JPH07161332A

JPH07161332A - 電子ビーム照射分析装置

Info

Publication number: JPH07161332A
Application number: JP5303136A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Koizumi; 充小泉
Original assignee: Topcon Corp
Current assignee: Topcon Corp
Priority date: 1993-12-02
Filing date: 1993-12-02
Publication date: 1995-06-23

Abstract

(57)【要約】【目的】電子ビーム照射分析装置に係り、試料から放
出される荷電粒子の検出効率を低下させず、光による観
察を良好に行えるようにすることを目的とする。【構成】電子銃３と、電子ビーム２を試料１上に収束
させて走査する電子ビーム制御系４と、試料１からの荷
電粒子５を検出する検出手段６と、試料１の光学観察手
段７とを有する電子ビーム照射分析装置において、光学
観察手段７を、試料面に垂直な方向から試料１の観察を
行うように配置し、電子ビームを光学観察手段７の光軸
８から外れた方向から照射するように配置し、この電子
ビーム２を偏向させて、最終的に上記光学観察手段７の
光軸８と同一の方向から試料に照射すると共に、前記試
料の観察のための光に影響を与えることなく透過する偏
向手段９を設け、電子ビームを試料の光学観察範囲に照
射するよう構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子ビーム照射分析装置
に係り、特に、試料に向け電子ビームを発生する電子銃
と、前記電子銃が発生した電子ビームを試料上に収束さ
せて走査する電子ビーム制御系と、前記試料から放出さ
れる荷電粒子を検出する検出手段と、前記試料に光を照
射して電子ビーム走査範囲を含む範囲を観察する光学観
察手段とを有する電子ビーム照射分析装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】上述のような電子ビーム照射分析装置と
類似する装置である電子ビーム照射装置として図５に示
すものがある。これは試料５１に垂直方向から電子ビー
ム５２を照射するために、電子銃５３及び電子ビーム制
御系５４を真空コラム５５に収納し、この電子ビーム５
２の照射方向から傾いた位置で、しかも試料５１に最も
近いところからレーザ光５６を収束させ、試料５１にレ
ーザ光５５を試料５１の電子ビーム５２の照射位置と同
一の位置に照射して、この状態を顕微鏡５７で観察する
ものである。尚、同図において、５８はレーザ光発生装
置、５９はレーザ光の収束照射系、６０は試料の移動ス
テージ、６１は真空コラム５５の排気系を示している
（特公平５−７８２４号公報参照）。

【０００３】また、他の電子ビーム照射分析装置に類似
した装置である電子プローブマイクロアナライザとして
図６に示すものがある。これは、試料７１の光学像の目
視観察のため、光源７２からの光７３を光学系で電子ビ
ーム７４の光軸７５上に導き、電子ビーム透過孔７６を
有した反射光学系７７で反射して試料７１上に収束して
照射しつつ、試料の観察を行うものである。尚同図にお
いて、７８は反射鏡、７９は対物レンズを示し、上記反
射光学系を形成する。また８０、８１は半透明鏡、８２
は肉眼での観察用の接眼レンズ系、８３はテレビカメラ
撮影用のレンズ系を示している（特開平４−２７７４５
７号公報参照）。

【０００４】更に、試料に電子ビームを照射して、試料
からの荷電粒子を観察する荷電ビーム観察装置として図
７に示すように、検出器への検出効率を高めるため、電
磁界複合型偏向器９５及びシールドメッシュ９６を配置
し、検出器９８への偏向作用を高めたものがある。尚、
同図において９１は試料、９２は対物レンズ、９３はバ
ッファグリッド、９４は検出グリッド、９７は二次電子
線、９９は光軸を示している（特開平５−２１０３４号
公報参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した、
図５に示したものにあっては、真空コラムから外れた位
置からレーザ光等を収束させて試料に照射する場合には
レーザ光を導くための鏡筒を設けなければならず、対物
レンズの磁界を乱して結像効率を低下させるほか、対物
レンズと試料とを離すことは試料の観察には好ましいも
のではない。さらに、電子線の入射軸と、光の入射、観
察軸の方向が同一でないため、光学観察像が電子線入射
位置を正確に捉えることが難しいという問題がある。

