JPS59199543A - 光フアイバプリフオ−ムの製造方法 - Google Patents
光フアイバプリフオ−ムの製造方法Info
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- JPS59199543A JPS59199543A JP59075683A JP7568384A JPS59199543A JP S59199543 A JPS59199543 A JP S59199543A JP 59075683 A JP59075683 A JP 59075683A JP 7568384 A JP7568384 A JP 7568384A JP S59199543 A JPS59199543 A JP S59199543A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバプリフォームの製造方法に関し、特
にＡブヂカルコアの全体及び通常少なくとｉ：）Ａブチ
カルクラットの一部分を形成するガラスが基体管の孔に
無水素気相１］ｆ：槓反応の生成物どしてｉｆｔ梢され
、その後堆積物は孔が中実化する間塩素ガスからなる又
は塩素カスを含む雰囲気にざらされる製造方法において
水酸基の況入■を下げることに関りる。
にＡブヂカルコアの全体及び通常少なくとｉ：）Ａブチ
カルクラットの一部分を形成するガラスが基体管の孔に
無水素気相１］ｆ：槓反応の生成物どしてｉｆｔ梢され
、その後堆積物は孔が中実化する間塩素ガスからなる又
は塩素カスを含む雰囲気にざらされる製造方法において
水酸基の況入■を下げることに関りる。
この型の製造法においては、堆積中及び中実化の過程の
両方で基体管の孔中の雰囲気は、製造されたプリフオー
ムから引ぎ延ばざれる光ファイバの水酸基性不純物を決
定側けるので゛重要である。
両方で基体管の孔中の雰囲気は、製造されたプリフオー
ムから引ぎ延ばざれる光ファイバの水酸基性不純物を決
定側けるので゛重要である。
堆積中に孔内に入るりＭ型的な反応物は、酸素，四塩化
ケイ素，四塩化ゲルマニウム，少量の他の塩゛化物又は
Δキシ塩化リン等のＡキシ塩化物，フッ索及び場合にＪ
ζリヘリウムである。中東化中は゛雰囲気は典型的には
塩素及び酸素を含み、四塩化ゲルマニウムをも含みえ、
場合によりヘリウムを含む、１公称上は乾燥した反応物
が使用されるとはいえ、物質中又はそのキャリアガス中
の不純物に由来するか、又は系中に漏れ入った水分を含
む人気に由来する残存量の水蒸気が存在リ−る。
ケイ素，四塩化ゲルマニウム，少量の他の塩゛化物又は
Δキシ塩化リン等のＡキシ塩化物，フッ索及び場合にＪ
ζリヘリウムである。中東化中は゛雰囲気は典型的には
塩素及び酸素を含み、四塩化ゲルマニウムをも含みえ、
場合によりヘリウムを含む、１公称上は乾燥した反応物
が使用されるとはいえ、物質中又はそのキャリアガス中
の不純物に由来するか、又は系中に漏れ入った水分を含
む人気に由来する残存量の水蒸気が存在リ−る。
基体管の孔内の雰囲気中に水蒸気がある場合、ガラスの
表面を通って水蒸気の拡散が起こり、後にカラス中の水
蒸気は反応を起こしで水酸Ｍ結合を生じる。水酸Ｊル結
合の吸収帯は望ましくない光学的１員失を牛じさ１！る
。
表面を通って水蒸気の拡散が起こり、後にカラス中の水
蒸気は反応を起こしで水酸Ｍ結合を生じる。水酸Ｊル結
合の吸収帯は望ましくない光学的１員失を牛じさ１！る
。
ＪＩ＃槓中は塩化物の存在により次の可逆反応にＪ、る
平衡が典型的な耳１拍温度では右にかたよるため雰囲気
は乾燥しがらである。
平衡が典型的な耳１拍温度では右にかたよるため雰囲気
は乾燥しがらである。
３ ｉ （／ ｅ ｌ 十 ト１ ２
ｏ；＝’ｓｉ ０ ２ Ｆ ／ ｌ−１ ｃ
ｊ２しかし、気相に４３いてこの反応は４００℃以下の
温度では罪名１にゆっくりとしか進まないことがわかっ
ている。温度が上昇して反応がより急速に始まる場合で
も、ＳｉＯＨｃ北３の如き水酸化物が形成される傾向が
まずある。これらの水酸化物が塩化水素形成により水素
を除去するような別の反応をｔ！−Ｖ”、ｊ（ｌ積管表
面に吸収され又はｊｉＩ．梢１シ応にＪ、りつくられた
粒子中に取込まれてから表面に堆積づると、水素は結局
はガラス中に取込まれて上記と同様望ましくない損失の
もととなる。
ｏ；＝’ｓｉ ０ ２ Ｆ ／ ｌ−１ ｃ
ｊ２しかし、気相に４３いてこの反応は４００℃以下の
