JPS60760A - レジンモ−ルド型半導体装置 - Google Patents
レジンモ−ルド型半導体装置Info
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- JPS60760A JPS60760A JP58108912A JP10891283A JPS60760A JP S60760 A JPS60760 A JP S60760A JP 58108912 A JP58108912 A JP 58108912A JP 10891283 A JP10891283 A JP 10891283A JP S60760 A JPS60760 A JP S60760A
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- JP
- Japan
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- resin
- electrode
- semiconductor device
- molded
- fixed
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- Pending
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に一対の電極部材間に少なくと
も１枚の半導体基板をろう材で固着し、半導体基板外周
部をレジンでモールドした半導体装置に関するものであ
る。
も１枚の半導体基板をろう材で固着し、半導体基板外周
部をレジンでモールドした半導体装置に関するものであ
る。
量産性に富んだ半導体装置として、従来からレジンモー
ルド型ダイオードがある。
ルド型ダイオードがある。
第１図はその一例を示す。
同図に於いて、シリコンの１個のｐｎ接合を有する半導
体基板１をその表面に設けたニッケル等のメッキ層を介
し、ろう材２で一対の金属電極３０両面間に固着した後
、半導体基板１０表面安定化材４を塗布し、さらに半導
体封止材料としてレジン５をモールドしている。レジン
のモールド方法としては、トランスファーモールドが使
用され、電極構造は、ろう材２の固着補助として、電極
３の周辺に凸部３ａを設け、レジンによる強度補充を行
なっているものが多い。又リード６はレジンモールド後
にろう材２と比較してさらに低温のろう材７で固着する
か、あるいは、ろう材２で固着する工程に於いて同時に
ろう材７を使用し固着した後、表面安定化剤４及びレジ
ン５をモールドしておシ、いずれを用いるかは、単なる
工程上の作業性の問題である。
体基板１をその表面に設けたニッケル等のメッキ層を介
し、ろう材２で一対の金属電極３０両面間に固着した後
、半導体基板１０表面安定化材４を塗布し、さらに半導
体封止材料としてレジン５をモールドしている。レジン
のモールド方法としては、トランスファーモールドが使
用され、電極構造は、ろう材２の固着補助として、電極
３の周辺に凸部３ａを設け、レジンによる強度補充を行
なっているものが多い。又リード６はレジンモールド後
にろう材２と比較してさらに低温のろう材７で固着する
か、あるいは、ろう材２で固着する工程に於いて同時に
ろう材７を使用し固着した後、表面安定化剤４及びレジ
ン５をモールドしておシ、いずれを用いるかは、単なる
工程上の作業性の問題である。
第１図に示す半導体装置の欠点は、半導体装置の最外周
を熱伝４率、熱伝達率が本質的に悪いレジン５でモール
ドしているため、半導体基板１内で発生する熱の放散性
が低いことである。結果的に金属電極３を必要以上に厚
くシ、外気との接触面を確保し、熱放散の効果を上げ、
又熱をリード６に放散するため、ろう材７の肉盛９によ
る熱伝導効率の増加を狙っているが充分ではなかった。
を熱伝４率、熱伝達率が本質的に悪いレジン５でモール
ドしているため、半導体基板１内で発生する熱の放散性
が低いことである。結果的に金属電極３を必要以上に厚
くシ、外気との接触面を確保し、熱放散の効果を上げ、
又熱をリード６に放散するため、ろう材７の肉盛９によ
る熱伝導効率の増加を狙っているが充分ではなかった。
従って、半導体装置の消費電力を必要以上に上げる事が
出来ず、装置の大容量化をはばむ原因となっていた。
出来ず、装置の大容量化をはばむ原因となっていた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、放熱構造の優れた電極構造を有し、量
