JPS59217344A - 樹脂モ−ルド型半導体装置 - Google Patents
樹脂モ−ルド型半導体装置Info
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- JPS59217344A JPS59217344A JP9071883A JP9071883A JPS59217344A JP S59217344 A JPS59217344 A JP S59217344A JP 9071883 A JP9071883 A JP 9071883A JP 9071883 A JP9071883 A JP 9071883A JP S59217344 A JPS59217344 A JP S59217344A
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- JP
- Japan
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- resin
- epoxy resin
- sealing layer
- epoxy
- semiconductor device
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は樹脂モールド型半導体装置、特に、電極部材に
少なくとも１枚の半導体ベレットを鑞付し、エポキシ樹
脂でモールドした半導体装置に関するものである。
少なくとも１枚の半導体ベレットを鑞付し、エポキシ樹
脂でモールドした半導体装置に関するものである。
エポキシ樹脂は熱硬化型の樹脂で、常温で液状又は粉体
状であり、熱を加えると高温状態で硬化する。ところが
、熱硬化時にエポキシ樹脂は一旦ゲル化し液状となる。
状であり、熱を加えると高温状態で硬化する。ところが
、熱硬化時にエポキシ樹脂は一旦ゲル化し液状となる。
従って、エポキシ樹脂で１−ルドを行う場合は成形のた
めに型を用いるのが一般である。
めに型を用いるのが一般である。
第１図は戴を用いて作られたアキシャルリード型ダイオ
ードを示している。
ードを示している。
同図において、ｐｎｎ接合を有するシリコンペレット１
はその両生表面に半田付を良好にするためのニッケル鍍
金層２が設けられておシ、半田３によシ一対の銅ヘッダ
ーリード４間に挾持されている。ヘッダーリード４の表
面には銀鍍金層５が設けられている。このような構成の
サブアセンブリに対して、シリコンペレット１のｐｎｎ
接合の表面安定化のため、一般に用いられるシリコーン
樹脂の素面安定化材６をシリコンペレット１の側周に設
けてから、エポキシ樹脂で封止層７が設けられる。
はその両生表面に半田付を良好にするためのニッケル鍍
金層２が設けられておシ、半田３によシ一対の銅ヘッダ
ーリード４間に挾持されている。ヘッダーリード４の表
面には銀鍍金層５が設けられている。このような構成の
サブアセンブリに対して、シリコンペレット１のｐｎｎ
接合の表面安定化のため、一般に用いられるシリコーン
樹脂の素面安定化材６をシリコンペレット１の側周に設
けてから、エポキシ樹脂で封止層７が設けられる。
エポキシ樹脂のモールド法としては、キャスティング法
、ボッティング法、トランスファ法等があるが、いずれ
の方法でも前述のように成形のだめの型を用いている。
、ボッティング法、トランスファ法等があるが、いずれ
の方法でも前述のように成形のだめの型を用いている。
従って、サブアセンブリの壓へのセット、エポキシ樹脂
の注型、モールド後の離型等に工数がかかる欠点があっ
た。特にセットと離型は連続作業が不可能で大量生産に
おいては大きな問題となっている。また、エポキシ樹脂
中に離型剤を含有させた場合には、離型が容易となる反
面、ヘッダーリード４との接着性が低下し、ヘッダーリ
ード４と封止層７との間に間隙ｇができてしまう。この
間隙ｇを通して水分が浸入してシリコンベレット１にま
で到達し、ダイオードとしての逆方向特性を劣下させ信
頼性低下の原因となっている。
の注型、モールド後の離型等に工数がかかる欠点があっ
た。特にセットと離型は連続作業が不可能で大量生産に
おいては大きな問題となっている。また、エポキシ樹脂
中に離型剤を含有させた場合には、離型が容易となる反
面、ヘッダーリード４との接着性が低下し、ヘッダーリ
ード４と封止層７との間に間隙ｇができてしまう。この
間隙ｇを通して水分が浸入してシリコンベレット１にま
で到達し、ダイオードとしての逆方向特性を劣下させ信
頼性低下の原因となっている。
従って本発明の目的はエポキシ樹脂によるモールドが容
易で、連続作業が可能であシ、大量生産に適し、かつ、
品質および信頼性の高い樹脂モールド型半導体装置を提
供するにある。
易で、連続作業が可能であシ、大量生産に適し、かつ、
品質および信頼性の高い樹脂モールド型半導体装置を提
供するにある。
） 〔発明の概要〕
