JPS5923579A - 緑色系発光ダイオ−ドおよびその製造方法 - Google Patents
緑色系発光ダイオ−ドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5923579A JPS5923579A JP57133457A JP13345782A JPS5923579A JP S5923579 A JPS5923579 A JP S5923579A JP 57133457 A JP57133457 A JP 57133457A JP 13345782 A JP13345782 A JP 13345782A JP S5923579 A JPS5923579 A JP S5923579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- gap
- green led
- epitaxial layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
可視発光ダイオード（ＬＥＤ）はパイロットランプとし
て、あるいは数字表示素子やレベルインディケータ等の
ディスプレー素子として幅広ぐ用いられている。特にデ
ィスプレーの分野では赤。
て、あるいは数字表示素子やレベルインディケータ等の
ディスプレー素子として幅広ぐ用いられている。特にデ
ィスプレーの分野では赤。
黄、緑の３色のＬＥＤが使用されることが多く、燐化ガ
リウム（ＧａＰ）基板上にｎ型とｐ型のエピタキシャル
層を順次成長させて形成しだＧａＰ緑色ＬＥＤはＧａＰ
赤色ＬＥＤとともに可視ＬＥＤの中心的地位を占めてい
る。本発明は上記ディスプレー素子として好適なＧａＰ
緑色系ＬＥＤに関する。
リウム（ＧａＰ）基板上にｎ型とｐ型のエピタキシャル
層を順次成長させて形成しだＧａＰ緑色ＬＥＤはＧａＰ
赤色ＬＥＤとともに可視ＬＥＤの中心的地位を占めてい
る。本発明は上記ディスプレー素子として好適なＧａＰ
緑色系ＬＥＤに関する。
；
従来例の構成と問題点
ＧａＰ緑色ＬＥＤは発光中心として窒素（Ｎ）を含み６
６６ ｎｍにピーク発光波長を有する黄緑色ＬＥＤと窒
素を含まず６５６ ｎｍにピーク発光波長を有する純緑
色ＬＥＤの２種類がある。これらの構造はともにｎ型Ｇ
ａＰ基板上にｎ型とｐ型のエピタキシャル層を順次成長
させることにより形成される。
６６ ｎｍにピーク発光波長を有する黄緑色ＬＥＤと窒
素を含まず６５６ ｎｍにピーク発光波長を有する純緑
色ＬＥＤの２種類がある。これらの構造はともにｎ型Ｇ
ａＰ基板上にｎ型とｐ型のエピタキシャル層を順次成長
させることにより形成される。
ＧａＰ基板は一般に＜１１１＞方向にスライミングされ
ており、その面にはＡ面（ガリウム面）と３面（焼面）
がある。Ａ面は化学的に安定でエソチングされにりく、
とのＡ面上にエピタキシャル層を形成するとまだエピタ
キシャル層中に不純物がドーピングされにくい等の性質
があるため、エピタキシャル層は通常８面上に成長され
る。この結果形成されるＧａＰＬＥＤのｎ型面はＡ面と
なっている。
ており、その面にはＡ面（ガリウム面）と３面（焼面）
がある。Ａ面は化学的に安定でエソチングされにりく、
とのＡ面上にエピタキシャル層を形成するとまだエピタ
キシャル層中に不純物がドーピングされにくい等の性質
があるため、エピタキシャル層は通常８面上に成長され
る。この結果形成されるＧａＰＬＥＤのｎ型面はＡ面と
なっている。
第１図は、このような構造をもつ従来のＧａＰ緑色ＬＥ
Ｄの断面構造を示す図であり、ｎ型ＧａＰ基板１の上に
ｎ型ＧａＰエピタキシャル層２が成長させ、さらに、こ
の上にｐ型Ｇ ａ Ｐエピタキシャル層３が成長させる
とともに、電極４および６を設けて形成したＧａＰ緑色
ＬＥＤ素子をステム等の支持体６へ固着した構造となっ
ている。ところで、上述したように、ＧａＰ基板１の８
面上にエピタキシャル層は形成されており、一方、Ｇａ
Ｐ緑色ＬＥＤのｎ型面となるＡ面は、ＧａＰ基板１の厚
みの均一化をはかるとともに、この面での光反射率を高
めるだめに鏡面となるよう研磨されている。そしてＧａ
Ｐ緑色ＬＥＤにおいて、ｐｎ接合近傍で発光して外部に
放出される光は、図示するように、図中Ｘで示すように
直接外部へ射出される光成分と、図中Ｙで示すように、
一度Ａ面で反射し、外部に放出される光成分に大別され
る。
Ｄの断面構造を示す図であり、ｎ型ＧａＰ基板１の上に
ｎ型ＧａＰエピタキシャル層２が成長させ、さらに、こ
の上にｐ型Ｇ ａ Ｐエピタキシャル層３が成長させる
とともに、電極４および６を設けて形成したＧａＰ緑色
ＬＥＤ素子をステム等の支持体６へ固着した構造となっ
ている。ところで、上述したように、ＧａＰ基板１の８
面上にエピタキシャル層は形成されており、一方、Ｇａ
Ｐ緑色ＬＥＤのｎ型面となるＡ面は、ＧａＰ基板１の厚
みの均一化をはかるとともに、この面での光反射率を高
めるだめに鏡面となるよう研磨されている。そしてＧａ
Ｐ緑色ＬＥＤにおいて、ｐｎ接合近傍で発光して外部に
