JPS59203711A - テルル−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法 - Google Patents

テルル−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法

Info

Publication number
JPS59203711A
JPS59203711A JP7973683A JP7973683A JPS59203711A JP S59203711 A JPS59203711 A JP S59203711A JP 7973683 A JP7973683 A JP 7973683A JP 7973683 A JP7973683 A JP 7973683A JP S59203711 A JPS59203711 A JP S59203711A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vanadium
tellurium
melt
amorphous compound
compound material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7973683A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Masumoto
健 増本
Kenji Suzuki
謙爾 鈴木
Shuji Masuda
増田 修二
Yukihiro Oota
進啓 太田
Yoshitaka Ookubo
美香 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Original Assignee
Research Development Corp of Japan
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Research Development Corp of Japan, Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan filed Critical Research Development Corp of Japan
Priority to JP7973683A priority Critical patent/JPS59203711A/ja
Publication of JPS59203711A publication Critical patent/JPS59203711A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/008Salts of oxyacids of selenium or tellurium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/02Amorphous compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/80Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
    • C01P2004/82Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
    • C01P2004/84Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
    • C01P2004/86Thin layer coatings, i.e. the coating thickness being less than 0.1 time the particle radius
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規なテルル−バナジウム系非晶質化合物材
料及びその製造法に関する。
近年エレクトロニクス及びその関連技術の発展に伴って
、二酸化テルル(Te02)を主とする酸化物系セラミ
クス及びその単結晶の研究が活発に行なわれており、特
に光−電気、音−電気、雰囲気ガス−電気、光音偏光、
X線分光等の分野における変換素子材料として、又触媒
材料、磁性材料等として研究が行なわれている。TeO
2とV205との安定な化合物としては、数種の結晶体
について2〜3の文献に記載されているのみで、これ等
の単結晶化の研究はさかんに行なわれているものの、非
晶質化合物についての研究は行なわれていない。
本発明は、従来全く知られていないテルル−バナジウム
系非晶質酸化物を提供するものである。
即ち、本発明は、 (Te 02 ) +−x ・(V205 )X  (
但し0.90≧x〉0)なる組成を有する新規なテルル
−バナジウム系非晶質化合物材料、及び(Te Oa 
) +−x ・(V20s )x  (但し×は上記に
同じ)に相当する二酸化テルルと酸化バナジウムどの混
合物を加熱溶融した後、超急冷することを特徴とするテ
ルル−バナジウム系非晶質化合物材料の製造方法に係る
ものである。
本発明のテルル−バナジウム系非晶質酸化物は、磁性材
料、光応答性磁性素子、温度応答性磁性素子、磁気メモ
リ材料、イオン伝導材料、磁気テープ、触媒、光透過性
導電材料、誘電体材料、光−電気スイッチング素子、熱
−電気スイッチング素子等として有用である。
本発明は、更に、 (Te O2) +−x ・(V20S )X  (但
