JPS59227906A - 固定化シクロデキストリンアミノ誘導体及びその製造法 - Google Patents

固定化シクロデキストリンアミノ誘導体及びその製造法

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JPS59227906A
JPS59227906A JP10390483A JP10390483A JPS59227906A JP S59227906 A JPS59227906 A JP S59227906A JP 10390483 A JP10390483 A JP 10390483A JP 10390483 A JP10390483 A JP 10390483A JP S59227906 A JPS59227906 A JP S59227906A
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JP
Japan
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cyclodextrin
formula
derivative
immobilized
crosslinked
Prior art date
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Pending
Application number
JP10390483A
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English (en)
Inventor
Iwao Tabuse
田伏 岩夫
Kazuo Yamamura
和夫 山村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
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Publication date
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は固定化シフ四デキストリンアミノ誘誘体及びそ
の製造法に関するものであp、詳し〈はカルボキシエス
テル基を有する不溶性高分子物質のカルボキシエステル
基の一部が式〔■〕又は[Il)で置換されてなる 一CON)i  NH。
[I)        [I:] 固定化シクロデキストリンアミノ誘導体、及びその製造
法に関するものである。
(式中% 0DJdシクロテキストリンを、Yけ一8O
H,OH,−、−8OH,OR,0H2−、−NH−O
H,OH,−、−Nl−1et−1工四工C,H,=−
NHOH,OH,NHGH,CiH,−を表わ千。)本
発明の固定化シクロデキストリンアミノ誘導体は、シク
ロデキストリンの空孔中に非イオン分子、疎水性分子等
を立体特異的VC増シ込む機能と、アミノ基によるイオ
ン交換機能とを併せ持っておシ、この特性力・らイオン
、非イオン等の混合物妙・らそれぞれを吸着分離するこ
とが可能であり1分離剤として非常VC有用なものであ
るO シクロデキストリンを不溶性樹脂に結合させた固定化シ
クロデキストリンは、水や溶媒に不溶でsb、シクロデ
キストリンの環状疎水性空孔が適当な大きさの疎水性分
子を包接する特性を利用して、カラムクロマトグラフィ
ー等の分離剤として各種のものが既に報告さねている。
例えばシクロデキストリンとエピクロルヒドリンとの共
重合体、ポリビニルアルコールとシクロデキストリンの
ビス(エポキシプロビル)エーテルによる架橋ポリマー
、ポリ(アクリロイル−β−シクロデキストリン)、/
、p−ブタンジオールグリシジルエーテルを用いてアガ
ロースへ結合させたゲル、ジイソシアネートとシクロデ
キストリンのポリウレタン等がある。
これらがシクロデキストリンの環状疎水性空孔の、適当
な分子サイズの疎水性分子に対する包接作用を利用する
のみであるのに対し、本発明の固定化シフ四デキストリ
ン誘導体はシクロデキストリンの疎水性空孔が持つ機能
の他にイオン交換機能を併せ持ったところに特9がある
更に本発明の固定化シクロテキストリン誘導体は7級ア
ミノ基を有するが、このアミン基はアルデヒドやケトン
と反応してカルビノールアミン又はシック塩基を形成し
、かつこの反応は平衡反応であり、平衡に到達する速度
も充分に大であるので、これを利用して疎水性のアルデ
ヒドやケトン類の分離剤としても使用できる。
たとえば、本発明の固定化シフロブキストリル ンアミノ誘導体を充填したカラムに力yボニル化合物を
含有する試料溶液を注入して、水やアルコール水溶液で
展開式せると、他の化合物にくらべてカルボニル化合物
の溶出時間が大となシ、これを精度よ〈分離、抽出でき
る。
すなわち本発明の固定化シクロデキストリンアミノ誘導
体はシクロデキストリンの疎水空孔による、立体特異的
分子識別作用とアミン基による、カルボニル基の認識作
用が協同して働く、′を いわゆる分子二重認識の機能材持つものであシ、分離剤
として高度な機能を発揮できるものである。
以下詳細に本発明を駅間する。
本発明の固定化シクロデキストリンアミノ誘導体はカル
ボキシエステル基を有する不溶性高分子物質のエステル
基の一部が式[1]又は式[11)で表わされる基で置
換されてなるものである。
(CDはシクロデキストリンを表わす。)シクロデキス
トリンは、α−シクロデキストリン、β−シクロデキス
トリン、γ−シクロテキストリンが含まれる。
Yは、  −8OH,OH,−、−日0H20H20H
,−、−NHOH,0H2−。
−NHOH,OH,0H1−、−NHOH,CH,NH
OH20H,−を衣わし、=8.−Nがシクロデキスト
リン埠に結合してbるものである。
本発明における不溶性のカルボキシエステル基を有する
高分子物質としては、架橋ポリアクリル酸エステル、架
橋ポリメタクリル酸エステル、架橋ポリイタコン酸エス
テル、架橋ポリマレイン酸エステル共重合物、架橋7マ
一ル酸エステル共重合物、アクリロニトリルとアクリル
酸エステルの共重合物、アクリロニトリルとメタクリル
酸エステルの共重合物、架橋ポリカルボキシスチレンエ
ステル、架橋化ポリビニルアルコールとグリオキシル酸
