JPS5931886A - 錫ウイスカ発生防止法 - Google Patents
錫ウイスカ発生防止法Info
- Publication number
- JPS5931886A JPS5931886A JP14149382A JP14149382A JPS5931886A JP S5931886 A JPS5931886 A JP S5931886A JP 14149382 A JP14149382 A JP 14149382A JP 14149382 A JP14149382 A JP 14149382A JP S5931886 A JPS5931886 A JP S5931886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- tin
- lead
- film
- whiskers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、通常、防錆、防蝕、良好なはんだ付けなど
の付与させるための錫めっきにおいて、電気的短絡の原
因ともなる真性錫ウィスカの発生を防止するための方法
に関するものである。
の付与させるための錫めっきにおいて、電気的短絡の原
因ともなる真性錫ウィスカの発生を防止するための方法
に関するものである。
一般に、錫めっきにおいては、めっき後1週間乃至数ケ
年後に真性ウィスカが発生し、電気的に短絡して、事故
の原因となることがあった。
年後に真性ウィスカが発生し、電気的に短絡して、事故
の原因となることがあった。
従来、この真性錫ウィスカの発生を防止するためのめっ
きとして、鉛を1〜80%含むはんだめっき(鉛−錫合
金めっき)が施されていた。第1図に錫めっき、第2図
1ζはんだめっきを施した部分の断面図を示す。
きとして、鉛を1〜80%含むはんだめっき(鉛−錫合
金めっき)が施されていた。第1図に錫めっき、第2図
1ζはんだめっきを施した部分の断面図を示す。
錫めっきは、第1図に示すように下地めっき膜@を施し
た下地金属a葎の王に錫めっき膜0υを形成したもので
、このようにして得られためっき膜の表面からは数日乃
至数年の間に真性錫ウィスカが発生して、電気的短絡の
原因となることがしばしばあった。
た下地金属a葎の王に錫めっき膜0υを形成したもので
、このようにして得られためっき膜の表面からは数日乃
至数年の間に真性錫ウィスカが発生して、電気的短絡の
原因となることがしばしばあった。
はんだめっきは、第1図のαυの錫めっき膜の代りに、
第2図のQpに示すようにはんだめっき膜を施したもの
であり、真性錫ウィスカは発生していない。しかし、ウ
ィスカの直径の10倍以上のこぶ状の突起物が生じてい
た。
第2図のQpに示すようにはんだめっき膜を施したもの
であり、真性錫ウィスカは発生していない。しかし、ウ
ィスカの直径の10倍以上のこぶ状の突起物が生じてい
た。
はんだめっきは、めっき膜が鉛と錫の合金から成るもの
であるから、鉛と錫の構成比を一定の範囲に保つことが
必要であり、このためには、めっき液の組成を一定の範
囲に保つ必要がある。しかし、めっき作業が進むにつれ
て、このめっき液の組成は変動するものであるから、常
時、めっき液の組成の管理をしなければならず、また、
めっき液も高価であるなどの欠点があった。
であるから、鉛と錫の構成比を一定の範囲に保つことが
必要であり、このためには、めっき液の組成を一定の範
囲に保つ必要がある。しかし、めっき作業が進むにつれ
て、このめっき液の組成は変動するものであるから、常
時、めっき液の組成の管理をしなければならず、また、
めっき液も高価であるなどの欠点があった。
この発明は、上記のような従来の欠陥を除去するために
なされたもので、通常の錫めっきを施した上に、鉛の極
く薄い層を錫めっき表面に付けることにより、錫めっき
の効果をなくすることなく、錫ウイスカ防止には、はん
だめっきと同等以上の効果を得ることのできる錫ウイス
カ発生防止法を提供することを目的としている。
なされたもので、通常の錫めっきを施した上に、鉛の極
く薄い層を錫めっき表面に付けることにより、錫めっき
の効果をなくすることなく、錫ウイスカ防止には、はん
だめっきと同等以上の効果を得ることのできる錫ウイス
カ発生防止法を提供することを目的としている。
以下、この発明の実施例について説明する。第8図にお
いて、θ場は下地金属、(イ)は下地めっき膜、01)
は錫めっき膜であり、釦)は、この錫めっき膜の上に施
された極く薄い鉛めっき膜である。
いて、θ場は下地金属、(イ)は下地めっき膜、01)
は錫めっき膜であり、釦)は、この錫めっき膜の上に施
された極く薄い鉛めっき膜である。
上記実施例では、下地金属に真性ウィスカの発生し易い
黄銅を用い、錫めつき1こは、同じく真性ウィスカの発
生し易い光沢剤を含む錫めっき液を用いて、8μmの厚
さのめつき膜を作成した。別に同条件の錫めっき膜の上
に0.05〜0.5μmの鉛めっきを施した。これらの
液中で作成しためつき膜中、錫めっきのみのものでは約
1ケ月で真性ウィスカが発生した。一方鉛めっきを錫め
っき上部に施しためつき膜からは2年経過後も真性ウィ
スカの発生は見られなかった。しかし、はんだめっき膜
上に生ずる突起物は観察された。また、鉛めっきを錫め
っきの上でなく、錫めっきの下に施した場合には、鉛め
っきの効果はなく、錫めっき単独の場合と同様の真性ウ
ィスカの発生が観察された。
黄銅を用い、錫めつき1こは、同じく真性ウィスカの発
生し易い光沢剤を含む錫めっき液を用いて、8μmの厚
さのめつき膜を作成した。別に同条件の錫めっき膜の上
に0.05〜0.5μmの鉛めっきを施した。これらの
液中で作成しためつき膜中、錫めっきのみのものでは約
1ケ月で真性ウィスカが発生した。一方鉛めっきを錫め
っき上部に施しためつき膜からは2年経過後も真性ウィ
スカの発生は見られなかった。しかし、はんだめっき膜
上に生ずる突起物は観察された。また、鉛めっきを錫め
っきの上でなく、錫めっきの下に施した場合には、鉛め
っきの効果はなく、錫めっき単独の場合と同様の真性ウ
ィスカの発生が観察された。
このようにこの発明の錫めっきの上に極く薄い鉛めっき
が存在する場合、真性ウィスカの発生を防止する効果の
あることが確認された。
が存在する場合、真性ウィスカの発生を防止する効果の
あることが確認された。
別の実施例では、錫めっき上の鉛膜を無電解めっき蒸着
、スパッタ等により、0.05 、0.1 、0.8μ
mの厚さに作成した。これらの錫めっきにおいても約1
.5年経過しても真性ウィスカの発生は見られず電気め
っきによる鉛膜形成と同一の効果のあることが確認され