【０００６】また、図６に示したものにあっては、電子
ビーム透過孔を有した反射光学系により光源からの光を
試料上に照射するため光学系の中央部が結像に寄与しな
いため試料の光学像が不鮮明になるほか、反射鏡の電子
ビーム透過孔部分の軸の問題や透過孔近傍に絶縁体が使
用された時は電荷が溜まって、チャージアップの原因と
なってしまうという問題がある。さらに、図７に示した
ものは、電磁界複合型偏向器及びシールドメッシュを配
置した、検出器への偏向作用を向上させたとはいえ、こ
れを電子線と、光とを同時に使用に照射し試料の分析を
行う複合型電子ビーム装置に用いたとしても、光学像の
観察のための光は上述した真空コラムから外れた位置か
ら導く構成を採用するか、或いはまた、電子ビーム透過
孔を有した反射鏡を配置して、光源殻の光を照射すると
いう構成を採用しなければならず、検出効率を向上させ
つつ、良好な光学観察を行うことはできないという問題
がある。

【０００７】そこで、本発明は試料から放出される荷電
粒子の検出効率を低下させず、また光による観察を良好
に行うことができる電子ビームと光との複合型の電子ビ
ーム照射分析装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明において、上記の
課題を解決するための第１の手段は、図１に示すよう
に、試料１に向け電子ビーム２を発生する電子銃３と、
前記電子銃３が発生した電子ビーム２を試料１上に収束
させて走査する電子ビーム制御系４と、前記試料１から
放出される荷電粒子５を検出する検出手段６と、前記試
料１に光を照射して、電子ビーム走査範囲を含む範囲を
観察する光学観察手段７とを有する電子ビーム照射分析
装置において、前記光学観察手段７を、試料面に垂直な
方向から試料１の観察を行うように配置し、電子銃３と
電子ビーム制御系４を前記電子ビームを光学観察手段７
の光軸８から外れた方向から照射するように配置し、こ
の電子ビーム２を偏向させて、最終的に上記光学観察手
段７の光軸８と同一の方向から試料に照射すると共に、
前記試料の観察のための光に影響を与えることなく透過
する偏向手段９を設け、電子ビームを試料の光学観察範
囲に照射するようにしたことである。

【０００９】また、本発明の第２の手段は、上記第１の
手段の偏向手段９は試料１から放出される荷電粒子５を
上記電子ビーム２の偏向方向とは逆方向に偏向させるよ
うに構成すると共に、上記検出手段６を、変更された荷
電粒子５の進行位置に配置したことである。

【００１０】さらに、本発明の第３の手段は、上記第１
及び第２の手段の偏向手段９は、直流電界を形成する電
界形成手段１０と、この直流電界に垂直方向の磁界を形
成する磁界形成手段１１とを有して構成され、特定のエ
ネルギー帯域の電子ビーム又は荷電粒子を特定の方向に
偏向させることである。

【００１１】また、本発明の第４の手段は、上記第１、
第２又は第３の手段の偏向手段９は上記光学観察手段７
の光軸８上に配置され、電子ビーム２は光学観察手段７
の光軸８に対して斜め方向から上記偏向手段９に入射す
ることである。

【００１２】そして、本発明の第５の手段は、上記第
１、第２、または、第３の手段の電子ビーム制御系
（４）は光学観察手段７の光軸８から外れた位置に設け
た磁気プリズム１２を有し、電子ビーム２は光学観察手
段７の光軸から外れた方向から磁気プリズム１２に入
射、偏向されて偏向手段９に入射されて試料１に入射す
ることである。

【００１３】

【作用】本発明の第１の手段によれば、光学観察手段７
は、試料面に垂直な方向から試料１の観察を行うように
配置されているから、試料１の光学的な観察を良好に行
うことができる。そして、電子銃３と電子ビーム制御系
４を前記電子ビームを光学観察手段７の光軸８から外れ
た方向から照射するように配置して、この電子ビーム２
を偏向させて、最終的に上記光学観察手段７の光軸８と
同一の方向から試料に照射すると共に、偏向手段９によ
って、試料１の観察のための光に影響を与えることなく
透過するものとしたから、電子ビームを効率よく試料に
照射できると共に、電子ビームによる観察と、光による
観察とを同一の方向から行うことができる。

【００１４】また、本発明の第２の手段によれば、上記
作用の他、試料から発生される荷電粒子は偏向手段によ
り電子ビームの偏向方向とは逆方向に偏向されるから、
該偏向方向の荷電粒子の検出手段を配置することがで
き、検出手段が電子ビームに影響を与えることなく、ま
た、効率よく荷電粒子を検出することができる。

