JP3350444B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2924/301—Electrical effects
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、本発明は電子部品
を実装したリードフレームを樹脂モールドする半導体装
置の製造方法に関し、特にモールド工程で発生する薄バ
リの発生防止に関する。
を実装したリードフレームを樹脂モールドする半導体装
置の製造方法に関し、特にモールド工程で発生する薄バ
リの発生防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】先ず、従来例の半導体装置のモールド方
法について説明する。半導体装置のモールド構造とし
て、その目的により、２つの構造が用いられ、これを図
６に示す。図６（ａ）はフルモールドパッケージ構造に
よる半導体装置を示し、図６（ｂ）はフィン露出型モー
ルドパッケージ構造による半導体装置を示す。フルモー
ルドパッケージ構造による半導体装置は特に耐湿性や遮
光性や耐温度性などを必要とする半導体装置に適し、フ
ィン露出型モールドパッケージ構造による半導体装置
は、パワー素子やシリーズレギュレータ素子等の素子の
発熱を放熱する必要がある半導体装置に適している。
法について説明する。半導体装置のモールド構造とし
て、その目的により、２つの構造が用いられ、これを図
６に示す。図６（ａ）はフルモールドパッケージ構造に
よる半導体装置を示し、図６（ｂ）はフィン露出型モー
ルドパッケージ構造による半導体装置を示す。フルモー
ルドパッケージ構造による半導体装置は特に耐湿性や遮
光性や耐温度性などを必要とする半導体装置に適し、フ
ィン露出型モールドパッケージ構造による半導体装置
は、パワー素子やシリーズレギュレータ素子等の素子の
発熱を放熱する必要がある半導体装置に適している。
【０００３】図６（ａ）において、フルモールドパッケ
ージ構造による半導体装置５０は、リードフレーム５
１、半導体チップ５２、金線５３、モールド樹脂５４、
から成り、電子部品が実装されたリードフレーム５１は
モールド樹脂５４により完全に封止される構造となって
いる。
ージ構造による半導体装置５０は、リードフレーム５
１、半導体チップ５２、金線５３、モールド樹脂５４、
から成り、電子部品が実装されたリードフレーム５１は
モールド樹脂５４により完全に封止される構造となって
いる。
【０００４】図６（ｂ）において、フィン露出型モール
ドパッケージ構造による半導体装置５５は、リードフレ
ーム５６、半導体チップ５７、金線５３、モールド樹脂
５４、リードフレーム５６のフィン部５８、リードフレ
ーム５６のフィン露出部５９、から成り、半導体チップ
５７の発熱をリードフレーム５６のフィン露出部５９を
通じて放熱する構造となっている。
ドパッケージ構造による半導体装置５５は、リードフレ
ーム５６、半導体チップ５７、金線５３、モールド樹脂
５４、リードフレーム５６のフィン部５８、リードフレ
ーム５６のフィン露出部５９、から成り、半導体チップ
５７の発熱をリードフレーム５６のフィン露出部５９を
通じて放熱する構造となっている。
【０００５】図７は従来例によるフィン露出型モールド
パッケージ構造による半導体装置の樹脂モールド工程
（樹脂封止工程）を説明する図である。図７において、
ワイヤボンド完の半導体装置６０は、金型６１の中に装
填される。５６はリードフレーム、５７はレギュレータ
用半導体チップ、５３は金線、５８はリードフレーム５
６のフィン部、５９はリードフレーム５６のフィン露出
部、６２は金型６１のモールド空間、６３は樹脂注入
孔、である。
パッケージ構造による半導体装置の樹脂モールド工程
（樹脂封止工程）を説明する図である。図７において、
ワイヤボンド完の半導体装置６０は、金型６１の中に装
填される。５６はリードフレーム、５７はレギュレータ
用半導体チップ、５３は金線、５８はリードフレーム５
６のフィン部、５９はリードフレーム５６のフィン露出
部、６２は金型６１のモールド空間、６３は樹脂注入
孔、である。
【０００６】樹脂モールド工程において、フィン露出部
５９を金型６１に密着させることにより、その領域に樹
脂が回り込まないようにしていた（図７）。しかし、リ
ードフレーム５６のフィン露出部５９と金型６１とは、
金属と金属との接面であるため、フィン露出部５９と金
型６１との間にはどうしても隙間ができやすく、わずか
な隙間に樹脂が流れ込み、薄バリが発生していた。図８
はこの様子を示したもので、フィン露出部５９側から見
たものである。図８において、フィン露出型半導体装置
５５は、５４はモールド樹脂、５６はリードフレーム、
６４は薄バリ、である。
５９を金型６１に密着させることにより、その領域に樹
脂が回り込まないようにしていた（図７）。しかし、リ
ードフレーム５６のフィン露出部５９と金型６１とは、
金属と金属との接面であるため、フィン露出部５９と金
型６１との間にはどうしても隙間ができやすく、わずか
な隙間に樹脂が流れ込み、薄バリが発生していた。図８
