JPS59206323A - フエノ−ル及びアセトンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフェノールの製造方法に関し、更ｌこ詳細ｌこ
述べればクメンヒドロペルオキシドカラのフェノール及
びアセトンの製造方法に関する。

従来技術 フェノールは種々の広範囲ｌこ亘る産業に使用される重
要な有機化学物質である。例えばフェノールの全使用量
の半分以上がフェノール樹脂の製造ｉこ使用され１才た
ビスフェノールＡ、カプロラクタム及び他の多くの物質
の製造ｔこも使用される。多くの方法がフェノールの製
造のために使用されているが、しかし全製造能力の大部
分を提供する単一工程法はクメン法であり。

現在このクメン法は全米製造量のり分の３以上の割合を
占める。クメン法に含まれる基本反応は次式に示すよう
なりメンヒドロペルオキシドのフェノール及びアセトン
への開裂である：０、Ｈ，０（ＣＨ，）、０ＯＨ＝−０
，Ｈ，ＯＨ＋　（ＯＨ３）、Ｃ０この反応は酸条件下で
起り、フェノール及びア七トン両方の収率は通常ｐｏ％
あるいはそれ以上である。

工業的規模においてクメンヒドロペルオキシドは通常希
硫酸（濃度５〜２ｓ％）を用い、温度５０℃〜７０℃で
処理される。開裂が完了した後、反応混合物は分離され
、油相はフェノール及びアセトンならびｌこクメン、α
−メチルスチレン、アセトフェノン及びタール類を得る
ために蒸留される。得られたクメンは再び転化反応に使
用するために前記ヒドロペルオキシドへリサイクルされ
１次に開裂反“応に使用できる。この方法により製造さ
れたフェノールは樹脂に使用するには適当であるが、医
薬品級生成物を得るためには更ζこ精製が必要である。

上述の方法は好収率でフェノール及びアセトンの両方を
製造できるが、上述の均一操作の結果として起こる生成
物の分離工程及び精製工程の必要性を減少する方法を見
い出すことが型筒れでいた。

種々の酸性固体上でのクメンヒドロペルオキシド（ＯＨ
Ｐ　）の不均質開裂がすでに報告されている。例えばこ
の目的のために無定形アルミノシリケートを使用するこ
とがＪ、Ｍａｃｒｏｎｏｌ　Ｓｃｉ　−Ｃｈｅｍ、　Ａ
　５（５）、第９９３頁〜第１ｏｏｓ頁（７９７７年３
月）に開示されており、また米国特許第３３０、ｆ！；
９０号はこの反応にシリカ−アルミナ複合体を使用する
ことを記述している。才たシリカ−アルミナゲルの使用
は５ｔｕｄ、Ｕｎｉｖ、Ｂａｂｅｓ　−Ｂｏｌｙａｉ　
Ｏｈ、ｌｂ　（１）第６７頁〜第６７頁（／９７／）に
記述されている。この反応のための触媒として有用な他
の物質はＺｈ、Ｐｒ１ｋ１．Ｋｈｉｍ第タグ巻Ｎ［１ｇ
、１９９３〜９頁（／９ｇ／　）＃こ記述されるよ’）
　ｒｌ　シ’Ｊ　７　ｔ　’ｒ　ト及びＺ、Ｃ！ｈｅｍ
、／　５．Ｔｇ（／　９７５　）第１３２頁〜第１Ｓ３
頁（Ｈｅｆｔす）に報告されるような特定の陽イオン形
態の・ゼオライトＸ及びＹのような種々のゼオライトを
含む。ゼオライトｘ及びＹ上の他のペルオキシドの分解
はＣｏ１１ｅｃｔｉｏｎ　０ｚｅｃｈｏａｌｏｖ、Ｏｈ
ｅｍ、第ｙｏ巻第ｔｒｂｓ頁〜第ｔ７≠頁（／９７３　
）に報告されて（、ｉる。