放出される光は、図示するように、図中Ｘで示すように
直接外部へ射出される光成分と、図中Ｙで示すように、
一度Ａ面で反射し、外部に放出される光成分に大別され
る。
Ｇ ａ Ｐ緑色ＬＥＤの発光は、ＧａＰのバンドギャッ
プに近く、内部吸収が太きい。しだがって、ＧａＰ緑色
ＬＥＤ内で多重反射する光は、その殆んどが吸収され、
また、上記のようにＡ面で一度反射されて外部に放出さ
れる光成分Ｙの吸収も大きい。
プに近く、内部吸収が太きい。しだがって、ＧａＰ緑色
ＬＥＤ内で多重反射する光は、その殆んどが吸収され、
また、上記のようにＡ面で一度反射されて外部に放出さ
れる光成分Ｙの吸収も大きい。
このため、従来のＧ ａ Ｐ緑色ＬＥＤでは、高い発光
出力を得ることができなかった。
出力を得ることができなかった。
このような問題は、Ｇ ａ Ｐ黄緑色ＬＥＤでも同様に
生じていた。
生じていた。
発明の目的
本発明はＧａＰ緑色系ＬＥＤの内部で発光した光のうち
、内部反射を経て外部へ放出される光成分の、内部吸収
による光の量を減少させ、高発光出力のＧａＰ緑色系Ｌ
ＥＤおよびこれを製造する方法を提供することを目的と
するものである。
、内部反射を経て外部へ放出される光成分の、内部吸収
による光の量を減少させ、高発光出力のＧａＰ緑色系Ｌ
ＥＤおよびこれを製造する方法を提供することを目的と
するものである。
発明の構成
本発明は、ＧａＰ緑色系ＬＥＤの出発材料となるＧ ａ
Ｐ基板のエツチングが困難なＡ面を王水でエツチング
すると、結晶欠陥によるエッチピットならびに亀甲状の
凹凸がエツチング面に生じること、すなわち、従来はエ
ツチングが困難とされていたＧａＰ基板のＡ面に凹凸加
工を施すことができることの確認に基いてなされたもの
であり、ＧａＰ緑色系ＬＥＤの構造を、ＧａＰ緑色系Ｌ
ＥＤの出発材料となるｎ型燐化ガリウム基板上にｎ型燐
化ガリウムエピタキシャル層が形成され、さらに、この
上にｐ型燐化ガリウムエピタキシャル層が形成されると
ともに、前記ｎ型燐化ガリウム基板のエピタキシャル層
形成面とは逆のｎ型面に凹凸加工が施しだ構造とするこ
と、壕だ、この構造をうるための製造方法として、Ｇａ
Ｐ緑色系ＬＥＤの出発材料として準備したｎ型燐化ガリ
ウム基板上にｎ型ならびにｐ型の燐化ガリウムエピタキ
シャル層を形成したのち、前記ｎ型燐化ガリウム基板の
エピタキシャル層形成面側とは逆のｎ型面を王水でエツ
チング処理し、同ｎ型面を凹凸とする方法を採ることを
特徴とするものである。この方法でｎ型面（Ａ面）が凹
凸加工面とされたＧａＰ緑色系ＬＥＤでは、内部で発光
した光のｎ型面での反射が乱反射となり、ＧａＰ緑色系
ＬＥＤ素子の側面からも外部へ光放出がなされ、全体的
にみて光吸収量が減り、高発光出力が得られるところと
なる。
Ｐ基板のエツチングが困難なＡ面を王水でエツチング
すると、結晶欠陥によるエッチピットならびに亀甲状の
凹凸がエツチング面に生じること、すなわち、従来はエ
ツチングが困難とされていたＧａＰ基板のＡ面に凹凸加
工を施すことができることの確認に基いてなされたもの
であり、ＧａＰ緑色系ＬＥＤの構造を、ＧａＰ緑色系Ｌ
ＥＤの出発材料となるｎ型燐化ガリウム基板上にｎ型燐
化ガリウムエピタキシャル層が形成され、さらに、この
上にｐ型燐化ガリウムエピタキシャル層が形成されると
ともに、前記ｎ型燐化ガリウム基板のエピタキシャル層
形成面とは逆のｎ型面に凹凸加工が施しだ構造とするこ
と、壕だ、この構造をうるための製造方法として、Ｇａ
Ｐ緑色系ＬＥＤの出発材料として準備したｎ型燐化ガリ
ウム基板上にｎ型ならびにｐ型の燐化ガリウムエピタキ
シャル層を形成したのち、前記ｎ型燐化ガリウム基板の
エピタキシャル層形成面側とは逆のｎ型面を王水でエツ
チング処理し、同ｎ型面を凹凸とする方法を採ることを
特徴とするものである。この方法でｎ型面（Ａ面）が凹
凸加工面とされたＧａＰ緑色系ＬＥＤでは、内部で発光
した光のｎ型面での反射が乱反射となり、ＧａＰ緑色系
ＬＥＤ素子の側面からも外部へ光放出がなされ、全体的
にみて光吸収量が減り、高発光出力が得られるところと
なる。
実施例の説明
第２図は、本発明のＧａＰ緑色系ＬＥＤの一実施例を示
す断面図であり、基本的な構造は、第１図で示した従来
のものと同じである。
す断面図であり、基本的な構造は、第１図で示した従来
のものと同じである。
しかしながら、図示するように、ＧａＰ緑色系ＬＥＤ素
子の支持体６に接着される側の面であるｎ型面（Ａ面）
が凹凸面となっているため、内部で発光した光のうち、
ｎ型面で反射する光は、この凹凸によって乱反射される
ところとなる。すなわち、ｎ型面で反射される光は、ｐ
型面（一方の表面）から外部に放出される光成分Ｙと側
面から外部へ放出される光成分Ｚに分かれ、しかも、そ
の大半は光成分２によって占められる。この側面から外
部へ放出される光成分Ｚの素子内部の通過距離は、光成
分Ｙのそれにくらべて短くなり、したがって、内部吸収
量は減少する。すなわち、ｎ型面（Ａ面）で反射された
光成分のうち、素子外部へ放出される光量が増し、Ｇａ
Ｐ緑色系ＬＥＤの発光出力特性が従来の構造にくらべて
