JPS59200233A - ポジ型レジスト - Google Patents
ポジ型レジストInfo
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- JPS59200233A JPS59200233A JP7413083A JP7413083A JPS59200233A JP S59200233 A JPS59200233 A JP S59200233A JP 7413083 A JP7413083 A JP 7413083A JP 7413083 A JP7413083 A JP 7413083A JP S59200233 A JPS59200233 A JP S59200233A
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- resol
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- type resist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G75/20—Polysulfones
- C08G75/205—Copolymers of sulfur dioxide with unsaturated organic compounds
- C08G75/22—Copolymers of sulfur dioxide with unsaturated aliphatic compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
- C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L81/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L81/06—Polysulfones; Polyethersulfones
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子線やＸ線などの放射線に高感度で、睨臘
後に均一な膜を形成し、耐ドライエツチング性に僅れた
ポジ型レジストに関するものでりる。
後に均一な膜を形成し、耐ドライエツチング性に僅れた
ポジ型レジストに関するものでりる。
ＩＣやＬＳＩなどの半尋体素子製造用の電子線レジスト
に対しては、これを夫際の微細加工に使用するには、次
の（１）〜（４）の性状’を満足することが請求される
。
に対しては、これを夫際の微細加工に使用するには、次
の（１）〜（４）の性状’を満足することが請求される
。
（１）電子線に高感度であること
（２）高解像度でるること
（３） 耐ドライエツチング性がすぐれていること（
４）皮膜性がよいこと ′電子１保レソスト用劇料がこれまでに数多く発衣され
ているが、上記の貿求をすべて満たすものはまだ開発さ
れていない。従って、実際の工程で使用できる旨性能の
電子線レジスト用材料の出現が鷲子工業昇では強く期待
されている。また、ネガ型かポジ望かという点では、鯨
の’；＞１ｆａｔ化の１頃向か近年Ｉすｌす尚且つてい
るので、ｈ解像１良をイ杼やすいポジ抛レジストへのル
」待か’ｉ’ｆｆ、に’ＪＲ＋ イ。
４）皮膜性がよいこと ′電子１保レソスト用劇料がこれまでに数多く発衣され
ているが、上記の貿求をすべて満たすものはまだ開発さ
れていない。従って、実際の工程で使用できる旨性能の
電子線レジスト用材料の出現が鷲子工業昇では強く期待
されている。また、ネガ型かポジ望かという点では、鯨
の’；＞１ｆａｔ化の１頃向か近年Ｉすｌす尚且つてい
るので、ｈ解像１良をイ杼やすいポジ抛レジストへのル