の縮合物の工おチル等が挙けられる。
エステルは、メチルアルコール、エチルアルコール、フ
ロビルアルコール、インプロビルアルスール、ブチルア
ルコール、  5ea−フロビルアルコール、tθrt
 −7”チルアルコール等の二需≠4エステルが挙けら
れる。
本発明の固定化シクロデキストリンアミノ誘導体は、本
発明に従い次の方法で製造される。
すなわち下記[11)又tri Crv]式で表わされ
るシクロデキストリン誘導体と前記カルボキシエステル
基を有する不溶性高分子物質とを縮合させることによシ
製造される。
(式中、Yは一8OH,OH,−、−8on20H,O
H,−。
−NHOH,OH,−、−NHOH,OH,OH,−−
NHOH,OH,NHO’H,OH,−? CDけシク
ロデキストリンを表わす、、) (式中、  CDはシクロデキストリンを表わす。) 式[IID 、 [1%’)で表わされるシクロデキス
トリン誘導体は公知であシ本発明者の一人等によって製
法が報告されておシ、シクロデキストリンの/M水酸基
の一部が7Mアミン基を有する基で置換されたものであ
る。
シクロデキストリンとしては、α−シクロデキストリン
、β−シクロデキスト92% r−シクロデキストリン
が利用される。
とハらシクロデキストリン誘導体と縮合させるカルボキ
シエステル基を有する不溶性高分子物質も公知であシ、
先に記した各種の物質が使用される。
例えば架橋ポリアクリル酸エステルは架橋剤とアクリル
酸エステルの共重合Iで製造される。
架a 剤としてけジビニルベンゼン、ジビニルトルエン
、ジビニルナフタレン等が使用される。
又架橋剤とアクリル酸エステルの他にスチレンやアクリ
ロニトリル等を共重合成分として含んだものも使用可能
である。
架橋度は原料単量体中の架1fIti剤の重量百分率で
表示するとθ、j%〜!θ%の範囲のものが使用される
アクリロニトリルとアクリル酸エステルの共重合物も(
2θ:/〜10o:i)ジメチルホルムアミドのような
特殊な溶媒以lAKは不溶性であるので本発明の不溶性
高分子物質として分類することにする。
シクロデキストリン誘導体と不溶性高分子物質の縮合反
応は両者の反応に不活性でかつ両者に対する良溶媒中で
加熱しておこなわれる。溶媒ti25)かる見地から適
宜選択されるが、例えばピリジン、キノリン、ピコリン
は好適な溶媒である。反応温度は100−λθO′c程
度でおこなわれる。
本発明で得られる固定化シクロデキストリンアミノ誘導
体を更にヨウ化メチル等で7級アミノ基をアルキル化し
、3級化或いはV級アンモニウム化することによシ、ア
ミノ基の塩基性を変えて、イオン交換樹脂的に使用する
場合の使用範囲を拡大することもできる。
以下、本発明を実施例によって更に詳細VC訣明する。
実施例 ビス−(β−アミノエチルスルフェニル)−β−シクロ
デキストリンsr(へ、j r mmoJ−)をピリジ
ン−水(/ : /  v/v )!0−に溶解し、と
九に、アクリルニトリル−アクリル酸メチル共重合体(
アクリロニトリル:アクリル酸メチル=り:0.3りエ
チル)O6に2を加え、トリエチルアミンの共存下%N
[換して700℃。
!θ時間加熱した。
次いで1反応溶液に/θ0rnlの水を加えて樹脂を炉
取し、これを水、工、クノール、エーテル各f0−で順
次溌浄したのち、減圧乾燥(θ、/mrtrH#、室温
、7日)して本発明の樹脂を得た。
樹脂の収量は、o、L!?yであり、KBr disc
法による工Rスペクトルの特性ピーク(crn−’ )
は次の通シであった。
3に00−3θθθ、220θ、/にj!、/Δごθ、
/り!O1/グθθ/31,0. /2+20. //
りθ、/θgθ、 1030.9グ0,2りθ上記樹脂
/θθ■(粒径04.θコル0.り關)を・水で膨潤さ
せたのち、内径オmm、長さ3θ朋のガラスカラムに充
てんし%蒸留水を/ kg / c、yrGの圧力で十
分流通させた。
次いで、カラム上部ヘペンズアルデヒドのエチルアルコ
ール溶液0.0!−を注入して展開を行った。得られた
溶出曲線を第1図中(a)として示す。同様に、ベンジ
ルアルコールと安息香酸ナトリウムの各エチルアルコー
ル溶液の展開を行い、溶出曲線を詰/図中、(b)、(
0)として示した。
なお、上記カラムのホールドアツプ開け。
HalL水溶液を試料として求めたところ、約θItn
lであった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る固定化シクロテキストリンアミノ
篩導体による。−ベンズアルデヒド(図中(a) ) 
、ベンジルアルコール(b)、安息香酸ナトリウム(C
)の溶出曲線を示すグラフであり、横軸は、溶出量(m
l )を、縦軸は吸光度を示す。 なお1図中の破線は標準物質として用いだNaCJ−の
溶出曲線である。 出 願 人  三菱化成工業株式会社 代 理 人  弁理士 長谷用  − (ほか7名)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  カルボキシエステル基を有する不溶性高分子
    物質のカルボキシ千ステル基の一部が1式%式%( で置換されてなる。固定化シクロデキストリンアミン誘
    導体 (式中、0DFiシクロデキストリン、Yけ−BOH,
    OH,−,−80HtC!H,OH,−、−NHOII
    20H,−。 −NHOH20H,OH,−、−NHOH20H,NH
    OH,OH,−を表わ−1,)(2)下記Cu1l)又
    はGVI式で表わされるシクロデキストリン誘導体とカ
    ルボキシエステル基を有する不溶性高分子物質とを縮合
    させることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載
    物質の製造法 (式中、Yは−BOH,01−1..−8OH20H2
    0J(、−。 −NHOH,OH,〜、 −NHOH20H20H,−
    。 −4JHOH20H2NHOH,0H2−、CDはシク
    ロデキストリンを表わす。) (式中、0Dijシクロデキストリンf&わす)
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