JPH043060B2 - - Google Patents
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- JPH043060B2 JPH043060B2 JP57131937A JP13193782A JPH043060B2 JP H043060 B2 JPH043060 B2 JP H043060B2 JP 57131937 A JP57131937 A JP 57131937A JP 13193782 A JP13193782 A JP 13193782A JP H043060 B2 JPH043060 B2 JP H043060B2
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- Japan
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- sample
- fluorescent plate
- diffraction
- deflection
- scanning
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Links
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 claims description 24
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
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- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/2955—Electron or ion diffraction tubes using scanning ray
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は試料表面の結晶性を分析する走査型反
射電子回折顕微装置の改良に関し、特に、この種
装置において試料の加熱時に生ずる発光が回折ス
ポツトによる発光と重なる場合においても回折ス
ポツトによる発光のみを、走査電子顕微像を得る
ための信号とすることを可能にする機構に関する
ものである。
射電子回折顕微装置の改良に関し、特に、この種
装置において試料の加熱時に生ずる発光が回折ス
ポツトによる発光と重なる場合においても回折ス
ポツトによる発光のみを、走査電子顕微像を得る
ための信号とすることを可能にする機構に関する
ものである。
従来の走査型反射電子回折顕微装置では、試料
表面上の特定の結晶構造を持つ領域を知るため
に、ある特定の反射電子回折線の螢光板上での発
光を信号として走査電子顕微像を取得する（参考
文献：Japanese Journal of Applied Physics，
Vol.21，No.１，January，1982，pp.145−153）。
しかし、試料を加熱したときの結晶構造の変化の
様子を観察する場合、試料が加熱されることによ
つて生ずる発光が反射電子回折線の螢光板上での
発光と重畳し、特定の結晶構造を持つ領域を知る
ことが困難となる欠点が従来装置にはあり、何ら
かの対策が望まれていた。
表面上の特定の結晶構造を持つ領域を知るため
に、ある特定の反射電子回折線の螢光板上での発
光を信号として走査電子顕微像を取得する（参考
文献：Japanese Journal of Applied Physics，
Vol.21，No.１，January，1982，pp.145−153）。
しかし、試料を加熱したときの結晶構造の変化の
様子を観察する場合、試料が加熱されることによ
つて生ずる発光が反射電子回折線の螢光板上での
発光と重畳し、特定の結晶構造を持つ領域を知る
ことが困難となる欠点が従来装置にはあり、何ら
かの対策が望まれていた。
したがつて、本発明の目的は、試料の加熱時に
生ずる発光と反射電子回折線による発光とを電気
的に分離し、後者による発光のみを信号として走
査電子顕微像を取得することによつて加熱時にお
ける特定の結晶構造を持つ領域の観察を可能かつ
容易にし得る走査型反射電子回折顕微装置を提供
することにある。
生ずる発光と反射電子回折線による発光とを電気
的に分離し、後者による発光のみを信号として走
査電子顕微像を取得することによつて加熱時にお
ける特定の結晶構造を持つ領域の観察を可能かつ
容易にし得る走査型反射電子回折顕微装置を提供
することにある。
上記目的を達成するために、本発明において
は、試料と螢光板との間に偏向板及びアパーチヤ
を設け、偏向板に変調電圧を印加して反射電子回
折線をチヨツピングしたときに得られる光−電気
変換信号のうち、同調増幅器により上記変調電圧
に同調した電気信号のみを選択して走査電子顕微
像を得られるように走査型反射電子回折顕微装置
を構成したことを特徴としている。
は、試料と螢光板との間に偏向板及びアパーチヤ
を設け、偏向板に変調電圧を印加して反射電子回
折線をチヨツピングしたときに得られる光−電気
変換信号のうち、同調増幅器により上記変調電圧
に同調した電気信号のみを選択して走査電子顕微
像を得られるように走査型反射電子回折顕微装置
を構成したことを特徴としている。
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明による走査型反射電子回折顕微
装置の基本的な構成を示したものである。同図に
おいて、加速電源１を有する電子銃２から放出さ
れる一次電子ビーム４は収束レンズ３により真空
容器６内にある試料７の表面に収束される。走査
電源１６により一次電子ビーム用偏向コイル群５
を動作させて一次電子ビーム４を試料７の表面上