改善される。
子の支持体６に接着される側の面であるｎ型面（Ａ面）
が凹凸面となっているため、内部で発光した光のうち、
ｎ型面で反射する光は、この凹凸によって乱反射される
ところとなる。すなわち、ｎ型面で反射される光は、ｐ
型面（一方の表面）から外部に放出される光成分Ｙと側
面から外部へ放出される光成分Ｚに分かれ、しかも、そ
の大半は光成分２によって占められる。この側面から外
部へ放出される光成分Ｚの素子内部の通過距離は、光成
分Ｙのそれにくらべて短くなり、したがって、内部吸収
量は減少する。すなわち、ｎ型面（Ａ面）で反射された
光成分のうち、素子外部へ放出される光量が増し、Ｇａ
Ｐ緑色系ＬＥＤの発光出力特性が従来の構造にくらべて
改善される。
ところで、このような構造を有する本発明のＧａＰ緑色
系ＬＥＤは、以下に述べる方法によって形成される。先
ず、ｎ型ＧａＰ基板上にｎ型ならびにｐ型のエピタキシ
ャル層を順次液層成長させる。次いで、このエピタキシ
ャル成長ずみＧａＰ基板のｎ型面側を所定の厚さだけ研
磨除去したのち、研磨面のみを露出させ、王水で数分間
エツチングする。このエツチング処理により、ｎ型面（
Ａ面）は第２図で示したように凹凸面となり、こののち
、電極の形成、支持体への素子の接着を経て第２図で示
したような構造のＧ ａ Ｐ緑色光ＬＥＤが形成される
。
系ＬＥＤは、以下に述べる方法によって形成される。先
ず、ｎ型ＧａＰ基板上にｎ型ならびにｐ型のエピタキシ
ャル層を順次液層成長させる。次いで、このエピタキシ
ャル成長ずみＧａＰ基板のｎ型面側を所定の厚さだけ研
磨除去したのち、研磨面のみを露出させ、王水で数分間
エツチングする。このエツチング処理により、ｎ型面（
Ａ面）は第２図で示したように凹凸面となり、こののち
、電極の形成、支持体への素子の接着を経て第２図で示
したような構造のＧ ａ Ｐ緑色光ＬＥＤが形成される
。
第３図は、以上説明した本発明の効果確認のために、ｎ
型面を鏡面研磨して形成した従来構造のＧ ａ Ｐ純緑
色ＬＥＤと、ｎ型面が王水によるエツチングで凹凸加工
して形成した本発明のＧ ａ Ｐ純緑色ＬＥＤの発光出
力を比較を示す図である。
型面を鏡面研磨して形成した従来構造のＧ ａ Ｐ純緑
色ＬＥＤと、ｎ型面が王水によるエツチングで凹凸加工
して形成した本発明のＧ ａ Ｐ純緑色ＬＥＤの発光出
力を比較を示す図である。
図示するように、本発明の構造によれば、発光出力が従
来の構造にくらべておよそ２０係大きくなり、高発光出
力化がはかられている。
来の構造にくらべておよそ２０係大きくなり、高発光出
力化がはかられている。
なお、ＧａＰ黄緑色ＬＥＤに本発明を適用した場合にも
同様の結果が得られた。
同様の結果が得られた。
発明の効果
本発明によれば、Ｇ ａ Ｐ緑色光ＬＥＤの基本構造な
らびに基本製造４工程に大幅な変更をもたらすことなく
、Ｇ ａ Ｐ緑色光ＬＥＤの高発光出力化をはかること
ができ、ＧａＰＬＥＤのディスプレー分野への適用範囲
を拡大する効果が奏される。
らびに基本製造４工程に大幅な変更をもたらすことなく
、Ｇ ａ Ｐ緑色光ＬＥＤの高発光出力化をはかること
ができ、ＧａＰＬＥＤのディスプレー分野への適用範囲
を拡大する効果が奏される。
第１図はｎ型面を鏡面に研磨した従来のＧ ａ Ｐ緑色
光ＬＥＤの構造を示す断面図、第２図は王水エツチング
によりｎ型面を凹凸状にした本発明のＧａＰ緑色ＬＥＤ
の構造を示す断面図、第３図は従来のＧａＰ純緑色ＬＥ
Ｄと本発明のＧ ａ Ｐ純緑色ＬＥＤとの発光出力の比
較を示す図である。 １・・・・・・ｎ型ＧａＰ基板、２・・・・・・ｎ型Ｇ
ａＰエピタキシャル層、３・・・・・・ｐ型ＧａＰエピ
タキシャル層、４・・・・・・ｎ型面側電極、６・・・
・・・ｐ型面側電極、６・・・・・・支持体（ステム）
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１老醜
１ 図 ｍ２図 第３図
光ＬＥＤの構造を示す断面図、第２図は王水エツチング
によりｎ型面を凹凸状にした本発明のＧａＰ緑色ＬＥＤ
の構造を示す断面図、第３図は従来のＧａＰ純緑色ＬＥ
Ｄと本発明のＧ ａ Ｐ純緑色ＬＥＤとの発光出力の比
較を示す図である。 １・・・・・・ｎ型ＧａＰ基板、２・・・・・・ｎ型Ｇ
ａＰエピタキシャル層、３・・・・・・ｐ型ＧａＰエピ
タキシャル層、４・・・・・・ｎ型面側電極、６・・・
・・・ｐ型面側電極、６・・・・・・支持体（ステム）
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１老醜
１ 図 ｍ２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１〕ｎ型燐化ガリウム基板上にｎ型燐化ガリウムエピ
タキシャル層が形成され、さらに、この上にｐ型燐化ガ
リウムエピタキシャル層が形成されるとともに、前記ｎ
型燐化ガリウム基板のエピタキシャル層形成面とは逆の
ｎ型面に凹凸加工が施されていることを特徴とする緑色
系発光ダイオード。 （２）ｎ型燐化ガリウム基板上にｎ型ならびにｐ型の燐