はこの様子を示したもので、フィン露出部５９側から見
たものである。図８において、フィン露出型半導体装置
５５は、５４はモールド樹脂、５６はリードフレーム、
６４は薄バリ、である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】フィン露出型モールド
パッケージ構造による半導体装置は放熱性が良いという
利点から、大電流向けのパワー素子のパッケージとして
利用されることが多い。しかし、このフィン露出型モー
ルドパッケージ構造の問題点は、モールド工程におい
て、フィン露出部に薄バリが発生することである。この
薄バリを除去せずに半導体装置を動作させた場合、フィ
ン露出部の薄バリ部分は樹脂層を介する熱伝導によるた
め、半導体装置内の半導体チップからの発熱の放熱性が
悪くなり、所望の放熱性が得られなくなるため、薄バリ
除去工程は必須であった。
パッケージ構造による半導体装置は放熱性が良いという
利点から、大電流向けのパワー素子のパッケージとして
利用されることが多い。しかし、このフィン露出型モー
ルドパッケージ構造の問題点は、モールド工程におい
て、フィン露出部に薄バリが発生することである。この
薄バリを除去せずに半導体装置を動作させた場合、フィ
ン露出部の薄バリ部分は樹脂層を介する熱伝導によるた
め、半導体装置内の半導体チップからの発熱の放熱性が
悪くなり、所望の放熱性が得られなくなるため、薄バリ
除去工程は必須であった。
【０００８】従来例では、発生した薄バリを、モールド
後の半導体装置に、水圧をかけて除去する機械的な方法
や、化学溶液で溶かす等の化学的な方法等が用いられて
いたが、これらは何れも半導体装置にダメージを与える
結果となっていた。また、薄バリ除去工程が必要であ
り、製造工程における工数の増大という問題点もある。
後の半導体装置に、水圧をかけて除去する機械的な方法
や、化学溶液で溶かす等の化学的な方法等が用いられて
いたが、これらは何れも半導体装置にダメージを与える
結果となっていた。また、薄バリ除去工程が必要であ
り、製造工程における工数の増大という問題点もある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体装置の製造方法は、リードフレームに半導体チッ
プを実装し、それを樹脂モールドする半導体装置の製造
方法であり、リードフレームの一部に折り曲げにより樹
脂から露出するフィン露出部が形成され、そのフィン露
出部が前記半導体チップを実装した面の真裏となる構造
のリードフレームを用い、樹脂モールド用金型として、
前記リードフレームのフィン露出部に対応する部分に、
耐熱性・柔軟性物質を収める窪みが配設された樹脂モー
ルド用金型を用い、その樹脂モールド用金型と前記リー
ドフレームのフィン露出部との間に、前記窪みに入れた
耐熱性・柔軟性物質を介在させて樹脂モールドを行う樹
脂モールド工程を含むことを特徴とするものである。
半導体装置の製造方法は、リードフレームに半導体チッ
プを実装し、それを樹脂モールドする半導体装置の製造
方法であり、リードフレームの一部に折り曲げにより樹
脂から露出するフィン露出部が形成され、そのフィン露
出部が前記半導体チップを実装した面の真裏となる構造
のリードフレームを用い、樹脂モールド用金型として、
前記リードフレームのフィン露出部に対応する部分に、
耐熱性・柔軟性物質を収める窪みが配設された樹脂モー
ルド用金型を用い、その樹脂モールド用金型と前記リー
ドフレームのフィン露出部との間に、前記窪みに入れた
耐熱性・柔軟性物質を介在させて樹脂モールドを行う樹
脂モールド工程を含むことを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項２記載の半導体装置
の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質はシート状物質
より成ることを特徴とするものである。
の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質はシート状物質
より成ることを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明の請求項３記載の半導体装置
の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質は液状物質より
成ることを特徴とするものである。
の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質は液状物質より
成ることを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項４記載の半導体装置
の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質は塗布物質によ
って成ることを特徴とするものである。
の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質は塗布物質によ
