JPS59211565A - 無電解はんだめつき浴 - Google Patents
無電解はんだめつき浴Info
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- JPS59211565A JPS59211565A JP8424783A JP8424783A JPS59211565A JP S59211565 A JPS59211565 A JP S59211565A JP 8424783 A JP8424783 A JP 8424783A JP 8424783 A JP8424783 A JP 8424783A JP S59211565 A JPS59211565 A JP S59211565A
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- JP
- Japan
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- plating
- borofluoride
- bath
- solder plating
- plating bath
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は無′１ｉ！Ｍはんだめっき浴に関するものであ
る。
る。
電子除器、精冨機器、自動車等の各構成部品には予めは
んだめっきが施されていることが組立作業上著しく能率
を向上させ、かつ、その組立てられた部品の品實が確実
であシ信頼性が高いこと、またはんだ面は耐食性がすぐ
れていること等の理由から、ｆｉｕ記構戎部品に対し１
近時はんだめっきが施されるようになった。
んだめっきが施されていることが組立作業上著しく能率
を向上させ、かつ、その組立てられた部品の品實が確実
であシ信頼性が高いこと、またはんだ面は耐食性がすぐ
れていること等の理由から、ｆｉｕ記構戎部品に対し１
近時はんだめっきが施されるようになった。
はんだめっきを施すＫは電気めっき法と無電解めっき法
とが採られるが、′電気めつき法によると複雑な形状の
被めっき体への電流分布が均一とならず、そのため曲キ
ｆ１５や遮蔽部を有する構造部品、ケース類や曲り管な
どの内部にまではめっきを施すことができず、またプリ
ント基板等にみられるような電気的に非短絡部分にめっ
きすることも不可能であった。
とが採られるが、′電気めつき法によると複雑な形状の
被めっき体への電流分布が均一とならず、そのため曲キ
ｆ１５や遮蔽部を有する構造部品、ケース類や曲り管な
どの内部にまではめっきを施すことができず、またプリ
ント基板等にみられるような電気的に非短絡部分にめっ
きすることも不可能であった。
無電解めっき法は化学反応を利用するものであシ、曲趙
や遮蔽部分を有する削記部分、ケースや曲ｐ管の内部の
細部にまでめっきを施すことができる。
や遮蔽部分を有する削記部分、ケースや曲ｐ管の内部の
細部にまでめっきを施すことができる。
従来の無電解はんだめつき浴の多くは塩化第−鉦も、塩
化鉛、塩酸、チオ尿素の混合溶液を主成分とし、これに
還元剤、錯化剤等が配合されている。しかしこの種の無
電解はんだめっき浴では、常温で朧溶性の塩化鉛−チオ
尿素錯体の沈殿が形成されるので、この無電解はんだめ
っき浴を調製するにあたっては、ＩＡＣ料混合物を高温
度（７０℃以上）で長時間十分な攪拌を行なわないと透
明溶液とならず、透明となっても該無′亀解はんだめつ
き浴の温度が若干低下すると塩化鉛−チオ尿素錯体の沈
殿が析出する欠点を有している。
化鉛、塩酸、チオ尿素の混合溶液を主成分とし、これに
還元剤、錯化剤等が配合されている。しかしこの種の無
電解はんだめっき浴では、常温で朧溶性の塩化鉛−チオ
尿素錯体の沈殿が形成されるので、この無電解はんだめ
っき浴を調製するにあたっては、ＩＡＣ料混合物を高温
度（７０℃以上）で長時間十分な攪拌を行なわないと透
明溶液とならず、透明となっても該無′亀解はんだめつ
き浴の温度が若干低下すると塩化鉛−チオ尿素錯体の沈
殿が析出する欠点を有している。
このような事実は被めっき体をこの無電解はんだめっき
浴中に浸漬すると、そのはんだめっき浴の湿度が局部的
