JPS5921051A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS5921051A JPS5921051A JP12993182A JP12993182A JPS5921051A JP S5921051 A JPS5921051 A JP S5921051A JP 12993182 A JP12993182 A JP 12993182A JP 12993182 A JP12993182 A JP 12993182A JP S5921051 A JPS5921051 A JP S5921051A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路装置にかかり、特に低インダ
クタンスリードフレームｋＪ４ＣＴるガラス封止形半・
節体集積回路装置に関するものである。
クタンスリードフレームｋＪ４ＣＴるガラス封止形半・
節体集積回路装置に関するものである。
近年、半導体集積回路ｔｉｉ１＋作速度の同速度が目覚
ま］７〈これに伴って内部パルス波形のスイッチング時
間は、より小さくなって来ている。この事け１ 単位時間当りのｌｉｔ流変比変化率の増加ｒ意味１．。
ま］７〈これに伴って内部パルス波形のスイッチング時
間は、より小さくなって来ている。この事け１ 単位時間当りのｌｉｔ流変比変化率の増加ｒ意味１．。
半導体集積回路に流入する。或いは流出する電流自身の
変化率も増加傾向’ｔｒｙド【−８これ迄ぞの効果を無
視されていた半４（４−ペレット外のリードフレーム以
降の配線自己インダクタンスしによる逆起電力ｖ−−Ｌ
肘の発生がＪ：９顕著となって来ている。特に、このパ
ルス状の電位変動がＯＮ １）ラインに重畳すると、Ｇ
ＮＤレベルｒノイズ的に浮かせて、入力に重圧帰還ｒ起
【７１電気的特性に不具合を生じさせている。
変化率も増加傾向’ｔｒｙド【−８これ迄ぞの効果を無
視されていた半４（４−ペレット外のリードフレーム以
降の配線自己インダクタンスしによる逆起電力ｖ−−Ｌ
肘の発生がＪ：９顕著となって来ている。特に、このパ
ルス状の電位変動がＯＮ １）ラインに重畳すると、Ｇ
ＮＤレベルｒノイズ的に浮かせて、入力に重圧帰還ｒ起
【７１電気的特性に不具合を生じさせている。
本発明は、この自己インダクタンスに工９発生する逆起
電力の主要因の一つであるリードフレーム材質又は構造
ｒ改善することにより、上記欠点ｖＷ４消し、高速度集
積回路の電気的特性の向上ｒ可能とするリードフレーム
忙有するガラス封止形半導体集積回−線、置ｔ、提供す
るものである。。、、、：、、。
電力の主要因の一つであるリードフレーム材質又は構造
ｒ改善することにより、上記欠点ｖＷ４消し、高速度集
積回路の電気的特性の向上ｒ可能とするリードフレーム
忙有するガラス封止形半導体集積回−線、置ｔ、提供す
るものである。。、、、：、、。
本第１の発明の要旨は、透磁率μが１０’より冥 ■、
、・ 小さい金−材料ＶＣより構成されたリードフレーム′
□で有することに特徴と丁やガラス封止形の半等体集
積回路装置におる。
、・ 小さい金−材料ＶＣより構成されたリードフレーム′
□で有することに特徴と丁やガラス封止形の半等体集
積回路装置におる。
また本第２の発明、の要ｉ、透：磁率μが１０４
′より小さい金−材料にエフ少なくともリードフレーム
のステッチ都よりタイバ一部分までが被覆されているこ
とγ特徴とするガラス封止形の半４体寒積ｌ路龍にある
。、 ′ 以下これらにつき１す、に説、明する。１．。
′より小さい金−材料にエフ少なくともリードフレーム
のステッチ都よりタイバ一部分までが被覆されているこ
とγ特徴とするガラス封止形の半４体寒積ｌ路龍にある
。、 ′ 以下これらにつき１す、に説、明する。１．。
今、簡手比の為に幣１図に示す様な半径ａの円形断面！
し、、、ｉ分、に長い直線状導体を流れる電ｉＩが断面
内で均’Ｑ、、Ｖｃｉ布してい、るり、−Ｆクレー 。
し、、、ｉ分、に長い直線状導体を流れる電ｉＩが断面
内で均’Ｑ、、Ｖｃｉ布してい、るり、−Ｆクレー 。
ムて考え、さらに外部インダクタンスの効果はないと仮
定すると平径γ点の磁界の・強さ１１は、γ内のここで
、リードフレーム材の透６Ｈ率’ｆ ／ｊ Ｈとすると