って成ることを特徴とするものである。
【００１３】また、本発明の請求項５記載の半導体装置
の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質はゴムを含む高
分子材料によって成ることを特徴とするものである。
の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質はゴムを含む高
分子材料によって成ることを特徴とするものである。
【００１４】さらに、本発明の請求項６記載の半導体装
置の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質はテフロン、
または、ポリイミド等を含む高分子材料によって成るこ
とを特徴とするものである。
置の製造方法は、前記耐熱性・柔軟性物質はテフロン、
または、ポリイミド等を含む高分子材料によって成るこ
とを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態に関する金
属性フィン露出型半導体装置の製造方法をレギュレータ
半導体装置に適用した場合について以下に説明する。図
１〜図６は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方
法に関する図である。
属性フィン露出型半導体装置の製造方法をレギュレータ
半導体装置に適用した場合について以下に説明する。図
１〜図６は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方
法に関する図である。
【００１６】図５は、本発明の一実施の形態に関する金
属性フィン露出型半導体装置を用いたレギュレータ回路
の構成図であり、シリーズレギュレータの一例である。
図５において、入力電圧Ｖｉｎはモールドされたレギュ
レータ半導体装置１８に加えられ、分圧抵抗Ｒ１（１
６）、Ｒ２（１７）により、基準電圧Ｖｒｅｆを分圧し
て所望の出力電圧Ｖｏを発生する。ＧＮＤはアース電位
を示す。
属性フィン露出型半導体装置を用いたレギュレータ回路
の構成図であり、シリーズレギュレータの一例である。
図５において、入力電圧Ｖｉｎはモールドされたレギュ
レータ半導体装置１８に加えられ、分圧抵抗Ｒ１（１
６）、Ｒ２（１７）により、基準電圧Ｖｒｅｆを分圧し
て所望の出力電圧Ｖｏを発生する。ＧＮＤはアース電位
を示す。
【００１７】図４は、本発明の一実施の形態に関する金
属性フィン露出型半導体装置の製造方法をレギュレータ
半導体装置に適用したものである。図４において、リー
ドフレーム１１のダイボンドアリア１１ｏに、レギュレ
ータ用半導体チップ１２をダイボンドし、所望のワイヤ
ボンドレイアウトに従って、金線１３をワイヤボンドす
る。１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄはリードフレーム
１１のワイヤボンド部及び各電極端子部であり、リード
フレーム１１の露出部となる。１４はレギュレータ半導
体装置１０の取り付け孔であり、１５は樹脂モールドと
なる領域である。樹脂モールド工程については、後に、
図面を用いて詳述する。このようにして、ワイヤボンド
完（半導体チッブを実装した）の半導体チッブを実装し
た金属性フィン露出型のレギュレータ半導体装置１０が
得られる。
属性フィン露出型半導体装置の製造方法をレギュレータ
半導体装置に適用したものである。図４において、リー
ドフレーム１１のダイボンドアリア１１ｏに、レギュレ
ータ用半導体チップ１２をダイボンドし、所望のワイヤ
ボンドレイアウトに従って、金線１３をワイヤボンドす
る。１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄはリードフレーム
１１のワイヤボンド部及び各電極端子部であり、リード
フレーム１１の露出部となる。１４はレギュレータ半導
体装置１０の取り付け孔であり、１５は樹脂モールドと
なる領域である。樹脂モールド工程については、後に、
図面を用いて詳述する。このようにして、ワイヤボンド
完（半導体チッブを実装した）の半導体チッブを実装し
た金属性フィン露出型のレギュレータ半導体装置１０が
得られる。
【００１８】次に、フレームの樹脂封止工程（モールド
工程）について、図１〜図３を用いて説明する。図１に
おいて、ワイヤボンド完の半導体装置１０は、金型２０
の中に装填される。１１はリードフレーム、１２はレギ
ュレータ用半導体チップ、１３は金線、２１は金型２０
のモールド空間、２２は樹脂注入孔、である。
工程）について、図１〜図３を用いて説明する。図１に
おいて、ワイヤボンド完の半導体装置１０は、金型２０
の中に装填される。１１はリードフレーム、１２はレギ
ュレータ用半導体チップ、１３は金線、２１は金型２０
のモールド空間、２２は樹脂注入孔、である。
【００１９】さらに、２３は金属性フィン露出部、２４
は金属性フィン露出部２３に密着して配設される耐熱性
・柔軟性物質、２５は耐熱性物質２４を収める金型２０
の窪み、である。
は金属性フィン露出部２３に密着して配設される耐熱性