に低下して被めっき体回に前記塩化鉛−チオ尿素錯体の
沈殿を析出する結果を招きトラブルを生じていた。
浴中に浸漬すると、そのはんだめっき浴の湿度が局部的
に低下して被めっき体回に前記塩化鉛−チオ尿素錯体の
沈殿を析出する結果を招きトラブルを生じていた。
また、この柿の無′亀解けんだめつき浴はめつき速度が
小さく、通常２〜３μｍのめつき厚手を優るためには約
１５分を要し、高湿ＫＬ４めつき速度を大にすると、優
られるめっき層は粗大結晶、あるいはむらのあるめっき
皮膜となり、密着性も恋い欠点を有していた。
小さく、通常２〜３μｍのめつき厚手を優るためには約
１５分を要し、高湿ＫＬ４めつき速度を大にすると、優
られるめっき層は粗大結晶、あるいはむらのあるめっき
皮膜となり、密着性も恋い欠点を有していた。
さらに、この種の無′屯屏はんだめつき浴は寿命が短く
、浴中り金１４イオンが約２０％消費されると更や「す
る必要があり、その更新の浴調整の作業は腹雑工程な妥
する欠点を有している。
、浴中り金１４イオンが約２０％消費されると更や「す
る必要があり、その更新の浴調整の作業は腹雑工程な妥
する欠点を有している。
不兄明稽ｔゴこれら欠点を排除した無電ｊ伜はんだめっ
き浴を提供するよう研究した結果、塩化錫−塩化鉛−チ
オ尿素に代えてホウフッ化、櫨−ホウフツ化鉛−チオ尿
素を主成分とする無′亀解はんだめつき浴とすることに
より、チオ尿素−ホウフッ化錯体の省解度力１太さく・
ためｎｉＪ記慣用の塩化錫□−塩化鉛−チオ尿素を主成
分とする無電解はんだめっき浴に比較して通力・に高濃
度浴としても低温域で透明密液を調製できること、これ
に伴ない建浴の作業時間を大巾に短縮できること、かつ
、被めっき体をめっき浴に浸漬したさい液温低下による
チオ 尿素−ホウフツ化錯体が破めつき体に沈でんする
ようなトラブルを生じな（・こと、めつき迷度カー大き
く、得られるめっき層がち蜜であること、また浴の寿命
が長いこと等の多くの優れた知見を侍で本発明を完成す
るにいたった。
き浴を提供するよう研究した結果、塩化錫−塩化鉛−チ
オ尿素に代えてホウフッ化、櫨−ホウフツ化鉛−チオ尿
素を主成分とする無′亀解はんだめつき浴とすることに
より、チオ尿素−ホウフッ化錯体の省解度力１太さく・
ためｎｉＪ記慣用の塩化錫□−塩化鉛−チオ尿素を主成
分とする無電解はんだめっき浴に比較して通力・に高濃
度浴としても低温域で透明密液を調製できること、これ
に伴ない建浴の作業時間を大巾に短縮できること、かつ
、被めっき体をめっき浴に浸漬したさい液温低下による
チオ 尿素−ホウフツ化錯体が破めつき体に沈でんする
ようなトラブルを生じな（・こと、めつき迷度カー大き
く、得られるめっき層がち蜜であること、また浴の寿命
が長いこと等の多くの優れた知見を侍で本発明を完成す
るにいたった。
本発明の安旨はホウフッ化錫、月（ウフツ化鉛、ホウフ
ッ化水素酸、チオ銀糸、還元剤及び必要に応じて加える
界面油性剤、有１１ヒ合物のン卒カロ剤を含めてなる無
電解はんだめっき浴である。
ッ化水素酸、チオ銀糸、還元剤及び必要に応じて加える
界面油性剤、有１１ヒ合物のン卒カロ剤を含めてなる無
電解はんだめっき浴である。
ホウフッ化錫はホウフッ化第−錫であることが好ましく
、濃度は０．０５〜０．２モル／１３−’Ｃｈることが
好ましい。
、濃度は０．０５〜０．２モル／１３−’Ｃｈることが
好ましい。
ホウフッ化鉛は０．０１〜０．１モル／ｌであることが
好ましい。ホウフッ化錫及びホウフッ化鉛が前記濃度を
超えると、めっき浴からそれぞれの化合吻が析出し、こ
れにともなう種々のトラブルが生ずるので好ましくなく
、またロリ記モル濃度より低いと、めつ＠速度が遅くな
るので好ましくない。
好ましい。ホウフッ化錫及びホウフッ化鉛が前記濃度を
超えると、めっき浴からそれぞれの化合吻が析出し、こ
れにともなう種々のトラブルが生ずるので好ましくなく
、またロリ記モル濃度より低いと、めつ＠速度が遅くな
るので好ましくない。
ホウフッ化水素酸は４モル／ｌ以下であることが好ｔし
い。４モル／１以上であると析出したはんだが出泊解す
るので、めつき速ｊ（が遅くなるので好ましくない。
い。４モル／１以上であると析出したはんだが出泊解す
