JPS59215486A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
- Publication number
- JPS59215486A JPS59215486A JP8853383A JP8853383A JPS59215486A JP S59215486 A JPS59215486 A JP S59215486A JP 8853383 A JP8853383 A JP 8853383A JP 8853383 A JP8853383 A JP 8853383A JP S59215486 A JPS59215486 A JP S59215486A
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- Japan
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- film
- metal
- mask
- thin film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜を連続的に形成するだめの薄膜製造装置
に関するものである。
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
薄膜製造装置のうちスパッタリング装置は、マグネトロ
ン方式によシ、連続的に高速で、しかも基板温度上昇を
来たすことなく薄膜の形成が行なえるという特徴をいか
して、高分子フィルムまたは紙等の連続した基板上に金
属膜等を連続形成することに用いられてきた。
ン方式によシ、連続的に高速で、しかも基板温度上昇を
来たすことなく薄膜の形成が行なえるという特徴をいか
して、高分子フィルムまたは紙等の連続した基板上に金
属膜等を連続形成することに用いられてきた。
以下図面を参照しながら、従来のスパッタリング装置に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図は従来のスパッタリング装置の真空槽内部の構造
を示す正面図である。図において、１は円筒状キャン、
２はキャン１に巻き付けられた高分子フィルム、３はキ
ャン１に対向して設置されたスパックガン、４はキャン
１とスパッタガン３の間に設置されだマヌクである。
を示す正面図である。図において、１は円筒状キャン、
２はキャン１に巻き付けられた高分子フィルム、３はキ
ャン１に対向して設置されたスパックガン、４はキャン
１とスパッタガン３の間に設置されだマヌクである。
さらに、５は送シ出しローラー、６は巻き取りローラー
で、これらはすべて真空容器８内に設置され、パイプ７
からスパックガン、例えばアルゴンガスを流入されるよ
うに構成されている。
で、これらはすべて真空容器８内に設置され、パイプ７
からスパックガン、例えばアルゴンガスを流入されるよ
うに構成されている。
以上のようなスパッタリング装置では、キャン１が一定
速度で回転することによって、キャン１に巻き伺けられ
た高分子フィルム２が、スパックガン３の上を一定速度
で通過するとき、スパッタガン３から飛び出した金属が
、一定幅の窓のあいだマヌク４を通って、高分子フィル
ム２の上に付着することによって、高分子フィルム２の
上に連続的に金属膜を形成することができる。
速度で回転することによって、キャン１に巻き伺けられ
た高分子フィルム２が、スパックガン３の上を一定速度
で通過するとき、スパッタガン３から飛び出した金属が
、一定幅の窓のあいだマヌク４を通って、高分子フィル
ム２の上に付着することによって、高分子フィルム２の
上に連続的に金属膜を形成することができる。
しかしながら、上記のようなスパッタリング装置では、
膜形成時開を短かくするため又は膜厚形成速度を高める
ためマスク４の窓を広くしなければならず、そうするこ
とによってスパッタガン３の端の部分から飛び出した金
属の高分子フィルム２に対する入射角θが犬きくなシ、
形成された金属膜の配向性および結晶性が低下するとい
う欠点を有していた。
膜形成時開を短かくするため又は膜厚形成速度を高める
ためマスク４の窓を広くしなければならず、そうするこ
とによってスパッタガン３の端の部分から飛び出した金
属の高分子フィルム２に対する入射角θが犬きくなシ、
形成された金属膜の配向性および結晶性が低下するとい
う欠点を有していた。
発明の目的
本発明は以上のような従来の欠点を解決するためになさ
れたもので、配向性および結晶性の高い薄膜を連続的に
形成できる薄膜製造装置を提供することを目的とする。
れたもので、配向性および結晶性の高い薄膜を連続的に
形成できる薄膜製造装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明による基本構成は、円筒状キャンと蒸発源とを備
え、キャンと蒸発源との間に、前記キャン表面に垂直方
向に立てられだしゃへい板を有するマスクを設置し、蒸
発源から飛び出した入射角θの大きい金属粒子の斜め成
分をしやへい板によってとり除き、配向性および結晶性
の高い薄膜を形成するようにしだものであえ。