し0.90≧x〉0)なる組成を有するテルル−バナジ
ウム系非晶質化合物材料をその結晶化温度以下で加熱処
理することを特徴とする配向性多結晶薄膜材料の特進法
をも提供するものである。
この様にして得られる配向性多結晶薄膜材料は光メモリ
ー材料、磁気メモリー材料、エレクトロクロミック材料
、光スィッチ、光変調素子、焦電素子、光音響デバイス
、光導波路素子、光学ミラー、表面波デバイス、圧電ト
ランスジューサー、化学センサー、温湿度センサ−、触
媒等として有用である。
尚、本発明においては、“テルル−バナジウム系非晶質
化合物″とは、非晶質単独の場合のみならず、非晶質中
に多結晶相を含む場合をも包含するものとする。
本発明のテルル−バナジウム系非晶質酸化物は、以下の
様にして製造される。
本発明において使用する原料は、二酸化テルルと酸化バ
ナジウムとの混合物であり、その組成割合は、(Te 
02 ) 1−x ・(V20s ) x  (但し0
.90≧x >Q)となる量比である。上記組成比の原
料混合物を加熱溶融し、これを超急冷する。加熱溶融は
、これ等原料混合物が充分に溶融する温度以上で行なえ
ば良く、好ましくは溶融温度よりも50〜200℃高い
温度範囲特に好ましくは80〜150℃高い温度で加熱
する。加熱時の雰囲気に対する制限は特に無く、通常空
気中で行う。次いで原料混合物のiamを超急冷する。
超急冷は、本発明方法の必須の要件であって、これ5− によりはじめて非晶質新規化合物を収得することが出来
る。超急冷は通常104〜b 度の冷却速度で行う。この超急冷は、上記冷却速度で冷
却出来る手段であれば広い範囲で各種の手段が採用出来
、高速回転中のロール表面上に原料混合物の融液を噴霧
して液体状態の原子配置にて固化せしめる方法を代表例
として挙げることが出来る。
以下図面を参照しつつ本発明方法の実施に際し使用され
る融解原料混合物の急冷装置の一例を説明する。
第1図は、架台(1)上に設置された急冷装置本体(3
)の正面図を示す。急冷装置は、誘電加熱用コイル(5
)、(5)・・・・、原料加熱用チューブ(7)、該チ
ューブ(7)の支持体(9)、融解原料噴出用のノズル
(11)、急冷用ロール(13)、ノズル(11)の冷
却用ノズル(15)、渦流防止エアノズル(17)、ノ
ズル(11)の微調整機構(19)、エアシリンダー(
21)、冷却された材料の受は箱(23)、冷6一 却材料取出口(25)等を主要構成部としている。
冷却用ロール(13)の内部に該ロール冷却用のファン
を設置し且つロール表面側端部に空気吹込み口を設ける
ことにより、融解原料の急冷を安定して行なうことが出
来る。第2図は、支持体(9)の詳細を示す。第2図に
おいて、支持体(9)は、バルブ(27)を備えた冷却
水導入路(29)、冷却水排出路(31)、ニードルバ
ルブ(33)を備えたブローエア導入路(35)、ロー
ル(13)の表面とノズル(11)との間隔微調整機構
(37)及び原料融液を均一に押出す為の整流用目皿(
39)を備えている。
第1図及び第2図に示す急冷装置(3)を使用して本発
明方法を実施する場合、まず所定組成の原料混合物を融
液吹出し用ノズル(11)を有するチューブ(7)内に
収納する。このチューブ〈7)は、高温酸化雰囲気状態
で充分耐久性のある材質で作られ、たとえば白金、白金
−ロジウム、イリジウム、窒化ケイ素、窒化ボロン等で
作られたものが好ましい。尚、原料融液と直接接触しな
い部分の材質は、高融点のセラミクス、ガラス、金属で
も良い。ノズル口の形状は、目的製品に応じて適宜に決
定され、たとえば細い線状材料の場合は円い形状で、巾
の広い製品の場合はスリット状の形状のものを使用する
。ノズル口の形状は、楕円形その他の形状であっても良
い。チューブ(7)内に収納された原料混合物は、次い
でその融点以上の温度に加熱され、融液とされた後、ノ
ズル(11)の口部から高速回転しているロール(13
)の面上に一定ガス圧にて吹出され、ロール表面上で急
冷せしめられる。ノズル口とロール面における原料融液
の吹出し角度は、目的化合物の巾が約3IIIl以下の
場合はロール面に対して垂直で良く、またその巾が約3
mm以上の場合はロール面垂線に対して0″〜45°で
ある。これ等の吹出し角度調整機構は、装置自体に所定
の角度を設定可能なtilNとして組み込むことも出来
るが、好ましくはノズル自体を加工しておくのが良い。
原料混合物の加熱方法は、特に制限されないが、通常発
熱体を有する炉、誘電加熱炉ま′たは集光加熱炉で行う
。原料融液の温度は、その融点より50〜200℃好ま
しくは80〜150℃程度高い温度とするのが良い。こ
の際融点にあまり近過ぎると、融液をロール面上に吹き
出している間にノズル附近で冷却固化する恐れがあり逆
にあまりにも高くなりすぎると、ロール面上での急冷が
困難となる傾向がある。
ロール面りに融液を吹き出すために使用する加圧用ガス
としては、不活性ガスが好ましく、たとえばアルゴン、
窒素、ヘリウム等でも良いが、融液原料を酸化状態に維
持する為には、乾燥圧縮空気が好ましい。ガス圧は、ノ
ズル口の大きさにもよるが、通常0.1〜2.0にΩ/
 c+++2好ましくは0.5〜1 、 Oka/am
’程度である。また原料融液を吹き出す際のノズル口と
ロール面間の距離は、0.01〜1.0111程度が良
く、より好ましくは0.05〜0.51111程度であ
る。0.01a+よりも小さな場合、パドル量が非常に
少なくなり、均一な材料が得られず、一方1.0mlよ
りも大きい場合、パドル量が過剰になったり、又組成融
