JPS59208675A - 赤外螢光情報処理装置 - Google Patents
赤外螢光情報処理装置Info
- Publication number
- JPS59208675A JPS59208675A JP8447483A JP8447483A JPS59208675A JP S59208675 A JPS59208675 A JP S59208675A JP 8447483 A JP8447483 A JP 8447483A JP 8447483 A JP8447483 A JP 8447483A JP S59208675 A JPS59208675 A JP S59208675A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- filter
- phosphor
- specific wavelength
- information card
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/12—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation using a selected wavelength, e.g. to sense red marks and ignore blue marks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は螢光体を情報信号としζ用い光学的に情報を読
み取る情報処理装置に関する。
み取る情報処理装置に関する。
ある種の螢光体に波長λａの赤夕）線を照射し、励起す
ると、λａより長い波数λｂの赤外発光があることは、
スト−クスンフトとじてよ（知られている。上記螢光体
を所定ピンチ、幅で用紙に印字しておき、前記波長λａ
の赤外線を照射して、励起された波長λａのみを取り出
して信号として処理する方法が提案されている。
ると、λａより長い波数λｂの赤外発光があることは、
スト−クスンフトとじてよ（知られている。上記螢光体
を所定ピンチ、幅で用紙に印字しておき、前記波長λａ
の赤外線を照射して、励起された波長λａのみを取り出
して信号として処理する方法が提案されている。
この場合、用紙からは波長λａとλｂの赤り（線が透過
するため、受光素子として一般的なシリコンＰＩＮ形ポ
トダイオードを使用し、その光電変換作用によって電圧
信号を得ると、元の波長λａの赤外線強度に強いために
波長λｂの信号を検出することが困難である。
するため、受光素子として一般的なシリコンＰＩＮ形ポ
トダイオードを使用し、その光電変換作用によって電圧
信号を得ると、元の波長λａの赤外線強度に強いために
波長λｂの信号を検出することが困難である。
このため、波長λａの赤外線はフィルタによってカット
する必要が生じる。フィルタとして、人手と薄膜加工の
利点から、現在のところ光吸収特性を有する半導体フィ
ルタが適している。この半導体フィルタとして、厚さが
１■以下のＩｎＰやＧａＡｓ等の単結晶ウェーハを用い
ることが考えられるが、非常にもろく、振動や衝撃に弱
いため、実用上問題であった。
する必要が生じる。フィルタとして、人手と薄膜加工の
利点から、現在のところ光吸収特性を有する半導体フィ
ルタが適している。この半導体フィルタとして、厚さが
１■以下のＩｎＰやＧａＡｓ等の単結晶ウェーハを用い
ることが考えられるが、非常にもろく、振動や衝撃に弱
いため、実用上問題であった。
そこで本発明は、フィルタの対振動性、対衝撃性を向上
させた情報処理装置を提供することを目的とする。この
ため、本発明では半導体光吸収フィルタとして単結晶ウ
ェー八を用いず半導体薄膜を形成した赤り）線透過材を
用いたことを特徴とする。
させた情報処理装置を提供することを目的とする。この
ため、本発明では半導体光吸収フィルタとして単結晶ウ
ェー八を用いず半導体薄膜を形成した赤り）線透過材を
用いたことを特徴とする。
以下本発明の樹脂例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図はその
正面図、第３図は右側面図、第４図は第１図の部分裏面
図である。なお、第１図においては、第２図、第３図に
図示されたプリント基板１４を省略しである。これらの
図面において、符号１は上部案内部材、２は下部案内部
材で両者は例えば合成樹脂からなり、ねし３ （第２図
）により一体に固定され、情報カードの案内通路４と入
口５を形成している。下部案内部材２には第５図斜視図
に示すようにその′Ｆミゾ６にフィルタ７が装着されて
おり、フィルタフの上面が情報カードの下面を、下部案
内部材２のガイド部２ａ、２ｂが情報カードの両側面を
案内することになる。
正面図、第３図は右側面図、第４図は第１図の部分裏面
図である。なお、第１図においては、第２図、第３図に
図示されたプリント基板１４を省略しである。これらの
図面において、符号１は上部案内部材、２は下部案内部
材で両者は例えば合成樹脂からなり、ねし３ （第２図
）により一体に固定され、情報カードの案内通路４と入
口５を形成している。下部案内部材２には第５図斜視図
に示すようにその′Ｆミゾ６にフィルタ７が装着されて