・柔軟性物質、２５は耐熱性物質２４を収める金型２０
の窪み、である。
【００２０】モールド工程に用いる金型２０は、樹脂封
止するフレームの領域と樹脂の厚さを予め考慮して設計
してある。
止するフレームの領域と樹脂の厚さを予め考慮して設計
してある。
【００２１】図１に示すように金型にワイヤボンド完の
フレーム１０を固定する。高温にして、液体状の樹脂を
樹脂注入孔２２から金型２０に流し込み、温度プロファ
イルに従って、モールド樹脂を固める。樹脂には熱硬化
性の樹脂、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とするモー
ルド樹脂等を用いる。加熱温度は、１６０℃〜１７５℃
程度、時間１〜５分程度である。
フレーム１０を固定する。高温にして、液体状の樹脂を
樹脂注入孔２２から金型２０に流し込み、温度プロファ
イルに従って、モールド樹脂を固める。樹脂には熱硬化
性の樹脂、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とするモー
ルド樹脂等を用いる。加熱温度は、１６０℃〜１７５℃
程度、時間１〜５分程度である。
【００２２】フィン露出型パッケージの場合は、フィン
露出部と金型とを密着させて、フィン露出型の部に樹脂
が流れ込まないようにしても、フィン露出部の金属材質
と金型の金属材質とを完全に密着させることは困難であ
る。しかし、本発明の一実施の形態に関する金属性フィ
ン露出型半導体装置の製造方法においては、金型とフィ
ン露出部との隙間には、耐熱性・柔軟性物質２４が配設
されるため、金型とフィン露出部との隙間を完全に埋め
尽くすことができる。
露出部と金型とを密着させて、フィン露出型の部に樹脂
が流れ込まないようにしても、フィン露出部の金属材質
と金型の金属材質とを完全に密着させることは困難であ
る。しかし、本発明の一実施の形態に関する金属性フィ
ン露出型半導体装置の製造方法においては、金型とフィ
ン露出部との隙間には、耐熱性・柔軟性物質２４が配設
されるため、金型とフィン露出部との隙間を完全に埋め
尽くすことができる。
【００２３】図２は、本発明の他の一実施の形態に関す
る金属性フィン露出型半導体装置の製造方法であり、図
１の前記耐熱性・柔軟性物質２４として、シート状物質
２６を用いた場合の例であり、その他は図１の場合とほ
ぼ同様である。
る金属性フィン露出型半導体装置の製造方法であり、図
１の前記耐熱性・柔軟性物質２４として、シート状物質
２６を用いた場合の例であり、その他は図１の場合とほ
ぼ同様である。
【００２４】図２において、１０はワイヤボンド完の半
導体装置、１１はリードフレーム、１２はレギュレータ
用半導体チップ、１３は金線、２０は金型、２１は金型
２０のモールド空間、２２は樹脂注入孔、２３は金属性
フィン露出部、２６は金属性フィン露出部２３に密着し
て配設されるシート状物質、２７はシート状物質２６を
収める金型２０の窪み、である。
導体装置、１１はリードフレーム、１２はレギュレータ
用半導体チップ、１３は金線、２０は金型、２１は金型
２０のモールド空間、２２は樹脂注入孔、２３は金属性
フィン露出部、２６は金属性フィン露出部２３に密着し
て配設されるシート状物質、２７はシート状物質２６を
収める金型２０の窪み、である。
【００２５】シート状物質２６を金属性フィン露出部２
３に密着して配設し、通常通りのモールド工程を行う。
シート状物質を剥がすと、フィン露出部に薄バリの発生
しないパッケージが得られる。耐熱性・柔軟性物質とし
て、高分子性のシート状物質を用いると、金型とフィン
露出部のとの間の隙間を完全に塞ぎ、薄バリの発生を防
ぐ。シート状物質を用いる利点は、シート状物質の材料
選択の自由度が大きいことと、モールド後に、このシー
ト状物質を容易に剥がすことが出来る点にある。シート
状物質の一例としては、ポリイミド系材料よりなるシー
ト状物質が用いられ、ポリイミド系材料の熱変形温度
は、約２６０℃程度である。
３に密着して配設し、通常通りのモールド工程を行う。
シート状物質を剥がすと、フィン露出部に薄バリの発生
しないパッケージが得られる。耐熱性・柔軟性物質とし
て、高分子性のシート状物質を用いると、金型とフィン
露出部のとの間の隙間を完全に塞ぎ、薄バリの発生を防
ぐ。シート状物質を用いる利点は、シート状物質の材料
選択の自由度が大きいことと、モールド後に、このシー
ト状物質を容易に剥がすことが出来る点にある。シート
状物質の一例としては、ポリイミド系材料よりなるシー
ト状物質が用いられ、ポリイミド系材料の熱変形温度
は、約２６０℃程度である。
【００２６】図３は、本発明の一実施の形態に関する金
属性フィン露出型半導体装置の製造方法であり、図１の
前記耐熱性・柔軟性物質２４として、耐熱性の液状物質
２８を用いた場合の例であり、その他は図１の場合とほ
ぼ同様である。
属性フィン露出型半導体装置の製造方法であり、図１の
前記耐熱性・柔軟性物質２４として、耐熱性の液状物質
２８を用いた場合の例であり、その他は図１の場合とほ
ぼ同様である。
【００２７】図３において、１０はワイヤボンド完の半
