JPS5923444A - 走査型反射電子回折顕微装置 - Google Patents
走査型反射電子回折顕微装置Info
- Publication number
- JPS5923444A JPS5923444A JP13193782A JP13193782A JPS5923444A JP S5923444 A JPS5923444 A JP S5923444A JP 13193782 A JP13193782 A JP 13193782A JP 13193782 A JP13193782 A JP 13193782A JP S5923444 A JPS5923444 A JP S5923444A
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- JP
- Japan
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- sample
- diffraction
- modulation voltage
- aperture
- electron
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/2955—Electron or ion diffraction tubes using scanning ray
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は試料表面の結晶性を分析する走査型反射電子回
折顕微装置の改良に関し、特に、この種装置において試
料の加熱時に生ずる発光が回折スポットによる発光と重
なる場合においても回折スポットによる発光のみを、走
査電子顕微像を得るための信号とすることを可能にする
機構に関するものである。
折顕微装置の改良に関し、特に、この種装置において試
料の加熱時に生ずる発光が回折スポットによる発光と重
なる場合においても回折スポットによる発光のみを、走
査電子顕微像を得るための信号とすることを可能にする
機構に関するものである。
従来の走査型反射電子回折顕微装置では、試料表面上の
特定の結晶構造を持つ領域を知るために、ある特定の反
射電子回折線の螢光板上での発光を信号として走査電子
顕微像を取得する。しかし、試料を加熱したときの結晶
構造の変化の様子を観察する場合、試料が加熱されるこ
とによって生ずる発光が反射電子回折線の螢光板上での
発光と重畳し、特定の結晶構造を持つ領域を知ることが
困難となる欠点が従来装置にはあり、何らかの対策が望
まれていた。
特定の結晶構造を持つ領域を知るために、ある特定の反
射電子回折線の螢光板上での発光を信号として走査電子
顕微像を取得する。しかし、試料を加熱したときの結晶
構造の変化の様子を観察する場合、試料が加熱されるこ
とによって生ずる発光が反射電子回折線の螢光板上での
発光と重畳し、特定の結晶構造を持つ領域を知ることが
困難となる欠点が従来装置にはあり、何らかの対策が望
まれていた。
したがって、本発明の目的は、試料の加熱時に生ずる発
光と反射電子回折線による発光とを電気的に分離し、後
者による発光のみを信号として走査電子顕微像を取得す
ることによって加熱時における特定の結晶構造を持つ領
域の観察を可能かつ容易にし得る走査型反射電子回折顕
微装置を提供することにある。
光と反射電子回折線による発光とを電気的に分離し、後
者による発光のみを信号として走査電子顕微像を取得す
ることによって加熱時における特定の結晶構造を持つ領
域の観察を可能かつ容易にし得る走査型反射電子回折顕
微装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明においては、試料と
螢光板との間に偏向板及びアパーチャを設け、偏向板に
変調電圧を印加して反射電子回折線をチョッピングした
ときに得られる光−電気変換信号のうち、同調増幅器に
より上記変調電圧に同調した電気信号のみを選択して走
査電子顕微像を得られるように走査型反射電子回折顕微
装置を構成したことを特徴としている。
螢光板との間に偏向板及びアパーチャを設け、偏向板に
変調電圧を印加して反射電子回折線をチョッピングした
ときに得られる光−電気変換信号のうち、同調増幅器に
より上記変調電圧に同調した電気信号のみを選択して走
査電子顕微像を得られるように走査型反射電子回折顕微
装置を構成したことを特徴としている。
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明による走査型反射電子回折顕微装置の基
本的な構成を示したものである。同図において、加速電
源１を有する電子銃２から放出される一次電子ビーム４
は収束レンズ３によシ真空容器６内にある試料７の表面
に収束される。走査電源１６により一次゛厄子ビーム用
偏向コイル群５を動作させて一次電子ビーム４を試料７
の表面上で走査させる。そのときに得られる試料７の吸
収電流信号を陰極線管（以下、ＣＦＬＴと略称する）１
５の輝度変調信号にかえてＣＦＬＴ１５上に試料７の吸
収電流像を得る。この吸収電流像から試料７上の分析す
べき場所を選択する。この分析点に一次電子線４を固定
照射することによって得られる反射電子回折線８は螢光
板１２上にのぞき窓１３を通して反射電子回折像として
観測される。
本的な構成を示したものである。同図において、加速電
源１を有する電子銃２から放出される一次電子ビーム４
は収束レンズ３によシ真空容器６内にある試料７の表面
に収束される。走査電源１６により一次゛厄子ビーム用
偏向コイル群５を動作させて一次電子ビーム４を試料７
の表面上で走査させる。そのときに得られる試料７の吸
収電流信号を陰極線管（以下、ＣＦＬＴと略称する）１
５の輝度変調信号にかえてＣＦＬＴ１５上に試料７の吸