【００１５】さらに、本発明の第３の手段によれば、上
記作用のほか、偏向手段９は特定のエネルギー帯域の電
子ビーム又は荷電粒子を特定の方向に偏向させるから、
目的に応じて、効率よく電子ビームの照射及び荷電粒子
の検出を行うことができる。

【００１６】また、本発明の第４の手段によれば、電子
ビーム２は光学観察手段７の光軸８に対して斜め方向か
ら上記偏向手段９に入射され偏向手段で、試料に光観測
手段の光軸と一致して入射される。

【００１７】そして、本発明の第５の手段によれば、電
子ビーム２は一端、光学観察手段７の光軸から外れた方
向から磁気プリズム１２に入射、偏向されて偏向手段９
に入射されさらに偏向されて、試料１に入射するものと
しているので、電子銃等の配置の自由度が高いものとな
る。

【００１８】

【実施例】以下、本発明に係る電子ビーム電子ビーム照
射分析装置の実施例を図面に基づいて説明する。図１及
び図２は本発明に係る電子ビーム照射分析装置の第１の
実施例を示すものである。本実施例において、電子ビー
ム照射分析装置は、真空室内に配置され、試料に電子ビ
ームを照射し、試料からの二次電子、反射電子等の荷電
粒子を検出して、走査型電子顕微鏡、電子線分析装置、
或いは過熱装置として作用する電子光学系と、試料表面
にレーザ光等を照射したり、光学的に試料の表面を観察
し、光学顕微鏡、レーザ光で試料を加熱することができ
るレーザ光アニール装置として作用する光学観察手段で
ある光学系とからなる。さらに照射系と検出系を相互に
入れ替えることで、光照射による二次電子放出分析や光
化学分析によるイオンの検出、電子ビーム照射による光
励起を観測するカソードルシネセンス分析を可能にす
る。

【００１９】本実施例では、光学系は、試料の観測面に
対して、光軸を垂直に配置するものとしている。この光
学系の光軸上には、観察のための光に影響を与えること
なく透過させる一方電子ビーム及び試料からの荷電粒子
を互いに反対方向（図１において右方向と左方向）に偏
向する偏向手段９を設けている。

【００２０】電子光学系は電磁銃からの電子ビームを光
学系の光軸に斜め上方から、上記の偏向手段に向け照射
すると、偏向手段で電子ビームは光学系の光軸に沿って
偏向され、試料に走査されつつ照射される。そして試料
から発生した荷電粒子は光軸に沿って偏向手段に入射さ
れて、偏向手段で電子ビームの入射方向とは逆の方向に
曲げられ検出手段で検出される。

【００２１】本実施例において、光学系はレーザ発生
器、電球等の光源７１と、光軸に対して４５度の角度で
取り付けられた半透明鏡７２と、光源７１からの光を試
料１上に照射すると共に、試料の表面の拡大像を得る顕
微鏡７３（図では１枚のレンズとして略示している）
と、顕微鏡の像を撮影するテレビカメラ７４とからな
る。尚、顕微鏡の倍率は、通常１００倍程度以下として
いる。

【００２２】また電子光学系は、電子ビーム２を放出す
る電磁銃３、収束レンズ４１，４２、アライメントレン
ズ４３，４４で構成され、光学系の光軸８と同一平面内
でこの光軸８に対して傾いた電子光軸を有し、電子ビー
ムを収束させて偏向手段に入射する第１段電子レンズ系
と、中間レンズ４５、対物レンズ４６、及び、走査コイ
ル４７からなり、光学系の光軸８と同一の電子光軸を有
し、電子ビーム２をプローブとして試料１上に走査しつ
つ照射する第２段電子レンズ系と、アライメントレンズ
６３、ウィーンフィルター６４、投影レンズ６６、蛍光
板６１、及び、テレビカメラ６２からなり、偏向手段８
で偏向された試料１からの荷電粒子５の飛来する方向上
記第１段電子レンズ系とは反対側にその電子光軸を傾け
て設けられた第３電子レンズ系とからなり、走査型電子
顕微鏡を構成し、通常１００００倍程度以下の倍率とし
ている。

