JPS5923017B2 - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPS5923017B2 JPS5923017B2 JP6912079A JP6912079A JPS5923017B2 JP S5923017 B2 JPS5923017 B2 JP S5923017B2 JP 6912079 A JP6912079 A JP 6912079A JP 6912079 A JP6912079 A JP 6912079A JP S5923017 B2 JPS5923017 B2 JP S5923017B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magneto
- thin plate
- transparent thin
- memory element
- Prior art date
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気光学カー（Ｋｅｒｒ）効果を利用して信号
を読み出す磁気光学記憶素子に関するものである。
を読み出す磁気光学記憶素子に関するものである。
従来より、ガラス等の基板（サブストレート）の面に対
して垂直な方向に磁化容易軸を有するようにＭｎＢｉ等
の磁性材料からなる膜を基板の上記面に形成して、上記
磁性材料に磁気的に記憶させた情報を磁気光学Ｋｅｒｒ
効果（磁場内の物質もしくは磁性体によつて反射された
直線偏光が楕円偏光になる現象）を利用して、光学的に
読み出す磁気光学記憶素子は公知である。
して垂直な方向に磁化容易軸を有するようにＭｎＢｉ等
の磁性材料からなる膜を基板の上記面に形成して、上記
磁性材料に磁気的に記憶させた情報を磁気光学Ｋｅｒｒ
効果（磁場内の物質もしくは磁性体によつて反射された
直線偏光が楕円偏光になる現象）を利用して、光学的に
読み出す磁気光学記憶素子は公知である。
しかしながら、Ｋｅｒｒ効果を利用して情報を読み出す
上記磁気光学記憶素子の欠点の一つは、ファラデー効果
を利用して情報を読み出す磁気光学記憶素子等における
ファラデー回転角に比較してＫｅｒｒ回転角が小さく、
比較的大きなＫｅｒｒ回転角を得ることのできるＭｎＢ
ｉフィルム（膜）の場合でも、Ｋｅｒｒ回転角は０．４
０ないし０．５０程度で、高い周波数の信号を読み出す
には不充分であつた。
上記磁気光学記憶素子の欠点の一つは、ファラデー効果
を利用して情報を読み出す磁気光学記憶素子等における
ファラデー回転角に比較してＫｅｒｒ回転角が小さく、
比較的大きなＫｅｒｒ回転角を得ることのできるＭｎＢ
ｉフィルム（膜）の場合でも、Ｋｅｒｒ回転角は０．４
０ないし０．５０程度で、高い周波数の信号を読み出す
には不充分であつた。
このため、ＭｎＢｉ等の磁性体フィルムの表面にＳｉＯ
等の誘電体膜を、読出しの光の波長に対してその光の反
射率が低くなるような厚さに、蒸着またはスパッタリン
グによつて形成し、該誘電体膜中で、偏光が多重反射や
干渉を起すことによつて、Ｋｅｒｒ効果を増感し、磁気
光学記憶素子の読出し特性の改善を図ることが提案され
ている（例えば、アメリカ物理学会発行Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＶｏｌ、４５、Ａ６
．８、Ａｕｇｕｓｔ１９７４第３６４３頁参照）。
等の誘電体膜を、読出しの光の波長に対してその光の反
射率が低くなるような厚さに、蒸着またはスパッタリン
グによつて形成し、該誘電体膜中で、偏光が多重反射や
干渉を起すことによつて、Ｋｅｒｒ効果を増感し、磁気
光学記憶素子の読出し特性の改善を図ることが提案され
ている（例えば、アメリカ物理学会発行Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＶｏｌ、４５、Ａ６
．８、Ａｕｇｕｓｔ１９７４第３６４３頁参照）。
上記のようにすれば、第１図に示すように、読出し光の
光波長が６００ｎｍの付近で、Ｋｅｒｒ回転角は１．５
０程度まで増感されるが、Ｋｅｒｒ効果の上記増感は、
磁性材料や誘電体膜の屈折率あるいは誘電体膜の厚さの
間に、上記のような、特別な関係が満足されたときにの
み起るため、誘電体膜の条件出しに時間がかゝり、再現
性に乏しく所定の膜厚から外れると、Ｋｅｒｒ回転角の
増感効果が減少する欠点があつた。
光波長が６００ｎｍの付近で、Ｋｅｒｒ回転角は１．５
０程度まで増感されるが、Ｋｅｒｒ効果の上記増感は、
磁性材料や誘電体膜の屈折率あるいは誘電体膜の厚さの
間に、上記のような、特別な関係が満足されたときにの
み起るため、誘電体膜の条件出しに時間がかゝり、再現
性に乏しく所定の膜厚から外れると、Ｋｅｒｒ回転角の
増感効果が減少する欠点があつた。
また、上記のようにすると、１磁気光学Ｋｅｒｒ効果は