おり、フィルタフの上面が情報カードの下面を、下部案
内部材２のガイド部２ａ、２ｂが情報カードの両側面を
案内することになる。
フィルタ７は第６図の平面図、第７図のΔ０Δ拡大断面
図に示ずように赤り（線透過材例えばカラスやアクリル
樹脂からなる基板８の上面に通常の薄膜形成方法例えば
真空蒸発法スパッタリング法、化学方法等により赤り）
線非透過祠９例えばＣｒ等の膜が形成され、ツメＩ・エ
ツチング法等によりスリット１０、穴１１が形成され、
基板８の下面には前記同様な薄膜形式方法により半導体
薄膜１２具体的にはＧ ａ ｆｉ、 ｓまたはＩｎＰ薄
膜が形成され、構成されている。
図に示ずように赤り（線透過材例えばカラスやアクリル
樹脂からなる基板８の上面に通常の薄膜形成方法例えば
真空蒸発法スパッタリング法、化学方法等により赤り）
線非透過祠９例えばＣｒ等の膜が形成され、ツメＩ・エ
ツチング法等によりスリット１０、穴１１が形成され、
基板８の下面には前記同様な薄膜形式方法により半導体
薄膜１２具体的にはＧ ａ ｆｉ、 ｓまたはＩｎＰ薄
膜が形成され、構成されている。
第１図〜第３図において、１３は励起光源で具体的には
ピーク波長８００ｎｍ半値幅３２ｎ ｍのＧａＡβＡｓ
赤外発光ダイオードで、２個が上部案内部材１に挿入支
持され、プリント基板１４に半田付けされている。プリ
ント基板１４． Ｌｌ上部案内部材１にねし１５で固定
されている。１６は受光素子であるシリコンＰＩＮ型ホ
トダイオードで、赤外発光ダイオード１３と上下対向位
置に２個が下部案内部材２挿入支持され、プリント基板
１７に半田付けされている。プリント基板１７は下部案
内部材２にねじ１８で固定されている。２枚のプリント
基板１４．１７には各々コネクタ１９が半日」付ｉＪさ
れており電源、増幅、整形、旧敵等の制御回路基板（図
示せず）にケーブル（図示せず）を介して接続される。
ピーク波長８００ｎｍ半値幅３２ｎ ｍのＧａＡβＡｓ
赤外発光ダイオードで、２個が上部案内部材１に挿入支
持され、プリント基板１４に半田付けされている。プリ
ント基板１４． Ｌｌ上部案内部材１にねし１５で固定
されている。１６は受光素子であるシリコンＰＩＮ型ホ
トダイオードで、赤外発光ダイオード１３と上下対向位
置に２個が下部案内部材２挿入支持され、プリント基板
１７に半田付けされている。プリント基板１７は下部案
内部材２にねじ１８で固定されている。２枚のプリント
基板１４．１７には各々コネクタ１９が半日」付ｉＪさ
れており電源、増幅、整形、旧敵等の制御回路基板（図
示せず）にケーブル（図示せず）を介して接続される。
第２図において、２０は赤外発光ダイオード、２１はポ
トダイオード、両者でホトインタラプタを形成しており
、情報カードの案内通路５への進入を検知する。この検
知信号は、図示しない制御回路部へ送信れれ、制御回路
からの信号で赤外発光ダ・イオード１３およびシリコン
ＰＩＮ型ポトダイオードへの給電がなされる。２２は情
報カードを片側に押しつけるための板バネでねじ２３に
より下部案内部材２に一端が固定され、ガイドピン２４
によりガイドされる。
トダイオード、両者でホトインタラプタを形成しており
、情報カードの案内通路５への進入を検知する。この検
知信号は、図示しない制御回路部へ送信れれ、制御回路
からの信号で赤外発光ダ・イオード１３およびシリコン
ＰＩＮ型ポトダイオードへの給電がなされる。２２は情
報カードを片側に押しつけるための板バネでねじ２３に
より下部案内部材２に一端が固定され、ガイドピン２４
によりガイドされる。
情報カードについて第８図の一部破断面図、第９図の第
８図のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図を参照して説明する。
８図のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図を参照して説明する。
これらの図面において、符号４１．４２は薄紙からなる
用紙でそれらの内面には接着材４１ａ、４２ａが塗布し
てあり、螢光体４５とこの螢光体と光透過率が同程度の
物質４６とをザンドイソチ状に接着し挾持している。な
お、接着材はこの場合いずれが一方の用紙のめに塗布し
てあってゼよい。螢光体４５としては例えば特公昭５６
−４５９８号公報に示される螢光体が使用され、物質４
６としてはその螢光体と同様の着色を有する顔料または
染料を使用することができる。
用紙でそれらの内面には接着材４１ａ、４２ａが塗布し
てあり、螢光体４５とこの螢光体と光透過率が同程度の
物質４６とをザンドイソチ状に接着し挾持している。な
お、接着材はこの場合いずれが一方の用紙のめに塗布し
てあってゼよい。螢光体４５としては例えば特公昭５６
−４５９８号公報に示される螢光体が使用され、物質４
６としてはその螢光体と同様の着色を有する顔料または
染料を使用することができる。
これらの螢光体４５およびそれと同色の物質４６は用紙
４１または４２に塗布することによって（＝Ｊ着される
。
４１または４２に塗布することによって（＝Ｊ着される
。
４３．４４はラミネートフィルムで、光を透過する材質
例えばポリエステル樹脂等がらなり、内面には各々接着