化ガリウムエピタキシャル層を形成したのち、前記ｎ型
燐化ガリウム基板のエピタキシャル層形成面側とは逆の
ｎ型面を王水でエツチング処理し、同ｎ型面を凹凸面と
することを特徴とする緑色系発光ダイオードの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133457A JPS5923579A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 緑色系発光ダイオ−ドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133457A JPS5923579A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 緑色系発光ダイオ−ドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923579A true JPS5923579A (ja) | 1984-02-07 |
| JPH0441516B2 JPH0441516B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=15105224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57133457A Granted JPS5923579A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 緑色系発光ダイオ−ドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923579A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032539A (en) * | 1988-07-08 | 1991-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing green light emitting diode |
| WO2000052795A1 (fr) | 1999-02-26 | 2000-09-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent a semi-conducteurs |
| JP2003069075A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
| JP2004281445A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型発光ダイオード素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112194A (en) * | 1976-03-08 | 1976-10-04 | Toshiba Corp | Gap light emmision element |
| JPS5221875A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-18 | Illinois Tool Works | Wheel rpm sensor provided with exciter ring runnout compensator |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP57133457A patent/JPS5923579A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221875A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-18 | Illinois Tool Works | Wheel rpm sensor provided with exciter ring runnout compensator |
| JPS51112194A (en) * | 1976-03-08 | 1976-10-04 | Toshiba Corp | Gap light emmision element |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032539A (en) * | 1988-07-08 | 1991-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing green light emitting diode |
| WO2000052795A1 (fr) | 1999-02-26 | 2000-09-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent a semi-conducteurs |