え、キャンと蒸発源との間に、前記キャン表面に垂直方
向に立てられだしゃへい板を有するマスクを設置し、蒸
発源から飛び出した入射角θの大きい金属粒子の斜め成
分をしやへい板によってとり除き、配向性および結晶性
の高い薄膜を形成するようにしだものであえ。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第２図は本発明の一実施例におけるスパッタリング装置
の真空槽内部の正面図である。一定速度で回転している
円筒状キャン１１に高分子ソイｌレム１２が巻き付けら
れ、キャン１１に対向して備えられたスパッタガン１３
とキャン１１の間にじゃへい板１５を有するマスク１４
が設置されている。前記しゃへい板１５はキャン１１の
表面に垂直方向に設けられており、スパッタガン１３か
ら飛び出した金属粒子の斜め成分を除去する作用をなす
。１６は送シ出しローラー、１了は巻き取りローラー、
１９は真空容器であり、１８は真空容器１９内にスパッ
タガンを導入するパイプである。
の真空槽内部の正面図である。一定速度で回転している
円筒状キャン１１に高分子ソイｌレム１２が巻き付けら
れ、キャン１１に対向して備えられたスパッタガン１３
とキャン１１の間にじゃへい板１５を有するマスク１４
が設置されている。前記しゃへい板１５はキャン１１の
表面に垂直方向に設けられており、スパッタガン１３か
ら飛び出した金属粒子の斜め成分を除去する作用をなす
。１６は送シ出しローラー、１了は巻き取りローラー、
１９は真空容器であり、１８は真空容器１９内にスパッ
タガンを導入するパイプである。
以上のように構成されたスパッタリング装置について、
以下その動作を説明する。一定速度で回転している円筒
状キャン１１に巻きつけられた高分子フィルム１２は、
キャン１１に対向して備えられたスパッタガン１３の上
を一定速度で通過する。このとき、スパッタガン１３か
ら飛び出した金属が、マスク１４を通過するとき、マス
ク１４に備えられたじゃへい板１５によって、斜めに飛
び出した金属を取シ除き、高分子フィルム１２の上に付
着する金属は、フィルム１２面にほぼ垂直に入射し、金
属膜が形成される。
以下その動作を説明する。一定速度で回転している円筒
状キャン１１に巻きつけられた高分子フィルム１２は、
キャン１１に対向して備えられたスパッタガン１３の上
を一定速度で通過する。このとき、スパッタガン１３か
ら飛び出した金属が、マスク１４を通過するとき、マス
ク１４に備えられたじゃへい板１５によって、斜めに飛
び出した金属を取シ除き、高分子フィルム１２の上に付
着する金属は、フィルム１２面にほぼ垂直に入射し、金
属膜が形成される。
以上のように本実施例によれば、スパッタガン１３から
飛び出した金属のうちの斜め方向の成分が、しゃへい板
１５で取シ除かれることによって品分イフィルム１２上
に堆積される金属は、フィルム１２に垂直に入射したも
のだけとなる。垂直にＣ軸配向性を持つＣｏ ａｓ −
Ｃｒ ＋ｓ重量パーセント合金薄膜について、しゃへい
板のある本実施例と、しゃへい板のない従来例を比較し
てみる。第３図に本実施例で作製したＣｏ Ｃｒ膜と従
来例で作製したＧｏ Ｃｒ膜を同じ膜厚（０，５μｍ）
で形成し、ソノＣ０Ｃｒ合金の（００２）面でのＸ線回
折パターンの比較を示す。２０が本実施例の結果であり
、２１が従来例の結果である。
飛び出した金属のうちの斜め方向の成分が、しゃへい板
１５で取シ除かれることによって品分イフィルム１２上
に堆積される金属は、フィルム１２に垂直に入射したも
のだけとなる。垂直にＣ軸配向性を持つＣｏ ａｓ −
Ｃｒ ＋ｓ重量パーセント合金薄膜について、しゃへい
板のある本実施例と、しゃへい板のない従来例を比較し
てみる。第３図に本実施例で作製したＣｏ Ｃｒ膜と従
来例で作製したＧｏ Ｃｒ膜を同じ膜厚（０，５μｍ）
で形成し、ソノＣ０Ｃｒ合金の（００２）面でのＸ線回
折パターンの比較を示す。２０が本実施例の結果であり
、２１が従来例の結果である。
Ｘ線回折パターンのピーク強度は、金属膜の結晶性をあ
られし、ピーク強度が大きい方が結晶性が高いといえる
ので、図よシ明らかなように、本実施例で作製したＧｏ
Ｃｒ膜のＸ線回折ピーク強度は、従来例で作製したＣ
ｏ Ｃｒ膜の２倍以上となっておシ、本実施例で作製し
たＣｏ Ｃｒ膜の結晶性が高くなっていることがわかる
。表１に本実施例で作製したＣｏ Ｃｒ膜と従来例で作
製したＣｏ Ｃｒ膜のＧｏ Ｏｒ金合金００２）面のＸ
線ロッキングカーブの半値幅Δθ５０を示す。
られし、ピーク強度が大きい方が結晶性が高いといえる
ので、図よシ明らかなように、本実施例で作製したＧｏ
Ｃｒ膜のＸ線回折ピーク強度は、従来例で作製したＣ
ｏ Ｃｒ膜の２倍以上となっておシ、本実施例で作製し
たＣｏ Ｃｒ膜の結晶性が高くなっていることがわかる
。表１に本実施例で作製したＣｏ Ｃｒ膜と従来例で作
製したＣｏ Ｃｒ膜のＧｏ Ｏｒ金合金００２）面のＸ
線ロッキングカーブの半値幅Δθ５０を示す。
表１
Δθ５０ ば、Ｃｏ Ｏｒ金合金配向性をあられし、
Δθ５０の値が少さい方か、配向性が良いといえる。
Δθ５０の値が少さい方か、配向性が良いといえる。