光の反射を利用しているため、反射率の低下は信号の劣
化につながる。
光の反射を利用しているため、反射率の低下は信号の劣
化につながる。
２ＭｎＢ１膜は基板上にＢｉを蒸着しその上にＭｎを蒸
着して後、Ｂｉ層にＭｎを熱拡散させることにより作成
するが、Ｍｎが酸化しやすいため、Ｍｎを化学量論的な
比率よりも多く蒸着しないと一様な膜が形成されず、し
かも、その時にＭｎＢｉ上に残つてＭｎもしくは酸化マ
ンガンが読出しノイズを発生させ、信号ノイズ比（Ｓ／
Ｎ比）を減退させる等の欠点があつた。
着して後、Ｂｉ層にＭｎを熱拡散させることにより作成
するが、Ｍｎが酸化しやすいため、Ｍｎを化学量論的な
比率よりも多く蒸着しないと一様な膜が形成されず、し
かも、その時にＭｎＢｉ上に残つてＭｎもしくは酸化マ
ンガンが読出しノイズを発生させ、信号ノイズ比（Ｓ／
Ｎ比）を減退させる等の欠点があつた。
本発明は、Ｋｅｒｒ効果を利用して信号を読み出す従来
の磁気光学記憶素子における上記欠点を解消すべくなさ
れたものであつて、透明薄板上にＭｎＢｉ膜を形成し、
該透明薄板でＫｅｒｒ効果を増感させることにより、従
来のように、ＳｉＯやＳｉＯ２等の誘電体膜の作成の煩
わしさをなくして製作の簡単化を図るとともに、Ｍｎ等
の過剰による影響を受けることがなく、高い信号ノイズ
比（Ｓ／Ｎ比）を得ることのできる磁気光学記憶素子を
提供することを目的としている。
の磁気光学記憶素子における上記欠点を解消すべくなさ
れたものであつて、透明薄板上にＭｎＢｉ膜を形成し、
該透明薄板でＫｅｒｒ効果を増感させることにより、従
来のように、ＳｉＯやＳｉＯ２等の誘電体膜の作成の煩
わしさをなくして製作の簡単化を図るとともに、Ｍｎ等
の過剰による影響を受けることがなく、高い信号ノイズ
比（Ｓ／Ｎ比）を得ることのできる磁気光学記憶素子を
提供することを目的としている。
このため、本発明は、透明薄板上に膜面に垂直な方向に
磁化容易軸を有する磁性体膜を形成し、その磁性体膜形
成面側を他の基板に接着剤にて接着してなり、上記透明
薄板を介して上記磁性体膜に光を照射してその反射光を
検出することにより、情報の再生を行うようにしたこと
を特徴としている。
磁化容易軸を有する磁性体膜を形成し、その磁性体膜形
成面側を他の基板に接着剤にて接着してなり、上記透明
薄板を介して上記磁性体膜に光を照射してその反射光を
検出することにより、情報の再生を行うようにしたこと
を特徴としている。
以下、本発明の一実施例を示す図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第２図において、１は透明薄板であつて、該透明薄板１
は、例えば、０．５１１厚のコーニングマイクロシート
からなり、その下面にはＭｎＢｉ膜２を、真空蒸着法等
によつて、形成している。
は、例えば、０．５１１厚のコーニングマイクロシート
からなり、その下面にはＭｎＢｉ膜２を、真空蒸着法等
によつて、形成している。
上記ＭｎＢｉ膜２艮上記透明薄板１の上下両面に対して
垂直な方向に磁化容易軸を有するように形成している。
垂直な方向に磁化容易軸を有するように形成している。
なお、上記第２図において、３は透明薄板１および上記
ＭｎＢｉ膜２の基板（サブストレート）としてのガラス
円盤であつて、該ガラス円盤３には上記ＭｎＢｉ膜２を
接着剤を使用して接着している。
ＭｎＢｉ膜２の基板（サブストレート）としてのガラス
円盤であつて、該ガラス円盤３には上記ＭｎＢｉ膜２を
接着剤を使用して接着している。
上記のようにすれば、読出し光はレンズ４により、透明
薄板１を通してＭｎＢｉ膜２に集光され、該ＭｎＢｉ膜
２に記録された情報を従来公知の方法で読み出すことが
できるが、ＳｉＯ膜によるＫｅｒｒ回転角の波長依存性
は、前記したように（第１図参照）、光波長が４００ｎ
ｍから７００ｎｍの範囲において、Ｋｅｒｒ回転角は６
１０ｎｍ付近で局所的に１．５Ｋ程度になるのに対し、
本発明に係る第２図のものでは、第３図に示すように、
光波長が４００ｎｍから７００ｎＴｎの範囲においてほ
ｙ一様に、Ｋｅｒｒ回転角は、１．１囲ないし１．５一
と増大していることが分る。上記実施例において、透明
薄板１は０．５ｍｍ厚ののコーニングマイクロシートを
使用したが、上記の厚さ以外のもの（例えば、厚さ０．
３顛ないし０．８ｍｍのもの）を使用することも可能で
あり、また、透明薄板１としてコーニングマイクロシー
ト以外の材料を使用する等、本発明の要旨の範囲で種々
の構成とすることができる。
薄板１を通してＭｎＢｉ膜２に集光され、該ＭｎＢｉ膜
２に記録された情報を従来公知の方法で読み出すことが
できるが、ＳｉＯ膜によるＫｅｒｒ回転角の波長依存性
は、前記したように（第１図参照）、光波長が４００ｎ
ｍから７００ｎｍの範囲において、Ｋｅｒｒ回転角は６