液の9− 界面張力により形成されるパドル厚さ以上の場合には、
パドルが形成され難くなる傾向が生ずる場合がある。
ロールの材質は、熱伝導性の良い銅及びその合金、硬質
クロムメッキ層を有する上記材料、さらには鋼、ステン
レススチール等である。ロールの周速度を5m/秒〜3
51/秒、好ましくは101/秒〜20嘗/秒とし、原
料融液を急冷することにより目的とする良質の非晶質化
合物材料が得られる。この際ロール周速度が5鵬/秒以
下の場合には、非晶質化し雌い傾向が生じるので、あま
り好ましくない。ロール周速度が35−7秒よりも大き
くなると、得られる目的物材料の形状が非常に薄膜化し
、すべて鱗片状もしくはIl1wJ状となるが、材料構
造的にはやはり本発明の非晶質化合物材料である。
融液原料を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気として減圧
下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気中で本発明化合
物の製造を行なう場合には、高温状態での原料融液の還
元が発生し、組成原子中の10− 酸素原子の減少が起り、得られる材料に紫色もしくは黒
色等の着色が発生する。しかし乍ら、この着色生成物も
物性的には本発明化合物であり、着色された状態で使用
可能である。
原料混合物をチューブ内で加熱溶融せしめるに際しては
、該混合物をすべて完全に融液化することが必要である
。しかし乍ら、該混合物が完全に融液化する前に、一部
数液化したものが、ノズル先端から流出してしまう恐れ
があるため、ノズル先端を局部的に冷却して融液の流出
を防止することが好ましい。ノズルを局部的に冷却する
代表的手段は、ノズル先端に冷却用ガスを吹きつける手
段であり、ガスとしてはアルゴン、ヘリウム、窒素等の
不活性ガスでも良いが、乾燥冷圧縮空気がより好ましい
本発明に係る新規なる非晶質化合物材料は、通常50〜
10μ−程度の厚さであり、非常にもろい材料である。
このためロール面で急冷され、固体化された後、できる
限り材料に応力が加えられない状態にすることが好まし
い。応力付加へなる原因の一つに大気中でのロール回転
により発生する風切り現象からくるロール表面空気層の
大きな乱流がある。この乱流を防止するとともに急冷却
すべき溶融原料混合物とO−ル面との密着性をより良好
とするために、民切り防止用向流吹出しノズル即ち第1
図に示す渦流防止エアノズル(17)を設置するか、ロ
ール内部にファンを固定設置する。後者の場合は、ロー
ルの自転によりロール表面側端部に設けられた口径可変
式の空気導入口よりロール内部へ発生する乱流をすい込
み、ロール軸正面より排出し、ロール表面上空気をロー
ル内部へ移動せしめ、これにより溶融物をロール面へよ
り押しつけ密着させ、さらに空気の吹込み移動によりロ
ール自体をも空冷することが出来る。また得られる材料
の寸法均一性を保持させるために、ロール表面に回転方
向とは直角に材料切断用の溝を設けておけば、一定寸法
で切断された材料が得られる。
本発明のテルル−バナジウム系化合物は、その原料混合
比により化合物の原子配列構造が大きく変化し、具体的
には以下の如くに大別される。先ず、0.70≧x>Q
の場合には非晶質化合物100%のものが得られ、0.
90≧X〉0.70の範囲ではV20B結晶相を含む配
向性多結晶混在非晶質化合物が得られ、又X〉0.90
ではV2O5結晶相を主体とする材料が得られる。第3
図に本発明材料の生成範囲を示す。
使用する急冷装置の急冷用ロールの周速度が、5m/秒
〜351/秒の範囲内では、各組成域において得られる
材料の構造自体には大きな変化は認められない。
本発明の配向性多結晶wIII材料は、上記の様にして
得られた(TE+ 02 ) +−x ・(V20s 
) x(但し0.90≧×〉0)なる組成のテルル−バ
ナジウム系非晶質化合物材料を熱分析に供してその結晶
化温度(TO)を求めた後、該化合物材料を結晶化温度
以下の温度で所定時間熱処理することにより得られる。
尚、結晶化温度以下においても、熱処理時間が長過ぎる
場合には、非配向性の多結晶体となるので、この点に関
する留意が必要13− である。
例えば、(”re O2)+−x ・(V205)xに
おいてx =0.50なるテルル−バナジウム系非晶質
化合物材料の結晶化温度は、317℃であり、該材料を
大気中で熱処理すると、処理条件に応じて以下の様な材
料となる。
1、 315℃X10分:配向性多結晶体2、 315
℃X30分:多結晶体 3、 270℃X10分:非晶質材料 4、 270℃×30分:配向性多結晶体5、 270
℃×60分:多結晶体 尚、本発明材料の構造の同定に際しては、X線回折及び
偏光顕微鏡により結晶性の有無の確認及び構造解析を行
ない、走査型電子顕微鏡により極少部分の観察を行なっ
た。
以下実施例により本発明の特徴とするところをより一層
明らかにする。
実施例1 TaO2(純度99.9%)及びV2O5(IiIi度
99.9%)を所定の組成で配合し、均一に混14− 合した後、850℃で30分間仮焼して組成物原料とし
た。得られた組成物原料を白金チューブ(直径10+n
+nx長さ150111)に充填し、誘電加熱コイル内
に設置して、発振管繊条電圧13v1陽極電圧10KV
、格子電流120〜150m A。
陽極電流1.2〜1.8Aの条件下に誘電加熱した。完
全に融液化した原料を急冷用回転O−ル表面上に乾燥圧
縮空気により吹き出し、急冷させた。
第1表及び第2表に組成及び製造時の諸条件を示す。第
1表及び第2表中試料No、1〜20.25及び29は
