JPS59200753A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS59200753A JPS59200753A JP7695883A JP7695883A JPS59200753A JP S59200753 A JPS59200753 A JP S59200753A JP 7695883 A JP7695883 A JP 7695883A JP 7695883 A JP7695883 A JP 7695883A JP S59200753 A JPS59200753 A JP S59200753A
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- film forming
- plasma
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、薄膜形成装置、特にその７，５板に堆積さ
れる堆積物の発生源に関するものである。
れる堆積物の発生源に関するものである。
従木、基板全比較的低温に保ってン；ル膜を形成する装
置としてオｌ因に示す頁輩蒸尤装置があった・図に２い
て、＋１１は円部が只空に保たれている真空室、例えば
Ａ空チェンバー、（２）は基板（３）を深持するだめの
基板ホルクー、（４）は真空チｘ ン／＜ −Ｌｌｌ
ｆ真空状ｊ島に保つための貝空ボンゾである。（５）は
蒸発源であシ、被堆偵吻（７）を入れたるつぼ（６）及
び加熱装置（図示せず）により１１１成されており、る
つぼ（６）を抵抗加熱叉は喝子綴照射によって加熱する
か、あるいは仮ｊイ１１４工゛（物（７）のみをｔ子線
照射加熱し、被Ｊ４Ｌ矩吻（７）を蒸発させ、基板（３
）上に堆積物を行届させて、ｔｉ）朝のｊし成を行なう
。
置としてオｌ因に示す頁輩蒸尤装置があった・図に２い
て、＋１１は円部が只空に保たれている真空室、例えば
Ａ空チェンバー、（２）は基板（３）を深持するだめの
基板ホルクー、（４）は真空チｘ ン／＜ −Ｌｌｌ
ｆ真空状ｊ島に保つための貝空ボンゾである。（５）は
蒸発源であシ、被堆偵吻（７）を入れたるつぼ（６）及
び加熱装置（図示せず）により１１１成されており、る
つぼ（６）を抵抗加熱叉は喝子綴照射によって加熱する
か、あるいは仮ｊイ１１４工゛（物（７）のみをｔ子線
照射加熱し、被Ｊ４Ｌ矩吻（７）を蒸発させ、基板（３
）上に堆積物を行届させて、ｔｉ）朝のｊし成を行なう
。
又を箕を蒸着装置に類似１し／ヒ筬Ｕ土として分子線エ
ピタキシー（ＭＢＥＩ装置や、イオンクラスタービーム
（工ＯＢ）装置がある。ＭＢＥ装置は、超高真空中にお
いて複数個の被堆積物質金精別に制御して、その分子線
を基板に照射するような蒸発源を備えている。−万、■
ＣＢ装置はるつぼ内の彼堆執物の蒸気をるつぼにあけた
小さな穴・よシ急激に噴出させてクラスターを形成し、
さらにイオン化することによシ、クラスターイオンビー
ムを形成できるような蒸発源を備えている。これらの薄
膜形成装置においては、被堆積物を加熱して蒸発させ、
その蒸気を発生させるという共通点がある。従って、被
堆積物が高融点物質の場合には蒸発源を例えば１０００
℃〜２０００℃のような非常に高い温度に保持しなけれ
ばならず、このため、周辺部からのガス放出等によって
汚染したシ、るつぼと被堆積物質との反応が起ったシし
て、形成した薄膜の質の低下が生じたシ、又薄膜形成に
おける条件の制御性が困難である等の欠点があった。
ピタキシー（ＭＢＥＩ装置や、イオンクラスタービーム
（工ＯＢ）装置がある。ＭＢＥ装置は、超高真空中にお
いて複数個の被堆積物質金精別に制御して、その分子線
を基板に照射するような蒸発源を備えている。−万、■
ＣＢ装置はるつぼ内の彼堆執物の蒸気をるつぼにあけた
小さな穴・よシ急激に噴出させてクラスターを形成し、
さらにイオン化することによシ、クラスターイオンビー
ムを形成できるような蒸発源を備えている。これらの薄
膜形成装置においては、被堆積物を加熱して蒸発させ、
その蒸気を発生させるという共通点がある。従って、被
堆積物が高融点物質の場合には蒸発源を例えば１０００
℃〜２０００℃のような非常に高い温度に保持しなけれ
ばならず、このため、周辺部からのガス放出等によって
汚染したシ、るつぼと被堆積物質との反応が起ったシし
て、形成した薄膜の質の低下が生じたシ、又薄膜形成に
おける条件の制御性が困難である等の欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、薄膜形成装置に、真空室、この真
空室内に配置され堆積物が堆積される基板、プラズマ励
起によシ堆積物の活性化気体を発生し、これを上記真空
室に細孔よシ噴出させて上記基板上に照射させ、上記基
板上に薄膜を形成させる活性化気体発生装置を備えるこ
とにより、蒸発源の温度の低温化を図ることで周辺部か
らの汚染を防ぎ、良質な勤瞑を形成する薄膜形成装置を