産性に富み、装置の大容量化が可能なレジンモールド型
半導体装置を提偶するにある。
産性に富み、装置の大容量化が可能なレジンモールド型
半導体装置を提偶するにある。
本発明の特徴とするところは、一対の帽子状電極の凸部
外面間に半導体基板がろう材で固着され、電極の鍔部間
にレジンがモールドされていることにある。
外面間に半導体基板がろう材で固着され、電極の鍔部間
にレジンがモールドされていることにある。
、〔発明の実施例〕
第２図は本発明の一実施例を示している。
第１図に示しだものと同一符号は同一物あるいは相当物
を示している。
を示している。
第２図において、電極１３は帽子状であシ、半導体基板
１は電極１３の凸部１３ｂ外面間にろう材２によシ固着
されている。レジン５け表面安定化材４を設けてからモ
ールドされる。リード６はろう材７によシ、半導体基板
１金ろう材２によシミ極１３と固着する時に同時に凸部
１３ｂの内面に固着される。
１は電極１３の凸部１３ｂ外面間にろう材２によシ固着
されている。レジン５け表面安定化材４を設けてからモ
ールドされる。リード６はろう材７によシ、半導体基板
１金ろう材２によシミ極１３と固着する時に同時に凸部
１３ｂの内面に固着される。
一例として電極１３は銅製であシ、全表面にニッケルメ
ッキ層が設けられている。ろう材２．７は鉛−銀一錫半
田である。表面安定化材４はポリイミドシリコーン樹脂
からなシ、レジン５は有機二塩基酸ジヒドラジドとイミ
ダゾール化合物を含有し分子内にエポキシ基を有する一
液性エボキシ樹脂である。
ッキ層が設けられている。ろう材２．７は鉛−銀一錫半
田である。表面安定化材４はポリイミドシリコーン樹脂
からなシ、レジン５は有機二塩基酸ジヒドラジドとイミ
ダゾール化合物を含有し分子内にエポキシ基を有する一
液性エボキシ樹脂である。
エポキシ樹脂１００モルに対し、有機二塩基酸ジヒドラ
ジドは３〜１５モル、イミダゾール化合物は２〜７モル
含有されている。
ジドは３〜１５モル、イミダゾール化合物は２〜７モル
含有されている。
ポリイミドシリコーン樹脂は上記エポキシｍ 脂及び半
導体との密着性が良いばかシでなく、エポキシ樹脂中の
イミダゾールによって分解され表面安定化性が劣化した
シ、イミダゾールを浸透させて半導体ベレットのｐｎ接
合に悪影響を与えることはない。
導体との密着性が良いばかシでなく、エポキシ樹脂中の
イミダゾールによって分解され表面安定化性が劣化した
シ、イミダゾールを浸透させて半導体ベレットのｐｎ接
合に悪影響を与えることはない。
上記配合のエポキシ樹脂はＭ便化性と揺変性を有するも
のである。この特性が如何なる意味を持つかについて、
製造工程を含めて説明する。
のである。この特性が如何なる意味を持つかについて、
製造工程を含めて説明する。
先ず、上記表面安定化材４を設けてから両電極１３をほ
ぼ水平とするよう保持され回転されているところへ所定
部のエポキシ樹脂を滴下する。回転によシエポキシ樹脂
は図示する形に巻付く。即ち、電極１３や表面安定化材
４と接する部分では回転により摩擦力を受けて揺変し、
粘度が下って電極１３や表面安定化材４によくぬれる。
ぼ水平とするよう保持され回転されているところへ所定
部のエポキシ樹脂を滴下する。回転によシエポキシ樹脂
は図示する形に巻付く。即ち、電極１３や表面安定化材
４と接する部分では回転により摩擦力を受けて揺変し、
粘度が下って電極１３や表面安定化材４によくぬれる。
一方半導体基板１から離れた部分では摩擦力が低下し遠
心力のみとなるからほとんど揺変せず、従って図示の形
を維持する。電極１３は鍔部１３Ｃを有するため、充分
な量のエポキシ樹脂を巻付けることができる。次に半導
体基板等を回転させつつエポキシ樹脂の表面部分のみを
例えば加熱して硬化さセル。この時、加熱によシ表面部
分のエポキシ樹脂は−Ｈゲル化し粘度が極度に下る。し
かし内部のエポキシ樹脂はゲル化１．７ｚいので表面部
分のエポキシ樹脂よシ粘度は高い。従って、図示の形は
ほぼ維持されている。そして、速硬化性によシ表面部分
のみが例えば１分程度で硬化する。硬化した表面部によ
って内部のエポキシ樹脂はとじこめられた形となる。従
って、この時点ではもはや回転を与えなくても、エポキ
シ樹脂は落下することはなく、巻付けたままの形を維持
できる。最後に内部のエポキシ樹脂を例えばｌ１ｔａ熱