、リボン状の本発明の非晶質酸化物材料を示す。又、N
O,24は、ロールの回転速度が大きい為、薄片となっ
ているが、形状に制約がない触媒等の分野では使用可能
である。
尚、ノズル形状Aとあるのは、0 、211X 4 a
llのスリット状ノズルを示し、ノズル形状Bとあるの
は径0.2mmの円形ノズルを示す。
17− 18− 参考例1 (Te02 )+−x ・(V20s )xにおいて×
=0.50に相当する上記実施例1の試料No。
8.10.12.13及び15についてのX線回折結果
を第4図に示す。急冷用ロールの周速度が5.18m+
/秒(No、8)から34.541/秒(No、15)
の範囲内で得られた材料の原子配列構造には、大きな変
化がないことが明らかである。
参考例2 (Te OQ)+−x ・(V205 )xにおイテx
−0,50に相当する上記実施例1の試料No。
9の示差熱分析結果を第5図に示す。
第5図において、Tcは結晶化温度、TlJはガラス転
位点、−〇は融点を夫々示す。
参考例3 (Te 02 ) 1−x ・(V20s ) xにお
いて×−0,30に相当する上記実施例1の試料No。
7の外観を示す写真を11考図面■として示す。
参考例4 上記実施例1の試料NO67の走査型電子顕微鏡写真(
20000倍及び660倍)を夫々参考図面■及び■と
して示す。
参考例5 (TO02) +−x ・(V20S ) xにおいて
X=0.30に相当する上記実施例1の試料N083の
赤外線吸収スペクトルを第6図として示す。
参考例6 (”re 01! ) t−x ・(V20S ) x
においてX−0,30に相当する上記実施例1の試料N
o。
3の12.4℃における直流電気伝導度を第7図に示し
、又12.3℃における周波数に対する誘電率<A)及
び誘電損失(B)を第8図に示す。
尚、試料の厚さを0.0O1ci+とじ、両電極の面積
を夫々O,001cm2とした。
実施例2 実施例1の試FINo、3を空気中270℃で30分間
熱処理した後、X線回折を行なったところ、回折角〈2
θ)に1本の鋭い回折ピークを示し、非晶質構造から配
向性多結晶構造への変化が確認25− された。
又、熱処理の前後における電気的性質(周波数1kHz
)は以下の通りであった。
熱処理前  熱処理後 誘電率(ε)     22  145誘電損失(ta
nδ)  17    0.4、
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明方法において使用される融解原料の急
冷装置の一例の正面図、第2図は、第1図の急冷装置の
一部拡大詳細図面、第3図は、本発明材料の組成範囲を
示す図面、第4図は、本発明材料の若干のX線回折図面
、第5図は、本発明による一材料の示差熱分析図、第6
図は、本発明による他の一材料の赤外線吸収スペクトル
、第7図は、本発明による他の一材料の直流電気伝導度
を示すグラフ、第8図は、第7図に示すと同様の材料の
周波数に対する誘電率及び誘電損失を示すグラフを夫々
示す。 (1)・・・・・・架台、(3)・・・・・・急冷装置
本体、(5)、(5)・・・・・・l!電電加熱コイル
、26一 (7)・・・・・・原料加熱用チューブ、(9)・・・
・・・原料加熱用チューブの支持体、(11)・・・・
・・融解原料噴出用ノズル、(13)・・・・・・急冷
用ロール、(15)・・・・・・ノズル(11)の冷却
用ノズル、(17)・・・・・・渦流防止エアノズル、
(19)・・・・・・ノズル(11)の微調整機構、(
21)・・・・・・エアシリンダー、(23)・・・・
・・冷却された材料の受は箱、(25)・・・・・・冷
却材料取り出口、(27)・・・・・・バルブ、(29
)・・・・・・冷却水導入路、(31)・・・・・・冷
却水排出路、(33)・・・・・・ニードルバルブ、(
35)・・・・・・ブローエア導入路、(37)・・・
・・・ロール(13)とノズル(11)との間隔微調整
機構、(39)・・・・・・整流用目皿。 (以 上) 代理人 弁理士 三 枝 英 二 ・(−一 ”27− 特開0H59−203711(10) 第1頁の続き 0出 願 人 増本健 仙台市上杉3丁目8番22号 0出 願 人 鈴木謙爾 泉市将監11丁目12番11号 0出 願 人 増田修二 徳島県板野郡北島町江尻字宮ノ 本27−8 ■出 願 人 太田造幣 徳島県板野郡藍住町東中富字長 江傍示86番中富団地F8−148 92−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ (Te 02 ) +−x ・(V20s ) x
      (但し0.90≧x>Q)なる組成を有するテルル
    −バナジウム系非晶質化合物材料。 ■ 0.70≧x>Oである特許請求の範囲第1項のテ
    ルル−バナジウム系非晶質化合物材料。 ■ 0.90≧X >Q、70である特許請求の範囲第
    1項のテルル−バナジウム系非晶質化合物材料。 ■ 二酸化テルルと酸化バナジウムとの混合物を加熱溶
    融した後、融解物を超急冷することを特徴とする(Te
    02 ) +−x ・(V205 ) x(但し0.9
    0≧x >Q)なる組成を有するテルル−バナジウム系
    非晶質化合物材料の製造法。 ■ 101〜b る特許請求の範囲第4項のテルル−バナジウム系非晶質
    化合物材料の製造法。 ■ 原料融解物を固体に接触させることにより超急冷す
    る特許請求の範囲第4項又は第5項のテルル−バナジウ