」待か’ｉ’ｆｆ、に’ＪＲ＋ イ。
これまでに開発てれたポジ型電子粉しヅストの中では、
ポリメツクリル級メチル（Ｐ ｆｉｌｉＶＩ Ａ ）と
ポリブチ７−１−スルホン（ｐ １３ Ｓ ）が代表的
である。ｐＭ’ＭＡは簡貼揚度でｐ １３ Ｓは直感り
皮でりる炉、耐ドライエツチング性が不充分であること
が両者の欠点でりる。ポリノルボルネンスルホンＣＰＮ
Ｓ） もポジ抛レジスト用材料である。ＰＩＶＳは而
・１熱性にすぐれたポリマーでるり、従って、訂１ドラ
イエツチング性が非宮によい。しかし、籾。
ポリメツクリル級メチル（Ｐ ｆｉｌｉＶＩ Ａ ）と
ポリブチ７−１−スルホン（ｐ １３ Ｓ ）が代表的
である。ｐＭ’ＭＡは簡貼揚度でｐ １３ Ｓは直感り
皮でりる炉、耐ドライエツチング性が不充分であること
が両者の欠点でりる。ポリノルボルネンスルホンＣＰＮ
Ｓ） もポジ抛レジスト用材料である。ＰＩＶＳは而
・１熱性にすぐれたポリマーでるり、従って、訂１ドラ
イエツチング性が非宮によい。しかし、籾。
像抜に残股面が不均一になるという致命的な欠陥があり
かつ感度があまシ高くないので、ＰＮＳも実際の工程に
使用する上で滴足すべきレソスト材料といりこができな
い。
かつ感度があまシ高くないので、ＰＮＳも実際の工程に
使用する上で滴足すべきレソスト材料といりこができな
い。
従って、本発明の目的は、Ｐ７ＶＳと向等のすぐれた面
ｊドライエツチング性を有し、現像後に均一な膜をプレ
成し、ＰＡＳよシも感度が高いボヅ型電子線しヅスト用
材料を提供するにある。
ｊドライエツチング性を有し、現像後に均一な膜をプレ
成し、ＰＡＳよシも感度が高いボヅ型電子線しヅスト用
材料を提供するにある。
上記本発明の目的は
（ａ）下記一般式で示される基本年位をその分子骨格中
に肩する重合体 （ここでＲは爪桓址たは炭素数１〜２０の１７．化７ｉ
（素残依） と （ｂ＋ レゾール型フェノール１．Ｌｊ脂との反しシ
、生成物を必須成分として含ＹＪ−ポジ魂レジストによ
って混成１５才上る。
に肩する重合体 （ここでＲは爪桓址たは炭素数１〜２０の１７．化７ｉ
（素残依） と （ｂ＋ レゾール型フェノール１．Ｌｊ脂との反しシ
、生成物を必須成分として含ＹＪ−ポジ魂レジストによ
って混成１５才上る。
本冗明の（ａ）の市／ｃ３−坏（１、煎属′−１ダ式（
ここで１７は水素又は炭素ん乙１〜２０の炭化水系残基
） で示さｉする化合り勿楠＝にＲが水系又はアルキル花で
めるアルキリデンビシクロヘプテンたとえ（：Ｊ：メチ
リデンビシクロへブテン、エチリデンビシクロへブテン
、プロピリデンビンクロヘプテンと５Ｏ２−Ｉｆ共升合
させることによシ句らしるものである。
ここで１７は水素又は炭素ん乙１〜２０の炭化水系残基
） で示さｉする化合り勿楠＝にＲが水系又はアルキル花で
めるアルキリデンビシクロヘプテンたとえ（：Ｊ：メチ
リデンビシクロへブテン、エチリデンビシクロへブテン
、プロピリデンビンクロヘプテンと５Ｏ２−Ｉｆ共升合
させることによシ句らしるものである。
この共重合の１．（」ｉ媒としては通常ラジカル触媒を
用い（７，、ｇ −； ｏ ｏ°Ｃ〜１００℃、好まし
くは一５０℃〜０°Ｃで行なわれる。この場合、単量体
として厨；ｆ１文２〜２０のオレフィン性炭素−炭紫二
重結合娑刊する化合物を共仔させることもできる。
用い（７，、ｇ −； ｏ ｏ°Ｃ〜１００℃、好まし
くは一５０℃〜０°Ｃで行なわれる。この場合、単量体
として厨；ｆ１文２〜２０のオレフィン性炭素−炭紫二
重結合娑刊する化合物を共仔させることもできる。
こｉ’Ｌらのオレフィン類ハ、たとえは、エチレン、プ
ロピレン、ブテン、ぺブテン、ヘキセン、シクロペンテ
ン、シクロヘキセン、スチレンなとの一種又は二柚り、
上のものである。
