JPS5927906A - 導電性重合体の製造法 - Google Patents
導電性重合体の製造法Info
- Publication number
- JPS5927906A JPS5927906A JP57136832A JP13683282A JPS5927906A JP S5927906 A JPS5927906 A JP S5927906A JP 57136832 A JP57136832 A JP 57136832A JP 13683282 A JP13683282 A JP 13683282A JP S5927906 A JPS5927906 A JP S5927906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive polymer
- cyano group
- reaction
- acetylene compound
- dicyanoacetylene
- Prior art date
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- Granted
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電性重合体おJ:びそのの製造法に関づる。
炭素系の導電月利は1重々の/J法で製造Jる事が可能
であるが、気相熱分解0千要な方法の一つと考えられ、
これま(に数多くの方法が提案されてきた。たとえば、
メタン、プロパン、プロピレン、ベンゼン、アセチレン
などの化合物を高湿で熱分解して炭素系の導電月利を製
造づる事が提案されているが、反応温度は一般に高く通
常900〜2500℃で、エネルギー多消費である。本
発明においてはシアノ基を含右りるアレチレン化合物の
低温でも可能な導電111巾合体の製造方法が提案され
る。本発明では単独使用以外にも他の耐熱材料、たとえ
ば炭素、セラミック、金属などに表面被服層を作る事−
〇できる。1 なお本発明における導電性重合体とは金属なみの高い電
気伝う9度を示り組成物は勿論の事、半府体領域の電気
伝導度をもつ手合体をも含んでいる。
であるが、気相熱分解0千要な方法の一つと考えられ、
これま(に数多くの方法が提案されてきた。たとえば、
メタン、プロパン、プロピレン、ベンゼン、アセチレン
などの化合物を高湿で熱分解して炭素系の導電月利を製
造づる事が提案されているが、反応温度は一般に高く通
常900〜2500℃で、エネルギー多消費である。本
発明においてはシアノ基を含右りるアレチレン化合物の
低温でも可能な導電111巾合体の製造方法が提案され
る。本発明では単独使用以外にも他の耐熱材料、たとえ
ば炭素、セラミック、金属などに表面被服層を作る事−
〇できる。1 なお本発明における導電性重合体とは金属なみの高い電
気伝う9度を示り組成物は勿論の事、半府体領域の電気
伝導度をもつ手合体をも含んでいる。
本発明は次の構成を4′Iiりる。
(′1) シアノ基を含むアセチレン系化合物を主lこ
るモノマとりる膜状または繊維状の導電性重合体。
るモノマとりる膜状または繊維状の導電性重合体。
(2) シアノ基を有するi tヂレン系化合物を15
0℃以上の温度で反応させる事を特徴とする導電性重合
体の製造方法。
0℃以上の温度で反応させる事を特徴とする導電性重合
体の製造方法。
以下に本発明について詳細に述べる。
本発明において使用される原料はシアンアセチレン、ジ
シアノアセチレン等のシアノ基とアセチレン基を含む炭
素数6以下の炭化水素であり、特にシアンアセチレンお
よびジシアンアセチレンが適している。これらの炭化水
素は単独で用いても、2種以上混合して用いてもよく、
さらに窒素、ヘリウム、アルゴン、水素等の不活性ガス
、ならびに脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、芳香族炭
化水素、不飽和炭化水素、おJ:びその他の炭化水素と
混合して用いてもよい。不活性ガスで希釈して用いる場
合はシアノ基を含むアセヂレン化合物の温度は通常3−
40%、好ましくは10−30%に希釈しておく事がで
きる。
シアノアセチレン等のシアノ基とアセチレン基を含む炭
素数6以下の炭化水素であり、特にシアンアセチレンお
よびジシアンアセチレンが適している。これらの炭化水
素は単独で用いても、2種以上混合して用いてもよく、
さらに窒素、ヘリウム、アルゴン、水素等の不活性ガス