提供することを目的としている。
めになされたもので、薄膜形成装置に、真空室、この真
空室内に配置され堆積物が堆積される基板、プラズマ励
起によシ堆積物の活性化気体を発生し、これを上記真空
室に細孔よシ噴出させて上記基板上に照射させ、上記基
板上に薄膜を形成させる活性化気体発生装置を備えるこ
とにより、蒸発源の温度の低温化を図ることで周辺部か
らの汚染を防ぎ、良質な勤瞑を形成する薄膜形成装置を
提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例゛？図について説明する。
第２図において、（８）は被堆積物の原料ガスを供給す
るためのガス導入機構、（９）は活性化気体発生装置で
あり、イオン、電子が真空室（１）へ噴出するのを電磁
界によって防止するだめの防止装置で例えば電磁石（１
０）、及びプラズマ発生用の電圧印加のための電極（ｎ
） 、 Ｑｐ）を備えている。また真空室（１）へ被堆
積物を噴出するために細孔（１四が形成されておシ、こ
れはノズルを用いることもできる。（１４）は真空室（
１）と活性ｆヒ気体発生装置（９）との１曲」の差動排
気のためｉＣ設けられた真空ポンプである。
るためのガス導入機構、（９）は活性化気体発生装置で
あり、イオン、電子が真空室（１）へ噴出するのを電磁
界によって防止するだめの防止装置で例えば電磁石（１
０）、及びプラズマ発生用の電圧印加のための電極（ｎ
） 、 Ｑｐ）を備えている。また真空室（１）へ被堆
積物を噴出するために細孔（１四が形成されておシ、こ
れはノズルを用いることもできる。（１４）は真空室（
１）と活性ｆヒ気体発生装置（９）との１曲」の差動排
気のためｉＣ設けられた真空ポンプである。
次に洞えばシリコンのｔ（展を形成する場合の動作につ
いてじ元明する。ガス導入機構（８）によシ、妓堆槓物
元素すなわちＳｌを含む化合物気体、例えばシラン（Ｓ
ｉＨ４）を約百パスカル程度の圧力になるように活性化
気体発生装置（９）に導入し、プラズマ発生用市極（ｕ
） 、 Ｈに電圧を印加して、両電極（ＩＩ） 、 Ｑ
２間にグロー放電を生じさせてプラズマを発生させる。
いてじ元明する。ガス導入機構（８）によシ、妓堆槓物
元素すなわちＳｌを含む化合物気体、例えばシラン（Ｓ
ｉＨ４）を約百パスカル程度の圧力になるように活性化
気体発生装置（９）に導入し、プラズマ発生用市極（ｕ
） 、 Ｈに電圧を印加して、両電極（ＩＩ） 、 Ｑ
２間にグロー放電を生じさせてプラズマを発生させる。
この時、細孔Ｌ１３１に近い電極（１１）が陽極になる
ようにし、細孔（１３１側へ進む陽イオンをできるだけ
少なくしておく。シラ゛ンガスはプラズマによって分解
さｔ１活性化した分＊＊＊ 子、１重（ｓｌａ） 、（ｓｉｎＪ ＊（Ｓｉ） （
＊は活性化した分子等が生じる。これらの分子種などは
細孔（ｌ坤から約ｌＯパルス程度に制御されている真空
室は）中の基７阪（３）に向って噴出される。この時電
極ｔｏ）。
ようにし、細孔（１３１側へ進む陽イオンをできるだけ
少なくしておく。シラ゛ンガスはプラズマによって分解
さｔ１活性化した分＊＊＊ 子、１重（ｓｌａ） 、（ｓｉｎＪ ＊（Ｓｉ） （
＊は活性化した分子等が生じる。これらの分子種などは
細孔（ｌ坤から約ｌＯパルス程度に制御されている真空
室は）中の基７阪（３）に向って噴出される。この時電
極ｔｏ）。
ｕ”ｙ：細孔（１３）との間にｊ投けた電磁石（１０）
によって、プラズマ中のイオン及び電子は細孔（璃よシ
噴出するのを防止され、中性粒子のみが細孔（１３１よ
り噴出して基Ｍｉ＋３１上に薄膜が形成される。この発
明における蒸発源の温には蚕温から５００℃程差となシ
、従来と比べて低温化を計ることができる。
によって、プラズマ中のイオン及び電子は細孔（璃よシ
噴出するのを防止され、中性粒子のみが細孔（１３１よ
り噴出して基Ｍｉ＋３１上に薄膜が形成される。この発
明における蒸発源の温には蚕温から５００℃程差となシ
、従来と比べて低温化を計ることができる。
捷だ、噴出する粒子線の量の制御は、活性化気体発生装
置（９）内の圧力を、ガス導入機構（８）及び差動排気
用真空ポンプ（１萄を調節することにより、変化させて
行なうＣとが可能であり、さらに活性化率は、プラズマ
放電の条件によシ諺節できる。また、生成膜中の水素の
含有量は基板（３）の温度によって制御できる。
置（９）内の圧力を、ガス導入機構（８）及び差動排気
用真空ポンプ（１萄を調節することにより、変化させて
行なうＣとが可能であり、さらに活性化率は、プラズマ
放電の条件によシ諺節できる。また、生成膜中の水素の
含有量は基板（３）の温度によって制御できる。
以上のように、被堆積物の原料ガスを、プラズマ放電に
よシ分解、活性化し、これ／ｒ：高真空中の基板（３）
上に噴出することにより＃膜を形成することができる。
よシ分解、活性化し、これ／ｒ：高真空中の基板（３）
上に噴出することにより＃膜を形成することができる。
