JPS5927999A - カチオン界面活性剤のクラフト点降下法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカチオン界面活性剤のクラフト点降下法に関す
る。

カチオン界面活性剤、特に第４級アンモニウム塩型のカ
チオン界面活性剤全単独で、あるいはアニオン界面活性
剤、ノニオン界面活性剤又は両性イオン界面活性剤と併
用して配合した液体組成物は柔軟剤、洗浄剤、殺菌剤、
帯電防止剤等として広く使用されている。

しかし、第４級アンモニウム塩型のカチオン界面活性剤
を含有する液体組成物は低温下に保存すると白濁を生じ
たり増粘ゲル化をおこし、効果が低下すると共に外観的
な商品価値が著しく損われる。

そこで、本発明者は、斯かる欠点を克服し低温で安定な
当該液体組成物全提供せんと鋭意研究を行った結果、特
定のコハク酸誘導体を含有させると第４級アンモニウム
塩型カチオン界面活性剤のクラフト点が著しく低下し、
低温で安定な液体組成物が得られることを見出し、本発
明を完成した。

すなわち、本発明は、第４級アンモニウム塩型カチオン
界面活性剤を含有する液体組成物に次の一般式（１）、 ■ ＣＨ，−０００Ｚ　　　　（［） （式中、Ｒは炭素数４〜２２のアルキル基又はアルケニ
ル基を、Ｙ及び２け水素原子、アルカリ金属、アンモニ
ウム又は水溶性アルカノールアミン金示す］ で表わされるコハク酸誘導体を含有させてカチオン界面
活性剤のクラフト点を降下させる方法全提供するもので
ある。

（１）式で表わされるコハク酸誘導体としては、Ｒが炭
素数４〜２２のアルキル基又はアルクニル基、例えばヘ
キサニル、オクタニル、ドデシル、オクタデシル、ヘキ
セニル、オクテニル、ドデセニル、オクタデセニル等で
表わされるものが使用される。このコノ・り酸誘導体は
炭素数４〜２２のオレフィンと無水マレイン酸を反応さ
せるか、または更にその反応物を水素添加してアルキル
又はアルケニル置換コハク酸無水物となし、次いでこれ
を水溶性塩とすることにより製造される。本発明方法に
おいては、コハク酸誘導体は、第４級アンモニウム塩型
カチオン界面活性剤に対し１〜５０重量％含有させるこ
とによって目的が達成される。この含有量がこれより少
ないと効果が充分でなく、またそ九以上含有させてもそ
れ以上の効果の増大がみＫれないので経済的でない。コ
ハク酸誘導体は当該カチオン界面活性剤を含有する液体
組成物に添加しても、また予め当該カチオン界面活性剤
に配合したものを水等に加えて液体組成物としてもよい
。

本発明方法によってコ／・り酸誘導体全含有せしめれば
、倒れの第４級アンモニウム塩型カチオン界面活性剤の
液体組成物のクラフト点を降下させることができるが、
特に次式（［０〜（ト）で表わされる界面活性剤の場合
に顕著な効果を示す。

〔式中、Ｒ１は炭素数８〜２０のアルキル基、アルケニ
ル基又はアルキルフェニル基ｋ、Ｒ＊は炭素数８〜２０
のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキルフェニル
基、炭素数１〜４のアルキル基又は−ＯＨ，（！Ｈ，Ｏ
Ｈを、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基又は−（ＩＨ，
ＯＲ，ＯＨ金、Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基又は −（（ＪｈＣＨＯ）　ｎ　”　（Ｒｅ　ＦｉＨ又はＯＨ
，、ｎは１〜５６ の整数）、Ｘ、はＲ、−Ｃｏｏ　（Ｒ６は炭素数７〜２
１のアルキル基又はアルケニル基）、ノ・ロゲンＯＨ，
０８０ｓ又はＯ，ＨＮＯ３０ｓ’ｉ示す〕（式中、Ｒ，
は炭素数１２〜２４のアルキル基を、Ｘ、はハロゲン原
子を示す］ （式中、Ｒ８は炭素数１２〜１８のアルキル基を、Ｘ、
はハロゲン原子を示す） （式中、Ｒ１１は炭素数１２〜２４のアルキル基を、Ｒ
１０は水素原子又は炭素数１〜４のア榊ル基を、Ｒ１１
は炭素数１〜５のアルキル基又はＣＨ２０Ｈ，ＯＨ’ｉ
、ＸはハＩｆｆゲン原子、ＣＨＪｌＯ８Ｏ３又はｃ、ａ
、ｏｓｏ、を示す］ 本発明でクラフト点を降下させることのできる液体組成
物は第４級アンモニウム塩型カチオン界面活性剤の外に
、本効果をさまたげない範囲でポリオキシエチレンアル
キルエーテル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、アルキ
ルベンゼンスルホン酸塩、α−オレフインスルホン酸塩
、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸塩、高級脂
肪酸塩、アルカンスルホン猷塩等のアニオン界面活性剤
、第４級アンモニウム塩以外のカチオン界面活性剤、ノ
ニオン界面活性剤、両性界面活性剤、溶剤、ハイドロト
ロープ剤、キレート剤、保存剤、色素、香料等を含有し
ていてもよい。