ロピレン、ブテン、ぺブテン、ヘキセン、シクロペンテ
ン、シクロヘキセン、スチレンなとの一種又は二柚り、
上のものである。
こ肚しの万レフイン類は前記式（１）で示される化合物
の５０車ｔｔ％以下で使用することか好葦しい。
の５０車ｔｔ％以下で使用することか好葦しい。
こ７Ｌらのオレフィンを用い７こ振合は、（ａ）の重合
体と（〜て÷オレフィンー５Ｏ２→単位が七の分子骨格
中に一部挿入された共箪合体が付られる。
体と（〜て÷オレフィンー５Ｏ２→単位が七の分子骨格
中に一部挿入された共箪合体が付られる。
これらの共孟合体はいわゆるポリスルホンに属するもの
である。ポリスルホンの脅威法として知ら扛る仙の方法
、例えばポリスルフィドの酸化によって上記の共重合体
を置載１して用いることもできる。
である。ポリスルホンの脅威法として知ら扛る仙の方法
、例えばポリスルフィドの酸化によって上記の共重合体
を置載１して用いることもできる。
これら共逮合１４辺の分子量としては、通常数平均分子
数量１万〜ｉｏｏ刀のもの、好ましくは５万〜５０万の
ものが本発明の反尾・に閃用できる。
数量１万〜ｉｏｏ刀のもの、好ましくは５万〜５０万の
ものが本発明の反尾・に閃用できる。
４＝元明の（ｂ）の化合物はレゾール型フェノール剥月
盲で、−級の「１」威のレゾール型りエノール＜］−ｊ
Ｊｌｉ、’＋はすべて本発明の反応に閃へっできるか
、上記（ａ）り共：［・合１４−とのイ１．ＩＦθ性忙
整應すると、ｐ匠がＣ１〜Ｃ゛１２、好ましくはＣ３〜
Ｃ０のアルキル基で置俣されたアルキルフェノールン０
えばアーターシャリグテルフェノール、わるいはｐ−イ
ソプロピルフェノール等ヲフェノール励成分として使用
して製造され１こものかり子青しい。
盲で、−級の「１」威のレゾール型りエノール＜］−ｊ
Ｊｌｉ、’＋はすべて本発明の反応に閃へっできるか
、上記（ａ）り共：［・合１４−とのイ１．ＩＦθ性忙
整應すると、ｐ匠がＣ１〜Ｃ゛１２、好ましくはＣ３〜
Ｃ０のアルキル基で置俣されたアルキルフェノールン０
えばアーターシャリグテルフェノール、わるいはｐ−イ
ソプロピルフェノール等ヲフェノール励成分として使用
して製造され１こものかり子青しい。
（α）の共に９台本と（ｂ）のレノ゛−ル型フェノール
４匍月旨との反応は、通常両名を一定量ずつ含む溶液′
ｆ：調製し、これをたとえばシリコンウェハーなとの基
板上に墜顔しだ抜に力Ｄｙｓすることによって行われる
。
４匍月旨との反応は、通常両名を一定量ずつ含む溶液′
ｆ：調製し、これをたとえばシリコンウェハーなとの基
板上に墜顔しだ抜に力Ｄｙｓすることによって行われる
。
両者の比を（α）／（ｂ） ＝ ２ ／ ８〜８／′２
のイ七囲で変えても、反尾、によって生成するレジスト
用材料の性質に本質的な差が生ずることはなく、この範
囲が好誼しく採ハ」できる。Ｎ省ケ浴解する瀝剤はすべ
て本発明の反応の、容剤として便用ｒｉｆ屹−Ｃめるが
、クロロホルム・シクロヘキサノン・テトラハイドロフ
ラン・ジオキツンなとか好ましい。溶液を垂板にｍｌ亜
した後に加熱する訊反は１２０〜２００℃、好２ Ｌ
＜は１４０〜１６０℃である。加熱時１ｉ３］は１０分
以上でおれば不質的な効果に差はないが、反応の進行厩
と作粟効率から３０〜１２０分が好ましい。反応の雰囲
気としては窒素などの不活性気体が望奮しいが、空気中
で行ってもよい。 舒５ｎＣ１２・２Ｈ
２０などの反応促進剤を加えるとともできる。
のイ七囲で変えても、反尾、によって生成するレジスト
用材料の性質に本質的な差が生ずることはなく、この範
囲が好誼しく採ハ」できる。Ｎ省ケ浴解する瀝剤はすべ
て本発明の反応の、容剤として便用ｒｉｆ屹−Ｃめるが
、クロロホルム・シクロヘキサノン・テトラハイドロフ
ラン・ジオキツンなとか好ましい。溶液を垂板にｍｌ亜
