JPS59174507A - 超硬質カ−ボン膜の製法及びその装置 - Google Patents
超硬質カ−ボン膜の製法及びその装置Info
- Publication number
- JPS59174507A JPS59174507A JP58046940A JP4694083A JPS59174507A JP S59174507 A JPS59174507 A JP S59174507A JP 58046940 A JP58046940 A JP 58046940A JP 4694083 A JP4694083 A JP 4694083A JP S59174507 A JPS59174507 A JP S59174507A
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- Japan
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- gas
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- hydrocarbon gas
- film
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は超硬質カーボン膜の製法及びそのための装置
に関するものであって、さらに詳しくは炭化水素ガスを
アーク放電によってイオン化して陰極基板上にカーゼン
膜を形成させる場合において、炭化水素ガスを磁界中に
定置さ几た導電性管路内を通過させ更に多数の細孔から
アーク放電域に放出させるととＫよってガスのイオン化
率を高めて超硬質のカーゼン膜ｆ製造する方法及びその
製造装置を提供するものである。
に関するものであって、さらに詳しくは炭化水素ガスを
アーク放電によってイオン化して陰極基板上にカーゼン
膜を形成させる場合において、炭化水素ガスを磁界中に
定置さ几た導電性管路内を通過させ更に多数の細孔から
アーク放電域に放出させるととＫよってガスのイオン化
率を高めて超硬質のカーゼン膜ｆ製造する方法及びその
製造装置を提供するものである。
従来から硬質カーゼン膜の製法はいろいろ提案さｎてい
る。
る。
その主な方法として例えば（イ）ダイヤモンＰをターゲ
ットとしてスノぐツタリングする方法、←）ダイヤモン
Ｐ粉末にレニザーピームを照射する方法、（ハ）炭素を
イオンビームによりスノξツタリングする方法、に）ブ
タン等の炭化水素ガスをプラズマ化する方法、及び（ホ
）炭化水素ガスのグロー放電分解法（特開昭５６−４７
＋５２１号）岬がある。
ットとしてスノぐツタリングする方法、←）ダイヤモン
Ｐ粉末にレニザーピームを照射する方法、（ハ）炭素を
イオンビームによりスノξツタリングする方法、に）ブ
タン等の炭化水素ガスをプラズマ化する方法、及び（ホ
）炭化水素ガスのグロー放電分解法（特開昭５６−４７
＋５２１号）岬がある。
（イ）及び（ロ）の方法は高価なダイヤモンドｆ原料と
して用いなければならず、また（ハ）及びに）の方法は
、ダイヤモンＰ結晶構造金もつ膜を安定に形成させ ・
ることはできない問題がある。
して用いなければならず、また（ハ）及びに）の方法は
、ダイヤモンＰ結晶構造金もつ膜を安定に形成させ ・
ることはできない問題がある。
また（ホ）の方法は、前記の方法の中で最も好ましい方
法であるが、この方法の実施装置は第１図に示すように
真空容器（１）内にグロー放ｔ′ｆ行うためマイナス側
電極（カソード）（２）及びプラス側電極（アノ−ｐ
＞ （３）が間隔をおいて設けらｎ１アノ−）″（３）
の中央凹部内に炭化水素ガスの導入口（６）とフィラメ
ント（５）が設けらｎており、導入口（６）からの炭化
水素ガスをフィラメントの発熱により熱分解すると共に
、熱電子によってこれらをイオン化し更にグロー放電に
よシイオン化を促進させようとするものである。
法であるが、この方法の実施装置は第１図に示すように
真空容器（１）内にグロー放ｔ′ｆ行うためマイナス側
電極（カソード）（２）及びプラス側電極（アノ−ｐ
＞ （３）が間隔をおいて設けらｎ１アノ−）″（３）
