熱処理および無電解メッ
キ工程を示している。
なお本発明においてＰｄ、 Ｐｔの少なくとも一方の化
合物を含むペーストをセラミック基板に被着さぜた後３
５０〜９２００Ｃの温度で焼付するのは、基板表面に安
定した触媒金属の粒子を形成するためである。焼付温度
が３５００Ｃより低いと樹脂成分が残り、メッキのとき
均一な電極形成が阻害さ９べ−一ご。
合物を含むペーストをセラミック基板に被着さぜた後３
５０〜９２００Ｃの温度で焼付するのは、基板表面に安
定した触媒金属の粒子を形成するためである。焼付温度
が３５００Ｃより低いと樹脂成分が残り、メッキのとき
均一な電極形成が阻害さ９べ−一ご。
れ電気的機械的諸特性が悪化する。逆に、焼付温度が９
２０°Ｃよりも高いと活性の劣化によって前記諸性性が
悪化するだけでなく、寿命特性も悪くなる。上記実施例
でＨｐａ化合物としてＰｄ Ｇ ｅ２゜ｐｔ化合物とし
テＨ２ＰｔＣ；（７６−６Ｈ２０を使用したが、熱処理
後金属粒子がセラミック基板の表面に析出するものであ
ればそれらの化合物についての制約はない。寸だ金属微
粒子層の厚みは０．１μｍをこえないものであれば十分
であり、それより厚くしても価格が上昇するだけでなく
特性も悪化し好ましくない。また金属成分としては０．
０３〜５ｗｔ％が適当である。さらに金属微粒子層に無
電解メッキを施した後、接着強度を高めるために２５０
〜４６００Ｃの温度で熱処理することが好ましい。
２０°Ｃよりも高いと活性の劣化によって前記諸性性が
悪化するだけでなく、寿命特性も悪くなる。上記実施例
でＨｐａ化合物としてＰｄ Ｇ ｅ２゜ｐｔ化合物とし
テＨ２ＰｔＣ；（７６−６Ｈ２０を使用したが、熱処理
後金属粒子がセラミック基板の表面に析出するものであ
ればそれらの化合物についての制約はない。寸だ金属微
粒子層の厚みは０．１μｍをこえないものであれば十分
であり、それより厚くしても価格が上昇するだけでなく
特性も悪化し好ましくない。また金属成分としては０．
０３〜５ｗｔ％が適当である。さらに金属微粒子層に無
電解メッキを施した後、接着強度を高めるために２５０
〜４６００Ｃの温度で熱処理することが好ましい。
次表に本発明の方法をセラミックコンデンザの製造に適
用したときの製造条件と得られたセラミソクコンデンザ
の電気特性を示す。
用したときの製造条件と得られたセラミソクコンデンザ
の電気特性を示す。
１ｏベージ
１１ ・ ゛
上記表においテＮｏ、３〜’ｙ 、９ 、１１ 、１３
。
。
１４．１６が本発明の１や１囲内の例であり、Ｎｏ、１
゜２．８，１０，１２．１５か本発明の範囲外の例であ
る。これから明らかなように、ペーストを直接印刷した
のでは素子が割ｆしてし１い、Ｗｉｔ度が低すぎても高
過ぎても電気的特性が低下している。
゜２．８，１０，１２．１５か本発明の範囲外の例であ
る。これから明らかなように、ペーストを直接印刷した
のでは素子が割ｆしてし１い、Ｗｉｔ度が低すぎても高
過ぎても電気的特性が低下している。
特に４５００Ｇの温度で熱処理したＮ００４が特性的に
優れている。転写したパターンの熱処理温度が３５０〜
９２００Ｇの範囲内のものはメッギ状態。
優れている。転写したパターンの熱処理温度が３５０〜
９２００Ｇの範囲内のものはメッギ状態。
誘電特性とも良好な結果が得られた。
なお上記した実施例においては、本発明を特定の有機物
９機能特性を利用したセラミック電子部品に適用した場
合についてのみ説明したが、他の有機物、セラミックを
始めとする絶縁基板の導体回路形成方法として使用する
ことも有効である。
９機能特性を利用したセラミック電子部品に適用した場
合についてのみ説明したが、他の有機物、セラミックを
始めとする絶縁基板の導体回路形成方法として使用する
ことも有効である。
発明の効果
以−］二の説明から明らかなように、本発明はセラミッ
ク電子部品に無電解メッギによって電極を形成する際、
セラミック基板表面に活性ペース）・を形成した薄膜フ
ィルムを溶解転写し熱処理に」：って触媒金匡を形成さ
ぜた後、無電解メツＡ−によって金属電極を形成するも
のであり、従来の方法にｌＬべて遜色のない特性を持ち
、価格的にも大きなメリットを」ｈち、史にに業的量産
化に適合する等、産業上多くの価値をイ」するものであ
る。
ク電子部品に無電解メッギによって電極を形成する際、
セラミック基板表面に活性ペース）・を形成した薄膜フ
ィルムを溶解転写し熱処理に」：って触媒金匡を形成さ
ぜた後、無電解メツＡ−によって金属電極を形成するも
のであり、従来の方法にｌＬべて遜色のない特性を持ち
、価格的にも大きなメリットを」ｈち、史にに業的量産
化に適合する等、産業上多くの価値をイ」するものであ
る。
第１図、第２図、第３図は本発明の製１ｉ１ｉ方法の各
丁ユ程を示す断面図である。 １・・・・・セラミック基板、２・・・・・プラスチッ
クフィルム、３・・・・・活性化ペースト層、３′・・
・・・触媒金団微粒子層、４・・・・・無電解メッキ層
。
丁ユ程を示す断面図である。 １・・・・・セラミック基板、２・・・・・プラスチッ
クフィルム、３・・・・・活性化ペースト層、３′・・
・・・触媒金団微粒子層、４・・・・・無電解メッキ層
。
Claims (1)
- Ｐｄおよびｐｔの少なくても１種を０，０３〜６ｗｔ％
含むペーストをこのペーストにおかされないプラスチッ
クフィルムに塗布した後、前記プラスチックフィルムを
溶解することのできる溶媒で濡らした耐熱性セラミック
基板に転写して、３５０〜９２０℃の温度で熱処理を施
い Ｐｄおよびｐｔのいずれか１種またはどれらの合金
の触媒金属を析出させ、その後、無電解メッキにより金
属電極を形成することを特徴とするセラミック電子部品
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144513A JPS5933818A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144513A JPS5933818A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933818A true JPS5933818A (ja) | 1984-02-23 |
| JPH027167B2 JPH027167B2 (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=15364096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57144513A Granted JPS5933818A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933818A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56125825A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing ceramic electronic part |
| JPS5732507A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic part |
-
1982
- 1982-08-19 JP JP57144513A patent/JPS5933818A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56125825A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing ceramic electronic part |
| JPS5732507A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic part |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH027167B2 (ja) | 1990-02-15 |
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