なお、上記χ施例では、活性化気体発生装置（９）はイ
オン又は電子が真空室中に噴出するのを防止するための
電磁石（１０） ｋ−Ｈしているが、イオン又は電子を
除去する必要のない場合は電磁石（ＩＯｌ ｆ： ：”
ンけなくてもよい・又、プラズマを発生さ−じるグロー
放’＋ｔ９のだめの電極（＋＋） 、 Ｑカは、上記ブ
（流向では、ガスの流れと重陽とが平行になるように設
置したが、 ’ｌｉｊ場とカスの流れが垂直になるよう
に設置してもよい。又、グロー放電は、直流電圧全印加
するかわりに、交流を用いた高周波グロー放電など、他
のプラズマ放電を用いてもよめ。
オン又は電子が真空室中に噴出するのを防止するための
電磁石（１０） ｋ−Ｈしているが、イオン又は電子を
除去する必要のない場合は電磁石（ＩＯｌ ｆ： ：”
ンけなくてもよい・又、プラズマを発生さ−じるグロー
放’＋ｔ９のだめの電極（＋＋） 、 Ｑカは、上記ブ
（流向では、ガスの流れと重陽とが平行になるように設
置したが、 ’ｌｉｊ場とカスの流れが垂直になるよう
に設置してもよい。又、グロー放電は、直流電圧全印加
するかわりに、交流を用いた高周波グロー放電など、他
のプラズマ放電を用いてもよめ。
高周波数′市を利用する場合には、電極（Ｕ） 、αり
を使わず、外部よ勺インダクタンス結合によジグロー放
′屯を生じさせてもよい。
を使わず、外部よ勺インダクタンス結合によジグロー放
′屯を生じさせてもよい。
以上のように、この発明によれば、薄膜形成装置に、↓
１空室、ｒ、の真空室内に配置され堆積物か堆積される
基板、プラズマ励起によシ堆積吻の活性化気体を発生し
、これを上記真空室に細孔よシ噴出させて上記基板上に
照射させ、上記基板上に薄膜を形成する活性化気体発生
装置を備えるこ七によシ、細孔全通して真空室に活性化
気体を噴出するので、真空室におムて所望の真空が保た
れ、しかも高温にもとすく周辺からの古来がなくなるの
で、艮好／よｉｉ７腺を形成することのできるｉ、ｌｌ
じ１形成装置を捉供すること力；できる効呆がある。
１空室、ｒ、の真空室内に配置され堆積物か堆積される
基板、プラズマ励起によシ堆積吻の活性化気体を発生し
、これを上記真空室に細孔よシ噴出させて上記基板上に
照射させ、上記基板上に薄膜を形成する活性化気体発生
装置を備えるこ七によシ、細孔全通して真空室に活性化
気体を噴出するので、真空室におムて所望の真空が保た
れ、しかも高温にもとすく周辺からの古来がなくなるの
で、艮好／よｉｉ７腺を形成することのできるｉ、ｌｌ
じ１形成装置を捉供すること力；できる効呆がある。
：ｌ＄１図は従来の貝空Ｘ↓着装置を示す構成図、第２
図はこの発明の一夫流向を示す（１°Ｇｔ戊図である。 図においてｔｌｌ −−一貝究室、ｆ３１−−一基板、
ｔ９１−一−活性化気体発生装置、（１０１−−−１５
Ｕ止装置、（１３１−−−細孔を示す。 な卦、図中、同一符号は同−又はイ目当部分を示す。 代理人大岩 増雄 第１図 第２図 千 イブ１． 浦 止 １１：（自発）Ｔ、’
＋’ ａ′ＦＩ’ｌ長官殿 １ 事件の表示 士・１願昭５８−７６９５８ｆ２
発明の名称 薄膜形成装置 ３ 補正をする占 代表者片山仁へ部 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ０ 補正の内容 明細書第５頁第１７行に「パルス」とあるの？「パスカ
ル」と訂正する。 以上
図はこの発明の一夫流向を示す（１°Ｇｔ戊図である。 図においてｔｌｌ −−一貝究室、ｆ３１−−一基板、
ｔ９１−一−活性化気体発生装置、（１０１−−−１５
Ｕ止装置、（１３１−−−細孔を示す。 な卦、図中、同一符号は同−又はイ目当部分を示す。 代理人大岩 増雄 第１図 第２図 千 イブ１． 浦 止 １１：（自発）Ｔ、’
＋’ ａ′ＦＩ’ｌ長官殿 １ 事件の表示 士・１願昭５８−７６９５８ｆ２
発明の名称 薄膜形成装置 ３ 補正をする占 代表者片山仁へ部 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ０ 補正の内容 明細書第５頁第１７行に「パルス」とあるの？「パスカ
ル」と訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｍ ｉ４空室、この貝全室内に配置され堆積物が堆積
される基板、プラズマ励起によシ堆私物の活性化気体を
発生し、これ全上記真空室に細孔より噴出させて上記基
板上に照射させ、上記基板上に薄膜を形成させる活性化
気体発生装置を備えた１Φ膜形成装置。 （２） 活１生化気体発生装置には、活性化気体中の
イオン又は電子が細孔より噴出すること全電磁界によっ
て防止する防止装置を有している位許１□１′４水の範
囲オ１項記、或の１人ｉ膜形成装置。 （３） 活ｉ生化気体発生装置は直流グロー放電によ
って活性化気体を発生させるようにした特許請求の範囲