発明の構成 今般ゼオライトベータを含有する固体不均質触ｔｌＫｙ
ｉ使用することｌこよってクメンヒドロペルオキシドが
フェノール及びアセトンへ好収率且つ高転化率で所望の
生成物へ選択曲番こ転化できることを見い出した。本発
明はクメンヒドロペルオキシドとゼオライトベータ含有
触媒とを接触させることからなるフェノール及びアセト
ンの製造方法に存する。本発明によれば所望の生成物へ
の収率、転化率及び選択性は特ｌこ畏期間にイつたる連
続操作で一般に大気孔ゼオライトＸ及びＹを使用するこ
とをこよって製造された生成物の収率、転化率及び選択
性より優れている。

この優れた性能は選択したゼオライトのコークス先駆体
に対する非常に大きい抵抗力によるものと思われ、もし
そうでなければ触媒は脱活性化され、韮たより悪い選択
性を示す傾向となるであろう。

クメンヒドロペルオキシド出発物質はヒドロペルオキシ
ド生成物が安定となるアルカリ性媒体中のクメンの酸化
による慣用の方法で得ることができる。普通、ベンゼン
とプロピレンのアルキル化によって得られるクメンは通
常炭酸ナトリウムのようなアルカリ性水溶液中ｐＨｔ、
！ｒ〜ｉｏ、ｒ　　でステアリン酸ナトリウムのような
乳化剤を用いて乳化される。７０℃〜ｒ３ｏ℃の若干加
熱された温度で空気あるいは酸素を用いて酸化が行われ
１通常、約３０％の最終転化率となる。

未反応クメンを蒸留により分離し、クメンヒドロペルオ
キシドを得るためにリサイクルするか。

あるいは次の開裂反応へ持ち越し、次をこりサイクルす
ることができる。

本発明に使用される触媒は酸官能を持つ結晶性ゼオライ
トを含有する固体不均質触媒である。

多くの結晶性アルミノシリケートゼオライトが知られて
いる。いくつかの結晶性アルミノシリケートゼオライト
例えばパラリンカイト（ｐａｕｌｉｎｇｉｔｅ　）及び
ムーリンオアイト（ｍｅｒｌｉｎｏｉｔｅ　）が少なく
とも現在までのところ天然ζこのみ存在する；いくつか
の結晶性アルミノシリケートゼオライト、例えばゼオラ
イトＡ及びＺＳＭ−！が合成形態のみで存在する；及び
いくつかの結晶性アルミノシリケートゼオライト、例え
ばモルデナイト（この合成対応品はゼオロンとして知ら
れる）、ファウジャサイト（この合成対応品はゼオライ
トＸ及びＹとして知られる）が天然産及び合成品の両形
態で存在する。勿論合成対応品はＸ線粉末回折データに
よってそれぞれの天然品に対応することが証明されたも
のであり、ゼオライトの特徴をＸ線粉末回折方法（こよ
り識別することが確立されている。該データは酸素の共
有ｌこより架橋された５ｉｎ４　及びＡｌＯ４四面体よ
りなり且つゼオライトを構成するＡ４０４四面体上ｌこ
生じた負電荷に釣合うの多こ十分な陽イオンを含有する
３次元格子の特定の配置を示すものである。

本発明に使用するゼオライト触媒は高空間速度でさえも
高転化率且つ好選択性でクメンヒドロペルオキシドをア
セトン及びフェノールに分解できる。本発明（こ使用す
るゼオライト触媒はゼオライトベータを含有する。

ゼオライトベータは既知であり、米国特許第３．３０４
０６９号及び米国再発行特許第２ａｒＪｒｉｔ号明細曹
に記述されている。上述の特許に記述されているように
ゼオライトベータはシリカ／アルミナ比ｔｏｏ／を才で
１通常３ｏ／ｉ〜１０θ／ｌを持つ形態で直接合成でき
る。しかしシリカ／アルミナ比に関係ｆｉ　＜　Ｘ　８
３．粉末回折パターンにより表示されるような特徴のあ
る構造の存在はゼオライト同一性を決定する。