【００２３】ここでウイーンフィルター６４は電磁界フ
ィルターで公知の構成を有し、選択した特定エネルギー
の荷電粒子のみを透過させるフィルターである。本実施
例において、偏向手段９は電磁界フィルターで図２に示
すように、２枚の平行に設けた六角形の平板２１，２２
に同方向に巻いた２つのコイル２３，２４をそれぞれ配
置し、これらのコイル２３，２４に同方向に直流電流を
可変電圧電源２５からその電圧を調整可能に流すことに
より、図１において紙面に垂直で、図２（２）において
矢印Ｂで示した磁界を形成するものとしている。このコ
イル２３，２４への電圧は設定されて入射する所定エネ
ルギーの電子ビームが光軸と一致する程度に設定され
る。この定められた磁界により、入射した電子ビームは
その入射速度、即ちエネルギーの大きさ偏向方向が異な
るから、入射される電子ビームの入射エネルギー分布が
幅広いものであっても、必要とする所定のエネルギーの
電子ビームを試料に照射することができる。

【００２４】そして、この偏向手段９の電子ビームの入
射位置と、荷電粒子の検出側にはそれぞれ所定の開口を
形成した絞りである、入射側スリット２６と、検出側ス
リット２７とを設けて、両スリットとも接地している。
そして検出側スリット２７の両側には２枚の電極２８，
２９を設けて、両電極２８，２９間に可変電圧直流電源
３０から電圧を引加して、上記磁界と垂直方向に電界
（図２（２）において矢印Ｅで示した）を設けてるもの
としている。

【００２５】また、この偏向手段の光軸の貫通方向の上
側位置には何も設けないが、下側には取り外し式の対物
スリット３０を設け、電子ビーム照射時にはこの対物ス
リットを取り付け、光学像観察時にはこの対物スリット
を、真空室外からの操作で取り外すものとしている。こ
の対物スリットにより、上述したように磁界でエネルギ
ー強度の大きさにより偏向方向が異ならせて変更されて
電子ビームのうち、必要なエネルギーの電子ビームを試
料に向け照射することができる。

【００２６】従って本実施例によれば、電子ビームは、
光学観察手段の光軸に沿って試料に照射されるため、光
学監視手段と、電子ビームによる分析とを同一の軸に沿
って行うことができる。この際、光学観察手段は、電子
光学系に全く遮られないから、光軸近傍付近の光線を使
用して観測を行うことができ、良質な光学像をえること
ができ良好な観測を行うことができる。

【００２７】また、電子ビームも光学系の部材のチャー
ジアップ等に邪魔されることなく電子ビームを試料に照
射することができ、また、試料からの荷電粒子は、偏向
手段で変更され検出器に導かれることとなるから、効率
よい測定を行うことができる。そして、本実施例は特
に、高真空（例えば１０^-5torr以上）の封じ込め型の電
子銃を使用することができる。即ち封じ込め型の電磁銃
では電子銃に封じ込め用のＢｅ，Ａｌ等の薄膜を配置
し、電子ビームは薄膜通過時にエネルギー散乱を生じる
ため、このままでは光源には適さなかったが、本実施例
では特定エネルギーの電子ビームを偏向手段で選択して
試料に照射することができ封じ込め型電子銃を実用化で
きるのである。

【００２８】次に、本発明に係る電子ビーム電子ビーム
照射分析装置の第２の実施例を説明する。図３及び図４
は本発明に係る電子ビーム照射分析装置の第２の実施例
を示すものである。

【００２９】本実施例において、電子ビーム照射分析装
置は、第１の実施例と同様に真空室内に配置され、試料
に電子ビームを照射し、試料からの二次電子、反射電子
等の荷電粒子を検出する電子光学系と、試料表面にレー
ザ光等を照射したり、光学的に試料の表面を観察する光
学観察手段である光学系とからなる。

【００３０】本実施例では、光学系は、第１の実施例と
同様に、光軸を垂直に配置するものとしての光学系の光
軸上には、観察のための光に影響を与えることなく透過
させる一方電子ビーム及び試料からの荷電粒子を互いに
反対方向（図４において右方向と左方向）に偏向する偏
向手段９を設けている。

【００３１】この例では、電子ビームは、電子光学系を
構成する磁気プリズム１２に垂直方向入射して、偏向し
て水平方向とし、この電子ビームを光学系の光軸と略垂
直となる水平方向から偏向手段９に向け照射し、この偏
向手段９で電子ビームを光学系の光軸に沿って偏向し、
試料に走査し照射する。

【００３２】そして試料から発生した荷電粒子は光軸に
沿って偏向手段に入射されて、偏向手段で電子ビームの
入射方向とは逆の方向に曲げられ検出手段で検出され
る。本実施例において、光学系はレーザ発生器、電球等
の光源７１と、光軸に対して４５度の角度で取り付けら
れた半透明鏡７２と、光源７１からの光を試料１上に照
射する共に、試料の表面の拡大像を得る顕微鏡７３（図
では１枚のレンズとして略示している）と、顕微鏡の像
を撮影するテレビカメラ７４と、レンズ７５，７６とか
らなる。