るので、めつき速ｊ（が遅くなるので好ましくない。
チオ尿素は０．５〜３モル／ｌであることが好ましい。
この範囲を逸脱すると本発明の無′屯解はんだめつき浴
の主成分であるチオ尿素−ホウフッ化錯体が生成されな
いので好ましくない。
の主成分であるチオ尿素−ホウフッ化錯体が生成されな
いので好ましくない。
還元剤には次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ＥＤＴ
Ａなどが例万くされる。これらの使用にあたっては一楓
に限定嘔れず、二毬以上を適当に配合して使用すること
ができる。使用量はこの浴の主−分であるチオ尿素−ホ
ウフッ化錯体の含有量に対応される。
Ａなどが例万くされる。これらの使用にあたっては一楓
に限定嘔れず、二毬以上を適当に配合して使用すること
ができる。使用量はこの浴の主−分であるチオ尿素−ホ
ウフッ化錯体の含有量に対応される。
その他界面活性剤等は心安Ｖｃ応じて使用することがで
きる。
きる。
つぎに本発明を実施例についτ説明するが、本発明はこ
れらによって限定されるものではない。
れらによって限定されるものではない。
度となるように混じて無′亀）野はんだめっき浴を調製
した。
した。
表 １
ホウフッ化第−銭 ０．１モル／ｌホウフッ化
鉛 ０．０２５モル／ｌチオ尿素
１．５モル／１次亜リン酸ナトリウム
０．２モル／ｌ非イオン活性剤 ０．５
曾／ｌ（ポリエチレンクリコール ノニルフェノールエーテル） ホウフッ化水素酸 ｐＨ１，２優られた無′
亀解はんだめっき浴を加熱して７０℃とした浴の中に、
黄銅板（１００Ｘ ６５ Ｘｏ、４節）を脱ｆｌｕ、Ｂ
１２洗浄、水洗のｎｕ処理を行なったのち５分間浸油し
た。優られためつき層のはんだ合金組成は５ｎ８５九Ｐ
ｂ１５九であり、その厚みは２．１μｍであった。
鉛 ０．０２５モル／ｌチオ尿素
１．５モル／１次亜リン酸ナトリウム
０．２モル／ｌ非イオン活性剤 ０．５
曾／ｌ（ポリエチレンクリコール ノニルフェノールエーテル） ホウフッ化水素酸 ｐＨ１，２優られた無′
亀解はんだめっき浴を加熱して７０℃とした浴の中に、
黄銅板（１００Ｘ ６５ Ｘｏ、４節）を脱ｆｌｕ、Ｂ
１２洗浄、水洗のｎｕ処理を行なったのち５分間浸油し
た。優られためつき層のはんだ合金組成は５ｎ８５九Ｐ
ｂ１５九であり、その厚みは２．１μｍであった。
優られためつき体の仕上面は微細結晶質のはんだで破瀘
されておシ、１８０° 折り曲け１もめつき層は剥離し
なかった。
されておシ、１８０° 折り曲け１もめつき層は剥離し
なかった。
実施例２
実施例Ｉにおいて無を屏はんだめっき浴の温度を８０℃
とした以外は￥流側１と同じ条件で黄銅板試片な５分曲
浸漬したところ、試片には２．５μｍのめつき層がめつ
きされた。めっき層は微細結晶質のはんだめっきで構成
され、掛着性も良好であった。
とした以外は￥流側１と同じ条件で黄銅板試片な５分曲
浸漬したところ、試片には２．５μｍのめつき層がめつ
きされた。めっき層は微細結晶質のはんだめっきで構成
され、掛着性も良好であった。
実施例３
実施例１において、黄銅板試片な１５分間浸油した以外
は実施例ＩＫ準じて無電解はんだめっきを行なったとこ
ろ、めっき層の厚みは８．２μｍであった。
は実施例ＩＫ準じて無電解はんだめっきを行なったとこ
ろ、めっき層の厚みは８．２μｍであった。
めっき浴の？Ｍ度を８０℃とした以外は実施例ＩＫ準じ
て黄銅板試片を１５分曲めっき浴に浸漬した。試片にめ
っきされた。めっき層の厚みは８．６μｍでめった。
て黄銅板試片を１５分曲めっき浴に浸漬した。試片にめ
っきされた。めっき層の厚みは８．６μｍでめった。
比較例１
集
下記表に示す化も品のそれぞれを同表に示す割合に混じ
て無寛解はんだめっき浴を調製した。
て無寛解はんだめっき浴を調製した。
塩化第−編−１０？／７
塩化鉛 ５’ｔ／１チオ尿素
１２０ｙ−／１次亜リン酸ナトリウム ２０９
−／Ｉ ＥＤＴＡ ３０ｔ／１ゼラチン
ＩＶ／１ ｐＨ（Ｈｏｌ） 、１．２ 突流例１に用いたのと同じ黄銅板試片な、１１Ｕ記調製
しためつき浴を加熱して９０℃とした中に５．１５分間
浸漬して無電解めっきを施した。
１２０ｙ−／１次亜リン酸ナトリウム ２０９