本明細書に記載のシリカ／アルミナ比は構造比すなわち
結晶骨格構造比であり、それはゼオライトを構成するＳ
　ｉ、ｏ　、　／　ＡｆＯ、四面体比である。

この比は種々の物理的及び化学的方法によって測定され
たシリカ／アルミナ比とは異なることがある。例えば総
計の化学分析値はゼオライト上の酸部位に付属する陽イ
オンの形態で存在するアルミニウムを含むことがあるか
らそれによって低いシリカ／アルミナ比が得られる。同
様にこの比がアンモニア脱着の熱重量分析（ＴＧＡ）に
よって測定されると、アルミニウム陽イオンがアンモニ
ウムイオンの酸部位へのイオン交換を阻止するために低
いアンモニア滴定値が得られる。ゼオライト構造と無関
係なイオン性アルミニウムが存在するようになる脱アル
ミニウム処理方法のような処理が使用された時この差異
は特ｌこ面倒となる。

本発明方法は酸触媒によるものであるために。

触媒ｌこより所有される酸活性の程度は収率及び反応速
度の両方を左右する。ゼオライトの酸性度は多くの異な
る方法例えば塩基交換、スチーミングあるいは七オライ
ドのシリカ／アルミナ比の１１７Ｊ＃こよって好都合に
制御できる。アルカリ金属特にすｌ−ＩＪウムを用いる
塩基交換は酸性プロトンがナトリウムイオンに置換され
るためｌこ水素型のゼオライトの酸度を減少する傾向に
ある。反対ｌこゼオライトのアルカリ金属型はアンモニ
ウム塩基交換し、次に■焼すること番こよってより酸性
な水素型へ変化できる。勿論所望の糧々の酸活性を達成
するためｌこ完全あるいは部分的なインオ交換を行うこ
とができる。スチーミングは一般にアルミニウム活性部
位の除去による活性の減少に有効であるが、あるゼオラ
イトは他のゼオライトよりこの処理により大きく感応す
る。シリカ／アルミナ比の制御は陽子を付与するため曇
こ有用であるゼオライト中のＡＪＬＯ，四面体の割合を
制御することによって酸活性に影響を及ぼす；それ故高
シリカ含有ゼオライトはより低いシリカ／アルミナ比を
持つゼオライトより低い酸活性を持つ傾向曇こある。本
発明方法の目的のためにα値５−１０００．好ましくは
ｉｏ〜ＳＯＯの酸性度を持つ触媒を使用することが奸才
しい。α値の重要性及びα値の測定方法は米国特許第％
０／≦、２１ｇ号明細書に記述されている。

ゼオライトが有機陽イオンの存在下製造された時、恐ら
くゼオライトの結晶内自由空間がゼオライト形成溶液か
らの有機陽イオンにより閉塞されているために、該ゼオ
ライトは接触的に不活性である。該ゼオライトは不活性
雰囲気中ｓｙｏ℃で１時間加熱し、欠いて例えばアンモ
ニウム塩を用いて塩基交換を行い、次に空気中５ｌＩｏ
℃で■焼することによって活性化できる。

ゼオライト形成溶液中の有機陽イオンの存在はゼオライ
トの形成に絶対に必須なものではない；しかじ前記有機
陽イオンの存在はゼオライトの形成を援助することは明
らかである。より一般的にはアンモニウム塩を用いた塩
基交換を行い、次に空気巾約ＳａＯ℃でｌｓ分〜２グ時
間東焼することによってゼオライト触媒を活性化するこ
とが望ましい。

ゼオライトは本発明の操作に使用する昌度及び他の条件
に抵抗力のある他の物質（母材）と混合することが望ま
しい。該母材には合成あるいは天然に存在する物質なら
び（こ粘土、シリカ及び金属酸化物の１種または、２種
以上よりなる無機物質が含まれる。後者は天然に存在す
るかあるいはゼライン状沈殿物の形態あるいはシリカ及
び金属酸化物の混合物を含むゲルであってもよい。変成
ゼオライトと混合できる天然産粘土にはモンモリロナイ
ト族及びカオリン族のものが含まれる。該粘土は採掘し
たままの粗製の状態で、あるいは予め似焼、酸処理また
は化学変化を施した後で使用できる。

またゼオライトはシリカ−アルミナ、シリカ−マグネシ
ア、シリカ−ジルコ三ア２シリカ−トリア、シリカ−ベ
リリア、シリカ−チタニアならびに三元組成物例えばシ
リカ−アルミナ−トリア、シリカ−アルミナ−ジルコニ
ア、シリカ−アルミナ−マグネシア及びシリカ−マグネ
シア−ジルコニアのような多孔質母材と複合できる。該
母材はコーゲル（ｃｏｇθｌ）の形であってもよい。ゼ
オライト成分と無機酸化物ゲル母材との相対割合はゼオ
ライト含量について複合体の約ｌ〜約タデ係、更に普通
には約５〜約ざθ重量優にわたって変えるこａができる
。