温度では罪名１にゆっくりとしか進まないことがわかっ
ている。温度が上昇して反応がより急速に始まる場合で
も、ＳｉＯＨｃ北３の如き水酸化物が形成される傾向が
まずある。これらの水酸化物が塩化水素形成により水素
を除去するような別の反応をｔ！−Ｖ”、ｊ（ｌ積管表
面に吸収され又はｊｉＩ．梢１シ応にＪ、りつくられた
粒子中に取込まれてから表面に堆積づると、水素は結局
はガラス中に取込まれて上記と同様望ましくない損失の
もととなる。
したがって、ｉｌｌｌｌ間気中に反応物のあることが乾
燥に効果があるにしかかわらず、この乾燥は完全に効果
的であるには非常に不充分である。
燥に効果があるにしかかわらず、この乾燥は完全に効果
的であるには非常に不充分である。
中実化において酸素の雰囲気中に塩素を加えることは次
の反応のため乾燥に効果がある。
の反応のため乾燥に効果がある。
２ Ｃ Ｉ？− ２ １ １−１ ２
０ ；”Ｉ Ｈ Ｃ ｅ ＋ ０ ２
しかし、この反応も反応速度が遅いため乾燥は完全に効
果的であるには非常に不充分Ｃ゛ある。
０ ；”Ｉ Ｈ Ｃ ｅ ＋ ０ ２
しかし、この反応も反応速度が遅いため乾燥は完全に効
果的であるには非常に不充分Ｃ゛ある。
本発明によれば、基体管の軸方向に移動り−る局部高温
域で促進される気相反応の生成物である１一一ビングさ
れた二酸化ケイ素にＪ、り基体管の孔を被覆する段階と
、次いで孔が中実化ざれる間１１を槓物を塩素からなる
又は塩素を含む雰囲気に曝露づる段階とからなり、上記
反応はハロゲン化りイ素及び１又は複数の他のハロゲン
化物又はＡキシハロゲン化物の直接酸化反応で水素及び
イの化合物が除去される反応であり、高温域の全移動範
囲の上流で反応物は反応物と残存水分との間の加水分解
反応を促進して反応物を乾燥リ−るのには充分だが何ら
かの目立った直接的酸化を促進りるには不充分な温度に
まで予熱される光ファイバブリフオームの製造方法が提
供される。
域で促進される気相反応の生成物である１一一ビングさ
れた二酸化ケイ素にＪ、り基体管の孔を被覆する段階と
、次いで孔が中実化ざれる間１１を槓物を塩素からなる
又は塩素を含む雰囲気に曝露づる段階とからなり、上記
反応はハロゲン化りイ素及び１又は複数の他のハロゲン
化物又はＡキシハロゲン化物の直接酸化反応で水素及び
イの化合物が除去される反応であり、高温域の全移動範
囲の上流で反応物は反応物と残存水分との間の加水分解
反応を促進して反応物を乾燥リ−るのには充分だが何ら
かの目立った直接的酸化を促進りるには不充分な温度に
まで予熱される光ファイバブリフオームの製造方法が提
供される。
また本発明によれば、基体管の１１１方向に移動づる局
部高温域でｆｉｆ進され四塩化ケイ素及び１又は複数の
他の元素のハ［」グン化物又は′Ａ：１シバ［二１ゲン
化物のｉｉｓ＋接酸化反応ｃ′あり水素及び−ぞの化合
物が除去される反応である気相反応の生成物であるドー
ピングされた二酸化ケイ素で基体管の孔を被覆りる段階
と、孔の中実化が被覆管の軸方向に移動する局部高温域
で行なわれる間被覆を塩素ガスに１りＨ’、４ｊ７中実
化中塩素からなる又は塩素を含むガス流は艙°の孔が長
手方向のある個所で完全に閉鎖されＣ１，！’ｒ：Ｅど
められるまで維持される段階と、孔中実生高温域の全移
動範囲の上流でカス流は１０００°０以−１−であるが
下流の孔中実化高渇域の最高温度Ｊ、すし実質的に低い
ｄＷ度にまで予熱される段階とから４１′る九ノフイバ
ブリフΔ−ムの製造方法が１（？供される。。
部高温域でｆｉｆ進され四塩化ケイ素及び１又は複数の
他の元素のハ［」グン化物又は′Ａ：１シバ［二１ゲン
化物のｉｉｓ＋接酸化反応ｃ′あり水素及び−ぞの化合
物が除去される反応である気相反応の生成物であるドー
ピングされた二酸化ケイ素で基体管の孔を被覆りる段階
と、孔の中実化が被覆管の軸方向に移動する局部高温域
で行なわれる間被覆を塩素ガスに１りＨ’、４ｊ７中実
化中塩素からなる又は塩素を含むガス流は艙°の孔が長
手方向のある個所で完全に閉鎖されＣ１，！’ｒ：Ｅど
められるまで維持される段階と、孔中実生高温域の全移
動範囲の上流でカス流は１０００°０以−１−であるが
下流の孔中実化高渇域の最高温度Ｊ、すし実質的に低い
ｄＷ度にまで予熱される段階とから４１′る九ノフイバ
ブリフΔ−ムの製造方法が１（？供される。。
Ｊ（１，’ｔｓｌ及び／又は中実化中に予熱を？＞なう