−／Ｉ ＥＤＴＡ ３０ｔ／１ゼラチン
ＩＶ／１ ｐＨ（Ｈｏｌ） 、１．２ 突流例１に用いたのと同じ黄銅板試片な、１１Ｕ記調製
しためつき浴を加熱して９０℃とした中に５．１５分間
浸漬して無電解めっきを施した。
１＋られたそれぞれの黄銅板試片のめつき厚さは０．９
μｍ、ｌ、５μｍ″ｒ″あり、めり＠層の組成は５ｎ７
１９６であった。
μｍ、ｌ、５μｍ″ｒ″あり、めり＠層の組成は５ｎ７
１９６であった。
比較例２
比較例ＩＫおい１、めっき浴の湿度を７５℃とした以外
は、比較例１と同じ条件で黄銅板試片に無電解めっきを
行なった。しかし、めっき浴からは塩化鉛−チオ原案錯
体が沈でんし、めっき工程が阻害された。得られたはん
だめっきは非常に不均一であり、きわめて薄いめっき層
しか肖られなかった。
は、比較例１と同じ条件で黄銅板試片に無電解めっきを
行なった。しかし、めっき浴からは塩化鉛−チオ原案錯
体が沈でんし、めっき工程が阻害された。得られたはん
だめっきは非常に不均一であり、きわめて薄いめっき層
しか肖られなかった。
実施例５
下記組成を有する無電）蜂はんだめっき浴を調製した。
ホウフッ化第−１欽゛０．１モル／ｌ
ホウフッ化Ｋｌ Ｏ，０４モル／ｌホウフッ
化水素敞 ０．１モル／ｌチオ尿禦
１．７七ル／ｌヒドラジンホウフツ素酸塩 ０．
２モル／ｌ非イオン界面活性剤 ０．５モル／ｌ上
記無′喝解はんだめっき浴を８５℃に加熱し、そのめっ
き浴の中に実施例１に用いたのと同じような黄銅板試片
２板を５．１５分浸漬した。
化水素敞 ０．１モル／ｌチオ尿禦
１．７七ル／ｌヒドラジンホウフツ素酸塩 ０．
２モル／ｌ非イオン界面活性剤 ０．５モル／ｌ上
記無′喝解はんだめっき浴を８５℃に加熱し、そのめっ
き浴の中に実施例１に用いたのと同じような黄銅板試片
２板を５．１５分浸漬した。
それぞれの試片には１．９μｍ、８．１μｍのめつき厚
がｆｏられ、めっき仕上面けちＷｉで密着性も良好であ
ることが３認められた。
がｆｏられ、めっき仕上面けちＷｉで密着性も良好であ
ることが３認められた。
比較例３
下記組成を有する無電解はんだめっき浴を調製した。
塩化第一１銭 ０，１モル／７！塩化船
０．１−Ｅ−ル／ｌチオ尿素 ０，１
５モル／ｌヒドラジン塩酸塩 ０．１モル／１ ｐＨ（塩酸で＃４整）０．４ 優られためつき浴を８５℃に加熱し、そのめっき洛中に
、実施例５に用いたのと同じような黄銅板試片２枚をそ
れぞれ５．１５分間浸漬して無′ｌＪＬ解めつきを施し
た。
０．１−Ｅ−ル／ｌチオ尿素 ０，１
５モル／ｌヒドラジン塩酸塩 ０．１モル／１ ｐＨ（塩酸で＃４整）０．４ 優られためつき浴を８５℃に加熱し、そのめっき洛中に
、実施例５に用いたのと同じような黄銅板試片２枚をそ
れぞれ５．１５分間浸漬して無′ｌＪＬ解めつきを施し
た。
優られたそれぞれの試片のめつき層の厚みは１、３μｍ
、ｚ、ｏμｍであった。５分間浸漬による無′亀解めっ
きした試片は比較的均一にめっきされていたが１５分間
浸漬によつ１無％＋解めつきした試片は非常にむらがあ
るのが詔められた。
、ｚ、ｏμｍであった。５分間浸漬による無′亀解めっ
きした試片は比較的均一にめっきされていたが１５分間
浸漬によつ１無％＋解めつきした試片は非常にむらがあ
るのが詔められた。
実施例６
下記組成を有する無１し解はんだめっき浴を調装した。
ホウフッ化第−娼 ０６１モル／ｌホウフッ化鉛
０．０２５モル／ｌホウフッ素酸
０．２モル／ｌチオ尿素 １．７モル／
１次亜リン酸ナトリウム ０．２モル／！！ヒドラジ
ンホウフッソ酸（ｉ＜ ０．１５モル／１３′Ｅ
Ｄ Ｔ Ａ Ｏ，０５モに／１非イオン
界面活性剤 ０．５ ｒ−／ １優られた無′屯暦
はんだめっき液を８０℃に加熱し、その洛中に黄銅−の
１Ｑｆ１１１・ｊφ長さ１０（１１１１１のパイプを１
ｏ分ＩＪ、ｔｊ浸漬した。めっき浴からパイプを取９出
しそのパイプを切１＃＋ Ｌ、てｋｆｆｆした結果、パ
イプの内外面とも均一にめっきされており、（ｖられた
めっき層の厚みは２．７μｍであった。めっき層ＣＯ租
戎は５ｎ８１九、Ｐｋ）１９％であった。めっき仕上面
はち當であり、また摩耗法により密着性を調べたところ
、素地が露出しても剥離が認められなかった。
０．０２５モル／ｌホウフッ素酸