によシ硬化させると図示のレジン５を有するレジンモー
ルド型ダイオードが得られる。
心力のみとなるからほとんど揺変せず、従って図示の形
を維持する。電極１３は鍔部１３Ｃを有するため、充分
な量のエポキシ樹脂を巻付けることができる。次に半導
体基板等を回転させつつエポキシ樹脂の表面部分のみを
例えば加熱して硬化さセル。この時、加熱によシ表面部
分のエポキシ樹脂は−Ｈゲル化し粘度が極度に下る。し
かし内部のエポキシ樹脂はゲル化１．７ｚいので表面部
分のエポキシ樹脂よシ粘度は高い。従って、図示の形は
ほぼ維持されている。そして、速硬化性によシ表面部分
のみが例えば１分程度で硬化する。硬化した表面部によ
って内部のエポキシ樹脂はとじこめられた形となる。従
って、この時点ではもはや回転を与えなくても、エポキ
シ樹脂は落下することはなく、巻付けたままの形を維持
できる。最後に内部のエポキシ樹脂を例えばｌ１ｔａ熱
によシ硬化させると図示のレジン５を有するレジンモー
ルド型ダイオードが得られる。
エポキシ樹脂が電極１３や表面安定化材４と充分ぬれて
から硬化させられるので、レジン５は電極１３や表面安
定化材４によく接着している。また離型剤を含んでいな
いので、電極１３との接着部に間隙は存在せず、耐湿性
の高い半導体装置が得られる。
から硬化させられるので、レジン５は電極１３や表面安
定化材４によく接着している。また離型剤を含んでいな
いので、電極１３との接着部に間隙は存在せず、耐湿性
の高い半導体装置が得られる。
レジン５は鍔部１３Ｃ間に設けられているので、沿面距
離を大きくとれる。電極１３の露出表面は広いため、熱
放散性に優れ、装置の大容量化が可能である。熱放散性
に富むので、リード６を固着するろう材７は少量でよく
、凸部１３ｂの内側面はろう材７の流れ止めにもなって
いる。
離を大きくとれる。電極１３の露出表面は広いため、熱
放散性に優れ、装置の大容量化が可能である。熱放散性
に富むので、リード６を固着するろう材７は少量でよく
、凸部１３ｂの内側面はろう材７の流れ止めにもなって
いる。
電極１３のレジン５と接触する面には点線で示すへこみ
１４や突出部あるいはローレット加工を施すとリード６
間に加わる回転力に対する耐量が増す。
１４や突出部あるいはローレット加工を施すとリード６
間に加わる回転力に対する耐量が増す。
第３図に示す様に、半導体基板１を固着している部分を
厚くした電極１３を用いると、電極１３の熱容量が増す
結果、過電流耐量が大きくなる。
厚くした電極１３を用いると、電極１３の熱容量が増す
結果、過電流耐量が大きくなる。
又、凸部１３ｂの外側面に曲面を設けてレジン５との接
着面を増加させると、外力に対する耐量が増加するだけ
でなく、外気と半導体基板１間の距離も長くなって、よ
シ耐湿性が向上する。
着面を増加させると、外力に対する耐量が増加するだけ
でなく、外気と半導体基板１間の距離も長くなって、よ
シ耐湿性が向上する。
第４図に示す様に、一方の電極１３ａにはリード６を設
け、他方の電１１３ｂは、ろう材２，７よシ融点の低い
ろう材１５によシバイブリッドモジュール等における基
板１６に固着してもよい。
け、他方の電１１３ｂは、ろう材２，７よシ融点の低い
ろう材１５によシバイブリッドモジュール等における基
板１６に固着してもよい。
ろう材１５として熱伝導性の良いものを用いると、熱放
散性の良いものが得られる。
散性の良いものが得られる。
以上の実施例では、半導体基板１は１枚のみ示されてい
るが、複数の半導体基板が所定の整流方向となるように
ろう材によシ積層接着されたものが電極１３間に配置さ
れる構成であってもよい。
るが、複数の半導体基板が所定の整流方向となるように
ろう材によシ積層接着されたものが電極１３間に配置さ
れる構成であってもよい。
又、半導体基板１は複数のｐｎ接合を持つものであって
もかまわない。電極１３としては銅に限らず、銅・コバ
ール・銅等のクラッド構造のものであってもよい。
もかまわない。電極１３としては銅に限らず、銅・コバ
ール・銅等のクラッド構造のものであってもよい。
以上説明した様に、本発明によれば、放熱性、景産性に
優れ、大容量化が可能なレジンモールド型半導体装置を
得ることができる。
優れ、大容量化が可能なレジンモールド型半導体装置を
得ることができる。
第１図は従来のレジンモールド型ダイオードを示す縦断
面図、第２図〜第４図は本発明の異なる実施例を示す縦