、半径γ、〜ｒ＋ｄｒ部分の単位長当りの田気：、エネ
ルギーｄＷは、Ｂ忙磁束密度とすると。
定すると平径γ点の磁界の・強さ１１は、γ内のここで
、リードフレーム材の透６Ｈ率’ｆ ／ｊ Ｈとすると
、半径γ、〜ｒ＋ｄｒ部分の単位長当りの田気：、エネ
ルギーｄＷは、Ｂ忙磁束密度とすると。
よりリード７レニム、内に蓄積されるエネをギーは単位
長当り リードフレームの単位長当りの内■１インダクタン′″
′”′９ユＩ’、ｉ１２． ・。
長当り リードフレームの単位長当りの内■１インダクタン′″
′”′９ユＩ’、ｉ１２． ・。
となる。自Ｉ己インダ（−ン六は内部、インダイタンス
と外部インダクタンスの和で現ねされるが、ＧＮＤリー
ドフレームに対する他のリードフレーム ：
間の外部インダクタンスは、自１已インダクタンスの効
果に比較して小さいので、これτ無視すると自己インダ
クタンスＬ−Ｌｉ −−・・・・・・−（４）８π で現わされ、リードフレームの自己インダクタンスはフ
レーム材の透磁率で支配される事が解る。
と外部インダクタンスの和で現ねされるが、ＧＮＤリー
ドフレームに対する他のリードフレーム ：
間の外部インダクタンスは、自１已インダクタンスの効
果に比較して小さいので、これτ無視すると自己インダ
クタンスＬ−Ｌｉ −−・・・・・・−（４）８π で現わされ、リードフレームの自己インダクタンスはフ
レーム材の透磁率で支配される事が解る。
このＬとμの比例関係は０円形断面以外の通常の
１□ リードツー−人形状にぢしても基本的に変らりい事ハイ
う迄もない。、即ち自生イイイ：クタン、スＬｖ呼劣ス
ル腎は、μの少′２４．諭値、匍有木る。材竺アリ、−
ドフレ一台を形盛１些ば良い。 、。
１□ リードツー−人形状にぢしても基本的に変らりい事ハイ
う迄もない。、即ち自生イイイ：クタン、スＬｖ呼劣ス
ル腎は、μの少′２４．諭値、匍有木る。材竺アリ、−
ドフレ一台を形盛１些ば良い。 、。
現在カラス封、止形半導＋集休回、眸装置にｍ’４．さ
れるＩＪ ニドフＹ−ム材は鉄：ニッケを系含金（Ｆ’
ｔ＋’え−４５，ａ、ｌ Ｉｇｙ）−子自己１イイダク
、り、ン、さ党効釆ｒ坏楊されｙ主と１−て甲いら！ｌ
′Ｌ″Ｆ、来声窄これらの含金は２強磁性体なのでμ瀘
木今＜、自己インダクタンスに関１〜ては、−１般咳大
きぐ、１な、る。、第２図にＮＩ含有率と甲呻率Ω関係
匍示”ｆ’７．この図から。
れるＩＪ ニドフＹ−ム材は鉄：ニッケを系含金（Ｆ’
ｔ＋’え−４５，ａ、ｌ Ｉｇｙ）−子自己１イイダク
、り、ン、さ党効釆ｒ坏楊されｙ主と１−て甲いら！ｌ
′Ｌ″Ｆ、来声窄これらの含金は２強磁性体なのでμ瀘
木今＜、自己インダクタンスに関１〜ては、−１般咳大
きぐ、１な、る。、第２図にＮＩ含有率と甲呻率Ω関係
匍示”ｆ’７．この図から。
回路上叩題となる逆起電力を生ずるＮｉ含：有基は４０
％以上であり、３６％以下になると叩ニｄｉ／ｄｔ
でμが１／３ 昼下に仝る！、、か、ら増起電内もｌ／
３以下になることが判る。、従２て３６％以下♀Ｎ１の
鉄・ニー／ダル合金を便えばよ、い、。、或いはμ〈１
０４の希件を満足、す、！池の合金ｔリードフレ下ム材
として用いて、も良−９午はいう塔もな１０ １
１ □ □１１ １１、：第３図
は本第２．の発明の原理説明用の…筒帰陣−５＝ ォ３＠。ア、、、、カー、２ヶ□、ｂ＊：ｓ”？？ｇ
■の説明図である。
％以上であり、３６％以下になると叩ニｄｉ／ｄｔ
でμが１／３ 昼下に仝る！、、か、ら増起電内もｌ／
３以下になることが判る。、従２て３６％以下♀Ｎ１の
鉄・ニー／ダル合金を便えばよ、い、。、或いはμ〈１
０４の希件を満足、す、！池の合金ｔリードフレ下ム材
として用いて、も良−９午はいう塔もな１０ １
１ □ □１１ １１、：第３図
は本第２．の発明の原理説明用の…筒帰陣−５＝ ォ３＠。ア、、、、カー、２ヶ□、ｂ＊：ｓ”？？ｇ
■の説明図である。
１図に示された素む被１夏したと仮足するｄこの
□と となジ、ワ、−ドフレーム材に他金属で被、覆すると’
Ｈし友金属の透磁率で自己インダクタンスは決定される
様になり、この値ｒリードフレーム材のそれよ・す、小
さい値、即ち前記条件μく１０４の条件 ：酢
で満す金属を用いる事でリードフレームの自己インダク