０．２モル／ｌチオ尿素 １．７モル／
１次亜リン酸ナトリウム ０．２モル／！！ヒドラジ
ンホウフッソ酸（ｉ＜ ０．１５モル／１３′Ｅ
Ｄ Ｔ Ａ Ｏ，０５モに／１非イオン
界面活性剤 ０．５ ｒ−／ １優られた無′屯暦
はんだめっき液を８０℃に加熱し、その洛中に黄銅−の
１Ｑｆ１１１・ｊφ長さ１０（１１１１１のパイプを１
ｏ分ＩＪ、ｔｊ浸漬した。めっき浴からパイプを取９出
しそのパイプを切１＃＋ Ｌ、てｋｆｆｆした結果、パ
イプの内外面とも均一にめっきされており、（ｖられた
めっき層の厚みは２．７μｍであった。めっき層ＣＯ租
戎は５ｎ８１九、Ｐｋ）１９％であった。めっき仕上面
はち當であり、また摩耗法により密着性を調べたところ
、素地が露出しても剥離が認められなかった。
実施例７
実施例６に用いた無寛解はんだめつき浴を用（・又繰り
返し無電解はんだめっきを行なった。
返し無電解はんだめっきを行なった。
波めっき体には黄＠＆（１００Ｘ １００Ｘ１．２５關
）を用いた。
）を用いた。
この黄ＩＩＡ板を前記めっき浴を８０℃にした中に５分
間浸漬し、つ（・で１記黄銅板を引＠あけ、さらに別個
の黄銅板を前述の方法にＢＩＳじて処理し、これに無電
解はんだめつきを施した。
間浸漬し、つ（・で１記黄銅板を引＠あけ、さらに別個
の黄銅板を前述の方法にＢＩＳじて処理し、これに無電
解はんだめつきを施した。
このようにして無パ亀屏はんだめっき浴で黄銅板を処理
し、その処理した黄銅板の面積が５０ｄｍ’に達したと
き、最後の黄銅板上のめつき層の厚みは１，７μｍで、
めっき浴の全斂属イオンの淵匣は９．２ ｙ−／）であ
った。
し、その処理した黄銅板の面積が５０ｄｍ’に達したと
き、最後の黄銅板上のめつき層の厚みは１，７μｍで、
めっき浴の全斂属イオンの淵匣は９．２ ｙ−／）であ
った。
つきにこの使用済みのめつき浴に、無′岨解めつきによ
って失なわれた金圀塩収分を補充して実施例６に用いた
。取分とした。この自生した無電解はんプこめつき浴を
用い１、ＲｉＪ述した方法に準じてめっき浴４当シ黄銅
板５０ｄｍ２に相当する黄ｑ１１板に無電解はんだめっ
きを行なった。最後にめっき浴から歩シ出した黄銅板に
は１．５μｍの厚みのめっきが施され、最初に取シ出し
た黄銅板には２，５μｍの厚みで無寛解めっきされた。
って失なわれた金圀塩収分を補充して実施例６に用いた
。取分とした。この自生した無電解はんプこめつき浴を
用い１、ＲｉＪ述した方法に準じてめっき浴４当シ黄銅
板５０ｄｍ２に相当する黄ｑ１１板に無電解はんだめっ
きを行なった。最後にめっき浴から歩シ出した黄銅板に
は１．５μｍの厚みのめっきが施され、最初に取シ出し
た黄銅板には２，５μｍの厚みで無寛解めっきされた。
比較例４
比較例３に用（・たと同じ組成を有する無゛亀解けんだ
めつき浴を加熱し１８５℃とし、このめっき浴の中に火
カｆｌｊ例７に用いたと同じ黄銅板をかなくなり゛、処
理面積２５〜５０ ｄｍ’ではめっき痩ｆはたかたか１
μＩｎであった。
めつき浴を加熱し１８５℃とし、このめっき浴の中に火
カｆｌｊ例７に用いたと同じ黄銅板をかなくなり゛、処
理面積２５〜５０ ｄｍ’ではめっき痩ｆはたかたか１
μＩｎであった。
以上の記載は″Ｘ、側例側御１〜４較例１−２、また火
釉別５と比較例３、さらに実施例６−７と比較例４とを
対比したものであシこの記載がら明らかなように不冗例
の無？ａｍはんだめっき浴は慣用の塩化鰭 −塩化鉛−
チオ尿素を生成分とする無−階はんだめっき浴よシ低温
域において調製されること、これに伴ない建浴時間を大
巾に短縮できること、また、不発り」の無電解はんだめ
っき浴は慣用のそれよりぬつき連１ｋが大きいこと、さ
らに得られるめつ＠１曽はち田であること、またさらに
はんだめっきを施し優る被めっき面積、厚さが犬きく、
めっき浴の寿命が長く、かつ再生か簡単であることが認
められた。
釉別５と比較例３、さらに実施例６−７と比較例４とを
対比したものであシこの記載がら明らかなように不冗例
の無？ａｍはんだめっき浴は慣用の塩化鰭 −塩化鉛−
チオ尿素を生成分とする無−階はんだめっき浴よシ低温
域において調製されること、これに伴ない建浴時間を大
巾に短縮できること、また、不発り」の無電解はんだめ