開裂反応は通常５０℃〜ｔ２θ℃の温度、好才しくはｇ
ｏ℃〜／２０℃の加熱温度上液相で好都合に行うことが
できる。該反応はα−メチルスチレン及びアセトフェノ
ンのような所望でない副生成物を過度に製造することな
しに上述の温度範囲内で容易に進行する。しかし上述の
副生成物のより多い量が許容できる場合、より高い温度
例えば２００″ｃ７でを使用できるが、該反応の発熱特
性によって温度が制御不能になるのを回避するように注
意しなければならない。約１００℃の温度が十分な反応
速度を得且つ副生成物の形成を回避するために好才しい
。

クメンヒドロペルオキシドは反応に不活性であるベンゼ
ン、トルエン、アセトン、クメンあるいは他の炭化水素
のような溶媒中に溶解することが好ましい。別法として
幾分型抜しくはないがクメンヒドロペルオキシドは脂肪
族炭化水素あるいはハロカーボンのような不活性溶媒中
に懸濁化してもよい。溶媒の使用は触媒との密接な接触
を確立し、更に溶媒の蒸発が反応熱（約６θｋｃａｌ！
、１モル）の消散を援助するために特に好ましい。それ
故、反応温度は反応溶液の循環速度を制御することによ
って少な（ともある程度は制限することができる。揮発
性懸濁媒体は触媒との密接な接触が非常に容易には確立
されない以外は同様の利点を提供する。

液相反応である前記反応は固定床あるいはスラリー反応
器中で行うことが好ましい。固定床を使用する場合反応
用溶液または懸濁液を適当であると見い出された／〜ｌ
θＱ　ＷｇＳＶ　、好ましくは１ｏ−ｊＯＷＨ８Ｖ　の
速度で該触ｉ床上を循環す−。

ることによって発熱制御できる。更ｌこ希釈触媒例えば
非酸性不活性母材中の触媒あるいは不活性支持体上に支
持された触媒を用いて操作することが好才しい。別法と
してスラリー反応器を用いてもよく、この場合船こはク
メンヒドロペルオキシド溶液を触媒床に十分な速度で垂
直に上方へ通過して流すことによって触媒床を沸騰状態
のようｌこ維持する。この形態の操作は触媒床内の効率
的な熱の移動が触媒床内の条件の均一性を促進するため
に有利である。また発熱の制御は触媒床から溶媒を蒸発
すること（こよって行うことができ、その後蒸発した溶
媒をリサイクルできる。

本発明によればクメンヒドロペルオキシドの非常に高い
転化率が所望のフェノール及びアセトン生成物への好選
択性を伴って得ることができる。この点に関して本発明
方法は大量のメチルスチレン、アセトフェノン、コーフ
ェニルプロハン−，２：ｔ−ル及びＶ−クミルフェノー
ルを副生成物として生ずる既知の方法より優れている。

更に固体不均質触媒の使用は反応生成物から分離する酸
がなく、才な後に処理する酸がないために生成物の回収
を容易にする。

発明の効果 本発明によれはクメンヒドロペルオキシドを従来方法よ
り高収率、すなわち高転化率及び高選択率でフェノール
及びアセトンに転化でき、収率すなわち転化率及び選択
率は長期連続操作では大気孔ゼオライ）Ｘ及びＹを使用
して得られる転化率１選択率よりもすぐれていることで
ある。

実施例 以下に実施例（以下他に記載がなければ単に「例」と記
述する）を挙げて本発明を説明する。

例中のすべてのパーセント、部及び割合は重量ｌこよる
ものである。

例１〜３ 供試触媒３ｄを含む垂直に配置された下降流反応器の頂
部にクメンヒドロペルオキシド（ＯＨＰ　）装入原料を
供給し、底部で生成物を取り出した。温度制御は外部加
熱ジャケットにより加熱し触媒床中に内部温度監視装置
を備えることＩこより行った０生放物の分析はガスクロ
マトグラフによって行った。