の中央凹部内に炭化水素ガスの導入口（６）とフィラメ
ント（５）が設けらｎており、導入口（６）からの炭化
水素ガスをフィラメントの発熱により熱分解すると共に
、熱電子によってこれらをイオン化し更にグロー放電に
よシイオン化を促進させようとするものである。
しかしこのようにアノ−Ｐの凹部下方から炭化水素ガス
を供給し、フィラメントから放出される熱電子と衝突さ
せる方法では炭化水素ガスが均一に分散さｆず熱電子と
の衝突が十分でなく、また放電電位を安定させることは
できず目的とするダイヤモンド状カーゼン膜を基板上に
均一に形成させることは困難であった。
を供給し、フィラメントから放出される熱電子と衝突さ
せる方法では炭化水素ガスが均一に分散さｆず熱電子と
の衝突が十分でなく、また放電電位を安定させることは
できず目的とするダイヤモンド状カーゼン膜を基板上に
均一に形成させることは困難であった。
本発明はこれらの欠点を解決することを目的とするも゛
ので、炭化水素ガスをアーク放電によシイオン化させ基
板上にダイヤモンド状カーゼン膜を形成させる方法にお
いて、蜂巣状の炭化水素ガス通路を備えた電極に磁界を
加えながら炭化水素ガスを装置内に供給することにより
炭化水素ガス供給口の出口付近の放電電位を一定に保つ
ことが可能となり放電電流を大きくすることができる他
、アーク放電によるイオン化率を向上させるという利点
を有する超硬質カーゼン膜の製法及びその装置を提供し
ようとするものである、 すなわち本発明の第１の発明は、真空中に炭化水素ガス
を導入し、こｔｌ−ｅアーク放電によりイオン化させ蒸
着基板上にダイヤモンＰ状カーゼン膜を形成させる方法
において、先端部が互に独立し給電極に磁界を加えなが
ら炭化水素ガスを真空装置内に供給することを特徴とす
るものであり、第２の発明は直空中に炭化水素ガスを導
入しこれをアーク放電によシイオン化させ蒸着基板上に
超硬質カーゼン膜を形成させる装ｆｔにおいて、先端部
に互に独立した蜂巣状の炭化水素ガス通路を備えた多孔
ガス供給電極とこれを囲むように電磁石を設けたことを
特徴とするものである。
ので、炭化水素ガスをアーク放電によシイオン化させ基
板上にダイヤモンド状カーゼン膜を形成させる方法にお
いて、蜂巣状の炭化水素ガス通路を備えた電極に磁界を
加えながら炭化水素ガスを装置内に供給することにより
炭化水素ガス供給口の出口付近の放電電位を一定に保つ
ことが可能となり放電電流を大きくすることができる他
、アーク放電によるイオン化率を向上させるという利点
を有する超硬質カーゼン膜の製法及びその装置を提供し
ようとするものである、 すなわち本発明の第１の発明は、真空中に炭化水素ガス
を導入し、こｔｌ−ｅアーク放電によりイオン化させ蒸
着基板上にダイヤモンＰ状カーゼン膜を形成させる方法
において、先端部が互に独立し給電極に磁界を加えなが
ら炭化水素ガスを真空装置内に供給することを特徴とす
るものであり、第２の発明は直空中に炭化水素ガスを導
入しこれをアーク放電によシイオン化させ蒸着基板上に
超硬質カーゼン膜を形成させる装ｆｔにおいて、先端部
に互に独立した蜂巣状の炭化水素ガス通路を備えた多孔
ガス供給電極とこれを囲むように電磁石を設けたことを
特徴とするものである。
本発明忙おいては、イオン化ガスが独立した複数の細長
い蜂巣状通路電極から供給されるようになっているから
放出量も均−且つ安定であム。更に従来装置のように供
給口が広い場合は、電極周辺部と供給口の中心部とでは
電位が一様でなくなる欠点があシ従って放電が不安定と
なるので放電電流を大きくとｎ、ない欠点があったので
あるが、本発明では放電が安定でありこの為放電電流を
大きくとするの・で超硬質カーボン膜が生成できる利点
がある。
い蜂巣状通路電極から供給されるようになっているから
放出量も均−且つ安定であム。更に従来装置のように供
給口が広い場合は、電極周辺部と供給口の中心部とでは
電位が一様でなくなる欠点があシ従って放電が不安定と
なるので放電電流を大きくとｎ、ない欠点があったので
あるが、本発明では放電が安定でありこの為放電電流を