した後に加熱する訊反は１２０〜２００℃、好２ Ｌ
＜は１４０〜１６０℃である。加熱時１ｉ３］は１０分
以上でおれば不質的な効果に差はないが、反応の進行厩
と作粟効率から３０〜１２０分が好ましい。反応の雰囲
気としては窒素などの不活性気体が望奮しいが、空気中
で行ってもよい。 舒５ｎＣ１２・２Ｈ
２０などの反応促進剤を加えるとともできる。
上記の反応の鯖っ呆、ｂ板上の塗膜は浴剤に不溶となる
。今発すｊの（α）と（ｂ）との反応慎横の詳細は明ら
かではないが、（ａ）の共重合体中に存在する特殊位通
のｊ浸苑−炭素の三爪結合７Ｉλレゾール型フェノール
っＩｒ１派と反ｉ１’、、し７てクロマン猿ヲ形成する
こと、によシ橋かけポリマーが生成するものと推定され
る。
。今発すｊの（α）と（ｂ）との反応慎横の詳細は明ら
かではないが、（ａ）の共重合体中に存在する特殊位通
のｊ浸苑−炭素の三爪結合７Ｉλレゾール型フェノール
っＩｒ１派と反ｉ１’、、し７てクロマン猿ヲ形成する
こと、によシ橋かけポリマーが生成するものと推定され
る。
本発明のレジスＨ’ｆ−（ａ）の重合俸と（ｂ）のレゾ
ール型ンエノール・；司脂葡俗ン前しグこ浴液全ａｉｒ
Ｍ己７ｆ、１１度及び”Ｉ、」’ ｉ’ｉｊｊ加、’
４：Ａして石液甲で（ａ）の里合体と（ｂ）のレソ−ル
型フェノール樹脂を反Ｌ６窩ぜ、この反応生成物を３“
む浴液ケ恭板上に１布ターることによっても形成できる
が、ケ゛ル成分が生ノａし、基板上への均一な妨布が困
（萬１であるから、目ＩＪ−己のように、（α）と（ｂ
）との混合物を基板上に傷布し、その後反応芒せる方法
が好ましい。
ール型ンエノール・；司脂葡俗ン前しグこ浴液全ａｉｒ
Ｍ己７ｆ、１１度及び”Ｉ、」’ ｉ’ｉｊｊ加、’
４：Ａして石液甲で（ａ）の里合体と（ｂ）のレソ−ル
型フェノール樹脂を反Ｌ６窩ぜ、この反応生成物を３“
む浴液ケ恭板上に１布ターることによっても形成できる
が、ケ゛ル成分が生ノａし、基板上への均一な妨布が困
（萬１であるから、目ＩＪ−己のように、（α）と（ｂ
）との混合物を基板上に傷布し、その後反応芒せる方法
が好ましい。
本発明（／Ｊ ；ｒｒジ牡Ｊレジスト欠孟１１］−され
た補佐は迫常の方法で電子線等により露光さね、露光さ
れた部分だけのレジス）・材が分解されて目的が遠戚さ
れる。
た補佐は迫常の方法で電子線等により露光さね、露光さ
れた部分だけのレジス）・材が分解されて目的が遠戚さ
れる。
電子線ｒぎ先後の現像液としてはクロロホルム・シクロ
ヘキサノン・テトラハイドロフラン・ジオキザンン１と
が・ｋ用できる。
ヘキサノン・テトラハイドロフラン・ジオキザンン１と
が・ｋ用できる。
イ・が−明のレヅスト用ン喘゛料には、ｐＮＳと同等の
丁ぐれた血土ドライエツチング性を７日しなδ゛かつ現
１以佐の残ろｌｊシが支）−で２しると（八うｌ［、・
土、；がある。こしＱよ、（ａ）の涛；合１２ＩＱと（
ｂ）のレゾール型フェノ−／ｌ／ 樹ｌｊｉ：とｉ反す
己迎ぜることによってタノめて′に現でれる。
丁ぐれた血土ドライエツチング性を７日しなδ゛かつ現
１以佐の残ろｌｊシが支）−で２しると（八うｌ［、・
土、；がある。こしＱよ、（ａ）の涛；合１２ＩＱと（
ｂ）のレゾール型フェノ−／ｌ／ 樹ｌｊｉ：とｉ反す
己迎ぜることによってタノめて′に現でれる。
（α）と（ｂ）を含む酢液を・基板に配布したたけて反
しを行っていない塗膜では、現覆後不均−な番【が生成
する。木兄し」の材料の感度がＰム′Ｓニジも＋ｐ＋ｊ
いのは、露光部分のか府・注が良好でりるのと同時に（
ａ）と（ｂ）との反Ｌｆ又によって不溶・堅固な股が形
成されるので、電子７ｉ露うＣ後に、ｌ） Ｎ Ｓの場
合よシも溶解性の大きい溶剤を現像液として使用できる
ためでりる。