【００３３】また電子光学系は、電磁銃、収束レンズ、
アライメントレンズ（以上図示していない）と、磁気プ
リズム１２とで構成され、光学系の光軸８と同一平面内
でこの光軸８から離れた位置で、電子ビームを偏向手段
９に入射する。そして、電子ビーム２は偏向手段９で変
更され、光軸８と一致した方向で走査コイル４７で走査
されつつ試料１に入射される。

【００３４】ここで、本実施例で、磁気プリズム１２
は、２枚の薄板と、２つのコイルとを向き合わせたもの
で、図３において紙面に垂直に磁界を形成し、図中上側
から入射してきた電子ビームを図中左方向に約９０°偏
向させるものである。そして本実施例では、荷電粒子の
検出手段３２は、上記第１の実施例のものとは異なり、
例えばシンチレータや光電倍増管を用いるものとして
る。尚、図中符号３１はアパーチュアを示している。

【００３５】本実施例において、偏向手段９は電磁界フ
ィルターで図４に示すように、２枚の平行に設けた３
３，３４に同方向に巻いた２つのコイル３５，３６をそ
れぞれ配置し、これらのコイル３５，３６に同方向に直
流電流を可変電圧電源３７からその電圧を調整可能に流
すことにより、図４において紙面に垂直な磁場を形成す
るものとしている。このコイル３５，３６への電圧は設
定されて入射する所定エネルギーの電子ビームが光軸と
一致する程度に設定される。

【００３６】そして、この偏向手段９の電子ビームの入
射位置と、荷電粒子の検出側にはそれぞれ所定の開口を
形成した絞りである、入射側スリット３８と、検出側ス
リット３９とを設け、両スリット３８，３９とも接地し
ている。また、検出側スリット３９の両側には２枚の電
極４０，４１を設けて、両電極４０，４１間に可変電圧
直流電源３０から電圧を引加して、上記磁界と垂直方向
に電界（図４（１）において矢印Ｅで示した）を設ける
ものとしている。そして、この偏向手段の光軸の貫通方
向の上下側位置には何も設けていない。

【００３７】従って本実施例によれば、上記の第１実施
例の奏する効果の他、電子光学系については、電子銃の
最初の照射方向に関わらず、電子ビームを試料に照射す
ることができるので、装置の設計の自由度が増すことと
なる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子ビームは、光学観察手段の光軸に沿って試料に照射
されるため、光学監視手段と、電子ビームによる分析と
を同一の軸に沿って行うことができ、この際、光学観察
手段は、電子光学系に全く遮られないから、光軸近傍付
近の光線を使用して観測を行うことができ、良質な光学
像をえることができ良好な観測を行うことができる。

【００３９】また、電子ビームも光学系の部材のチャー
ジアップ等に邪魔されることなく電子ビームを試料に照
射することができ、また、試料からの荷電粒子は、偏向
手段で変更され検出器に導かれることとなるから、効率
よい測定を行うことができる。そして、本発明に係る電
子ビーム照射分析装置には、高真空（例えば１０^-5torr
以上）の封じ込め型の電子銃を使用することができると
いう効果を奏する。さらに、電子ビームと光の照射系と
検出系を入れ替えることで、光照射による二次電子放出
分析と電子ビーム照射による光励起を観測するカソード
ルミネセンス分析を可能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子ビーム照射分析装置の第１の
実施例を示す図である。