従来例で作製したＧｏ Ｃｒ膜のΔθ５０は１０°以上
あるが、本実施例で作製したＧｏ Ｏｒ膜のΔθ５ｏは
３°〜６°となっており、配向性が非常によくなってい
ることがわかる。
あるが、本実施例で作製したＧｏ Ｏｒ膜のΔθ５ｏは
３°〜６°となっており、配向性が非常によくなってい
ることがわかる。
このように本実施例によると、金属の結晶性および配向
性のよい膜が連続的にしかも高速に形成される。
性のよい膜が連続的にしかも高速に形成される。
第４図に本発明による第２の実施例を示す。本実施例の
特徴はしゃへい板１５を２枚設けたことにあり、他の部
分は第１の実施例と同じであるので、同じ番号を付し、
その説明ははふく。
特徴はしゃへい板１５を２枚設けたことにあり、他の部
分は第１の実施例と同じであるので、同じ番号を付し、
その説明ははふく。
このようにすることによって、ヌパソタガン１３から飛
び出す金属の斜め成分をさらに少なくすることができ、
配向性および結晶性をよりいっそう良くすることができ
る。なおこの場合しゃへい板を２枚以上設けても良いこ
とはもちろんである。
び出す金属の斜め成分をさらに少なくすることができ、
配向性および結晶性をよりいっそう良くすることができ
る。なおこの場合しゃへい板を２枚以上設けても良いこ
とはもちろんである。
上記実施例はスパッタリング装置について述べたが、本
発明は真空蒸着装置、イオンブレーティング装置等の薄
膜製造装置にも適用可能である。
発明は真空蒸着装置、イオンブレーティング装置等の薄
膜製造装置にも適用可能である。
発明の効果
以」二のように本発明は真空槽内に高分子フィルムを巻
き付ける円筒状キャンと、前記キャンに対向して設けら
れた蒸発源とを具備し、前記キャンと蒸発源との間に、
前記キャンの表面に対して垂直方向をなすじゃへい板を
備えだマスクを配置したもので、蒸発源から飛び出しだ
金属の斜め成分が、マスクに備えられたじゃへい板によ
って取り除かれるだめ、円筒状キャンに巻き付けられた
高分子フィルム上には垂直に金属が堆積し、Ｃｏ Ｏｒ
膜で従来例と比較してＸ線回折ピーク強度が２倍以上と
なシ、膜の結晶性が非常に良くなる。またロノキンク半
値幅が１００以上のものが、３°〜５゜と小さくなシ配
向性が非常に良くなる。このように本発明は結晶性およ
び配向性の非常１て良好な薄膜が連続的にしかも高速に
得られるという優れた効果が得られる。
き付ける円筒状キャンと、前記キャンに対向して設けら
れた蒸発源とを具備し、前記キャンと蒸発源との間に、
前記キャンの表面に対して垂直方向をなすじゃへい板を
備えだマスクを配置したもので、蒸発源から飛び出しだ
金属の斜め成分が、マスクに備えられたじゃへい板によ
って取り除かれるだめ、円筒状キャンに巻き付けられた
高分子フィルム上には垂直に金属が堆積し、Ｃｏ Ｏｒ
膜で従来例と比較してＸ線回折ピーク強度が２倍以上と
なシ、膜の結晶性が非常に良くなる。またロノキンク半
値幅が１００以上のものが、３°〜５゜と小さくなシ配
向性が非常に良くなる。このように本発明は結晶性およ
び配向性の非常１て良好な薄膜が連続的にしかも高速に
得られるという優れた効果が得られる。
第１図は従来のスパッタリング装置の真空槽内部の正面
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるスパッタリ
ング装置の真空槽内部の正面図、第３図はＧｏ Ｏｒ膜
のＸ線回折パターンを示す図、第４図は本発明の第２の
実施例としてのスパッタリング装置の真空槽内部の正面
図である。 １．１１・・・・・・円筒状キャン、２．１２・・・・
・・高分子フィルム、３，１３・・・・・ヌパソタガン
、４．１４・・・・・・マスク、１５・・・・・しゃへ
い板、２ｏ・・・・・・本実施例で作製したＧｏ Ｏｒ
膜Ｘ線回折パターン、２１・・・・・・従来例で作製し
たＣｏ Ｏｒ ｇ Ｘ線回折パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５ 乙 第２図 第３図 回折色度 第４図 手続補正書 昭和５９年３ 月 ／ 日 Ｃへ 特許庁長官殿 ｌ事件の表示 昭和５８年特許願第８８６３３ 号 ２発明の名称 薄膜製造装置 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者
山 下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正します
。 Ｃ２＞ 明細書の第３ページ第１８行目〜第１９行目
の「板を有するマスクを設置し、」を「板を設置し」と
補正します。 （３）同第７ページ第１６行目と第１７行目の間に下記
の文章を挿入します。 「またじゃへい板は必ずしもマスクに設置される必要は
なく、他の部位に設けられても良いことはもちろんであ
る。」 （４）同第８ページ第５行目の「板を備えだマスクを設
置し」を「板を設置し」と補正します。 真空槽内に高分子フィルムを巻き付ける円筒状キャンと
、前記キャンに対向して設けられた蒸発源とを具備し、
前記キャンと蒸発源との間に、前記キャン表面とは垂直
方向に立てられだしゃへい板を配置したことを特徴とす
る薄膜製造装置。