次に実施例を挙げて説明する。伺実施例において、クラ
フト点は次の方法で測定した。

すなわち、測定試料１００ｍｇ４恒温槽に入れ。

５℃／時の割合で液温を上昇又は下降させ、液が濁るか
結晶が析出する温度及び透明になる温度を求め、両者が
一致した温度をクラフト点とした。

実施例１ デセニルコノ・り酸ンーダ　　　　　　０〜１５％水　
　　　　　　　　　　　　　バランス上記成分を配合し
た組成物についてクラフト点を測定した。その結果は表
−１のとおりであり、デセニルコ／・り酸ソーダの配合
によりクラフト点が著しく降下した。

表−１ オクテニルコノ・り酸ソーダ　　　　　　　３％アニオ
ン界面活性剤　　　　　　　５％水　　　　　　　　　
　　　　バランス上記成分を配合した組成物についてク
ラフト点の降下温度を測定した。その結果は表−２のと
おりである。

クラフト点降下温度二（オクテニルコハク酸ソーダ無添
加のもののクラフト）−（オクテニルコハク酸ソーダ添
加のもののクラフト点）表−２ 実施例３ 界面活性剤 オクテニルコハク酸ソーダ　　　　　５％水　　　　　
　　　　　　　　　バランス上記成分を配合した組成物
についてクラフト点の降下温度を測定した。その結果は
表−３のとおりである。

以下余白 実施例４ コハク酸誘導体　　　　　　　　　　　３％水　　　　
　　　　　　　　　　　バランス上記成分を配合１〜た
組成物についてクラフト点の降下温度を測定した。その
結果は表−４のとおりである。

表−４ 実施例５ オクテニルコハク酸ソーダ　　０．５％水　　　　　　
　　　　　　　　バランス上記成分を配合した組成物に
ついてクラフト点の降下温度を測定した結果６℃でめっ
た。

以上 出動人　花王石鹸株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第４級アンモニウム塩型カチオン界面活性剤金含有
   する液体組成物に次の一般式（Ｉ）、−一。ｏｏｚ　　
   （１） （式中、Ｒは炭素数４〜２２のアルキル基又はアルケニ
   ル基を、Ｙ及び２は水素原子、アルカリ金属、アンモニ
   ウム又は水溶性アルカノールアミンを示す） で表わされるコハク酸誘導体を含有させることを特徴と
   するカチオン界面活性剤のクラフト点降下法。 ２、　コハク酸誘導体の含有量が、カチオン界面活性剤
   の１〜５０重量％である特許請求の範囲第１項記載のク
   ラフト点降下法。 ３、第４級アンモニウム塩型カチオン界面活性剤が、次
   式（１）〜（７）で表わされる化合物から選ばれたもの
   である特許請求の範囲第１項記載のクラフト点降下法。 〔式中、Ｒ１は炭素数８〜２０のアルキル基、アルケニ
   ル基又はアルキルフェニル基’ｆｒ、Ｒｔは炭素数８〜
   ２０のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキルフェ
   ニル基、炭素数１〜４のアルキル基又は−ＯＨ！ＯＨ，
   ＯＨを、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基又は−ＯＲ，
   ＯＨ，ＯＲを、Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基又は −（ＯＨ壜ＨＯ）Ｄ−（Ｒ，はＨ又はＣＨ，、ｎは１〜
   ５の整数）、ｘ□けＲ，−Ｃｏｏ（Ｒ，Ｆｉ、炭素数７
   〜２１のアルキル基又はアルケニル基）、ハロゲン原子
   、ＨＯＯＯＯ１◎−５ｏＪ１％ａＨ，Ｇｓｏ、、ＣＨ，
   ０８０。 又はＯ，Ｈ，０ＥＩＯ，全示す〕 （式中５Ｒｖｔｊ：炭素数１２〜２４のアルキル基（式
   中、Ｒｓは炭素数１２〜１８のアルキル基’（（、Ｘ、
   はハロゲン原子を示すＪ （式中、Ｒｏは炭素数１２〜２４のアルキル基金、Ｒ１
   ゜は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル４　ｋ　、Ｒ
   ｔｔは炭素数１〜５のアルキル基又はＣＨ，ＣＨ，ＯＨ
   を、Ｘはハロゲン原子、ＣＨ、Ｏ２０、又はＯ，Ｈ，０
   ８０，を示す）