材４３ａ、、４４ａが塗布されており、用紙４１．４２
を袋状に包み接着しである。
例えばポリエステル樹脂等がらなり、内面には各々接着
材４３ａ、、４４ａが塗布されており、用紙４１．４２
を袋状に包み接着しである。
螢光体情報を任意に符号化方法に従って配置した情報ト
ラ・７キおよび等間隔に配置したクロック１ラツクは第
８図の例で各々上、下に配置されるが、情報カードを光
に透かせて見ても目には等間隔の縞模様が見えるだけで
符号は読み取さす機密は保持される。
ラ・７キおよび等間隔に配置したクロック１ラツクは第
８図の例で各々上、下に配置されるが、情報カードを光
に透かせて見ても目には等間隔の縞模様が見えるだけで
符号は読み取さす機密は保持される。
思」二のように構成された情報カード第１〜４図に示す
情報装置の入口４に挿入すると、情報カード４０は板ハ
ネ２２により案内通路５の一側面に押しつりられ案内さ
れる。情報カード４０がホトインクブタを形成している
赤外発光ダイオードとホトグイメートの間を過ぎる（よ
ぎる）と赤外発光ダイオード１３とシリコンＰＩＮ型ポ
Ｉダイオード１６に通電される。情報カード４０が赤外
発光ダイオード１３の下を過ぎる時、第１０図の符号２
５に示す特性のピーク波長λａ−８００ｎｍの励起用の
赤外線が情報カードの一方の側からカードの読取方１ｔ
１３に沿って逐次照射され、その際、螢光体４５の存在
する所では螢光体の螢光波長λｂ＝９８２ｎｍ（第１Ｏ
図の符号２６）との同成分を有する透過光線Ｃが現れ、
それ以外の領域では物質４６の存在する領域を含めて単
に波長λａの透過光線りが現れるのみである。′情報カ
ード４０を通過した波長λａとλｂの赤外線はフィルタ
フのスリット１０でチョップされ赤り（線透過基板８を
通りＧａＡｓ薄膜１２に進入すると第１０図符号２７で
示ずようにＧ ａ Ａ ｓ ｓ膜はぞの基礎吸収端（お
よび９００ｎｍ）より短波長の光は吸収しそれより長波
長の光は透過する性質に従って波長λａの赤り）線は吸
収され、波長λｂの赤り）線は透過して符号２８の特性
を有する受光素子１６に到達し、その赤外線を光−電変
換し螢光体情報によって形成された符号情報を読み取る
。
情報装置の入口４に挿入すると、情報カード４０は板ハ
ネ２２により案内通路５の一側面に押しつりられ案内さ
れる。情報カード４０がホトインクブタを形成している
赤外発光ダイオードとホトグイメートの間を過ぎる（よ
ぎる）と赤外発光ダイオード１３とシリコンＰＩＮ型ポ
Ｉダイオード１６に通電される。情報カード４０が赤外
発光ダイオード１３の下を過ぎる時、第１０図の符号２
５に示す特性のピーク波長λａ−８００ｎｍの励起用の
赤外線が情報カードの一方の側からカードの読取方１ｔ
１３に沿って逐次照射され、その際、螢光体４５の存在
する所では螢光体の螢光波長λｂ＝９８２ｎｍ（第１Ｏ
図の符号２６）との同成分を有する透過光線Ｃが現れ、
それ以外の領域では物質４６の存在する領域を含めて単
に波長λａの透過光線りが現れるのみである。′情報カ
ード４０を通過した波長λａとλｂの赤外線はフィルタ
フのスリット１０でチョップされ赤り（線透過基板８を
通りＧａＡｓ薄膜１２に進入すると第１０図符号２７で
示ずようにＧ ａ Ａ ｓ ｓ膜はぞの基礎吸収端（お
よび９００ｎｍ）より短波長の光は吸収しそれより長波
長の光は透過する性質に従って波長λａの赤り）線は吸
収され、波長λｂの赤り）線は透過して符号２８の特性
を有する受光素子１６に到達し、その赤外線を光−電変
換し螢光体情報によって形成された符号情報を読み取る
。
以上のような本発明をドアロック等に利用する場合半導
体光吸収フィルタを単結晶ウェハーでなく薄膜にしたこ
とにより対振動性、対１＋１ｉ ｖｌ：性が高められる
。
体光吸収フィルタを単結晶ウェハーでなく薄膜にしたこ
とにより対振動性、対１＋１ｉ ｖｌ：性が高められる
。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図はその
正面図、第３図は右側面図、第４図は第１図の部分裏面
図、第５図は下部案内部材の斜視図、第６図はフィルタ
の平面図、第７図は第６図のΔ○Ａ拡大断面図、第８図
は情報カードの一部破断平面図、ｆｆＪ、 ９図は第８
図の１３１３拡人断面図、第１０図は各構成素子の波展
るこ対する相対度を示す特性図である。 １３・・・励起光源、７・・・フィルタ、１Ｇ・−検出
部。 代理人弁理士 岡 Ｆｉｌ≦ 隆 第１図 第２図 第３図 ｂ 第４１２Ｉ 第８１Ｘ ；）］１９９ 図入α＋Ｘい （χα）（〕、けχｂ）第１０図
、７ ／ 波長 （。ｍ） ４８５
正面図、第３図は右側面図、第４図は第１図の部分裏面
図、第５図は下部案内部材の斜視図、第６図はフィルタ
の平面図、第７図は第６図のΔ○Ａ拡大断面図、第８図
は情報カードの一部破断平面図、ｆｆＪ、 ９図は第８
図の１３１３拡人断面図、第１０図は各構成素子の波展
るこ対する相対度を示す特性図である。 １３・・・励起光源、７・・・フィルタ、１Ｇ・−検出
部。 代理人弁理士 岡 Ｆｉｌ≦ 隆 第１図 第２図 第３図 ｂ 第４１２Ｉ 第８１Ｘ ；）］１９９ 図入α＋Ｘい （χα）（〕、けχｂ）第１０図