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるスパッタリ
ング装置の真空槽内部の正面図、第３図はＧｏ Ｏｒ膜
のＸ線回折パターンを示す図、第４図は本発明の第２の
実施例としてのスパッタリング装置の真空槽内部の正面
図である。 １．１１・・・・・・円筒状キャン、２．１２・・・・
・・高分子フィルム、３，１３・・・・・ヌパソタガン
、４．１４・・・・・・マスク、１５・・・・・しゃへ
い板、２ｏ・・・・・・本実施例で作製したＧｏ Ｏｒ
膜Ｘ線回折パターン、２１・・・・・・従来例で作製し
たＣｏ Ｏｒ ｇ Ｘ線回折パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５ 乙 第２図 第３図 回折色度 第４図 手続補正書 昭和５９年３ 月 ／ 日 Ｃへ 特許庁長官殿 ｌ事件の表示 昭和５８年特許願第８８６３３ 号 ２発明の名称 薄膜製造装置 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者
山 下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正します
。 Ｃ２＞ 明細書の第３ページ第１８行目〜第１９行目
の「板を有するマスクを設置し、」を「板を設置し」と
補正します。 （３）同第７ページ第１６行目と第１７行目の間に下記
の文章を挿入します。 「またじゃへい板は必ずしもマスクに設置される必要は
なく、他の部位に設けられても良いことはもちろんであ
る。」 （４）同第８ページ第５行目の「板を備えだマスクを設
置し」を「板を設置し」と補正します。 真空槽内に高分子フィルムを巻き付ける円筒状キャンと
、前記キャンに対向して設けられた蒸発源とを具備し、
前記キャンと蒸発源との間に、前記キャン表面とは垂直
方向に立てられだしゃへい板を配置したことを特徴とす
る薄膜製造装置。
Claims (1)
- 真空槽内に高分子フィルムを巻き付ける円筒状キャンと
、前記キャンに対向して設けられた蒸発源とを具備し、
前記キャンと蒸発源との間に、前記キャン表面とは垂直
方向に立てられだしゃへい板を備えたマヌクを配置した
ことを特徴とする薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8853383A JPS59215486A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8853383A JPS59215486A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | 薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215486A true JPS59215486A (ja) | 1984-12-05 |
Family
ID=13945471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8853383A Pending JPS59215486A (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215486A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243167A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-29 | Anelva Corp | スパツタ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839740B2 (ja) * | 1974-09-28 | 1983-09-01 | シヤ−デ フエルヴアルツングスゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | チヨゾウサレタバラブツシツタイセキタイカラバラ ブツシツオハンシユツスルソウチ |
-
1983
- 1983-05-19 JP JP8853383A patent/JPS59215486A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839740B2 (ja) * | 1974-09-28 | 1983-09-01 | シヤ−デ フエルヴアルツングスゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | チヨゾウサレタバラブツシツタイセキタイカラバラ ブツシツオハンシユツスルソウチ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243167A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-29 | Anelva Corp | スパツタ装置 |
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