、ならびに脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、芳香族炭
化水素、不飽和炭化水素、おJ:びその他の炭化水素と
混合して用いてもよい。不活性ガスで希釈して用いる場
合はシアノ基を含むアセヂレン化合物の温度は通常3−
40%、好ましくは10−30%に希釈しておく事がで
きる。
これらの原料を含有づるガスは150〜3200℃、好
ましくは350−2400℃の温度で反応させ得る。重
合は種々のメカニズムで進行するとメ2えられる1、た
とえば、低?&nではノア lxブレン基の三重結合が
開き共役二重結合を持つ炭化水素かまずq−成し、つい
でシアノ基の三重結合が間き閉環した化合物が生成して
いる可能性が考えられ、反応温度の」−rlどどもに脱
水素環化その他の反応が祷雑に起り、さらに高温ではグ
ラファイト化が進むと考えられる。これ以外にbイオン
や他のラジカルへの開裂を経るメカニス′ムち考えられ
る。
ましくは350−2400℃の温度で反応させ得る。重
合は種々のメカニズムで進行するとメ2えられる1、た
とえば、低?&nではノア lxブレン基の三重結合が
開き共役二重結合を持つ炭化水素かまずq−成し、つい
でシアノ基の三重結合が間き閉環した化合物が生成して
いる可能性が考えられ、反応温度の」−rlどどもに脱
水素環化その他の反応が祷雑に起り、さらに高温ではグ
ラファイト化が進むと考えられる。これ以外にbイオン
や他のラジカルへの開裂を経るメカニス′ムち考えられ
る。
反応生成物は反応条f1にもJ、るが一般にトド々の構
造の混在した重合体と考えられる。
造の混在した重合体と考えられる。
反応時間は種々の条作により相違づるが、600℃程度
の温度では30秒程度C十分である。
の温度では30秒程度C十分である。
これ以」この時間Cも勿論よくまたこれ以下の時間でも
(れなりに効果がある。
(れなりに効果がある。
本発明の方法によれば従来の炭化水素の熱分解生成物と
は異なった生成物が先ず得られると考えられる。りなわ
ら低温の反応にJ3いでは窒素を含む新規な化合物がま
ず生成づる。反応温度が上ると窒素の含有率は低下しい
わゆるグラフアイ1〜構造に近づくと考えられる。この
場合従来の気相熱分解炭素の製造法に比べ著しく反応速
度が大きく、省エネルギーの観点からみても本発明の方
法はきわめて高いrIIIififjがある。
は異なった生成物が先ず得られると考えられる。りなわ
ら低温の反応にJ3いでは窒素を含む新規な化合物がま
ず生成づる。反応温度が上ると窒素の含有率は低下しい
わゆるグラフアイ1〜構造に近づくと考えられる。この
場合従来の気相熱分解炭素の製造法に比べ著しく反応速
度が大きく、省エネルギーの観点からみても本発明の方
法はきわめて高いrIIIififjがある。
本発明の方法において導電性重合体を他の材料の表面被
覆層として用いる際の基質として用いる事のできる材料
としては、石英、ガラス、窒化ホウ素、窒化ケイ素、4
ノフアイア、シリコン等の無機質の材料、アルミニウム
、ステンレス、銅その他の金属1石、グラフアイ1へ、
炭素繊維等の炭素材料等が用いられるのは勿論であるが
、低温、におりる反応におい℃はボリフ1ニレンザルフ
ァイト、芳香族ポリスルボン、芳香族ポリアミド、ポリ
イミド、芳香族ポリエステル、ポリアミドイミド、およ
び“カプトン″等のポリイミド系の耐熱性の高分子化合
物を用いる事ができる。このように可撓性のある高分子
化合物のフィルムの上に反応させる事ができることは、
反応濡洩をこれらの組成物の軟化温度以下に下げる事が
できたので始めて可能となったものである。これにより
可撓性のある導電性フィルムが製造可能となった意義は
きわめ(大ぎい。基質としく’ iT−ピタ:Vシ曳フ
ル小会に用いられる結晶性基質さらにグラフA1ピタキ
シャルに用いられる基質・し勿論用いる事が出きる。
覆層として用いる際の基質として用いる事のできる材料
としては、石英、ガラス、窒化ホウ素、窒化ケイ素、4
ノフアイア、シリコン等の無機質の材料、アルミニウム
、ステンレス、銅その他の金属1石、グラフアイ1へ、
炭素繊維等の炭素材料等が用いられるのは勿論であるが
、低温、におりる反応におい℃はボリフ1ニレンザルフ
ァイト、芳香族ポリスルボン、芳香族ポリアミド、ポリ
イミド、芳香族ポリエステル、ポリアミドイミド、およ
び“カプトン″等のポリイミド系の耐熱性の高分子化合
物を用いる事ができる。このように可撓性のある高分子