【図２】図１に示した電子ビーム照射分析装置の偏向器
を示す斜視図である。

【図３】本発明に係る電子ビーム照射分析装置の第２の
実施例を示す図である。

【図４】図３に示した電子ビーム照射分析装置の偏向器
を示す斜視図である。

【図５】従来の電子ビーム照射分析装置の構成を示す図
である。

【図６】従来の電子ビーム照射分析装置の構成を示す図
である。

【図７】従来の電子ビーム照射分析装置の構成を示す図
である。

【符号の説明】

１試料２電子ビーム３電子銃４電子ビーム制御系５荷電粒子６検出手段７光学観察手段８光軸９偏向手段

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成７年１月２６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２２】また電子光学系は、電子ビーム２を放出す
る電磁銃３、収束レンズ４１，４２、アライメントレン
ズ４３，４４で構成され、光学系の光軸８と同一平面内
でこの光軸８に対して傾いた電子光軸を有し、電子ビー
ムを収束させて偏向手段に入射する第１段電子レンズ系
と、中間レンズ４５、対物レンズ４６、及び、走査コイ
ル４７からなり、光学系の光軸８と同一の電子光軸を有
し、電子ビーム２をプローブとして試料１上に走査しつ
つ照射する第２段電子レンズ系と、アライメントレンズ
６３，６４、ウィーンフィルター６５、投影レンズ６
６、蛍光板６１、及び、テレビカメラ６２からなり、偏
向手段８で偏向された試料１からの荷電粒子５の飛来す
る方向上記第１段電子レンズ系とは反対側にその電子光
軸を傾けて設けられた第３電子レンズ系とからなり、走
査型電子顕微鏡を構成し、通常１００００倍程度以下の
倍率としている。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２３】ここでウィーンフィルター６５は電磁界フ
ィルターで公知の構成を有し、選択した特定エネルギー
の荷電粒子のみを透過させるフィルターである。本実施
例において、偏向手段９は電磁界フィルターで図２に示
すように、２枚の平行に設けた六角形の平板２１，２２
に同方向に巻いた２つのコイル２３，２４をそれぞれ配
置し、これらのコイル２３，２４に同方向に直流電流を
可変電圧電源２５からその電圧を調整可能に流すことに
より、図１において紙面に垂直で、図２（２）において
矢印Ｂで示した磁界を形成するものとしている。このコ
イル２３，２４への電圧は設定されて入射する所定エネ
ルギーの電子ビームが光軸と一致する程度に設定され
る。この定められた磁界により、入射した電子ビームは
その入射速度、即ちエネルギーの大きさ偏向方向が異な
るから、入射される電子ビームの入射エネルギー分布が
幅広いものであっても、必要とする所定のエネルギーの
電子ビームを試料に照射することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】試料（１）に向け電子ビーム（２）を発
生する電子銃（３）と、前記電子銃（３）が発生した電子ビーム（２）を試料
（１）上に収束させて走査する電子ビーム制御系（４）
と、前記試料（１）から放出される荷電粒子（５）を検出す
る検出手段（６）と、前記試料（１）に光を照射して、電子ビーム走査範囲を
含む範囲を観察する光学観察手段（７）とを有する電子
ビーム照射分析装置において、前記光学観察手段（７）を、試料（１）に垂直な方向か
ら観察を行うように配置し、電子銃（３）と電子ビーム制御系（４）を前記電子ビー
ムを光学観察手段（７）の光軸（８）から外れた方向か
ら照射するように配置し、この電子ビーム（２）を偏向させて、最終的に上記光学
観察手段（７）の光軸（８）と同一の方向から試料に照
射すると共に、前記試料の観察のための光に影響を与え
ることなく透過する偏向手段（９）を設け、電子ビーム
を試料の光学観察範囲に照射するようにしたことを特徴
とする電子ビーム照射分析装置。
【請求項２】上記偏向手段（９）は試料（１）から放
出される荷電粒子（５）を上記電子ビーム（２）の偏向
方向とは逆方向に偏向させるように構成すると共に、上記検出手段（６）を、変更された荷電粒子（５）の進
行位置に配置したことを特徴とする請求項１記載の電子
ビーム照射分析装置。
【請求項３】上記偏向手段（９）は、直流電界を形成
する電界形成手段（１０）と、この直流電界に垂直方向
の磁界を形成する磁界形成手段（１１）とを有して構成
され、特定のエネルギー帯域の電子ビーム又は荷電粒子
を特定の方向に偏向させることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の電子ビーム照射分析装置。
【請求項４】上記偏向手段（９）は上記光学観察手段
（７）の光軸（８）上に配置され、電子ビーム（２）は光学観察手段（７）の光軸（８）に
対して斜め方向から上記偏向手段（９）に入射すること
を特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載の
電子ビーム照射分析装置。
【請求項５】上記電子ビーム制御系（４）は光学観察
手段（７）の光軸（８）から外れた位置に設けた磁気プ
リズム（１２）を有し、電子ビーム（２）は光学観察手段（７）の光軸から外れ
た方向から磁気プリズム（１２）に入射、偏向されて偏
向手段（９）に入射されて試料（１）に入射することを
特徴とする請求項１又は３記載の電子ビーム照射分析装
置。