た。
、スパッタ等により、0.05 、0.1 、0.8μ
mの厚さに作成した。これらの錫めっきにおいても約1
.5年経過しても真性ウィスカの発生は見られず電気め
っきによる鉛膜形成と同一の効果のあることが確認され
た。
更に、また別の実施例では、イオン注入により005μ
mの鉛の高濃度層を錫めっき膜の表面に作成した場合に
おいて、約1.5年経過後真性ウィスカの発生は認めら
れなかった。ただし、拡散により鉛高濃度層を形成する
場合、熱により行うため昇温され、昇温による防止効果
も顕著であるので、両者の防止効果によって、真性ウィ
スカは生じなかったものと思われる。
mの鉛の高濃度層を錫めっき膜の表面に作成した場合に
おいて、約1.5年経過後真性ウィスカの発生は認めら
れなかった。ただし、拡散により鉛高濃度層を形成する
場合、熱により行うため昇温され、昇温による防止効果
も顕著であるので、両者の防止効果によって、真性ウィ
スカは生じなかったものと思われる。
以上のように、この発明によれば、錫めっきと鉛薄膜を
別々に作成したので、錫めっきの利点を失うことなく、
また、めっき液の管理がはんだめっきの場合に比べて簡
単であり、更にまた、はんだめっき液のように高価なめ
っき液を使用しなくて済むので、錫ウィスカの発生防圧
法として極めて有効である。
別々に作成したので、錫めっきの利点を失うことなく、
また、めっき液の管理がはんだめっきの場合に比べて簡
単であり、更にまた、はんだめっき液のように高価なめ
っき液を使用しなくて済むので、錫ウィスカの発生防圧
法として極めて有効である。
第1図は通常の錫めっきを施した状態を示す断面図、第
2図は真性ウィスカ防止に効果があるとされているはん
だめっきを施した状態を示す断面図、第8図はこの発明
にもとづき上部に鉛めっき膜を施した状態を示す断面図
である。 図中、αυは錫めっき膜、(2)は下地めっき膜、(至
)は下地金属、C(11は鉛めっき膜である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
2図は真性ウィスカ防止に効果があるとされているはん
だめっきを施した状態を示す断面図、第8図はこの発明
にもとづき上部に鉛めっき膜を施した状態を示す断面図
である。 図中、αυは錫めっき膜、(2)は下地めっき膜、(至
)は下地金属、C(11は鉛めっき膜である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (])下地金属に通常の錫めっきを施した後、その表面
に0.057an以上の鉛薄膜を形成したことを錫ウイ
スカ発生防止法。 (2)鉛薄膜は、電気めっき、無電解めっき、蒸着、ス
パッタtこより形成されたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の錫ウイスカ発生防止法。 (3)鉛薄膜として、イオン注入、拡散により鉛濃度の
高い領域を形成したことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の錫ウイスカ発生防止法。 (4)鉛薄膜として、鉛を5%以上含む鉛−錫合金の薄
膜を形成したことを特徴とする特許請求範囲第1項また
は第2項記載事項の錫ウイスカ発生防止法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14149382A JPS5931886A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 錫ウイスカ発生防止法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14149382A JPS5931886A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 錫ウイスカ発生防止法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5931886A true JPS5931886A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15293203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14149382A Pending JPS5931886A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 錫ウイスカ発生防止法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5931886A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0395918A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Canon Inc | 基板保持装置 |
US6361823B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-03-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for whisker-free aqueous electroless tin plating |
-
1982
- 1982-08-12 JP JP14149382A patent/JPS5931886A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0395918A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Canon Inc | 基板保持装置 |
US6361823B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-03-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for whisker-free aqueous electroless tin plating |
US6720499B2 (en) | 1999-12-03 | 2004-04-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Tin whisker-free printed circuit board |
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