っき浴は慣用のそれよりぬつき連１ｋが大きいこと、さ
らに得られるめつ＠１曽はち田であること、またさらに
はんだめっきを施し優る被めっき面積、厚さが犬きく、
めっき浴の寿命が長く、かつ再生か簡単であることが認
められた。
ｑも許出願人 株式公社東京鍍金
代理人弁理士 没 野 監 司
Claims (1)
- ホウフッ化錫、ホウフッ化鉛、チオ尿素、ホウフッ化水
素酸及び還元剤を含めたことを特徴とする無電解はんだ
めっき浴
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8424783A JPS59211565A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 無電解はんだめつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8424783A JPS59211565A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 無電解はんだめつき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211565A true JPS59211565A (ja) | 1984-11-30 |
| JPS622630B2 JPS622630B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=13825130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8424783A Granted JPS59211565A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 無電解はんだめつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211565A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5143544A (en) * | 1990-06-04 | 1992-09-01 | Shipley Company Inc. | Tin lead plating solution |
| US5169692A (en) * | 1991-11-19 | 1992-12-08 | Shipley Company Inc. | Tin lead process |
| US5173109A (en) * | 1990-06-04 | 1992-12-22 | Shipley Company Inc. | Process for forming reflowable immersion tin lead deposit |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP8424783A patent/JPS59211565A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5143544A (en) * | 1990-06-04 | 1992-09-01 | Shipley Company Inc. | Tin lead plating solution |
| US5173109A (en) * | 1990-06-04 | 1992-12-22 | Shipley Company Inc. | Process for forming reflowable immersion tin lead deposit |
| US5169692A (en) * | 1991-11-19 | 1992-12-08 | Shipley Company Inc. | Tin lead process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622630B2 (ja) | 1987-01-21 |
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