本発明の特徴とするところは、表面安定化材としてポリ
イミドシリコーン樹脂で半導体ベレットを被覆してから
封止層として有機二塩基酸ジヒド２シトとイミダゾール
化合物を含有し分子内にエポキシ基を有するエポキシ樹
脂でモールドしたことにある。
イミドシリコーン樹脂で半導体ベレットを被覆してから
封止層として有機二塩基酸ジヒド２シトとイミダゾール
化合物を含有し分子内にエポキシ基を有するエポキシ樹
脂でモールドしたことにある。
以下本発明半導体装置を第２図に示した一実施例に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第２図において第１図に示したものと同一物、和尚物に
は第４図と同一符号を付けである。
は第４図と同一符号を付けである。
図中、１０は本発明になる表面安定化材でポリイミドシ
リコーン樹脂よシなシ、１１は本発明になる封止層で分
子内にエポキシ基を有するエポキシ樹脂と該エポキシ樹
脂１００モルに対し３〜１５モルの有機二塩基酸ジヒド
ラジドおよび上記エポキシ樹脂１００モルに対し２〜７
モルのイミダゾール化合物を含有する一液性エボキシ樹
脂よシなるものである。
リコーン樹脂よシなシ、１１は本発明になる封止層で分
子内にエポキシ基を有するエポキシ樹脂と該エポキシ樹
脂１００モルに対し３〜１５モルの有機二塩基酸ジヒド
ラジドおよび上記エポキシ樹脂１００モルに対し２〜７
モルのイミダゾール化合物を含有する一液性エボキシ樹
脂よシなるものである。
ポリイミドシリコーン樹脂は上記エポキシ樹脂及び半導
体との密着性が良いばかシでなく、エポキシ樹脂中のイ
ミダゾールによって分解され表面安定化性が劣化し７１
ｃ）、イーミダゾールを浸透させて半導体ベレットのｐ
ｎ接合に悪影響を与えることはない。
体との密着性が良いばかシでなく、エポキシ樹脂中のイ
ミダゾールによって分解され表面安定化性が劣化し７１
ｃ）、イーミダゾールを浸透させて半導体ベレットのｐ
ｎ接合に悪影響を与えることはない。
上記配合のエポキシ樹脂は速硬化性と揺変性を有するも
のである。この特性が如何麦る意味を持つかについて、
製造工程を含めて説明する。
のである。この特性が如何麦る意味を持つかについて、
製造工程を含めて説明する。
先ず、上記表面安定化材１０の設けられたサブアセンブ
リが両電極４をほぼ水平とするよう保持され回転されて
いるところへ所定量のエポキシ樹脂を滴下する。回転に
よジェポキシ樹脂は図示する形に巻付く。即ち、電極４
や表面安定化材１０と接する部分では回転によシ摩擦力
を受けて揺変し、粘度が下ってヘッダーリード４や表面
安定化材１０によくぬれる。一方サブアセンブリから離
れた部分では摩擦力が低下し遠心力のみとなるからほと
んど揺変せず、従って図示の形を維持する。
リが両電極４をほぼ水平とするよう保持され回転されて
いるところへ所定量のエポキシ樹脂を滴下する。回転に
よジェポキシ樹脂は図示する形に巻付く。即ち、電極４
や表面安定化材１０と接する部分では回転によシ摩擦力
を受けて揺変し、粘度が下ってヘッダーリード４や表面
安定化材１０によくぬれる。一方サブアセンブリから離
れた部分では摩擦力が低下し遠心力のみとなるからほと
んど揺変せず、従って図示の形を維持する。
そこで、次にサブアセンブリを回転させつつエポキシ樹
脂の表面部分のみを例えば加熱して硬化させる。この時
、加熱によシ表面部分のエポキシ樹脂は一旦ゲル化し粘
度が極度に下る。しかし内部のエポキシ樹脂はゲル化し
ないので表面部分のエポキシ樹脂よシ粘度は高い。従っ
て、図示の形はほぼ維持されている。そして、速硬化性
によシ表面部分のみが例えば１分程度で硬化する。硬化
した表面部によって内部のエポキシ樹脂はとじこめられ
た形となる。従って、この時点ではもはやサブアセンブ
リに回転を与えなくても、エポキシ樹脂はサブアセンブ
リから落下することはなく、巻付けたままの形を維持で
きる。最後に内部のエポキシ樹脂を例えば加熱によシ硬
化させると図示の封止層１１を有する樹脂モールド型ダ
イオードが得られる。
脂の表面部分のみを例えば加熱して硬化させる。この時
、加熱によシ表面部分のエポキシ樹脂は一旦ゲル化し粘
度が極度に下る。しかし内部のエポキシ樹脂はゲル化し
ないので表面部分のエポキシ樹脂よシ粘度は高い。従っ
て、図示の形はほぼ維持されている。そして、速硬化性
によシ表面部分のみが例えば１分程度で硬化する。硬化
した表面部によって内部のエポキシ樹脂はとじこめられ
た形となる。従って、この時点ではもはやサブアセンブ
リに回転を与えなくても、エポキシ樹脂はサブアセンブ
リから落下することはなく、巻付けたままの形を維持で
きる。最後に内部のエポキシ樹脂を例えば加熱によシ硬
化させると図示の封止層１１を有する樹脂モールド型ダ
イオードが得られる。
エポキシ樹脂がヘッダーリード４や表面安定化材１０と
充分ぬれてから硬化させられるので、封止層１１はヘッ
ダーリード４や表面安定化材１０によく接着している。