装入原料の組成を以下第１表に示す。

第　　ｌ　　表 装入原料組成 ！１１ｉ１％ クメンヒドロペルオキシド（ＯＲＢ）　　　　７９ｊ７
クメン　　　　　　　　　　　　／　／、０４’コーフ
ェニル−２〜プロパツール　　　　　ｂ＋（１７アセト
フエノン　　　　　　　　　　　　　　２．５６α−メ
チルスチレン　　　　　　　　　　　　０．２６／　０
０．０θ 次に示す触媒を使用した： 例１　　　　：ゼオライトベーク（シリカ／アルミナ比
３０／ｌ） 例２（比較例）　：セ’、ｔ　ラ４１−　ＺＫ−ｓ　（
α値ｔｓ）例３（比較例）−石英チップ〔商標名パイコ
ール（Ｖｙｃｏｒ　）　） 例コのゼオライトＺＫづ（小気孔ゼオライト）及び例ｑ
の石英チップは比較の目的で使用した。

褌々の操作時間後の生成物分布、フェノール及びアセト
ンへの選択性及びＯＨＰ転化率の結果らかである。

／ ／ ＼　〜　　　　　　（、、ａｏａ　　　　　艶　　　　
　　　　　（）　　　　＼　（〜 ＼　号　　　１　暮　１　弓　間　１　苓　１１’ｓ１
　　燭＼　　　　　　　　　　　　　　　　ト）　〜　
　　＼　６ｏｈ　　暮　−〜　＼　　　□Ｓ’Ｓ＋’ｉ
　　４ＱＮ　　＞　　＼ｏ−６０１／１−６６　　　　
＞　　’ｔ　　さ＼　間　　　（奈　＼　弓　間　（、
ト　１　（４ず＼　　　　　　　　　　　　　喝　　　
　　　　　　　＼ｓ　　６０　　　６＠　　ｒ’ｉ　　
ｅ−、Ｇ　　Ｋ　　、Ｏａ−ｓ　　ｏ　　ｏ　　。

〜　１／＋ｌ＋ｉト　　喜　（艶　喝　１　喝　卜　（
喝’ｔ　　ず　　　呵　＼　号　〜　ト　苓　（〜　（
（慎＼　１　暮　　　　　　　　　　　　　　　＼　ト
＆Ｑｃ、　　　　〜　＼　−（も）か　　へ　−５（〜
　ａ　　　　　ｅ’−ｅ’−ｈ　〜　）　か　Ｑ　ｈ　
塾　嗜　＼１　蔓　　　号　ｒｉｗＧ　　リ　ぺ　＼　
（＼　弓　鵠＼　１″ｉ　　へ　　　　　　＼　　　　
　　＼　輪例ｔＩ（比較例） ゼオライｌ−Ｙの水素型θＪ（！ｅ％、！ｔｃｃの石英
チップ（バイコール）と混合し、熱交換反応器中、１０
０℃で且つ１６〜ｒａ液体時間空間速度（ＬＨ８Ｖ　）
の種々の異なる空間速度でクメンヒドロペルオキシド（
ＯＨＰ　）の開裂反応のためＥこ使用した。