しを行っていない塗膜では、現覆後不均−な番【が生成
する。木兄し」の材料の感度がＰム′Ｓニジも＋ｐ＋ｊ
いのは、露光部分のか府・注が良好でりるのと同時に（
ａ）と（ｂ）との反Ｌｆ又によって不溶・堅固な股が形
成されるので、電子７ｉ露うＣ後に、ｌ） Ｎ Ｓの場
合よシも溶解性の大きい溶剤を現像液として使用できる
ためでりる。
不発明の１ノーを以下にろトげるか、本Ｚ９ Ｗ’ｔは
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
実施例
（１） エチリデンビシク口ヘプ７ン（ＥＥＥ）−Ｓ
Ｏ２共重合体の合成 １５００ｙｄのシクロヘキザノンに溶解したＥＢＨ６３
，４？ （０，５３脩ｏｌ）とｔ−プナルノ１イドロ
バー万キサイド０．４７４Ｍ’ （０，５３Ｘ１０−２
ｍｏｌ）の混合物を、撹拌機を取ｐ付けた２ｔの三つロ
フラスコに張シ込んだ。低温バスでフラスコを冷却しな
がら内容Ｖ／Ｊを攪拌することによって、内温を一２０
℃に保つ。次いで二酸化硫黄３３．８ｙ （ｏ、 ｓ゛
３ｍｏｌ ）を少量ずつ吹き込んで重合を行った。−２
０℃で１時間重合した後に重合油を１０ｔのメタノール
中に滴下すると、白色のポリマーが析出した。このポリ
マーをクロロホルムＶＣ溶解してメタノール中に再沈さ
せることによシ精製した。５０℃で２４時間減圧乾燥す
ると、ポリマー７Ｚ３＋？ （収率７５．０係）が得ら
れた。
Ｏ２共重合体の合成 １５００ｙｄのシクロヘキザノンに溶解したＥＢＨ６３
，４？ （０，５３脩ｏｌ）とｔ−プナルノ１イドロ
バー万キサイド０．４７４Ｍ’ （０，５３Ｘ１０−２
ｍｏｌ）の混合物を、撹拌機を取ｐ付けた２ｔの三つロ
フラスコに張シ込んだ。低温バスでフラスコを冷却しな
がら内容Ｖ／Ｊを攪拌することによって、内温を一２０
℃に保つ。次いで二酸化硫黄３３．８ｙ （ｏ、 ｓ゛
３ｍｏｌ ）を少量ずつ吹き込んで重合を行った。−２
０℃で１時間重合した後に重合油を１０ｔのメタノール
中に滴下すると、白色のポリマーが析出した。このポリ
マーをクロロホルムＶＣ溶解してメタノール中に再沈さ
せることによシ精製した。５０℃で２４時間減圧乾燥す
ると、ポリマー７Ｚ３＋？ （収率７５．０係）が得ら
れた。
元素分析とＮＭＲ，ＩＲ分胡により、このポリマーがＥ
ＢＩＩと二酸化硫黄のｌ／ｌの交互共重合体であること
を確認した。ポリスチレンを基準とするＧｐＣ分析で分
子量を求めると、Ｍｎ：１６ＸＩＯ’、＆Ｍ：２４０Ｘ
ｌＯ’であった。
ＢＩＩと二酸化硫黄のｌ／ｌの交互共重合体であること
を確認した。ポリスチレンを基準とするＧｐＣ分析で分
子量を求めると、Ｍｎ：１６ＸＩＯ’、＆Ｍ：２４０Ｘ
ｌＯ’であった。
（２）比較例で使用するポリノルボルネンスルホン（Ｐ
ＩＶＳ） の合成 前記（１１のＥＢＨの代わりにノルボルネンを使用して
ＰＮＳｆ合成した。収率は７３％、＃？Ｌ：２２×１０
４、Ｍｗ：５３×１０４で、６つだ。
ＩＶＳ） の合成 前記（１１のＥＢＨの代わりにノルボルネンを使用して
ＰＮＳｆ合成した。収率は７３％、＃？Ｌ：２２×１０
４、Ｍｗ：５３×１０４で、６つだ。
（３） レジスト材料としての評価
レゾール型フェノール樹脂とＥＢＨ−二酸化硫黄コポリ
マーを重量で１／１の比で含む固型分濃度１０旦・加熱
のシクロヘキサノン溶液を調製した。
マーを重量で１／１の比で含む固型分濃度１０旦・加熱
のシクロヘキサノン溶液を調製した。
使用したレゾール型フェノール１ｍｔ脂は昭和ユニオン
（株）製のＣＫＭ−１６３４でｐ位が０４のアルキル丞
でｆ？Ｌｉ換されてい、る。対照サンプルとして、ＥＢ
ｊｌ−二酸化硫黄コポリマー、ＰＩＶＳ、ＰＡｆ７１１
Ａの各々のシクロヘキサノン播液を固型分１０雅量係で
調製した。