オｌ墳又（・７を劃・２項記載のン二に膜形成装置。 （４） 活性化気体発生装置は高周波グロー放電によ
って活性化気体を発生させるようにした特許８７４才の
＆囲２・１項又は第２項記戦の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7695883A JPS59200753A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7695883A JPS59200753A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200753A true JPS59200753A (ja) | 1984-11-14 |
| JPS6339668B2 JPS6339668B2 (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=13620291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7695883A Granted JPS59200753A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200753A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130487A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ・インジエクシヨン・ｃｖｄ装置 |
| EP0257302A2 (de) * | 1986-08-21 | 1988-03-02 | Dornier Gmbh | Verfahren zur Erzeugung amorpher Schichten |
| EP0571713A2 (en) * | 1992-05-25 | 1993-12-01 | Fujitsu Limited | Gold thin film vapor growing method |
| WO1995015570A1 (fr) * | 1993-12-03 | 1995-06-08 | Compagnie Europeenne De Composants Electroniques Lcc | Procede de fabrication de condensateur et condensateur issu d'un tel procede |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP7695883A patent/JPS59200753A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130487A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ・インジエクシヨン・ｃｖｄ装置 |
| JPS6326195B2 (ja) * | 1984-11-29 | 1988-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| EP0257302A2 (de) * | 1986-08-21 | 1988-03-02 | Dornier Gmbh | Verfahren zur Erzeugung amorpher Schichten |
| EP0571713A2 (en) * | 1992-05-25 | 1993-12-01 | Fujitsu Limited | Gold thin film vapor growing method |
| EP0571713A3 (ja) * | 1992-05-25 | 1994-01-12 | Fujitsu Ltd | |
| WO1995015570A1 (fr) * | 1993-12-03 | 1995-06-08 | Compagnie Europeenne De Composants Electroniques Lcc | Procede de fabrication de condensateur et condensateur issu d'un tel procede |
| FR2713388A1 (fr) * | 1993-12-03 | 1995-06-09 | Europ Composants Electron | Procédé de fabrication de condensateur et condensateur issu d'un tel procédé. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6339668B2 (ja) | 1988-08-05 |
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