装入原料及び異なる空間速度で得られた生成物の組成を
次の第５表に示す。

第　　５　　表 ０ダ　アセトン　　　　　　　　？、３　　３．３　　
　ユ０ＩＩＩ／′Ａ３　クメン　　　　　　　　７ｇざ
　／＆？　　／よ弘　ｌ侶ワー　　α−メチルスチレン
　　　　　ｌ／　　　／、０　　０．２　　０．２／２
　アセトフェノン　　　　　１７　　　ｉ／　　　ｌヴ
　　／２Ｓ７　２−フエロレーコ―フ′″Ｏｔ′７−）
し　　３λ　　　ダＳ　　　５１　　　よＯ１６フェノ
ール　　　　　　／４１　　　ム７　　侶６３．ダ７７
．０　０ＨＰ　　　　　　　　　ｓ３．３　　ｂ４Ａｓ
　　ｆｔ、ａ　　７４＜、２ＬＨＳＶ　、時間−７６３
３’　　　５６　　　ｇｔｌ温度、”Ｃ１００／θ０１
００　／θＯアセトン／フェノール　　　　０．５３　
０．！７　０．Ｓ３　　θ５６ｃｕｐ転化率　　　　　
３０．ｇ　　／ム２　　７３３．６アセトン一フユノー
／ｌ／選択性　７１ｈＳ　　ＳＥＥ　　７＆ｔＩ　７’
Ｚｆ例５ ゼオライトベータの水素型０．５ｃｃと、ｚｏ／３ｏメ
ツシュ石英チップ（バイコール）’　ｓ　ｃｃを混合し
た試料を例弘と同じクメンヒドロペルオキシド（ＯＨＰ
　）装入原料を使用して熱交換反応器中クメンヒドロペ
ルオキシド（ＯＨＰ　）の開裂反応に使用した。装入原
料及び異なる空間速度で得られた反応生成物の組成を次
の第６表曇こ示す。

第　　６　　表 ゼオライトベータ上でのＯＨＰの転化 ＬＨ８Ｖ、時間−１／６　　　　３！ｒ温度９℃ｌθθ
　　１０θ 装入原料 θダアセトン　　　　　　　　　　　ム？、　Ｆ　　　
　２０．５／’Ａ３クメン　　　　　　　　　　　／ｊ
：？　　　　／よ６−−　α−メチルスチレン　　　　
　　　　　　　　　ふ０３．６１２　アセトフェノン　
　　　　　　　　　　　、３．７　　　　　　ユλふ７
２−フユージｈ、２−４ＩＯ／ｖ−／Ｌ／　　　　　　
　　　　ｏｓ　　　　　　　　ｏ、ｑ１６フエノール　
　　　　　　　　　ｓ　Ｏ，０−λ７７０　０ＨＰ　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　１７　　　　　
　／３．θアセトン／フェノール　　　　　　　　　Ｏ
すｇ　　　　　Ｏ，Ｗ７ＣＨＰ転化率　　　　　　　　
？’Ｚｆｆ　　　　ｇ３．／アセトンーフェノール必叫
り〈性　　　　　　　　　　ｆｌ　　　　　　　　９　
ｌ’ＡゼオライトＹ水素型（例ｔＩ）と比較して、ゼオ
ライトベータはより優れた転化率及び選択性を示す。

彰ノ ゼオライトベータ水素型００ＳＣＣとコθ／３０メツシ
ュ石英チップ（バイコール）ｓ、ｓｃｃとを混合した試
料を垂直下降式反応器中、約ｉｏｏ℃の温度で且つ３　
ｇ−７３ｇ　ＬＨＩ３Ｖ　　の範囲の異なる空間速度で
クメンヒドロペルオキシド（ｃｎＰ　）の開裂反応のた
めに使用した。

装入原料及び異なる空間速度で得られた生成物の組成を
次の第７表に示す。

第　　７　　表 ゼオライトベータ上でのＯＨＰの転化 ＬＨ８Ｖ＋時１１Ｊｉ−”　　　　　　３ｇ　　　　ｂ
ｙ　　　　ｔ３ｇ温度、”Ｃｔｏｙ　　ｔｔｏ　　／／
７装入原料 一アセトン　　　　　　　λユ５　　ｌり９　　　／’
ｌ！；２θクメン　　　　　　　　／ｉ！　　／ｉｓ　
　メユθθ３　α−メチルスチレン　　　　　　３．２
　　　３．２　　　　’Ａθ２／　　アセトフェノン　
　　　　　　　ユ、２　　　　！Ｆ　　　　Ａｓム０　
　２−７Ｃ；７レーコーフ１１大ノ−ヅレ　　　ｌ！　
　　　　　ＩＩＩ　　　　　　θコー　フェノール　　
　　　　　３ムタ　　３ユ’Ｉ　　　３３．λｇユｂ　
　ＣＥＰ　　　　　　　　　　　２２３　　２１ｇ　　
　２ｇ＆アセトン／フェノール　　　　　θ＆／　　　
０．１．／　　　０．！９ＣＨＰ転化率　　　　　１．
ｆ　　　６１Ａ？　　　６＆、２アセトン−フェノ−）
し選択性　　９１！　　　　９０．２　　１１１例７〜
ｇ 例７及びざは異なる反応温度での希釈ＯＨＰ装入原料（
コｂ、３％ＯＨＰ　）を使用する影響を説明するもので
ある。両例とも垂直下降流反応器中。