化合物のフィルムの上に反応させる事ができることは、
反応濡洩をこれらの組成物の軟化温度以下に下げる事が
できたので始めて可能となったものである。これにより
可撓性のある導電性フィルムが製造可能となった意義は
きわめ(大ぎい。基質としく’ iT−ピタ:Vシ曳フ
ル小会に用いられる結晶性基質さらにグラフA1ピタキ
シャルに用いられる基質・し勿論用いる事が出きる。
このようにして気相から基質上に重合づることが出来る
と共に、本発明の方法は水、炭化水素等の液相中におい
ても実行づる事が可能である。
と共に、本発明の方法は水、炭化水素等の液相中におい
ても実行づる事が可能である。
本発明は触媒を使用しない熱分解反応をひとつの実施態
様として取る事が出来るが触媒を用いる方法も別の実施
態様として取ることが可能である。
様として取る事が出来るが触媒を用いる方法も別の実施
態様として取ることが可能である。
この場合使用Jる事の出来る触媒としてはアルミナ、鉄
、]バルト、ニッケル、バナジウム、等の重金属、これ
らの合金、酸化物、炭化物その他の化合物が用いられる
。一方、プラズマ重合の手法をイJ(用づる事もrきる
。
、]バルト、ニッケル、バナジウム、等の重金属、これ
らの合金、酸化物、炭化物その他の化合物が用いられる
。一方、プラズマ重合の手法をイJ(用づる事もrきる
。
本発1!lの方法にJ:り得られる導電性重合体は一般
には基質上に何着物としてして得られるが、繊維状たは
バルクの生成物・b作り得る。
には基質上に何着物としてして得られるが、繊維状たは
バルクの生成物・b作り得る。
本発明により得られる轡電性組成物の電気伝導1狂はド
ーピングおよびインターカレーションの手法により向上
さけ得る。ドーパントとしてはヨウ素、五フッ化ヒ素、
三塩化アンチモンおよびその他の公知の化合物が用いら
れ得る。
ーピングおよびインターカレーションの手法により向上
さけ得る。ドーパントとしてはヨウ素、五フッ化ヒ素、
三塩化アンチモンおよびその他の公知の化合物が用いら
れ得る。
以下に実施例により本発明の方法を詳細に説明する。
実施例1
内径15mmの石英製の反応管に反応の基質として耐熱
性の高分子である゛カプトン板を入れ、電気炉を用いて
300℃に加熱し、窒素ガスをキャリV−とするシアノ
アセチレン、ジシアノアセチレン、アセチレン、ベン1
ン、プロピレン、エチレン、塩化エチレン、メチルアセ
チレン、1゜2−ジクロロエチレン、ヘプタン、プロパ
ギルアルコール、オクチン−1、をそれぞれ別に13容
量%含む原料ガスを100m1/minの速度で2時間
供給した。反応俊基質であるパカプ]・ン″を取り出し
反応生成物を肉眼で観察した。シアノアレヂレン、およ
びジシアノアセチレンでは金−光沢を持つ反応物が基質
上に生成していたが、これ以外の原料では生成物はみと
められなかった。
性の高分子である゛カプトン板を入れ、電気炉を用いて
300℃に加熱し、窒素ガスをキャリV−とするシアノ
アセチレン、ジシアノアセチレン、アセチレン、ベン1
ン、プロピレン、エチレン、塩化エチレン、メチルアセ
チレン、1゜2−ジクロロエチレン、ヘプタン、プロパ
ギルアルコール、オクチン−1、をそれぞれ別に13容
量%含む原料ガスを100m1/minの速度で2時間
供給した。反応俊基質であるパカプ]・ン″を取り出し
反応生成物を肉眼で観察した。シアノアレヂレン、およ
びジシアノアセチレンでは金−光沢を持つ反応物が基質
上に生成していたが、これ以外の原料では生成物はみと
められなかった。
実施例2
シアノアレヂレンをアルゴンを用いて5%に希釈し50
+nL/ mi++の速磨で300.700.100
0℃に温度をあげた反応管に入れた石英板の上に反応さ
けた。2時間の反応後基質として用いた石英板を取り出
し、基質上の生成物をとり元素分析を行なった。結果は
次の通りである。
+nL/ mi++の速磨で300.700.100
0℃に温度をあげた反応管に入れた石英板の上に反応さ
けた。2時間の反応後基質として用いた石英板を取り出
し、基質上の生成物をとり元素分析を行なった。結果は
次の通りである。
焼成渇10 D;i ’jすIL℃
炭素 窒素 水素 350 4.5 1.0 1.1700 5.
8 1.0 0.51000 7.3 1.0
0.2反応温度が低い場合窒素を多量に含有づる生
成物が1!tられる。反応温度の上界とともに窒素の含
有鉛は減少づる。
炭素 窒素 水素 350 4.5 1.0 1.1700 5.