導体装置、１１はリードフレーム、１２はレギュレータ
用半導体チップ、１３は金線、２０は金型、２１は金型
２０のモールド空間、２２は樹脂注入孔、２３は金属性
フィン露出部、２８は金属性フィン露出部２３に密着し
て配設される液状物質、２９は液状物質を注入するため
の金型２０の窪み、である。
導体装置、１１はリードフレーム、１２はレギュレータ
用半導体チップ、１３は金線、２０は金型、２１は金型
２０のモールド空間、２２は樹脂注入孔、２３は金属性
フィン露出部、２８は金属性フィン露出部２３に密着し
て配設される液状物質、２９は液状物質を注入するため
の金型２０の窪み、である。
【００２８】液状物質を流し込む場合について説明す
る。リードフレーム１１を金型２０にセットして、フィ
ンと金型とを密着させて、フィン部にモールド樹脂が流
れ込まないようにしているが、わずかに隙間が生じる。
そこであらかじめ、金属性フィン露出部に対応する金型
の所に、窪み２９を配設し、そこに液状物質を注入する
ことにより、金型と金属性フィン露出部との間の隙間を
完全に埋めることが出来、薄バリの発生しない樹脂モー
ルドをすることができる。
る。リードフレーム１１を金型２０にセットして、フィ
ンと金型とを密着させて、フィン部にモールド樹脂が流
れ込まないようにしているが、わずかに隙間が生じる。
そこであらかじめ、金属性フィン露出部に対応する金型
の所に、窪み２９を配設し、そこに液状物質を注入する
ことにより、金型と金属性フィン露出部との間の隙間を
完全に埋めることが出来、薄バリの発生しない樹脂モー
ルドをすることができる。
【００２９】液状物質の一例としては、シリコーン系の
低蒸気圧で耐熱温度の高い真空拡散オイルやシリコーン
系の高分子液状物質等がある。
低蒸気圧で耐熱温度の高い真空拡散オイルやシリコーン
系の高分子液状物質等がある。
【００３０】また、図１の金型２０の金属性フィン露出
部に対応する金型の窪みの所に、あらかじめ、前記耐熱
性・柔軟性物質２４を塗布（塗布物質）する製造方法を
用いることもできる。この塗布物質の厚みは５μｍ〜２
００μｍ程度であり、極僅かな金型の窪みを設けること
により、行うことができる製造方法である。塗布物質の
一例としては、ポリイミド系の高分子材料やテフロン系
の高分子材料やシリコーン系の高分子材料等がある。
部に対応する金型の窪みの所に、あらかじめ、前記耐熱
性・柔軟性物質２４を塗布（塗布物質）する製造方法を
用いることもできる。この塗布物質の厚みは５μｍ〜２
００μｍ程度であり、極僅かな金型の窪みを設けること
により、行うことができる製造方法である。塗布物質の
一例としては、ポリイミド系の高分子材料やテフロン系
の高分子材料やシリコーン系の高分子材料等がある。
【００３１】また、前記耐熱性・柔軟性物質２４とし
て、ゴムを含む天然高分子材料や合成ゴムを含む高分子
材料等を用いることもできる。２４が耐熱性・柔軟性物
質であるため、小さな間隙は勿論のこと大きな間隙に対
しても対応することができる。また、前記耐熱性・柔軟
性物質２４として、テフロン、または、ポリイミド等を
含む高分子材料を用いることもできる。
て、ゴムを含む天然高分子材料や合成ゴムを含む高分子
材料等を用いることもできる。２４が耐熱性・柔軟性物
質であるため、小さな間隙は勿論のこと大きな間隙に対
しても対応することができる。また、前記耐熱性・柔軟
性物質２４として、テフロン、または、ポリイミド等を
含む高分子材料を用いることもできる。
【００３２】テフロンの融点は約３２７℃であり、熱変
形温度は１２０℃程度である。また、ポリイミドの熱変
形温度は２６０℃程度であり、モールド工程における処
理温度は約１６０℃〜１７５℃程度の高い温度において
も、耐熱性・柔軟性物質として作用することができる。
形温度は１２０℃程度である。また、ポリイミドの熱変
形温度は２６０℃程度であり、モールド工程における処
理温度は約１６０℃〜１７５℃程度の高い温度において
も、耐熱性・柔軟性物質として作用することができる。
【００３３】本発明において、「耐熱性物質」と言う言
葉は、モールド工程における処理温度が約１６０℃〜１
７５℃程度であることから、約２００℃以上の高い温度
に耐える物質を差している。「柔軟性物質」と言う言葉
もまた、約２００℃以上の高い温度において、柔軟性の
ある物質を差している。
葉は、モールド工程における処理温度が約１６０℃〜１
７５℃程度であることから、約２００℃以上の高い温度
に耐える物質を差している。「柔軟性物質」と言う言葉
もまた、約２００℃以上の高い温度において、柔軟性の
ある物質を差している。
【００３４】本発明を応用した製品の一例としてレギュ
レータが考えられる。レギュレータは電圧変換機能を持
っており、変換する電圧差としギュレータの負荷に供給
する電流によって決まる損失を発生する。レギュレータ
にはスイッチングレギュレータとシリーズレギュレタが
あるが、どちらも、半導体チップよりの発熱が大きく、
放熱性を良くするため、薄バリの発生しない本発明は有
効なものである。
レータが考えられる。レギュレータは電圧変換機能を持