大きくとするの・で超硬質カーボン膜が生成できる利点
がある。
更に多孔ガス供給電極を囲む電磁コイルから発生する磁
界により電子と熱分解ガスとの衝突回数が増えるためｗ
熱分解ガスのイオン化率は高くなる利点があるものであ
る。
界により電子と熱分解ガスとの衝突回数が増えるためｗ
熱分解ガスのイオン化率は高くなる利点があるものであ
る。
以下Ｋ、本発明を第２図の実施例装置に基いて説明する
。
。
図中ＯＱは、真空容器、αηはチャンバーであり排気系
Ｏ刊に接続されて１ｏ Ｔｏｒｒ ａ度オで高真空に
引か＃ｎ、る、（２）は基板８ｆ固定する基板ホルダー
であって陰極ｆ構成している。
Ｏ刊に接続されて１ｏ Ｔｏｒｒ ａ度オで高真空に
引か＃ｎ、る、（２）は基板８ｆ固定する基板ホルダー
であって陰極ｆ構成している。
ａｌけグリッドであ秒、陰極とけ別の電圧源ＶＣ接続さ
１ている。α４はフィラメントであり、交流電源によっ
て加熱さｎそれ自体は零電位に維持されている。０９は
金属製、多孔ガス供給電極（峰巣状通路付電極）であっ
て前記フィラメン） ０４１の直下に位置さｎ且つξｔ
ｌｆ囲繞する電磁コイルＱｌの軸中心に位置せしめら１
て設けられている。
１ている。α４はフィラメントであり、交流電源によっ
て加熱さｎそれ自体は零電位に維持されている。０９は
金属製、多孔ガス供給電極（峰巣状通路付電極）であっ
て前記フィラメン） ０４１の直下に位置さｎ且つξｔ
ｌｆ囲繞する電磁コイルＱｌの軸中心に位置せしめら１
て設けられている。
本発明において金ｐＡ製多孔ガス供給電極は、ガス噴出
方向に独立して平行な細％Ｆ６ａ’）が多数篩の巣状に
穿設されて構成されスと共にその材質はタングステン、
タンタルおよびモリブデン等の耐熱性金属である。
方向に独立して平行な細％Ｆ６ａ’）が多数篩の巣状に
穿設されて構成されスと共にその材質はタングステン、
タンタルおよびモリブデン等の耐熱性金属である。
次に、上記装置を用いて本発明方法を実施する場合につ
いて説明すると２先ずチャンバー内を１０”’ ％ｒｒ
ｔで高真空とし、バルブＱηを操作して所定流量のメタ
ンガスを導入しながら排気系（２）を調節して所定のガ
ス圧倒スば１０’Ｔｏｒｒとする。
いて説明すると２先ずチャンバー内を１０”’ ％ｒｒ
ｔで高真空とし、バルブＱηを操作して所定流量のメタ
ンガスを導入しながら排気系（２）を調節して所定のガ
ス圧倒スば１０’Ｔｏｒｒとする。
一方、電極の先端面（１’５ｂ）とフィラメントの間に
はアーク放電が行なわれており、電極面から放出さｎｐ
メタンガスは熱分解さｎると共にフィラメントからの熱
電子と衝突してプラスのイオン粒子と電子とを生ずる。
はアーク放電が行なわれており、電極面から放出さｎｐ
メタンガスは熱分解さｎると共にフィラメントからの熱
電子と衝突してプラスのイオン粒子と電子とを生ずる。
この電子は別の熱分解粒子姉衝突する。この・ような現
象を繰シ返すことによってメタンガスは熱分解さｎ分解
物質のプラスイオン粒子となる。
象を繰シ返すことによってメタンガスは熱分解さｎ分解
物質のプラスイオン粒子となる。
プラスイオン粒子はグリッドα→を通過し陰極の基板Ｓ
Ｋ加速さｊ５ながら衝突する。
Ｋ加速さｊ５ながら衝突する。
蒸着基板上にイオン化さＡた粒子が付着すると同時に付
着した膜面でスパンタリングを生じ 比較的結合エネル
ギーの小さいＣ−Ｈ結合は膜面からたたき出さｎて結合
力の強いＣ−Ｃ結合が残る。
着した膜面でスパンタリングを生じ 比較的結合エネル
ギーの小さいＣ−Ｈ結合は膜面からたたき出さｎて結合
力の強いＣ−Ｃ結合が残る。
このようにしてカーゼン膜が生成していくものと考えら
れる。
れる。
本発明において、多孔ガス供給電極の細管径は０．５〜
５ｍｍ好ましくは１〜３ＩＩＷＩがよく、またその直径
と長さの比は５以上、好ましい範囲は１０〜６０であり
、比が５以下ではアーク放電の熱によって孔が変形し易
くなる。
５ｍｍ好ましくは１〜３ＩＩＷＩがよく、またその直径
と長さの比は５以上、好ましい範囲は１０〜６０であり
、比が５以下ではアーク放電の熱によって孔が変形し易
