JPS59232445A - 多層配線方法 - Google Patents
多層配線方法Info
- Publication number
- JPS59232445A JPS59232445A JP10757883A JP10757883A JPS59232445A JP S59232445 A JPS59232445 A JP S59232445A JP 10757883 A JP10757883 A JP 10757883A JP 10757883 A JP10757883 A JP 10757883A JP S59232445 A JPS59232445 A JP S59232445A
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- Japan
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- upper layer
- wiring
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、半導体基板上にトランジスク、抵抗コイル、
コンデンサ等の電子部品を形成し相互に接続したいわゆ
る集積回路の製造技術および構造に関するものである。
コンデンサ等の電子部品を形成し相互に接続したいわゆ
る集積回路の製造技術および構造に関するものである。
（背景技術）
集積回路の動作速度を高速化し、かつ低消費電力化を図
るには素子の微細化回路の高集積度化が必須である。こ
れに伴ない各部品及びそれらを相互に接続するための配
線が近接し、さらに配線間の交叉部が増加することにな
る。
るには素子の微細化回路の高集積度化が必須である。こ
れに伴ない各部品及びそれらを相互に接続するための配
線が近接し、さらに配線間の交叉部が増加することにな
る。
その結果、とくに配線容量が増加し、動作速度の低減に
つながる。これを防ぐために有効な配線間の絶縁法が必
要となる。
つながる。これを防ぐために有効な配線間の絶縁法が必
要となる。
このような目的に対する有効な手段にエアブリッジ法が
ある。これは集積回路内において、下側の金属配線と上
側の金属配線とが交叉する場合に両者間に絶縁膜を介さ
ず、」二側の配線金属が立体交叉する多層配線技術であ
る。この方法の特徴は２種の配線は比誘電率の最も小さ
い空気で絶縁されているため他の任意の絶縁膜を用いる
場合に比して面配線間の容量が最も小さくなることにあ
る。
ある。これは集積回路内において、下側の金属配線と上
側の金属配線とが交叉する場合に両者間に絶縁膜を介さ
ず、」二側の配線金属が立体交叉する多層配線技術であ
る。この方法の特徴は２種の配線は比誘電率の最も小さ
い空気で絶縁されているため他の任意の絶縁膜を用いる
場合に比して面配線間の容量が最も小さくなることにあ
る。
このため回路内の配線容量が低減され集積回路の動作速
度が改善される。しかしながらエアブリッジは構造上上
層配線が中空に浮いた状態にあり、エアブリッジ形成後
は表面に接触することができなくなる。このため、以後
の工程において、以Ｆのような様々な技術的問題点制約
が生じる。
度が改善される。しかしながらエアブリッジは構造上上
層配線が中空に浮いた状態にあり、エアブリッジ形成後
は表面に接触することができなくなる。このため、以後
の工程において、以Ｆのような様々な技術的問題点制約
が生じる。
すなわち、
（１）高周波特性向上のため基板厚さを裏面から薄くす
る場合、化学エツチングに必要な保護膜の形成が必要で
ある。一方機械的研摩によって基板を薄くする場合基板
表面に接触する必要がある。
る場合、化学エツチングに必要な保護膜の形成が必要で
ある。一方機械的研摩によって基板を薄くする場合基板
表面に接触する必要がある。
（２）基板」−に多数繰り返して形成された半導体装置
を分離しチップ化するスクライブ、セパレートの工程で
は表面に破片や汚れが付着したり傷を付けたりすること
を防ぐために裏面から加工処理を施すことが多く、必然
的に表面に接触することになる。
を分離しチップ化するスクライブ、セパレートの工程で
は表面に破片や汚れが付着したり傷を付けたりすること
を防ぐために裏面から加工処理を施すことが多く、必然
的に表面に接触することになる。
（３）チップ化した半導体装置を一つずつパッケージへ
装着するボンディング工程ではコレットや真空ビンセッ
トにてチップ表面側を吸着することになる。
装着するボンディング工程ではコレットや真空ビンセッ
トにてチップ表面側を吸着することになる。
（４）最終的に集積回路に保護膜を形成する場合、外部
へ電気的接続をとり出すため保護膜に開［１部を設ける
。ここで通常のコンタクト露光によるホトリングラフィ
を適用する場合、基板表面はホトマスクに強く密着され
ることになる。
へ電気的接続をとり出すため保護膜に開［１部を設ける
。ここで通常のコンタクト露光によるホトリングラフィ
を適用する場合、基板表面はホトマスクに強く密着され
ることになる。
またエアブリッジをもつ回路は段差が大きくエアブリッ
ジ形成後に表面全体に均一に保護膜を形成することは困
難である。
ジ形成後に表面全体に均一に保護膜を形成することは困
難である。
以上の工程または取扱いはエアブリッジを保護するとい
う点からは実施できないものであり、上述と同等の工程
を実施するためには煩雑な工程を附加することになる。
う点からは実施できないものであり、上述と同等の工程
を実施するためには煩雑な工程を附加することになる。
この場合半導体装置の生産性、歩留りが著しく悪化する
という問題点が生じ。
という問題点が生じ。
る。
一方、エアブリッジ自身構造的に弱いものであり僅かの
外力によっても上層配線が切れたり、下層配線と接触す
ることが多く歩留りが低いという問題がある。また、配
線間の接触を防ぐため上層配線をできるだけ高い位置に
形成することが多く段差切れの危険がある。
外力によっても上層配線が切れたり、下層配線と接触す
ることが多く歩留りが低いという問題がある。また、配
線間の接触を防ぐため上層配線をできるだけ高い位置に
形成することが多く段差切れの危険がある。
（発明の開示）
本発明は、上記従来技術の問題点を解決する新しい半導
体デバイス構造を提供するものである。
体デバイス構造を提供するものである。
以下一実施例を図に即して説明する。
第１図は、■実施例を説明するための製作工程図である
。まず、通常のフォトリングラフィとリフトオフ法によ
って下層の配線金属１を集積回路１０上に形成した後、
回転塗布法で２．０μｌη 厚のフォトレジストを塗リ
フォトリングラフィでエアブリッジを形成する交叉部及
びその周辺領域にのみ、レジスｌ−２を残す。この後、
２００’Ｇの温度でベークする。この時の温度はレジス
トが軟化する温度エリ十分高いため、レジストが流れ表
面張力によって半球状の形状となる（第１図（ａ））。
。まず、通常のフォトリングラフィとリフトオフ法によ
って下層の配線金属１を集積回路１０上に形成した後、
回転塗布法で２．０μｌη 厚のフォトレジストを塗リ
フォトリングラフィでエアブリッジを形成する交叉部及
びその周辺領域にのみ、レジスｌ−２を残す。この後、