っており、変換する電圧差としギュレータの負荷に供給
する電流によって決まる損失を発生する。レギュレータ
にはスイッチングレギュレータとシリーズレギュレタが
あるが、どちらも、半導体チップよりの発熱が大きく、
放熱性を良くするため、薄バリの発生しない本発明は有
効なものである。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
半導体装置の製造方法によれば、リードフレームに半導
体チップを実装し、それを樹脂モールドする半導体装置
の製造方法であり、樹脂モールド用金型と該リードフレ
ームの露出部との間に耐熱性・柔軟性物質を介在させて
する樹脂モールド工程を含むことを特徴とするものであ
る。従って、耐熱性・柔軟性物質を介在させない場合
は、樹脂モールド用金型と該リードフレームの露出部と
の間の僅かな間隙に、モールド樹脂が流れ込み、薄バリ
が発生していたが、本発明の適用により、薄バリの発生
をほぼ完全に抑えることができる。
半導体装置の製造方法によれば、リードフレームに半導
体チップを実装し、それを樹脂モールドする半導体装置
の製造方法であり、樹脂モールド用金型と該リードフレ
ームの露出部との間に耐熱性・柔軟性物質を介在させて
する樹脂モールド工程を含むことを特徴とするものであ
る。従って、耐熱性・柔軟性物質を介在させない場合
は、樹脂モールド用金型と該リードフレームの露出部と
の間の僅かな間隙に、モールド樹脂が流れ込み、薄バリ
が発生していたが、本発明の適用により、薄バリの発生
をほぼ完全に抑えることができる。
【００３６】また、本発明の請求項２記載の半導体装置
の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質はシート
状物質より成ることを特徴とするものである。従って、
柔軟性物質がシート状物質であれば、樹脂モールド用金
型とリードフレームの露出部との接触部の領域の形状に
合わせて、予め、所望の大きさのシート状物質を所望の
場所（領域）に配設しておくことができる。さらに、樹
脂モールド用金型の改造や手直しが必要な場合でも、そ
の金型を用いて対応することも可能である。
の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質はシート
状物質より成ることを特徴とするものである。従って、
柔軟性物質がシート状物質であれば、樹脂モールド用金
型とリードフレームの露出部との接触部の領域の形状に
合わせて、予め、所望の大きさのシート状物質を所望の
場所（領域）に配設しておくことができる。さらに、樹
脂モールド用金型の改造や手直しが必要な場合でも、そ
の金型を用いて対応することも可能である。
【００３７】また、本発明の請求項３記載の半導体装置
の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質は液状物
質より成ることを特徴とするものである。従って、耐熱
性・柔軟性物質が液状物質より成る場合、液状物質を配
設する装置をモールド装置に組み込むことにより、一つ
のモールド装置を用いて、液状物質の注入工程、及び、
樹脂モールド工程を一貫して行うことができる。
の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質は液状物
質より成ることを特徴とするものである。従って、耐熱
性・柔軟性物質が液状物質より成る場合、液状物質を配
設する装置をモールド装置に組み込むことにより、一つ
のモールド装置を用いて、液状物質の注入工程、及び、
樹脂モールド工程を一貫して行うことができる。
【００３８】また、本発明の請求項４記載の半導体装置
の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質は塗布物
質によって成ることを特徴とするものである。従って、
耐熱性・柔軟性物質が塗布物質である場合、シート状物
質の場合と同様、モールド工程前に、予め、塗布物質を
所望の場所（領域）に配設しておくことができる。さら
に、衝撃等により剥離する事故の発生しないと考えられ
る。
の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質は塗布物
質によって成ることを特徴とするものである。従って、
耐熱性・柔軟性物質が塗布物質である場合、シート状物
質の場合と同様、モールド工程前に、予め、塗布物質を
所望の場所（領域）に配設しておくことができる。さら
に、衝撃等により剥離する事故の発生しないと考えられ
る。
【００３９】また、本発明の請求項５記載の半導体装置
の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質はゴムを
含む高分子材料によって成ることを特徴とするものであ
る。従って、耐熱性・柔軟性物質がゴムを含む高分子材
料である場合、特に柔軟性に富む物質であるので、樹脂
モールド用金型とリードフレームの露出部との接触部の
間隙が大きく、変化のある場合でも、自らの変形によ
り、これらの間隙を埋めて、対応することができる。