くなる。
なお先端面（１５ｂ）の形状は曲面でも平面でもよい。
また電極への印加電圧はフィラメントに対しプラス１０
〜６０ｖであり１０Ｖ未満では安定なアーク放電が生ぜ
ず６０Ｖ を超えると放電電流が大きくなり電極の温
度が高（なり過ぎる。
〜６０ｖであり１０Ｖ未満では安定なアーク放電が生ぜ
ず６０Ｖ を超えると放電電流が大きくなり電極の温
度が高（なり過ぎる。
電磁コイル０呻による磁束密度は磁束密度が高い程炭化
水素ガスのイオン化率は高くなる上得られるカーゼン膜
の硬度も高くなるが５００ Ｇａｕｓｓ以上になるとイ
オン−７５Ｘ集束してしまうために蒸着基板の広い面積
に均一に膜を形成するのが難かしくなる。好ましい範囲
は１００〜５００ Ｇａｕｓｓである。
水素ガスのイオン化率は高くなる上得られるカーゼン膜
の硬度も高くなるが５００ Ｇａｕｓｓ以上になるとイ
オン−７５Ｘ集束してしまうために蒸着基板の広い面積
に均一に膜を形成するのが難かしくなる。好ましい範囲
は１００〜５００ Ｇａｕｓｓである。
陰極、従って蒸着基板への印加電圧は高いほど膜の形成
が出来なくなるので好ましくない。好ましい範囲は６０
０〜１，０ＯＯＶである。
が出来なくなるので好ましくない。好ましい範囲は６０
０〜１，０ＯＯＶである。
実施例１
基板に直径３０割のシリコンウェーハー＋用いた。真空
容器内１ｃＡｒガスを導入し、１０ Ｔｏｒｒとして
アーク放電を行なわせ基板の表面ｆボンノＮ ）ｌ）
した。
容器内１ｃＡｒガスを導入し、１０ Ｔｏｒｒとして
アーク放電を行なわせ基板の表面ｆボンノＮ ）ｌ）
した。
次いで、容器内のＡｒ ガスを排気してからメタンガス
を導入しガス圧を１０”Ｉ’ｏｒｒとしてアーク放電を
起させた。磁束密度Ｊｄ ４００ Ｇａ’ｕｓｓ 、基
板電圧−４００Ｖ１基板温度２００℃とした。
を導入しガス圧を１０”Ｉ’ｏｒｒとしてアーク放電を
起させた。磁束密度Ｊｄ ４００ Ｇａ’ｕｓｓ 、基
板電圧−４００Ｖ１基板温度２００℃とした。
この条件で、フィラメント０４とガス供給電極０均との
間のアーク電流を０．６ 、０．８ 、１．０ 、１．
２ 。
間のアーク電流を０．６ 、０．８ 、１．０ 、１．
２ 。
１．４Ａとして膜厚うμｍのカーボン薄膜を生成させた
。（１５Ａ ／ｊａ−） 実施例２ 基板の温度を３００℃にした以外は、実施例１と同一条
件で膜厚３μｍの薄膜を生成させた。
。（１５Ａ ／ｊａ−） 実施例２ 基板の温度を３００℃にした以外は、実施例１と同一条
件で膜厚３μｍの薄膜を生成させた。
硬度測定
上記各実施例妬よって得らｎた夫々の嘆について、寺沢
式マイクロ硬度テスター（分銅２５２、時間約１５秒）
により、ビッカース硬度を測定した結果は第３図のよう
であった。
式マイクロ硬度テスター（分銅２５２、時間約１５秒）
により、ビッカース硬度を測定した結果は第３図のよう
であった。
この図から明らかなように膜の硬度は基板の温度が高い
方が硬くなること、アーク電流に極大値があることが知
られる。
方が硬くなること、アーク電流に極大値があることが知
られる。
実施例５
基板に直径１０％のＭｆＯ板を用い、基板温度３００℃
磁束密度４００Ｇａｕｓｓ 、アーク電流１、ＯＡ基
板電圧−４００ｖとして、膜厚３００Ａのものを作製し
た。
磁束密度４００Ｇａｕｓｓ 、アーク電流１、ＯＡ基
板電圧−４００ｖとして、膜厚３００Ａのものを作製し
た。
この蒸着基板のＭｇＯを塩酸で溶解除去し、残った膜片
をメツシュにとって、加速電圧２００ＫＶで電子線回折
による結晶解析を行った。
をメツシュにとって、加速電圧２００ＫＶで電子線回折
による結晶解析を行った。
なお、面間隔を定めるためにｋｆ膜を標準試料とした。
得らｎた各結晶面の面間隔は第１表のようであってダイ
ヤモンドの面間隔と略一致しておへ更Ｋ（２００）面、
（２２２）面等の回折が出ていないことなどからこの蒸
着膜はダイヤモンＰ状カーゼン膜であることがわかる。
ヤモンドの面間隔と略一致しておへ更Ｋ（２００）面、
（２２２）面等の回折が出ていないことなどからこの蒸
着膜はダイヤモンＰ状カーゼン膜であることがわかる。