（株）製のＣＫＭ−１６３４でｐ位が０４のアルキル丞
でｆ？Ｌｉ換されてい、る。対照サンプルとして、ＥＢ
ｊｌ−二酸化硫黄コポリマー、ＰＩＶＳ、ＰＡｆ７１１
Ａの各々のシクロヘキサノン播液を固型分１０雅量係で
調製した。
これらの溶成をシリコンウェハー上に１０転！コミ布機
を用いて約Ｊ、０μｍの厚さに堕イ１ｊシた欽に、泣累
い一換された・図温槽中で１６０℃の温度で１晩・１０
」加熱した。
を用いて約Ｊ、０μｍの厚さに堕イ１ｊシた欽に、泣累
い一換された・図温槽中で１６０℃の温度で１晩・１０
」加熱した。
電子線鮨光は日本電子（抹） ＪＪＪの泪丘型′電子、
−：４微ＩＭｔ使用し、加速電圧ｘＯＫＶの条件で行っ
た。
−：４微ＩＭｔ使用し、加速電圧ｘＯＫＶの条件で行っ
た。
露光後、初全十に応じた我像液によって現イ＝’ｙ’、
ｌ、、ｊ］更厚の変化を干渉顕微鏡を用いて測走し１
こ・路元工σと膜厚の変化の関係から特性面１１′「成
してレジスト材料の電子−に対する感度を決足し１ヒ。
ｌ、、ｊ］更厚の変化を干渉顕微鏡を用いて測走し１
こ・路元工σと膜厚の変化の関係から特性面１１′「成
してレジスト材料の電子−に対する感度を決足し１ヒ。
レジスト材料の必装性状の一つで必る現像後の膜の均一
性をこの時に観県した。
性をこの時に観県した。
塗膜の耐ドライエツチング性は、ヤマト科学（株）製の
プラズマ反応器を用いて￥′ｆ価した。ガスは（、’Ｆ
４．真空度α９０ ｔｏｒｒ、使用電力３００ｉＶであ
る。
プラズマ反応器を用いて￥′ｆ価した。ガスは（、’Ｆ
４．真空度α９０ ｔｏｒｒ、使用電力３００ｉＶであ
る。
性能評価の結果を猥１と、添付図面の第１図及び第２図
に示す。不発明の材料（ａと辰示）は対照＜ｂ、ｃ及び
ｄと衣示）に比べ現像後に均一な膜をプ影成しｐｓｓと
同等のすぐれた血十ドライエッナング・注をもち、かつ
ｐｎｓよりも感度が旨いことがわ刀）る。
に示す。不発明の材料（ａと辰示）は対照＜ｂ、ｃ及び
ｄと衣示）に比べ現像後に均一な膜をプ影成しｐｓｓと
同等のすぐれた血十ドライエッナング・注をもち、かつ
ｐｎｓよりも感度が旨いことがわ刀）る。
実施例２
（１） ＥＢｔｌ−１−ヘキセン−５Ｏ２三元共夏合
体の合成 １５００ｉｆのシクロヘキサノシ溶屓しｆｃＥＢＨ４８
、Ｏｒ （０，４０ｍｏｌ）と１−ヘキセン１６．８１
ｉ’（０，２０ｍｏｌ ）とｔ−プチルパーオキザイド
０，５４ Ｆ （０，６Ｘ Ｉ ０−２ｒｒｒ、Ｏｌ
）の混付物金、４１の三つロフラスコに張シ込牟、同υ
、ｈを一２０℃に保゛らながら二数化０°ｒｌｃ黄３８
．４９ （０，６０ｍｏｌ）ｆ吹き込んで１時間面合し
た。実施例１と同体に：ｒｒｆ城乾沫すると、日仏で、
ｉｉｎ：２０ｘｌＯ’、Ｍｗ：６１ Ｘ Ｉ Ｏ’のポ
リマーが収率８１．２％で侮られた。
体の合成 １５００ｉｆのシクロヘキサノシ溶屓しｆｃＥＢＨ４８
、Ｏｒ （０，４０ｍｏｌ）と１−ヘキセン１６．８１
ｉ’（０，２０ｍｏｌ ）とｔ−プチルパーオキザイド
０，５４ Ｆ （０，６Ｘ Ｉ ０−２ｒｒｒ、Ｏｌ
）の混付物金、４１の三つロフラスコに張シ込牟、同υ
、ｈを一２０℃に保゛らながら二数化０°ｒｌｃ黄３８
．４９ （０，６０ｍｏｌ）ｆ吹き込んで１時間面合し
た。実施例１と同体に：ｒｒｆ城乾沫すると、日仏で、
ｉｉｎ：２０ｘｌＯ’、Ｍｗ：６１ Ｘ Ｉ Ｏ’のポ
リマーが収率８１．２％で侮られた。
（２） レジストｌ科としての゛評１曲実施＋Ｕ ｌ
で用いたと同じレゾール型フェノール４ｇコ脂と上記の
ターポリマーをＭ１畑でｌ ／ ｌの比で含む固型ガの
第度りＯ庶梃チのシクロヘキサノン溶液′！ｌ−詭製し
た。実施例１と同球にシリコンウェハーに塗布した後に
１６０℃で１時同加熱した。性能評価法もり’ニー、’
ｌ’＝ｉ例１と全く同様でおる。結果を表２に示す。