の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質はゴムを
含む高分子材料によって成ることを特徴とするものであ
る。従って、耐熱性・柔軟性物質がゴムを含む高分子材
料である場合、特に柔軟性に富む物質であるので、樹脂
モールド用金型とリードフレームの露出部との接触部の
間隙が大きく、変化のある場合でも、自らの変形によ
り、これらの間隙を埋めて、対応することができる。
【００４０】さらに、本発明の請求項６記載の半導体装
置の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質はテフ
ロン、または、ポリイミド等を含む高分子材料によって
成ることを特徴とするものである。従って、耐熱性・柔
軟性物質がテフロン、または、ポリイミド等を含む高分
子材料である場合、これらの物質は特に耐熱性に優れた
物質であるので、高い温度を必要とする樹脂のモールド
工程に適用することができる。
置の製造方法によれば、前記耐熱性・柔軟性物質はテフ
ロン、または、ポリイミド等を含む高分子材料によって
成ることを特徴とするものである。従って、耐熱性・柔
軟性物質がテフロン、または、ポリイミド等を含む高分
子材料である場合、これらの物質は特に耐熱性に優れた
物質であるので、高い温度を必要とする樹脂のモールド
工程に適用することができる。
【図１】本発明の一実施の形態よりなる金属性フィン露
出型半導体装置の製造方法のフレームの樹脂封止工程
（モールド工程）を説明する図である。
出型半導体装置の製造方法のフレームの樹脂封止工程
（モールド工程）を説明する図である。
【図２】本発明の他の一実施の形態に関する金属性フィ
ン露出型半導体装置の製造方法を示す図であり、耐熱性
・柔軟性物質として、シート状物質を用いた場合の例で
ある。
ン露出型半導体装置の製造方法を示す図であり、耐熱性
・柔軟性物質として、シート状物質を用いた場合の例で
ある。
【図３】本発明の一実施の形態に関する金属性フィン露
出型半導体装置の製造方法であり、耐熱性・柔軟性物質
として、耐熱性の液状物質を用いた場合の例である。
出型半導体装置の製造方法であり、耐熱性・柔軟性物質
として、耐熱性の液状物質を用いた場合の例である。
【図４】本発明の一実施の形態に関する金属性フィン露
出型半導体装置の製造方法をレギュレータ半導体装置に
適用した場合の図である。
出型半導体装置の製造方法をレギュレータ半導体装置に
適用した場合の図である。
【図５】本発明の一実施の形態に関する金属性フィン露
出型半導体装置を用いたレギュレータ回路の構成図であ
り、シリーズレギュレータの一例の図である。
出型半導体装置を用いたレギュレータ回路の構成図であ
り、シリーズレギュレータの一例の図である。
【図６】従来例の半導体装置のモールド方法を説明する
図であり、（ａ）はフルモールドパッケージ構造による
半導体装置を示す図であり、（ｂ）はフィン露出型モー
ルドパッケージ構造による半導体装置を示す図である。
図であり、（ａ）はフルモールドパッケージ構造による
半導体装置を示す図であり、（ｂ）はフィン露出型モー
ルドパッケージ構造による半導体装置を示す図である。
【図７】従来例によるフィン露出型モールドパッケージ
構造による半導体装置の樹脂モールド工程（樹脂封止工
程）を説明する図である。
構造による半導体装置の樹脂モールド工程（樹脂封止工
程）を説明する図である。
【図８】従来例のフィン露出型モールドパッケージ構造
による半導体装置に薄バリが発生した様子を示す図であ
り、フィン露出部側から見た場合の図である。
による半導体装置に薄バリが発生した様子を示す図であ
り、フィン露出部側から見た場合の図である。
１０ ワイヤボンド完の半導体装置 １１ リードフレーム １１ａ〜１１ｄ リードフレーム１１のワイヤボンド部
及び端子部 １１ｏ ダイボンドアリア １１ リードフレーム １２ レギュレータ用半導体チップ １３ 金線 １４ レギュレータ半導体装置１０の取り付け孔 １５ 樹脂モールド領域 １６ 分圧抵抗Ｒ１ １７ 分圧抵抗Ｒ２ １８ レギュレータ半導体装置 ２０ 金型 ２１ 金型２０のモールド空間 ２２ 樹脂注入孔 ２３ 金属性フィン露出部 ２４ 金属性フィン露出部２３に密着して配設される耐
熱性・柔軟性物質 ２５ 耐熱性物質２４を収める金型２０の窪み ２６ 金属性フィン露出部２３に密着して配設されるシ
ート状物質 ２７ シート状物質２６を収める金型２０の窪み ２８ 金属性フィン露出部２３に密着して配設される液
状物質 ２９ 液状物質を注入するための金型２０の窪み
及び端子部 １１ｏ ダイボンドアリア １１ リードフレーム １２ レギュレータ用半導体チップ １３ 金線 １４ レギュレータ半導体装置１０の取り付け孔 １５ 樹脂モールド領域 １６ 分圧抵抗Ｒ１ １７ 分圧抵抗Ｒ２ １８ レギュレータ半導体装置 ２０ 金型 ２１ 金型２０のモールド空間 ２２ 樹脂注入孔 ２３ 金属性フィン露出部 ２４ 金属性フィン露出部２３に密着して配設される耐
熱性・柔軟性物質 ２５ 耐熱性物質２４を収める金型２０の窪み ２６ 金属性フィン露出部２３に密着して配設されるシ