なお、放電電流１．ＯＡの蒸着膜についてＥｓ０Ａによ
多結合エネルギーを測定するとダイヤモンドの微結晶か
ら構成さｎていることが明らかである。
多結合エネルギーを測定するとダイヤモンドの微結晶か
ら構成さｎていることが明らかである。
第１表
第１図は従来のイオン化蒸着装置の断面図、第２図は本
発明に用いた装置の実施例断面図、第３図はアーク放電
電流と生成膜の硬度との関係を示すグラフである。 αＱ・・・蜂巣状多孔ガス供給電極、Ｑ時・・・を磁コ
、イル翰・・・細管 ７−２放倉脣憂 （Ａ） オ ２ 図 手続補正書 昭和５８年５月３叶 特許庁長官 若杉 和 夫殿 ■、事件の表示 昭和５８年特許願第 ４６９４０ 号２、発明の名称 超硬質カーボン膜の製法及びその装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都八王子市片倉町９１１−５０氏名
難波義捷 ４、代理人 ５、補正命令の日付け （自効６、補正により
増加する発明の数 ナシ７、補正の対象 明細書中の、発明の詳細な説明、図面の簡単な説明の各
欄、及び図面ＯＩＩす。 補正書 １、明細書の第４頁下から３行目に「直空中」とあるの
を、「真空中」と補正する。 ２、明細書の第６頁第１１〜１３行目に［電極は、・・
・構成されると共に」とあるのを１次の通り補正する。 「電極（１５）は、その先端部（１５ａ）にガス噴出方
向に向は且つ独立して平行な炭化水素ガス通路（２０）
を多数蜂巣状に穿設すると共に先端部（１５ａ）内部に
炭化水素ガス通路（２０）をガス管路（１６）に連通さ
せる空洞室（１５ｃ）を形成して構成され、」３、明細
書の第８頁下から２行目の「導入」とある前に、［ガス
管路（１Ｂ）を介して」を挿入する。 ４、明細書の第７頁下から４行目に「細管径」とあるの
を、「炭化水素ガス通路（２０）の孔径ｊと補正する。 ５、明細書の第８頁第１１〜１２行目に「生成させた。 （１５Ａ ／ｓｐａ ） Ｊとあるのを、「形成させた
。蒸着速度は１５ Ｘ／ｓｅａであった。」と補正する
。 ６、明細書の第８頁第１５行目に「生成」とあるのを、
「形成」と補正する。 ７、明細書の第１０頁第８行目にｒ’Ｍｇ０Ｊとあるの
を、ｒＭｐｏ」と補正する。 ８、明細書の第１０頁下から３行目に「の蒸着膜」とあ
るのを、「で形成した蒸着膜ｊと補正する。 ８、明細書の第１０頁下から２行目に「測定すると」と
あるのを、「測定した結果からもその膜は」と補正する
。 １０、明細書の第１１頁最下行目にｒ（２０）、・・・
細管」とあるのを、 ｒ（２０）・・・炭化水素ガス
通路Ｊと補正する。 １１、図面中の竿２図を別紙のように補正する。 以 上 才 ２ｇｌ
発明に用いた装置の実施例断面図、第３図はアーク放電
電流と生成膜の硬度との関係を示すグラフである。 αＱ・・・蜂巣状多孔ガス供給電極、Ｑ時・・・を磁コ
、イル翰・・・細管 ７−２放倉脣憂 （Ａ） オ ２ 図 手続補正書 昭和５８年５月３叶 特許庁長官 若杉 和 夫殿 ■、事件の表示 昭和５８年特許願第 ４６９４０ 号２、発明の名称 超硬質カーボン膜の製法及びその装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都八王子市片倉町９１１−５０氏名
難波義捷 ４、代理人 ５、補正命令の日付け （自効６、補正により
増加する発明の数 ナシ７、補正の対象 明細書中の、発明の詳細な説明、図面の簡単な説明の各
欄、及び図面ＯＩＩす。 補正書 １、明細書の第４頁下から３行目に「直空中」とあるの
を、「真空中」と補正する。 ２、明細書の第６頁第１１〜１３行目に［電極は、・・
・構成されると共に」とあるのを１次の通り補正する。 「電極（１５）は、その先端部（１５ａ）にガス噴出方
向に向は且つ独立して平行な炭化水素ガス通路（２０）
を多数蜂巣状に穿設すると共に先端部（１５ａ）内部に
炭化水素ガス通路（２０）をガス管路（１６）に連通さ
せる空洞室（１５ｃ）を形成して構成され、」３、明細
書の第８頁下から２行目の「導入」とある前に、［ガス
管路（１Ｂ）を介して」を挿入する。 ４、明細書の第７頁下から４行目に「細管径」とあるの