8 1.0 0.51000 7.3 1.0
0.2反応温度が低い場合窒素を多量に含有づる生
成物が1!tられる。反応温度の上界とともに窒素の含
有鉛は減少づる。
反応生成物の電気伝導1良を測定した結果は次の通りて
゛あった。
゛あった。
反応温度 電気伝導度
350″CO,1S/cm
700℃ 400OS/cm
1000′C4000S/am
実施例3
石英製の反応管に耐熱性の高分子フィルムである“カプ
トン″゛ライ1〜ン′°、′°トーロン′°および゛エ
コノール′°を入れ減圧にした後、これらを150℃ま
で昇温した。シアンアセチレンを41Q mm)−1g
の圧力で反応管に入れ3時間反応させた。
トン″゛ライ1〜ン′°、′°トーロン′°および゛エ
コノール′°を入れ減圧にした後、これらを150℃ま
で昇温した。シアンアセチレンを41Q mm)−1g
の圧力で反応管に入れ3時間反応させた。
すべてのフィルムの上に金色のシアンアセチレンの反応
生成物が薄膜状に生成していた。、実施実施例4 内(¥20cmのアルミナ製の反応管の内部に硫酸第2
鉄を塗布し、1000″Cまで昇温し、シアノアレヂレ
ン(90vo10%)と水素の混合ガスを10cm/m
inの流速で2時間流した。反応柊了後管の内部を観察
したところながさ約15cmのウィスカーが密生してい
た。
生成物が薄膜状に生成していた。、実施実施例4 内(¥20cmのアルミナ製の反応管の内部に硫酸第2
鉄を塗布し、1000″Cまで昇温し、シアノアレヂレ
ン(90vo10%)と水素の混合ガスを10cm/m
inの流速で2時間流した。反応柊了後管の内部を観察
したところながさ約15cmのウィスカーが密生してい
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) シアノ基を含むアセチレン系化合物を主たるモ
ノマとする膜状まl〔は繊維状の導電性重合体。 (2) シアン基を含むアセチレン系化合物を150℃
以上の温度で反応させる事を特徴とする導電性重合体の
製造方法 (3〉 特許請求の範囲第2項記載の方法におし1で、
シアノ基を含むアセチレン系化合物がシアノアセチレン
、ジシアノアセチレンである事を特徴とする方法。 (4) 特許請求の範囲第2項または第3項記載の方法
において、該重合体を耐熱性高分子からなる基質上に生
成さける事を特徴と覆る方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57136832A JPS5927906A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 導電性重合体の製造法 |
US06/520,197 US4673720A (en) | 1982-08-07 | 1983-08-04 | Electroconductive polymer and process for preparation thereof |
US07/039,239 US4778625A (en) | 1982-08-07 | 1987-04-17 | Electroconductive polymer and process for preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57136832A JPS5927906A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 導電性重合体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5927906A true JPS5927906A (ja) | 1984-02-14 |
JPS636563B2 JPS636563B2 (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=15184542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57136832A Granted JPS5927906A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 導電性重合体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927906A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0339305A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリシアノアセチレンの製造方法 |
JPH0516209U (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-02 | 兼松デユオフアスト株式会社 | 合板パネル用釘打装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR24565E (fr) * | 1917-01-24 | 1922-09-16 | Aeg | Dispositif pour la suppression des pertes à la terre dans les réseaux à haute tension |
US3419537A (en) * | 1965-09-03 | 1968-12-31 | Nasa Usa | Dicyanoacetylene polymers |
JPS575707A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-12 | Showa Denko Kk | Production of high polymer of acetylenic compound |
JPS5845208A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリジシアノアセチレン |
-
1982
- 1982-08-07 JP JP57136832A patent/JPS5927906A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR24565E (fr) * | 1917-01-24 | 1922-09-16 | Aeg | Dispositif pour la suppression des pertes à la terre dans les réseaux à haute tension |
US3419537A (en) * | 1965-09-03 | 1968-12-31 | Nasa Usa | Dicyanoacetylene polymers |
JPS575707A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-12 | Showa Denko Kk | Production of high polymer of acetylenic compound |
JPS5845208A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリジシアノアセチレン |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0339305A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリシアノアセチレンの製造方法 |
JPH0516209U (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-02 | 兼松デユオフアスト株式会社 | 合板パネル用釘打装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS636563B2 (ja) | 1988-02-10 |
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