JPS592091B2 - ジキヘツド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録装置用磁気ヘッドに係わり、特に大部
分の構成体が薄膜で形成され、薄膜の厚さによつてトラ
ック巾が決められる狭トラック磁気ヘッドに関するもの
である。

薄膜の厚さがそのままトラック巾になるタイプのヘッド
はいくつか知られている、例えば、１９７２年磁気記録
研究会資料ＣＰＭ７１−６４がその１例である。

これは磁路を形成すべき磁性体としてセンタストを用い
、スパッタ法により厚く析出せしめ、その膜厚をトラッ
ク巾としたものである。かかる膜厚によつてトラック巾
を制御する方法は膜厚の制御の精度が良い、即ち膜厚の
±５パーセント以内に押えることが可能であることから
、トラック巾が小さくなるほど有利になる。ところが、
かかる膜厚によつてトラック巾を制御するタイプの磁気
ヘッドは、信号用導体を多数回巻くことが非常に難かし
い欠点を持つており、その結果、磁束の時間変化率から
信号を検出する、いわゆる誘導型磁気ヘッドとして使用
する場合には再生出力が著しく小さく実用的でなくなる
。

本発明はかかる欠点を解消する為に、再生用磁気ヘッド
として磁束応答型の磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と
称する。）を用い、前記の膜厚によつてトラック巾を決
めるタイプのヘッド（以下平板型ヘッドと云う。）と組
み合わせて再生出力の大きい狭トラック磁気ヘッドを与
えるものである。即ち本発明に成る磁気ヘッドは、基体
上に磁路を形成すべき高透磁率磁性体を平板型に形成し
、この高透磁率磁性体を２層以上の多層に分割し、当該
分割された層間の少くとも１個所に、適当な方法でバイ
アスされた導電性ＭＲ素子を挿入した構造を持つことを
特徴とする磁気ヘッドを与えるものである。

以下本発明に成る磁気ヘッドを図面を用〜・て詳しく説
明する。

第１図は本発明の基本構造を概念的に示したものである
。基体１の上に高透磁率磁性体２、３の、層間に絶縁体
５、６を介してＭＲ素子４がはさまれている。磁性体２
、３が絶縁性であれば絶縁体５、６は不要である。端子
７、８はＭＲ素子の信号検出用導体によつてＭＲ素子４
と結合されている。なお第１図においてＭＲ素子４はバ
イアス構成を含む、即ち例えば高抗磁力磁性体膜によつ
てバイアスを印加する場合にはＭＲ素子は高透磁率磁性
体膜と高抗磁力磁性体膜及び両者の間に存在する絶縁膜
の全てを含むものとして１枚の層で図示ｊ−た。

又第１図において、励磁用導体は煩雑を避ける為に特に
示してはいないが磁気空隙長Ｇで示された磁路によつて
囲まれた領域を通り、磁路を１・よさむ様にして通つて
電源端子（図示せず。）に結ばれる。第１図においてト
ラツク巾Ｗは実効的に、高透磁率磁性体２，３、ＭＲ素
子４、絶縁体膜５，６の各々の厚さを合計した厚さによ
つて決められる。第１図においては磁路を形成すべき高
透磁率磁性体を２層に分割した構成例を示したが更に多
層に分割しても良く、又ＭＲ素子も更に多層に分割され
た多数の層間にはさみ各層間のＭＲ素子を各各直列に結
合すれば再生出力は大きく得ることができる。

次に第１図に示した構造″ておいては分割され、前記Ｍ
Ｒ素子をはさむ形になつている２枚の高透磁率磁性体は
外部特に隣接トラツク方向からの漏洩磁界に対してはＭ
Ｒ素子のシールド膜として働き、雑音を除外する効果を
持つている。

長波長記録においては第１図の構造で充分な性能を示す
力人記録波長が短かくなると同一トラツク内の近接情報
からの漏洩磁界を拾い始め分解能が劣下する。そこでこ
れを防ぐ為に第２図に示した構造の如く、少くとも磁路
の外縁部においては前記ＭＲ素子の外縁部を磁路を形成
すべき前記高透磁率磁性体の外縁部よりも内側（内縁部
寄り）に位置せしめる。第２図において、９は磁路を形
成すべき高透磁率磁性体、１０はＭＲ素子、１１は磁気
空隙を表わし平面図で示した。同図においては簡単の為
に、基体、励磁用導体、ＭＲ素子の信号用導体は省略し
た。第２図の如く磁路の外縁部において、ＭＲ素子が直
接露出しない構造にすることにより同一トラツク内の近
接情報からの漏洩磁界は磁路を形成すべき高透磁率磁性
体によつてシールドされ、特に中波長記録において雑音
を除去して性能を向上させることができる。更に記録媒
体と対向すべきＭＲ素子の先端部を３ミクロン以内の大
きさで磁路を形成すべき高透磁率磁性体の記録媒体に対
向すべき先端部より内部に引き入れることにより、記録
媒体との摩擦によるＭＲ素子の先端部の磁気特性の劣下
を除ぐことができる。