２００’Ｇの温度でベークする。この時の温度はレジス
トが軟化する温度エリ十分高いため、レジストが流れ表
面張力によって半球状の形状となる（第１図（ａ））。
次にプラズマＣＶＤ 法で厚さ０．３μｍの窒化シリコ
ン膜３を保護膜として形成する（第１図（１）） ）。
ン膜３を保護膜として形成する（第１図（１）） ）。
その後、上層、下層配線の接続部５と集積回路のパッド
の部分および上層配線部分を除くエアブリッジ周辺部の
３つの領域以外にレジストパターンを形成し、これをマ
スクとしてＣＦ４ ；ｌｊスプラズマにて窒化シリコン
膜３をエツチングする。次いで下層配線と同等の方法に
より上層配線を形成する（第１図（Ｃ））。絶縁膜３の
断面は軟化して殆んど円に近い状態であるため上層配線
が絶縁膜３の段差部で断線するいわゆる断差切れが解消
できる。
の部分および上層配線部分を除くエアブリッジ周辺部の
３つの領域以外にレジストパターンを形成し、これをマ
スクとしてＣＦ４ ；ｌｊスプラズマにて窒化シリコン
膜３をエツチングする。次いで下層配線と同等の方法に
より上層配線を形成する（第１図（Ｃ））。絶縁膜３の
断面は軟化して殆んど円に近い状態であるため上層配線
が絶縁膜３の段差部で断線するいわゆる断差切れが解消
できる。
続いて酸素ガスのプラズマエツチングによりエアブリッ
ジ構造のフォトレジスト膜２を除去し、エアブリッジと
する（第１図（ｄ））。
ジ構造のフォトレジスト膜２を除去し、エアブリッジと
する（第１図（ｄ））。
なお、絶縁膜は窒化膜に何ら制限されるものではなく、
例えば十分強度を有するものであれば、ポリイミド樹脂
などの有機樹脂膜、酸化シリコン、酸化アルミナ等の無
機化合物膜を用いることもできる。
例えば十分強度を有するものであれば、ポリイミド樹脂
などの有機樹脂膜、酸化シリコン、酸化アルミナ等の無
機化合物膜を用いることもできる。
（発明の効果）
本発明では、上層、下層の配線の接続部以外が絶縁膜で
保護された状態でエアブリッジを形成するものであり、
」二層配線の強度不足を窒化膜で支持補強して、配線間
の短絡を防ぐことができる。
保護された状態でエアブリッジを形成するものであり、
」二層配線の強度不足を窒化膜で支持補強して、配線間
の短絡を防ぐことができる。
さらに、段差切れをもなくすことができるためエアブリ
ッジの歩留り、信頼性が飛躍的に向」ユするものである
。
ッジの歩留り、信頼性が飛躍的に向」ユするものである
。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）及び（ｄ）は、
本発明の実施例の１つを説明するためのものである。 １・・・下地配線 ２・・・エアブリッジ形成用レジストパターン３・・・
窒 化 膜 ４・・・・Ｌ層配線 ５・・何−下記線接触部分 １０・・・集 積 回 路 代理人 弁理士 上 代 哲 司 ５ ゝ゛−１０ ０ 大１図 ２０１
本発明の実施例の１つを説明するためのものである。 １・・・下地配線 ２・・・エアブリッジ形成用レジストパターン３・・・
窒 化 膜 ４・・・・Ｌ層配線 ５・・何−下記線接触部分 １０・・・集 積 回 路 代理人 弁理士 上 代 哲 司 ５ ゝ゛−１０ ０ 大１図 ２０１
Claims (1)
- （１）集積回路の多層配線技術のうち上側と下側の配線
金属が絶縁膜を介さずに立体交叉するエアブリッジ法に
おいて、下記線の接続部および交叉部以外が絶縁膜で覆
われており、かつ、交叉部の配線間の絶縁膜に接して上
記線が形成されてしすることを特徴とする多層配線方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10757883A JPS59232445A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多層配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10757883A JPS59232445A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多層配線方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232445A true JPS59232445A (ja) | 1984-12-27 |
| JPH0465540B2 JPH0465540B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=14462718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10757883A Granted JPS59232445A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多層配線方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232445A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189939A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH01262646A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN110970359A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-07 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种具有支撑架的空气桥及制作方法 |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10757883A patent/JPS59232445A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189939A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH01262646A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN110970359A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-07 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种具有支撑架的空气桥及制作方法 |
| CN110970359B (zh) * | 2019-11-27 | 2022-06-14 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种具有支撑架的空气桥及制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465540B2 (ja) | 1992-10-20 |
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