| JP2003069075A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
| JP2004281445A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型発光ダイオード素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441516B2 (ja) | 1992-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6458612B1 (en) | Method of fabricating high efficiency light-emitting diode with a transparent substrate | |
| KR101196579B1 (ko) | 화합물 반도체 발광 소자 및 이를 이용하는 조명 장치 및 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법 | |
| JP3230638B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| TWI228323B (en) | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method, integrated semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof, image display device and its manufacturing method, illumination device and manufacturing method thereof | |
| KR100705226B1 (ko) | 삼차원 구조의 발광층을 구비한 발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| JPS5922376A (ja) | 純緑色発光ダイオ−ドおよびその製造方法 | |
| JP2010098068A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ | |
| JPH0856018A (ja) | 半導体発光素子、および半導体発光素子の製造方法 | |
| JPS5923579A (ja) | 緑色系発光ダイオ−ドおよびその製造方法 | |
| US4671829A (en) | Manufacturing green light emitting diodes | |
| JP6245380B2 (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
| JP4583060B2 (ja) | 単結晶サファイア基板の製造方法および窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2002026387A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP2000150961A (ja) | 発光基板ｌｅｄ素子 | |
| US8102892B2 (en) | Semiconductor laser light emitting device and method for manufacturing same | |
| JP2004072047A (ja) | 白色発光素子、白色発光素子用基板および白色発光素子用基板の製造方法 | |
| JPH11354837A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2005353809A (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
| JP2004327729A (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法 | |
| EP0597402A1 (en) | A GaP light emitting element substrate | |
| JP3662832B2 (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
| JPH0220077A (ja) | 緑色発光ダイオードの製造方法 | |
| JPH1065211A (ja) | 発光ダイオード | |
| TWI392115B (zh) | 增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法 | |
| KR100983181B1 (ko) | 발광 다이오드 제조를 위한 질화 갈륨층 성장 방법, 이방법을 이용한 발광 다이오드 제조 방법, 및 이 방법에의해 제조된 발광 다이오드 |