JPS5923759U - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

Info

Publication number
JPS5923759U
JPS5923759U JP11846182U JP11846182U JPS5923759U JP S5923759 U JPS5923759 U JP S5923759U JP 11846182 U JP11846182 U JP 11846182U JP 11846182 U JP11846182 U JP 11846182U JP S5923759 U JPS5923759 U JP S5923759U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting semiconductor
light emitting
substrate
light
semiconductor layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11846182U
Other languages
English (en)
Inventor
阿部　洋久
文明 佐藤
Original Assignee
株式会社東芝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社東芝 filed Critical 株式会社東芝
Priority to JP11846182U priority Critical patent/JPS5923759U/ja
Publication of JPS5923759U publication Critical patent/JPS5923759U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の光半導体装置を説明する断面図、第２図
Ａ−Ｅはこの考案に係る光半導体装置を製造過程と共に
示す図である。 ２０・・・ｎ型Ｇａｐ基板、２１−・・第１のｎ型Ｇａ
Ｐ層、２２−・・第１のｎ型ＧａＰ層、２４−・・第２
のｎ型ＧａＰ層、２５・・・第２のｎ型ＧａＰ層、２６
・・・アノード電極、２７・・・共通カソード電極、２
８・・・赤色発光半導体層、２９・・・緑色発光半導体
層、３０・・・分離溝。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）−導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形
    成され一発光色の発光用ｐｎ接合を形成する２層の半導
    体層から成る複数種類の発光半導体層と、上記複数の発
    光半導体層間に形成された上記複数の発光半導体層を分
    離する分離部と、上記複数の発光半導体層上面にそれぞ
    れ形成された電極と、上記半導体基板裏面に形成された
    共通電極とを具備し、上記複数の発光半導体層は上記半
    導体基板の同一面に形成されていることを特徴とする光
    半導体装置。
  2. （２）上記半導体基板は一導電型のガリウム・リン基板
    であり、発光半導体層としてガリウムリンを主成分とす
    る赤色発光半導体層およびガリウムリンを主成分とする
    緑色発光半導体層とがそれぞれ上記半導体基板上に形成
    されていることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
    １項記載の光半導体装置。
  3. （３）上記分離部は、溝部或いは絶縁物の埋め込まれた
    溝部であることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
    １項まｆは第２項記載の光半導体装置。
JP11846182U 1982-08-04 1982-08-04 光半導体装置 Pending JPS5923759U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11846182U JPS5923759U (ja) 1982-08-04 1982-08-04 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11846182U JPS5923759U (ja) 1982-08-04 1982-08-04 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5923759U true JPS5923759U (ja) 1984-02-14

Family

ID=30272267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11846182U Pending JPS5923759U (ja) 1982-08-04 1982-08-04 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5923759U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110085619B (zh) 一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法
CN111564543A (zh) 一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法
JPS5923759U (ja) 光半導体装置
KR100495004B1 (ko) 발광다이오드 및 그 제조방법
US2728809A (en) Method of manufacturing photoelectric cells
JPH04103666U (ja) 青色発光デバイスの電極
JPH07263746A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JPS61181177A (ja) 半導体発光素子
JPS61112661U (ja)
TWI789764B (zh) 發光元件及其製造方法與發光裝置的製造方法
JPS6375058U (ja)
JPS58106954U (ja) ダイオ−ド
KR930010130B1 (ko) 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
JPS6165766U (ja)
JPS60111054U (ja) 半導体発光装置
JPS6234467Y2 (ja)
JPS60136274A (ja) ガラス封止用半導体発光素子
JPS6113956U (ja) 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド
JPH01146946U (ja)
JPS58103157U (ja) 分布帰還型半導体レ−ザ装置
JPS599565U (ja) ガリウム燐発光ダイオ−ド
JPS6337678A (ja) 発光ダイオ−ド及びその製造方法
JPS58114054U (ja) 光半導体装置
JPS583050U (ja) 発光ダイオ−ド
JPS58132981A (ja) ツエナ−ダイオ−ド