で用いたと同じレゾール型フェノール４ｇコ脂と上記の
ターポリマーをＭ１畑でｌ ／ ｌの比で含む固型ガの
第度りＯ庶梃チのシクロヘキサノン溶液′！ｌ−詭製し
た。実施例１と同球にシリコンウェハーに塗布した後に
１６０℃で１時同加熱した。性能評価法もり’ニー、’
ｌ’＝ｉ例１と全く同様でおる。結果を表２に示す。
とのターポリマーの揚台にも本発明の材料（ｅ）はすぐ
れた性能を示すことがわかる。
れた性能を示すことがわかる。
表２
イ奈イ＝、＋ ：メ１面ば本発明のレジスト材イ叫の１
王１ｊ雇Ｃ１÷３のレジスト材１コ）と対比し２て示す
曲線であり、第１Ｉ、４は、レジスト材料の感度特注を
規′ｉ着化１４７．．＋厚と類、子綜露光量の関５１り
で示し、針５２図は耐ドライエツチング（４，’ｔプラ
ズマエツチングｉｌ存１日ｊとエツチング）Δノさの間
係て示す。 外１名 手続補正書 昭和５８年７月４日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １事件の表示 特ｌＩＡ昭５８−７４１３０号 ２、発明の名称 ボッ型レノスト ３ 補正をする老 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区西ｇＴ倫−丁目３番１２号４代
理 人〒１０７ ほか１名 ｉＤ 本願明細書の特許請求の範囲の記載を次のとお
り訂正する。 「１．（α）下記一般式で示される基本単位をその分子
骨格中に有する重合体 （式中Ｒは水素または炭素数１〜２０の炭化水素残基を
表わす） と （ｂ） レゾール型フェノール樹脂との反応生成物を
必須成分として有することを特徴とするポジ型しソスト
。 ２ （α）の重合体がアルキリデンピンクロヘグテ
、６ンとＳＯ２の共重合体である特ｄ１−請
−求の範囲１記載のレノスト。 ３（ａ）の重合体がアルキリテンピンクロヘゾテン、炭
素数２〜２０のオレフィン性炭素−炭素二重結合を有す
る化合物およびＳＯ２の共重合体である特許請求の範囲
１記躯のレノスト。ｊ（２） 同ＩＯ頁１行の「レノ
スト材」の記載を「レノスト」 に訂正する。 一２４′ −
王１ｊ雇Ｃ１÷３のレジスト材１コ）と対比し２て示す
曲線であり、第１Ｉ、４は、レジスト材料の感度特注を
規′ｉ着化１４７．．＋厚と類、子綜露光量の関５１り
で示し、針５２図は耐ドライエツチング（４，’ｔプラ
ズマエツチングｉｌ存１日ｊとエツチング）Δノさの間
係て示す。 外１名 手続補正書 昭和５８年７月４日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １事件の表示 特ｌＩＡ昭５８−７４１３０号 ２、発明の名称 ボッ型レノスト ３ 補正をする老 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区西ｇＴ倫−丁目３番１２号４代
理 人〒１０７ ほか１名 ｉＤ 本願明細書の特許請求の範囲の記載を次のとお
り訂正する。 「１．（α）下記一般式で示される基本単位をその分子
骨格中に有する重合体 （式中Ｒは水素または炭素数１〜２０の炭化水素残基を
表わす） と （ｂ） レゾール型フェノール樹脂との反応生成物を
必須成分として有することを特徴とするポジ型しソスト
。 ２ （α）の重合体がアルキリデンピンクロヘグテ
、６ンとＳＯ２の共重合体である特ｄ１−請
−求の範囲１記載のレノスト。 ３（ａ）の重合体がアルキリテンピンクロヘゾテン、炭
素数２〜２０のオレフィン性炭素−炭素二重結合を有す
る化合物およびＳＯ２の共重合体である特許請求の範囲
１記躯のレノスト。ｊ（２） 同ＩＯ頁１行の「レノ
スト材」の記載を「レノスト」 に訂正する。 一２４′ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（α）下記一般式で示される基本単位をその分子骨