で走査させる。そのときに得られる試料７の吸収
電流信号を陰極線管（以下、CRTと略称する）
１５の輝度変調信号にかえてCRT１５上に試料
７の吸収電流像を得る。この吸収電流像から試料
７上の分析すべき場所を選択する。この分析点に
一次電子線４を固定照射することによつて得られ
る反射電子回折線８は螢光板１２上にのぞき窓１
３を通して反射電子回折像として観測される。こ
の回折像を解析することによつて試料７の表面上
の任意の場所の結晶状態（試料７の表面部分を構
成する元素の配列状態）を分析することが可能と
なる。さらに、アパーチヤ１１を使用してある特
定の回折スポツトを選び、光電変換素子（例え
ば、フオトマルチプライヤ）１４から得られる電
気信号を一次電子ビーム４の走査に同期させて
CRT１５の輝度変調信号にかえることによつて
CRT１５上に回折顕微像が得られる。この回折
顕微像から試料７の表面の結晶分布がわかり、試
料７の表面の結晶解析の有力な手段となる。
装置の基本的な構成を示したものである。同図に
おいて、加速電源１を有する電子銃２から放出さ
れる一次電子ビーム４は収束レンズ３により真空
容器６内にある試料７の表面に収束される。走査
電源１６により一次電子ビーム用偏向コイル群５
を動作させて一次電子ビーム４を試料７の表面上
で走査させる。そのときに得られる試料７の吸収
電流信号を陰極線管（以下、CRTと略称する）
１５の輝度変調信号にかえてCRT１５上に試料
７の吸収電流像を得る。この吸収電流像から試料
７上の分析すべき場所を選択する。この分析点に
一次電子線４を固定照射することによつて得られ
る反射電子回折線８は螢光板１２上にのぞき窓１
３を通して反射電子回折像として観測される。こ
の回折像を解析することによつて試料７の表面上
の任意の場所の結晶状態（試料７の表面部分を構
成する元素の配列状態）を分析することが可能と
なる。さらに、アパーチヤ１１を使用してある特
定の回折スポツトを選び、光電変換素子（例え
ば、フオトマルチプライヤ）１４から得られる電
気信号を一次電子ビーム４の走査に同期させて
CRT１５の輝度変調信号にかえることによつて
CRT１５上に回折顕微像が得られる。この回折
顕微像から試料７の表面の結晶分布がわかり、試
料７の表面の結晶解析の有力な手段となる。
さて、本発明の最も特徴とする部分は、上記走
査型反射電子回折顕微装置における偏向電圧遮蔽
板９、偏向板１０、アパーチヤ１１、同調増幅器
１７、結合トランス１８及び偏向電圧電源１９部
にある。従来まで回折顕微像を得る場合、ある特
定の回折スポツトの選択にはアパーチヤ１１のみ
を使用していた。しかし、試料７を加熱したとき
の結晶分布を観察する場合、この構成では加熱に
よる発光は回折スポツトによる発光と重なり信号
が相対的に減少するために顕微像を取得すること
が非常に困難になるという欠点がある。これに対
して次に示す機構によりこの欠点を除去すること
ができる。
査型反射電子回折顕微装置における偏向電圧遮蔽
板９、偏向板１０、アパーチヤ１１、同調増幅器
１７、結合トランス１８及び偏向電圧電源１９部
にある。従来まで回折顕微像を得る場合、ある特
定の回折スポツトの選択にはアパーチヤ１１のみ
を使用していた。しかし、試料７を加熱したとき
の結晶分布を観察する場合、この構成では加熱に
よる発光は回折スポツトによる発光と重なり信号
が相対的に減少するために顕微像を取得すること
が非常に困難になるという欠点がある。これに対
して次に示す機構によりこの欠点を除去すること
ができる。
試料７と螢光板１２との間に偏向板１０とアパ
ーチヤ１１（このアパーチヤ１１の位置は螢光板
１２と偏向板１０との間でも、螢光板１２と光電
変換素子１４との間でも良い）を設置し、ある特
定の反射電子回折線８を通過させる。このとき、
同調増幅器１７から発生する変調電圧を、結合ト
ランス１８と偏向電圧電源１９を介して適当な増
幅率で偏向板１０に印加する。偏向電圧遮蔽板９
は変調電圧の試料７への影響を遮蔽する役目を持
つ。この変調電圧により反射電子回折線８は変調
電圧に同期して偏向され、アパーチヤ１１により
反射電子回折線８の光路がさえぎられることによ
つて、螢光板１２上での反射電子回折線８による
発光の強度が変調を受ける。この発光を光電変換
素子１４により電気信号に変換し、同調増幅器１
７により上記変調電圧に同期する電気信号だけを
取り出し、CRT１５の輝度変調信号として使用
する。試料７の加熱による発光は変調電圧に無関
係なので、この構成により、試料７の加熱による
発光から生ずる信号は除去され、反射電子回折線
８による発光のみを使用して回折顕微像を取得す
ることが可能となる。
ーチヤ１１（このアパーチヤ１１の位置は螢光板
１２と偏向板１０との間でも、螢光板１２と光電
変換素子１４との間でも良い）を設置し、ある特
定の反射電子回折線８を通過させる。このとき、
同調増幅器１７から発生する変調電圧を、結合ト
ランス１８と偏向電圧電源１９を介して適当な増
幅率で偏向板１０に印加する。偏向電圧遮蔽板９
は変調電圧の試料７への影響を遮蔽する役目を持
つ。この変調電圧により反射電子回折線８は変調
電圧に同期して偏向され、アパーチヤ１１により
反射電子回折線８の光路がさえぎられることによ
つて、螢光板１２上での反射電子回折線８による
発光の強度が変調を受ける。この発光を光電変換
素子１４により電気信号に変換し、同調増幅器１
７により上記変調電圧に同期する電気信号だけを
取り出し、CRT１５の輝度変調信号として使用
する。試料７の加熱による発光は変調電圧に無関
係なので、この構成により、試料７の加熱による
発光から生ずる信号は除去され、反射電子回折線
８による発光のみを使用して回折顕微像を取得す
ることが可能となる。
以上述べた如く、本発明による走査型反射電子
回折顕微装置は、試料加熱時に生ずる発光と反射