充分ぬれてから硬化させられるので、封止層１１はヘッ
ダーリード４や表面安定化材１０によく接着している。
また離型剤を含んでいないので、従来技術で生じていた
第１図に示す間隙ｇは存在せず、耐湿性の高い半導体装
置が得られる。
第１図に示す間隙ｇは存在せず、耐湿性の高い半導体装
置が得られる。
巻付時に表面部のエポキシ樹脂は揺変しないので充分厚
くエポキシ樹脂を巻付は硬化させることカ出来るため、
シリコ、ンベレット１は外力から充分保護される。
くエポキシ樹脂を巻付は硬化させることカ出来るため、
シリコ、ンベレット１は外力から充分保護される。
巻付時の形の通シの封止層１１が得られるので、巻付時
の形を揃えるだけで型を用いなくとも形の揃った半導体
装置が得られる。
の形を揃えるだけで型を用いなくとも形の揃った半導体
装置が得られる。
エポキシ樹脂が有する速硬化性と揺変性は上述の如く型
を用いなくてもザブアセンブリのモールドを可能にする
。従って、工数は低減出来、しかも自動機械による連続
作業を行い得て品質は安定であるだけでなく、大量生産
による供給も安定である。
を用いなくてもザブアセンブリのモールドを可能にする
。従って、工数は低減出来、しかも自動機械による連続
作業を行い得て品質は安定であるだけでなく、大量生産
による供給も安定である。
第３図は本発明になる第２図に示したアキシャルリード
型ダイオードと比較のために製作した表面安定化材１０
を本発明になるポリイミドシリコーン樹脂に代えてシリ
コーン樹脂を用いた第２図に示すものと同様なアキシャ
ルリード凰ダイオードにおける高温直流電圧印加試験に
よるもれ電流の変化を示している。
型ダイオードと比較のために製作した表面安定化材１０
を本発明になるポリイミドシリコーン樹脂に代えてシリ
コーン樹脂を用いた第２図に示すものと同様なアキシャ
ルリード凰ダイオードにおける高温直流電圧印加試験に
よるもれ電流の変化を示している。
１ 比較品では初期におけるもれ電流がば
らついておシ、かつ、１００時間で全てもれ電流が増加
し劣化している。一方、本発明品では初期のもれ電流の
ばらつきも少なく、又、もれ電流の変化もなく安定であ
る。
らついておシ、かつ、１００時間で全てもれ電流が増加
し劣化している。一方、本発明品では初期のもれ電流の
ばらつきも少なく、又、もれ電流の変化もなく安定であ
る。
従って、ポリイミドシリコーン樹脂の表面安定化材と上
記エポキシ樹脂の封止層は樹脂モールド型半導体装置と
して極めて信頼性の高いものであると云える。
記エポキシ樹脂の封止層は樹脂モールド型半導体装置と
して極めて信頼性の高いものであると云える。
第４図は本発明の実施例を示している。
同図において、第２＠、、に示すものと同一物、相当物
には同一符号が付けられている。
には同一符号が付けられている。
この実施例では、ヘッダ一部１２ａから離れた位置に７
ランク部１２ｂが設けられたダブルヘッダーリード１２
が用いられている。
ランク部１２ｂが設けられたダブルヘッダーリード１２
が用いられている。
７ランク部１２ｂは巻付時に軸方向へのエポキシ樹脂の
流れを阻止し、封止層１１の形を揃え、よシ一層品質の
安定に貢献する。
流れを阻止し、封止層１１の形を揃え、よシ一層品質の
安定に貢献する。
以上の実施例では、半導体ベレットが全て１枚のダイオ
ードで示されているが、多数枚の半導体ベレットが一対
の電極間に鑞付挾持された花のにも適用できる。
ードで示されているが、多数枚の半導体ベレットが一対
の電極間に鑞付挾持された花のにも適用できる。
第５図は本発明の更に他の実施例を示している。
この実施例では半導体ベレット１３はｐｎｐｎの４層構
造となってお勺、所定個所にニッケル鍍金層１４が設け
られ、半田１５によシアノード。
造となってお勺、所定個所にニッケル鍍金層１４が設け
られ、半田１５によシアノード。
カソードおよびゲートとなる電極１６ａ〜１６Ｃが鑞付
されている。
されている。
サイリスタベレット１３は先ず、ポリイミドシリコーン
樹脂の表面安定化材１７で被覆されてから、前記エポキ
シ樹脂の封止層１８でモールドされている。エポキシ樹
脂は揺変性を有するものであるので、所定量のエポキシ
樹脂を滴下し、静かに保って表面張力でほぼ半球状とな
ったら、速硬化性を利用して表面のみを硬化させてから
、次に内部のエポキシ樹脂を硬化させて図示の形のサイ
リスクが得られる。
樹脂の表面安定化材１７で被覆されてから、前記エポキ
シ樹脂の封止層１８でモールドされている。エポキシ樹
脂は揺変性を有するものであるので、所定量のエポキシ
樹脂を滴下し、静かに保って表面張力でほぼ半球状とな
ったら、速硬化性を利用して表面のみを硬化させてから
、次に内部のエポキシ樹脂を硬化させて図示の形のサイ
リスクが得られる。
このように、本発明は電極の種類、形状に限定されるこ
となく適用できる。
となく適用できる。
上記実施例ではエポキシ樹脂の硬化方法として熱硬化法