    ム系非晶質化合物材料の製造法。 ■ スリット状、円形又は楕円形の吹出し口を設けたノ
    ズルを備えた加熱用チューブに原料混合物を投入し、該
    混合物の融点よりも50〜200℃高い温度で加熱溶融
    させた後、5−/秒〜35■/秒の周速度で回転するロ
    ール表面上に上記ノズルを経て該融解物を吹き出して超
    急冷させる特許請求の範囲第4項乃至第6項のいずれか
    に記載のテルル−バナジウム系非晶質化合物材料の製造
    法。 ■ (Te 02 ) +−X ・(V20s )x 
     (但し0.90≧×〉O)なる組成を有するテルル−
    バナジウム系非晶質化合物材料をその結晶化温度以下で
    加熱処理することを特徴とする配向性多結晶薄膜材料の
    製造法。
JP7973683A 1983-05-06 1983-05-06 テルル−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法 Pending JPS59203711A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7973683A JPS59203711A (ja) 1983-05-06 1983-05-06 テルル−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7973683A JPS59203711A (ja) 1983-05-06 1983-05-06 テルル−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59203711A true JPS59203711A (ja) 1984-11-17

Family

ID=13698489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7973683A Pending JPS59203711A (ja) 1983-05-06 1983-05-06 テルル−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59203711A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59203711A (ja) テルル−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS60112643A (ja) バナジウム−マグネシウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59203712A (ja) 鉄−テルル系非晶質化合物材料及びその製造法
JPH0476930B2 (ja)
JPS59203708A (ja) テルル−亜鉛系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS60103037A (ja) バナジウム−ジルコニウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPH0436097B2 (ja)
JPS59213625A (ja) 鉄―鉛系化合物材料及びその製造法
JPS60118614A (ja) テルル−バリウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59199510A (ja) テルル−チタン系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59203710A (ja) テルル−モリブデン系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59199511A (ja) テルル−リチウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS60108305A (ja) テルル−カリウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59190222A (ja) バナジウム―チタン系化合物材料及びその製造法
JPS59207836A (ja) ホウ素−バリウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59203706A (ja) テルル−アルミニウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59203730A (ja) 鉄−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS60103038A (ja) バナジウム−リチウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS605015A (ja) テルル−ケイ素系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59195509A (ja) テルル−タンタル系非晶質化合物材料及びその製造法
JPH0435404B2 (ja)
JPS59199512A (ja) テルル−マグネシウム系非晶質化合物材料及びその製造法
JPS59195537A (ja) バナジウム―マンガン系化合物材料及びその製造法
JPS59195535A (ja) バナジウム―タリウム系化合物材料及びその製造方法
JPH0422854B2 (ja)