格中に有する重合体 − （式中Ｒは水系または炭素数１〜２ｏの炭化水素残基を
表わす） と （ｂ）レソール型フェノール樹脂との反Ｌ６生成物を必
須成分として有することｆ： Ｑ、ｒ徴とするポジ型レ
ジスト。 λ （α）の重合体がアルキリデンビシクロヘプテンと
ＳＯ７の共重合体である特許請求の範囲１記載のレジス
ト。 ３、（α）の重合体がアルキリデンビシクロヘプテン、
炭素数２〜２０のオレフィン性炭素＝炭素結合を有する
化合物およびＳＯ２の共重合体である特・許５１ｊ求の
範囲ｌ記載のレジスト。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7413083A JPS59200233A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ポジ型レジスト |
| DE19843416131 DE3416131A1 (de) | 1983-04-28 | 1984-04-27 | Auf elektronenbestrahlung positiv wirkender stoff |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7413083A JPS59200233A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ポジ型レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200233A true JPS59200233A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13538297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7413083A Pending JPS59200233A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ポジ型レジスト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200233A (ja) |
| DE (1) | DE3416131A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060207A (en) * | 1994-07-11 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive material |
| JPH11286549A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-10-19 | Canon Inc | 感光性樹脂及び該感光性樹脂を用いたレジスト、該レジストを用いた露光装置及び露光方法及び該露光方法で得られた半導体装置 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7413083A patent/JPS59200233A/ja active Pending
-
1984
- 1984-04-27 DE DE19843416131 patent/DE3416131A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3416131A1 (de) | 1984-11-22 |
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