ゼオライトベータｏ、ｓ　ｃｃとＪＯ／、？　０メツシ
ュ石英チップ（バイコール）ｓ、ｓｃｃとを゛混合した
ものを使用した。

装入原料及び異なる温度で得られた生成物の組成を次の
第３表及び第９表に示す。

第　　ｇ　　考 ＬＨ８Ｖ、時ｒｆＪ］−’　　　　　　ｔ　ｂ　　　３
ｓ　　　ｓｂ　　　ｇＩＩ温度、”Ｃ１０２１０２１０
２／θλ 装入原料 ０コ　アセトン　　　　　　　　７／　　ざ４ｔ　　２
弘　　りθ７３、／　クメン　　　　　　　７ム！；　
　７＆２　７ムｔＩ７ムダー　　α−メチルスチレン　
　　　　　　０ざ　　　　ｌ／　　　　　０．ｔ　　　
　　Ｏ，ｇ−−アセトフェノン　　　　　　　０．２　
　　１／　　　　０．３　　　０．２０２　２−フｂピ
レーコーフｌｌＯ／トノープレ　　０．／　　　　　０
．’Ｉ　　　　　Ｏ，７０，２−フェノール　　　　　
　／３．２　　／、１．／　　／１２　１０弘２１．３
　０ＨＰ　　　　　　　　　　　　　Ｏ，２θ７　　　
３．７　　　　！アセトン／フェノール　　　　０１，
２　　　θ６コ　　θｔ’ｌ　　　０６７０ＨＰ転化率
　　　　　タ９．２　９７．３　　Ａ’、背　　ｇｌＯ
アセトン−フェノミル選択性　ｇ３．’ｌ　　　ｇユｂ
　　　ｇｏｔ　　　ｇｏ、。

第　　９　　表 例ｇ−低温 ＬＨ８Ｖ、時間−’　　　　　７６．７５　　５６ｇｔ
ｌ温度、℃６５　６’）　　　６７　　６７装入原料 ０２アセトン　　　　　　　１０３　　９５　　ム？　
　ふ６７３、ｌクメン　　　　　　　７３ｑ７ムｌ　７
ムリ　７ＳＳ−一　　α−メチルスチレン　　　　　　
　０３　　　θコ　　　−　　　　−ｍ−−アセトフェ
ノ：／　　　　　　　　０．’Ｉ　　　　Ｏ，３０，／
　　　　０．１０．２．２−フクレークーブｂパン→し
　　（２／　　　　　−０，７０，／−フェノール　　
　　　　　ハ＜２　　　／ＱＪ’　　　ヂデ　　ざデＪ
ｉＯＨＰ　　　　　　　　−０，１，ｉｓ　　　　＆６
　　　９９アセトン／フエノール　　　　θ７１　　θ
７６　０６ｇ　　θ６３０ＨＰ転化率　　　　　９２り
　　９’Ａ３　　．７４ｔ９．６ユリアセトン一フユノ
ール選択性　タ３．／　　　ＩＮ、／　　　？り５　　
１；！、／１ニー”−ＭＪ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ　クメンヒドロペルオキシドとゼオライトベータ含Ｍ
   触媒とを接触させることを特徴とするフェノール及びア
   セトンの製造方法。 ユ　ゼオライトベータが少なくとも部分的に水素型であ
   る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、　ゼオライトベータが少なくともｙｏ／ｌのシリカ
   ／アルミナ比を持つ特許請求の範囲第１項または第２項
   記載の方法。 ク　クメンヒドロペルオキシドをｇθ℃〜２００℃の温
   度でゼオライトベータと接触させる特許請求の範囲第１
   項ないし第３項のいずれかに記載の方法。 Ｓ　クメンヒドロペルオキシドをｇθ℃〜７．２０℃の
   温度でゼオライトベータと接触させる特許請求の範囲第
   １項ないし第３項のいずれかに記載の方法。