を挙げたが、エポキシ樹脂の硬化のだめに一般に用いら
れる紫外線、Ｘ線、赤外線、電子線照射による硬化等を
用いることができる。
を挙げたが、エポキシ樹脂の硬化のだめに一般に用いら
れる紫外線、Ｘ線、赤外線、電子線照射による硬化等を
用いることができる。
以上説明したように本発明によれば、モールドが容易で
、連続作業が可能であシ、大量生産に適し、かつ、品質
および信頼性の高い樹脂モールド型半導体装置を得るこ
とができる。
、連続作業が可能であシ、大量生産に適し、かつ、品質
および信頼性の高い樹脂モールド型半導体装置を得るこ
とができる。
第１図は従来のアキシャルリード型レジンモールドダイ
オードを示す断面図、第２図は本発明の一実施例を示す
アキシャルリード型レジンモールドダイオードの断面図
、第３図は第２図に示すダイオードの特性試験結果を示
す図、第４図、第５図は本発明の他の実施例を示す半導
体装置の断面図である。 １・・・シリコンペレット、２・・・ニッケル鍍金層、
３・・・半田、４・・・ヘンダーリード、５・・・銀鍍
金層、纂 ／ ロ 躬 ３ 図 。ｆ：Ｌ東しル 試′ 、駿 Ｕ峯 バ、７ （ｔ’ｔ）鵠 仝Ｕ
オードを示す断面図、第２図は本発明の一実施例を示す
アキシャルリード型レジンモールドダイオードの断面図
、第３図は第２図に示すダイオードの特性試験結果を示
す図、第４図、第５図は本発明の他の実施例を示す半導
体装置の断面図である。 １・・・シリコンペレット、２・・・ニッケル鍍金層、
３・・・半田、４・・・ヘンダーリード、５・・・銀鍍
金層、纂 ／ ロ 躬 ３ 図 。ｆ：Ｌ東しル 試′ 、駿 Ｕ峯 バ、７ （ｔ’ｔ）鵠 仝Ｕ
Claims (1)
- １、電極部材に少なくとも１個のｐｎ接合を有する少な
くとも１枚の半導体ペレットを鑞付し、半導体ベレット
をポリイミドシリコーン樹脂からなる表面安定化材で被
覆して更に有機二塩基酸ジヒドラジドとイミダゾール化
合物を含有し分子内にエポキシ基を有するエポキシ樹脂
でモールドしたことを特徴とする樹脂モールド型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071883A JPS59217344A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 樹脂モ−ルド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071883A JPS59217344A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 樹脂モ−ルド型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217344A true JPS59217344A (ja) | 1984-12-07 |
| JPH0117261B2 JPH0117261B2 (ja) | 1989-03-29 |
Family
ID=14006319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9071883A Granted JPS59217344A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 樹脂モ−ルド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014025814A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 流量測定装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013045994A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Dexerials Corp | 太陽電池用導電性接着剤及びこれを用いた接続方法、太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法 |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9071883A patent/JPS59217344A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014025814A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 流量測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0117261B2 (ja) | 1989-03-29 |
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