１０ｎｍ付近で局所的に１．５Ｋ程度になるのに対し、
本発明に係る第２図のものでは、第３図に示すように、
光波長が４００ｎｍから７００ｎＴｎの範囲においてほ
ｙ一様に、Ｋｅｒｒ回転角は、１．１囲ないし１．５一
と増大していることが分る。上記実施例において、透明
薄板１は０．５ｍｍ厚ののコーニングマイクロシートを
使用したが、上記の厚さ以外のもの（例えば、厚さ０．
３顛ないし０．８ｍｍのもの）を使用することも可能で
あり、また、透明薄板１としてコーニングマイクロシー
ト以外の材料を使用する等、本発明の要旨の範囲で種々
の構成とすることができる。
以上、詳細に説明したことからも明らかなように、本発
明は、磁性体膜を形成した透明薄板によつて増感された
Ｋｅｒｒ効果を利用して信号を読み出すようにしたから
、従来のように、ＳｉＯやＳｉＯ２等の誘電体膜を作成
する場合の困難さはなく、磁気光学記憶素子の製作が非
常に簡単化されるとともに、磁性体膜の成膜表面での不
都合な要素（例えばＭｎＢｉ膜の成膜表面に残るＭｎ等
）による悪影響を受けないため、高い信号ノイズ比（Ｓ
／Ｎ比）を得ることができる。
明は、磁性体膜を形成した透明薄板によつて増感された
Ｋｅｒｒ効果を利用して信号を読み出すようにしたから
、従来のように、ＳｉＯやＳｉＯ２等の誘電体膜を作成
する場合の困難さはなく、磁気光学記憶素子の製作が非
常に簡単化されるとともに、磁性体膜の成膜表面での不
都合な要素（例えばＭｎＢｉ膜の成膜表面に残るＭｎ等
）による悪影響を受けないため、高い信号ノイズ比（Ｓ
／Ｎ比）を得ることができる。
第１図は従来の光記憶素子によるＫｅｒｒ回転角の波長
依存特性図、第２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の
構造説明図、第３図は本発明に係る光記憶用円盤のＫｅ
ｒｒ回転角の波長依存特性図である。 １・・・・・・透明薄板、２・・・・・・ＭｎＢｉ膜、
３・・・・・・ガラス円盤、４・・・・・・レンズ。
依存特性図、第２図は本発明に係る磁気光学記憶素子の
構造説明図、第３図は本発明に係る光記憶用円盤のＫｅ
ｒｒ回転角の波長依存特性図である。 １・・・・・・透明薄板、２・・・・・・ＭｎＢｉ膜、
３・・・・・・ガラス円盤、４・・・・・・レンズ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明薄板上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
る磁性体膜を形成し、その磁性体膜形成面側を他の基板
に接着剤にて接着してなり、上記透明薄板を介して上記
磁性体膜に光を照射してその反射光を検出することによ
り、情報の再生を行うようにしたことを特徴とする磁気
光学記憶素子。 ２ 上記磁性体膜がＭｎＢｉ膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6912079A JPS5923017B2 (ja) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6912079A JPS5923017B2 (ja) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55163640A JPS55163640A (en) | 1980-12-19 |
| JPS5923017B2 true JPS5923017B2 (ja) | 1984-05-30 |
Family
ID=13393457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6912079A Expired JPS5923017B2 (ja) | 1979-06-01 | 1979-06-01 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923017B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS58153244A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS60163247A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
-
1979
- 1979-06-01 JP JP6912079A patent/JPS5923017B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55163640A (en) | 1980-12-19 |
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