タンス忙減じる事が可能とな：る。、・ 。
□と となジ、ワ、−ドフレーム材に他金属で被、覆すると’
Ｈし友金属の透磁率で自己インダクタンスは決定される
様になり、この値ｒリードフレーム材のそれよ・す、小
さい値、即ち前記条件μく１０４の条件 ：酢
で満す金属を用いる事でリードフレームの自己インダク
タンス忙減じる事が可能とな：る。、・ 。
この時、リードフレーム′ｒ：被覆する領域として６一
は、リ −ドフし・−ム全面が自己インダクタンズ、領
最小と４−るｑ〕は明らかである。又、ａ常１す・用状
態にｂ竹（はメ１バー１＝ｌ（−Ｃプリント板にハンダ
等によって接続−す−る事からスケ・ソチ都エジメイバ
一部迄の徂滅′ｃＯ扱覆（７ても効果ど（７°Ｃは変ら
ない。第・１図０４第２の発明の一実施例ＶＣＪ：る牛
す季１・１【集積回路ｉ４Ｒのリー トル− 人に）装
邸拡火図であり、まｒ−４５図は第４図のＸ−Ｘ’
一点鎖線都の断面図である４、Ｉ＋’ｃ−Ｎｉ糸金合金
４例えは４５ ａｌｌｏｙ）ｒル−ｌ−杓と（２で用い
ている。この素Ｋ１１Ａｉ＋’ＡＦｉ条件ｒ満−す゛金
槻５（ｆ（ｉｌｌえばＡｇ）によってスデッチ都３よリ
タイバー■ｉ１迄が被覆され１いる。
最小と４−るｑ〕は明らかである。又、ａ常１す・用状
態にｂ竹（はメ１バー１＝ｌ（−Ｃプリント板にハンダ
等によって接続−す−る事からスケ・ソチ都エジメイバ
一部迄の徂滅′ｃＯ扱覆（７ても効果ど（７°Ｃは変ら
ない。第・１図０４第２の発明の一実施例ＶＣＪ：る牛
す季１・１【集積回路ｉ４Ｒのリー トル− 人に）装
邸拡火図であり、まｒ−４５図は第４図のＸ−Ｘ’
一点鎖線都の断面図である４、Ｉ＋’ｃ−Ｎｉ糸金合金
４例えは４５ ａｌｌｏｙ）ｒル−ｌ−杓と（２で用い
ている。この素Ｋ１１Ａｉ＋’ＡＦｉ条件ｒ満−す゛金
槻５（ｆ（ｉｌｌえばＡｇ）によってスデッチ都３よリ
タイバー■ｉ１迄が被覆され１いる。
なお２はアイランドである。
金し４γノシ・−ムに被覆する手段は、メッキ。蒸有ぞ
の１（ｈどの様な方法でも良く又、ハ側のみのメッキで
も効果がある。
の１（ｈどの様な方法でも良く又、ハ側のみのメッキで
も効果がある。
以上説明（７たとお９本発明によれば低インダクタンス
のリードフｌ／−ムｒ有する半導体集積回路＆９１ｔが
得られ、その結沫半導体ペレット外のＩＪ −、−ドフ
レーム以降の配線自己インダクタンスによる逆起ｆｉｔ
力の発生が１−＜なくてり、高速集積回路挟置の１狂気
的特性の向上ｖ ｆｉｒ ０１：と［また。
のリードフｌ／−ムｒ有する半導体集積回路＆９１ｔが
得られ、その結沫半導体ペレット外のＩＪ −、−ドフ
レーム以降の配線自己インダクタンスによる逆起ｆｉｔ
力の発生が１−＜なくてり、高速集積回路挟置の１狂気
的特性の向上ｖ ｆｉｒ ０１：と［また。
第１図は本ｉ’ｆｌ！ １の発明の原理説明用の円筒１
．Ｉ！体説明図、第２図Ｃ」状・ニッケル合金におしＪ
ｚ）透磁率μとニッケル含１４′率の関係図、第：う図
は本絹２ｑ）発明Ｖ）原理Ｍｉ？、明１ｔ、Ｉの円筒導
体に）説明図、第４図及び第５図は本絹２ｔｚ）発明ｆ
／）−’太施列による半導体乗積１）コ１路ｑ）リ−）
’フレームＶ）装部拡大図ト・よび第４図のＸ−Ｘ’−
点鎖線１ｒｌｌの断面図４゛ノ１＜１′。 ａ・・・・・・情４体ｑ）半径、γ・・・・・・厚１本
内ｔＺ）ｆｌ’Ｈ；飯Ｖ）半径。 ■・・・・・・′市ゲし、μｌ ・・・・・・リー ト
ル− ム拐Ｑ）透磁率。 γ１ ・・・・・・導体素材、μ２・・・・・・破覆昏
捧の透１ｉｆｉ率。 １・・・・・・メイバー邸、２・・・・・・アイランド
部、３・・・・・・スデッチ邸、４・・・・・・・浮体
索＠、５・・・・・・導体被覆ｉ都。
．Ｉ！体説明図、第２図Ｃ」状・ニッケル合金におしＪ
ｚ）透磁率μとニッケル含１４′率の関係図、第：う図
は本絹２ｑ）発明Ｖ）原理Ｍｉ？、明１ｔ、Ｉの円筒導
体に）説明図、第４図及び第５図は本絹２ｔｚ）発明ｆ
／）−’太施列による半導体乗積１）コ１路ｑ）リ−）
’フレームＶ）装部拡大図ト・よび第４図のＸ−Ｘ’−
点鎖線１ｒｌｌの断面図４゛ノ１＜１′。 ａ・・・・・・情４体ｑ）半径、γ・・・・・・厚１本
内ｔＺ）ｆｌ’Ｈ；飯Ｖ）半径。 ■・・・・・・′市ゲし、μｌ ・・・・・・リー ト