収電流像を得る。この吸収電流像から試料７上の分析す
べき場所を選択する。この分析点に一次電子線４を固定
照射することによって得られる反射電子回折線８は螢光
板１２上にのぞき窓１３を通して反射電子回折像として
観測される。
この回折像を解析することによって試料７の表面上の任
意の場所の結晶状態（試料７の表面部分を構成する元素
の配列状態）を分析することが可能となる。さらに、ア
パーチャ１１を使用しである特定の回折スポットを選び
、光電変換素子（例えば、フォトマルチプライヤ）１４
から得られる電気信号を一次電子ビーム４の走査に同期
させてＣＲＴ１５の輝度変調信号にかえることによって
ＣＲＴ１５上に回折顕微像が得られる。この回折顕微像
から試料７の表面の結晶分布がわかシ、試料７の表面の
結晶解析の有力な手段となる。
意の場所の結晶状態（試料７の表面部分を構成する元素
の配列状態）を分析することが可能となる。さらに、ア
パーチャ１１を使用しである特定の回折スポットを選び
、光電変換素子（例えば、フォトマルチプライヤ）１４
から得られる電気信号を一次電子ビーム４の走査に同期
させてＣＲＴ１５の輝度変調信号にかえることによって
ＣＲＴ１５上に回折顕微像が得られる。この回折顕微像
から試料７の表面の結晶分布がわかシ、試料７の表面の
結晶解析の有力な手段となる。
さて、本発明の最も特徴とする部分は、上記走査型反射
電子回折顕微装置における偏向電圧遮蔽板９、偏向板１
０、アパーチャ１１、同調増幅器１７、結合トランス１
８及び偏向電圧電源１９部にある。従来まで回折顕微像
を得る場合、ある特定の回折スポットの選択にはアパー
チャ１１のみを使用していた。しかし、試料７を加熱し
たときの結晶分布を観察する場合、この構成では加熱に
よる発光が回折スポットによる発光と重なシ信号が相対
的に減少するために顕微像を取得することが非常に困難
になるという欠点がある。これに対して次に示す機構に
よりこの欠点を除去することができる。
電子回折顕微装置における偏向電圧遮蔽板９、偏向板１
０、アパーチャ１１、同調増幅器１７、結合トランス１
８及び偏向電圧電源１９部にある。従来まで回折顕微像
を得る場合、ある特定の回折スポットの選択にはアパー
チャ１１のみを使用していた。しかし、試料７を加熱し
たときの結晶分布を観察する場合、この構成では加熱に
よる発光が回折スポットによる発光と重なシ信号が相対
的に減少するために顕微像を取得することが非常に困難
になるという欠点がある。これに対して次に示す機構に
よりこの欠点を除去することができる。
試料７と螢光板１２との間に偏向板１０とアパーチャ１
１（このアパーチャ１１の位置は螢光板１２と偏向板１
０との間でも、螢光板１２と光電変換素子１４との間で
も良い）を設置し、ある特定の反射電子回折線８を通過
させる。このとき、同調増幅器１７から発生する変調電
圧を、結合トランス１８と偏向電圧電源１９を介して適
当な増幅率で偏向板１０に印加する。偏向電圧遮蔽板９
゛は変調電圧の試料７への影響を遮断する役目を持つ
。この変調電圧によシ反射電子回折線８は変調電圧に同
期して偏向され、アパーチャ１１に、よυ反射電子回折
線８の光路がさえぎられることによって、螢光板１２上
での反射電子回折線８による発光の強度が変調を受ける
。この発光を光電変換素子１４によシミ気信号に変換し
、同調増幅器１７によシ上記変調電圧に同期する電気信
号だけを取り出し、ＣＲＴ１５の輝度変調信号として使
用する。試料７の加熱による発光は変調電圧に無関係な
ので、この構成によシ、試料７の加熱による発光から生
ずる信号は除去され、反射電子回折線８による発光のみ
を使用して回折顕微像を取得することが可能となる。
１（このアパーチャ１１の位置は螢光板１２と偏向板１
０との間でも、螢光板１２と光電変換素子１４との間で
も良い）を設置し、ある特定の反射電子回折線８を通過
させる。このとき、同調増幅器１７から発生する変調電
圧を、結合トランス１８と偏向電圧電源１９を介して適
当な増幅率で偏向板１０に印加する。偏向電圧遮蔽板９
゛は変調電圧の試料７への影響を遮断する役目を持つ
。この変調電圧によシ反射電子回折線８は変調電圧に同
期して偏向され、アパーチャ１１に、よυ反射電子回折
線８の光路がさえぎられることによって、螢光板１２上
での反射電子回折線８による発光の強度が変調を受ける
。この発光を光電変換素子１４によシミ気信号に変換し
、同調増幅器１７によシ上記変調電圧に同期する電気信
号だけを取り出し、ＣＲＴ１５の輝度変調信号として使
用する。試料７の加熱による発光は変調電圧に無関係な
ので、この構成によシ、試料７の加熱による発光から生
ずる信号は除去され、反射電子回折線８による発光のみ
を使用して回折顕微像を取得することが可能となる。
以上述べた如く、本発明による走査型反射電子回折顕微
装置は、試料加熱時に生ずる発光と反射電子回折線によ
る発光とを電気的に分離し、後者による発光のみを信号
として走査電子顕微像を取得することによって、加熱時
における特定の結晶構造を持つ領域の観察を容易にする
という極めて優れた利点を持つ。
装置は、試料加熱時に生ずる発光と反射電子回折線によ
る発光とを電気的に分離し、後者による発光のみを信号
として走査電子顕微像を取得することによって、加熱時
における特定の結晶構造を持つ領域の観察を容易にする
という極めて優れた利点を持つ。
第１図は本発明による走査型反射電子回折顕微装置の基
本構成図である。 １・・・加速電源、２・・・電子銃、３・・・収束レン
ズ、４・・・−次電子ビーム、５・・・−次電子ビーム
用偏向コイル群、６・・・真空容器、７・・・試料、８
・・・反射電子回折線、９・・・偏向電圧遮蔽板、１０
・・・偏向板、１１・・・アパーチャ、１２・・・螢光
板、１３・・・のぞき窓、１４・・・光電変換素子、１