断面図である。 １・・・半導体基板、２，７．１５・・・ろう材、４・
・・表面安定化材、訃・・レジン、６・・・リード、８
・・・へこみ、１３・・・電極、１３ｂ・・・凸部、１
３Ｃ・・・鍔部、￥ １ ｎ ５ 第 ２ 国 妬 ３ 目 第 ４０
面図、第２図〜第４図は本発明の異なる実施例を示す縦
断面図である。 １・・・半導体基板、２，７．１５・・・ろう材、４・
・・表面安定化材、訃・・レジン、６・・・リード、８
・・・へこみ、１３・・・電極、１３ｂ・・・凸部、１
３Ｃ・・・鍔部、￥ １ ｎ ５ 第 ２ 国 妬 ３ 目 第 ４０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一対の帽子状の電極の凸部外面間に少なくとも１個
のｐｎ接合を有する少なくとも１枚の半導体基板がろう
材によシ固着され、上記電極の鍔部間にレジンがモール
ドされていることを特徴とするレジンモールド型半導体
装置。 ２ 上記第１項において、レジンは有機二塩基酸ジヒド
ラジドとイミダゾール化合物を含有し分子内にエポキシ
基を有するエポキシ樹脂であることを特徴とするレジン
モールド型半導体装置。 ３、上記第１項において、少なくとも一方の電極の凸部
内面にリードがろう材によシ固着されていることを特徴
とするレジンモールド型半導体装置。 ４、上記第１項において、各電極の凸部側面忙は突出部
又はへこみ部が設けられていることｆ：特徴とするレジ
ンモールド型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108912A JPS60760A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | レジンモ−ルド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108912A JPS60760A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | レジンモ−ルド型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60760A true JPS60760A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14496784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108912A Pending JPS60760A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | レジンモ−ルド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60760A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247346A (ja) * | 1986-02-11 | 1987-10-28 | オリオン―ユテテイマ オイ | 自動露出を備えたパノラマ式ｘ線装置 |
| US4734755A (en) * | 1984-06-09 | 1988-03-29 | Semikron Gesellschaft Fur Gleichrichterbau | Alternating load stable switchable semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58108912A patent/JPS60760A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4734755A (en) * | 1984-06-09 | 1988-03-29 | Semikron Gesellschaft Fur Gleichrichterbau | Alternating load stable switchable semiconductor device |
| JPS62247346A (ja) * | 1986-02-11 | 1987-10-28 | オリオン―ユテテイマ オイ | 自動露出を備えたパノラマ式ｘ線装置 |
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