ル− ム拐Ｑ）透磁率。 γ１ ・・・・・・導体素材、μ２・・・・・・破覆昏
捧の透１ｉｆｉ率。 １・・・・・・メイバー邸、２・・・・・・アイランド
部、３・・・・・・スデッチ邸、４・・・・・・・浮体
索＠、５・・・・・・導体被覆ｉ都。
Claims (3)
- （１）透磁率μが１０４ より小さい金属材料により構
成されたリードフレームを有することτ特徴とするガラ
ス封止形の半導体集積回路挟置。 - （２）透磁率μが１０４ より小さい金属材料がニッケ
ル含有率が３６％以下である鉄・二、ソグル合金である
ことｔ特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導
体集積回路挟置。 - （３）透磁率μが１０４ より小さい金属材料により少
なくともリードフレームのステッチ部エジメイバ一部分
までが被覆されていることｔ特徴とするガラス封止形の
半導体集積回路挟置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12993182A JPS5921051A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12993182A JPS5921051A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921051A true JPS5921051A (ja) | 1984-02-02 |
Family
ID=15021958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12993182A Pending JPS5921051A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921051A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03218660A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-09-26 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JPH04133456A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650550A (en) * | 1979-10-02 | 1981-05-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5737860A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Nec Corp | Enclosure for semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP12993182A patent/JPS5921051A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650550A (en) * | 1979-10-02 | 1981-05-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5737860A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Nec Corp | Enclosure for semiconductor device |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH03218660A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-09-26 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
| JPH04133456A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
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