電子回折線による発光とを電気的に分離し、後者
による発光のみを信号として走査電子顕微像を取
得することによつて、加熱時における特定の結晶
構造を持つ領域の観察を容易にするという極めて
優れた利点を持つ。
回折顕微装置は、試料加熱時に生ずる発光と反射
電子回折線による発光とを電気的に分離し、後者
による発光のみを信号として走査電子顕微像を取
得することによつて、加熱時における特定の結晶
構造を持つ領域の観察を容易にするという極めて
優れた利点を持つ。
第１図は本発明による走査型反射電子回折顕微
装置の基本構成図である。 １……加速電源、２……電子銃、３……収束レ
ンズ、４……一次電子ビーム、５……一次電子ビ
ーム用偏向コイル群、６……真空容器、７……試
料、８……反射電子回折線、９……偏向電圧遮蔽
板、１０……偏向板、１１……アパーチヤ、１２
……螢光板、１３……のぞき窓、１４……光電変
換素子、１５……陰極線管（CRT）、１６……走
査電源、１７……同調増幅器、１８……結合トラ
ンス、１９……偏向電圧電源。
装置の基本構成図である。 １……加速電源、２……電子銃、３……収束レ
ンズ、４……一次電子ビーム、５……一次電子ビ
ーム用偏向コイル群、６……真空容器、７……試
料、８……反射電子回折線、９……偏向電圧遮蔽
板、１０……偏向板、１１……アパーチヤ、１２
……螢光板、１３……のぞき窓、１４……光電変
換素子、１５……陰極線管（CRT）、１６……走
査電源、１７……同調増幅器、１８……結合トラ
ンス、１９……偏向電圧電源。
Claims (1)
- １ 真空中で電子源から一次電子ビームを取出
し、試料を加熱しながら上記一次電子ビームで上
記試料表面上の所定領域を所定角度で照射しなが
ら走査し、上記試料表面から得られる反射電子回
折線の回折像を螢光板上に形成し、光電変換素子
より電気信号に変換して像を得る走査型反射回折
顕微装置において、上記試料と上記螢光板との間
に偏向手段を設け、かつ該偏向手段と上記螢光板
との間もしくは上記螢光板と上記光電変換素子と
の間にアパーチヤを設け、上記偏向手段に偏向信
号を印加し、上記反射電子回折線を偏向し、上記
偏向信号に同調した電気信号を選択して検出する
検出手段と上記検出手段からの電気信号で上記走
査電子顕微像を得ることを特徴とする走査型反射
回折顕微装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131937A JPS5923444A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131937A JPS5923444A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923444A JPS5923444A (ja) | 1984-02-06 |
| JPH043060B2 true JPH043060B2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=15069692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57131937A Granted JPS5923444A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923444A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130956U (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-25 | 株式会社 日本ビ−テツク | 反射式電子回折用電子線照射装置 |
| JPH0515943Y2 (ja) * | 1989-01-11 | 1993-04-27 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969388A (ja) * | 1972-11-08 | 1974-07-04 | ||
| JPS49122785A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-25 | ||
| JPS54139593A (en) * | 1978-01-19 | 1979-10-30 | Nec Corp | Measuring method of auger electron spectral spectra |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510212U (ja) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP57131937A patent/JPS5923444A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969388A (ja) * | 1972-11-08 | 1974-07-04 | ||
| JPS49122785A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-25 | ||
| JPS54139593A (en) * | 1978-01-19 | 1979-10-30 | Nec Corp | Measuring method of auger electron spectral spectra |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5923444A (ja) | 1984-02-06 |
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