５・・・陰極線管（ＣＲ，Ｔ）、１６・・・走査電源、
１７・・・同調増幅器、１８・・・結合トランス、１９
・・・偏向電圧電源。 代理人 弁理士 薄田利幸・ 第 １ 区 ！
本構成図である。 １・・・加速電源、２・・・電子銃、３・・・収束レン
ズ、４・・・−次電子ビーム、５・・・−次電子ビーム
用偏向コイル群、６・・・真空容器、７・・・試料、８
・・・反射電子回折線、９・・・偏向電圧遮蔽板、１０
・・・偏向板、１１・・・アパーチャ、１２・・・螢光
板、１３・・・のぞき窓、１４・・・光電変換素子、１
５・・・陰極線管（ＣＲ，Ｔ）、１６・・・走査電源、
１７・・・同調増幅器、１８・・・結合トランス、１９
・・・偏向電圧電源。 代理人 弁理士 薄田利幸・ 第 １ 区 ！
Claims (1)
- １、真空中で電子源から一次電子ビームを取出し、上記
−次電子ビームを収束レンズ及び偏向系によって試料表
面上の所定領域に所定角度で照射し、それによって上記
試料の表面で反射される反射電子の回折像を螢光板上に
形成し、上記螢光板上の回折像の中の特定回折スポット
からの発光のみをアパーチャによって選択的に取出し、
光電変換素子により電気信号に変換して走査電子顕微像
を得る走査型反射電子回折顕微装置において、上記試料
と上記螢光板との間に偏向板及びアパーチャを設け、上
記偏向板に変調電圧を印加し上記特定回折スポットを偏
向したときに得られる光−電気変換信号のうち同調増幅
器によシ上記変調電圧に同調した電気信号のみを選択し
て上記走査電子顕微像を得るようにしてなることを特徴
とする走査型反射電子回折顕微装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13193782A JPS5923444A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13193782A JPS5923444A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923444A true JPS5923444A (ja) | 1984-02-06 |
| JPH043060B2 JPH043060B2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=15069692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13193782A Granted JPS5923444A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923444A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130956U (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-25 | 株式会社 日本ビ−テツク | 反射式電子回折用電子線照射装置 |
| JPH0295538U (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-30 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969388A (ja) * | 1972-11-08 | 1974-07-04 | ||
| JPS49122785A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-25 | ||
| JPS54139593A (en) * | 1978-01-19 | 1979-10-30 | Nec Corp | Measuring method of auger electron spectral spectra |
| JPS5510212U (ja) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13193782A patent/JPS5923444A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969388A (ja) * | 1972-11-08 | 1974-07-04 | ||
| JPS49122785A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-25 | ||
| JPS54139593A (en) * | 1978-01-19 | 1979-10-30 | Nec Corp | Measuring method of auger electron spectral spectra |
| JPS5510212U (ja) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130956U (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-25 | 株式会社 日本ビ−テツク | 反射式電子回折用電子線照射装置 |
| JPH0295538U (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-30 | ||
| JPH0515943Y2 (ja) * | 1989-01-11 | 1993-04-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH043060B2 (ja) | 1992-01-21 |
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