、７ ／ 波長 （。ｍ） ４８５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）特定波長の赤外線で励起されて別の特定波長の赤
外線を発する螢光体を情報媒体として使用し、励起光源
部と、螢光体からの特定波長の螢光々綿のみを通過させ
るヘフィルタと、螢光々線を検出する検出部と、励起光
源部からの赤外線と螢光体からの特定波長の螢光々線と
を前記フィルタに導くためのスリットとを組合セた赤外
螢光情報処理装置であって、前記フィルタとしてスリッ
トを設ｉＪた赤外線透過月から成る基板上に半導体薄膜
を形成したフィルタを使用したことを特徴とする亦り）
螢光情報処理装置。 報処理装置。 （３）前記半導体薄膜としてＩｎＰを使用したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の赤外螢光情報処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8447483A JPS59208675A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 赤外螢光情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8447483A JPS59208675A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 赤外螢光情報処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208675A true JPS59208675A (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=13831637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8447483A Pending JPS59208675A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 赤外螢光情報処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991012692A1 (en) * | 1990-02-07 | 1991-08-22 | Tv Code S.R.L. | Coder-decoder system for television transmissions and electronic card to be employed in decoding mode |
| EP0611666A1 (en) * | 1992-05-07 | 1994-08-24 | Hitachi Maxell, Ltd. | Latent image carrier, production method thereof, latent image reader, and its reading system |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8447483A patent/JPS59208675A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991012692A1 (en) * | 1990-02-07 | 1991-08-22 | Tv Code S.R.L. | Coder-decoder system for television transmissions and electronic card to be employed in decoding mode |
| EP0611666A1 (en) * | 1992-05-07 | 1994-08-24 | Hitachi Maxell, Ltd. | Latent image carrier, production method thereof, latent image reader, and its reading system |
| EP0611666A4 (en) * | 1992-05-07 | 1995-04-26 | Hitachi Maxell | LATENT IMAGE MEDIUM AND ITS PRODUCTION METHOD, LATENT IMAGE READER AND ITS READING SYSTEM. |
| US5463212A (en) * | 1992-05-07 | 1995-10-31 | Hitachi Maxell, Ltd. | Latent image forming member and method of manufacturing, latent image reading apparatus and latent image reading system |
| EP0778539A3 (en) * | 1992-05-07 | 2000-11-02 | Hitachi Maxell Ltd. | Latent image reading apparatus |
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