ート状物質 ２７ シート状物質２６を収める金型２０の窪み ２８ 金属性フィン露出部２３に密着して配設される液
状物質 ２９ 液状物質を注入するための金型２０の窪み
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−315057（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−306933（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−84010（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−34699（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−223669（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/29 H01L 23/31
Claims (6)
- 【請求項１】 リードフレームに半導体チップを実装
し、それを樹脂モールドする半導体装置の製造方法にお
いて、リードフレームの一部に折り曲げにより樹脂から露出す
るフィン露出部が形成され、そのフィン露出部が前記半
導体チップを実装した面の真裏となる構造のリードフレ
ームを用い、樹脂モールド用金型として、前記リードフ
レームのフィン露出部に対応する部分に、耐熱性・柔軟
性物質を収める窪みが配設された樹脂モールド用金型を
用い、その 樹脂モールド用金型と前記リードフレームの
フィン露出部との間に、前記窪みに入れた耐熱性・柔軟
性物質を介在させて樹脂モールドを行う樹脂モールド工
程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記耐熱性・柔軟性物質はシート状物質より成
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記耐熱性・柔軟性物質は液状物質より成るこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記耐熱性・柔軟性物質は塗布物質によって成
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記耐熱性・柔軟性物質はゴムを含む高分子材
料によって成ることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記耐熱性・柔軟性物質はテフロン、または、
ポリイミド等を含む高分子材料によって成ることを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307898A JP3350444B2 (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307898A JP3350444B2 (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307559A JPH11307559A (ja) | 1999-11-05 |
| JP3350444B2 true JP3350444B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=14602931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11307898A Expired - Fee Related JP3350444B2 (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350444B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3854957B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2006-12-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP4407489B2 (ja) | 2004-11-19 | 2010-02-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法ならびに半導体装置の製造装置 |
| JP5971270B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2016-08-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP11307898A patent/JP3350444B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11307559A (ja) | 1999-11-05 |
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