この場合内側に引き入れるべき寸法シ３ミクロンより大
きくすると、磁路を形成すべき高透磁率磁性体がシール
ド効果を及ぼし、検知すべき情報磁界そのものが検知で
きなくなる。次に更に記録波長が短かくなると記録媒体
に対面すべきＭＲ素子の先端部の巾方向の寸法及び、記
録媒体と対面すべきＭＲ素子の先端部の磁気空隙側の端
部間の距離が効果を持ち始める。即ち記録媒体と対面す
べきＭＲ素子の先端部の巾方向の寸法が記録波長よりも
大きいとＭＲ素子の先端部における磁化状態が乱れて雑
音源となり、又ＭＲ素子の先端部の磁気空隙側の端部間
の距離が記録波長の倍以上の大きさになると分解能の劣
下が生する。これを防ぐ為に第３図に示した如く、記録
媒体と対面すべき先端部の巾を記録波長以下の寸法にし
、かつこの先端部の磁気空隙側の端部を磁路を形成すべ
き高透磁率磁性体の記録媒体と対面すべき先端部の磁気
空隙側の端部とほとんど重ねる様に配置する。第３図は
磁路の平面図で、１２は高透磁率磁性体、１３はＭＲ素
子、１４は磁気空隙を表わす。第３図においても媒体、
励磁用導体、ＭＲ素子の信号用導体は省略した。かかる
構造を持つことによつて短波長記録においても、少くと
も磁気空隙長に見合う大きさの波長の情報に対する分解
能は保持できる。

なお第２図、第３図において、磁路を形成すべき高透磁
率磁性体の分割数は明示していないが、第１図に関連し
て前述した如く２層以上の多層が可能であり、何れの例
においてもＭＲ素子と隣接して重なる高透磁率磁性体が
導電性の材料であれば、ＭＲ素子と当該導電性高透磁性
体間を絶縁体によつて電気的に絶縁すべきであり、さら
に励磁用導体（図示せず）とＭＲ素子、高透磁率磁性体
との間も電気的に絶縁されねばならないことはもちろん
である。

以上に述べた本発明になる構造の特徴は第４図の如き、
記録媒体と対面すべき磁路の先端部以外で磁路を拡げ、
磁路のリアクタンスを減少せしめた構造の平板型磁気ヘ
ツドにおいても全く同様に適用され得るものであり、さ
らに第５図の如き記録媒体と対面する磁路の先端部の巾
寸法が小さく、記録媒体から遠ざかるにつれて巾方向の
寸法を拡げた構造の磁気ヘツドにおいても同様に適用さ
れ得るものである。

以−ヒ述べた如く、本発明になる構造の磁気へツドは、
トラツク巾の制御が容易な狭トラックヘッドで、しかも
外部からの漏洩磁界による雑音が小さく、かつ記録波長
が短かい領域においても分解能が高く充分な大きさの信
号が検出し得る優れた磁気ヘツドを堤供するものである
。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の基本構造を示す図で、第２〜５図はそ
れぞれ本発明の他の実施例を表わす。 １・・・・・・媒体、２，３，９，１２，１５，１８・
・・・・・高透磁率磁性体、４，１０，１３，１６，１
９・・・・・・ＭＲ素子、５．６・・・・・絶縁体、７
，８・・・・・・導体端子、１１，１４，１７，２０・
・・・・・磁気空隙、Ｇ・・・・・・磁気空隙長、Ｗ・
・・・・・トラツク巾。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 基体表面に平行に付着され、基体表面に対して垂直
   な方向の寸法がトラック巾を決定する様に形成された高
   透磁率磁性体から成る磁路と、前記磁路の１部を磁気的
   に不連続に形成して成る磁気空隙と、前記磁路に囲まれ
   た領域を通り、かつ前記磁路の上下を磁路をはさむ様に
   して通る１巻以上の非磁性金属導体から成る励磁用コイ
   ルとから構成される磁気ヘッドにおいて、前記磁路を形
   成すべき高透磁率磁性体が２層以上の多層の高透磁率磁
   性体層に分割され、当該多層の高透磁率磁性体層の少く
   とも１個所の層間に適当なバイアス磁界構成を施された
   導電性高透磁率磁性体より成る磁気抵抗効果素子を設け
   たことを特徴とする磁気ヘッド。