を、「炭化水素ガス通路（２０）の孔径ｊと補正する。 ５、明細書の第８頁第１１〜１２行目に「生成させた。 （１５Ａ ／ｓｐａ ） Ｊとあるのを、「形成させた
。蒸着速度は１５ Ｘ／ｓｅａであった。」と補正する
。 ６、明細書の第８頁第１５行目に「生成」とあるのを、
「形成」と補正する。 ７、明細書の第１０頁第８行目にｒ’Ｍｇ０Ｊとあるの
を、ｒＭｐｏ」と補正する。 ８、明細書の第１０頁下から３行目に「の蒸着膜」とあ
るのを、「で形成した蒸着膜ｊと補正する。 ８、明細書の第１０頁下から２行目に「測定すると」と
あるのを、「測定した結果からもその膜は」と補正する
。 １０、明細書の第１１頁最下行目にｒ（２０）、・・・
細管」とあるのを、 ｒ（２０）・・・炭化水素ガス
通路Ｊと補正する。 １１、図面中の竿２図を別紙のように補正する。 以 上 才 ２ｇｌ
Claims (2)
- （１）真空中に炭化水素ガスを導入し、こｔＬｆアーク
放電によりイオン化させ蒸着基板上に硬質カーｆン膜を
形成させる方法において、先端部が互に独立した蜂巣状
の炭化水素ガス通路を備えた多孔ガス供給電極に磁界を
加えながら炭化水素ガスを真空装置内に供給することを
特徴とする超硬質カーゼン膜の製法。 - （２）真空中を炭化水素ガスを導入し、こ゛ｔ１．ｆア
ーク放電によりイオン化させ蒸着基板上に超硬質カーボ
ン膜を形成させる装置において、先端部に互に独立した
蜂巣状の炭化水素ガス通路を備えた多孔ガス供給電極と
こｎを囲むように電磁石を設けたことｆ特徴とする超硬
質カーボン膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046940A JPS59174507A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 超硬質カ−ボン膜の製法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046940A JPS59174507A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 超硬質カ−ボン膜の製法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59174507A true JPS59174507A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12761310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58046940A Pending JPS59174507A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 超硬質カ−ボン膜の製法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59174507A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60118693A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-26 | Mitsubishi Metal Corp | ダイヤモンドの低圧合成方法 |
| JPS61101493A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-20 | ジヨ−ジ ガ−ゲリ− マ−クル | 立方体炭素 |
| FR2592874A1 (fr) * | 1986-01-14 | 1987-07-17 | Centre Nat Rech Scient | Procede pour tremper un objet en verre ou vitreux et objet ainsi trempe |
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