と、水分混入に由来りろ水分を管の材料内又は管の内側
を被覆りる月利内に取込まれる以前に塩化水素の形−（
質から除去りる反応を促進させることでファイバプリー
ツオーム中の最終的な水酸基分が有効に減少される。
と、水分混入に由来りろ水分を管の材料内又は管の内側
を被覆りる月利内に取込まれる以前に塩化水素の形−（
質から除去りる反応を促進させることでファイバプリー
ツオーム中の最終的な水酸基分が有効に減少される。
以下本発明の好ましい実施例による光ツノ′イバフリフ
ォームの製造方法を説明りる。このブリフオームから得
られたファイバの光学的性能は、予熱をしない点で本発
明と異なる方法により製造されたファイバと明確に異な
る。
ォームの製造方法を説明りる。このブリフオームから得
られたファイバの光学的性能は、予熱をしない点で本発
明と異なる方法により製造されたファイバと明確に異な
る。
以下図面を参照するに、二酸化ケイ素製であり典型的に
は長さ約１■で径が２０ｍｍに１（３ｍｍのガラス基体
管は、同期しつつ駆動される主軸台及び心押し台１１及
び１２を有する特殊な旋盤に取イ・」（プられる前に注
意深く洗浄され乾燥される。キＡ７リアガスに運ばれる
蒸気及びガスは熱気１へレイン（図示しず）から制御さ
れた割合で供給され気密回転シール（図示せず）を通っ
て管１０の一１１ｈｂ台端に導かれる。旋盤には固定し
た第１の酸水素バーブ１３と、第１のバーナの下流にあ
る２点間を往復移動づる第２のバーナ１４が設けられて
いる。
は長さ約１■で径が２０ｍｍに１（３ｍｍのガラス基体
管は、同期しつつ駆動される主軸台及び心押し台１１及
び１２を有する特殊な旋盤に取イ・」（プられる前に注
意深く洗浄され乾燥される。キＡ７リアガスに運ばれる
蒸気及びガスは熱気１へレイン（図示しず）から制御さ
れた割合で供給され気密回転シール（図示せず）を通っ
て管１０の一１１ｈｂ台端に導かれる。旋盤には固定し
た第１の酸水素バーブ１３と、第１のバーナの下流にあ
る２点間を往復移動づる第２のバーナ１４が設けられて
いる。
第１のバーナ１３は管内温度を約１０００℃とづるＪ、
う調節されでおり、第２のバーナは堆積のために管内温
度を典型的には１５００〜１６００°Ｃの範囲どりるよ
う調節され（いる（それぞれの場合対Ｉ芯づる管の外表
面温度は管内温度より約１００°Ｃ高い〉。
う調節されでおり、第２のバーナは堆積のために管内温
度を典型的には１５００〜１６００°Ｃの範囲どりるよ
う調節され（いる（それぞれの場合対Ｉ芯づる管の外表
面温度は管内温度より約１００°Ｃ高い〉。
１１１槓反応は酸素ど、ケイ素及び所望のドーパント元
素の塩化物又はオキシ塩化物との直接的酸化反応でｄう
る。窄温ではこの反応は自然には進５Ｌないが、第２の
バーナにＪこる局部的高温域における熱の作用により促
進される。生成物は、（主軸台端から心押し合端への）
ガス流の方向にバーナ１４が一回縦断ηる度に一層が形
成されてできた一連の層として堆積り−る。この縦断移
動は層が軸方向一様なＪ！ｊＩさを右するようゆ゛つく
りどした慎重に制御＋された速さで行なわれる一力、管
はその軸を中心にしてゆっくり回転するので周方向の厚
さが一様（こなる。各層の１ａ積が完了Ｊるごとに、バ
ーナ１４は目立った１１を槓を起こさＶない低い温度＜
”−に重唱に復帰り−るよう弱められる。
素の塩化物又はオキシ塩化物との直接的酸化反応でｄう
る。窄温ではこの反応は自然には進５Ｌないが、第２の
バーナにＪこる局部的高温域における熱の作用により促
進される。生成物は、（主軸台端から心押し合端への）
ガス流の方向にバーナ１４が一回縦断ηる度に一層が形
成されてできた一連の層として堆積り−る。この縦断移
動は層が軸方向一様なＪ！ｊＩさを右するようゆ゛つく
りどした慎重に制御＋された速さで行なわれる一力、管
はその軸を中心にしてゆっくり回転するので周方向の厚
さが一様（こなる。各層の１ａ積が完了Ｊるごとに、バ
ーナ１４は目立った１１を槓を起こさＶない低い温度＜
”−に重唱に復帰り−るよう弱められる。
Ｍ梢される最初の数層は通常、完成したプリフオームか
ら得られるファイバのオプチカルクラッドを形成りる拐
買である。次いで反応物成分は、以後のＦ；の１．ｆｌ
槓がＡブヂカルコアの材質となるＪ、う変えられる。ク
ラツド材の１ａ槓の前に、不純物が基イホ管からクラッ
ド月へ及びクラッド月１）冒らＡブチカルコア祠へと拡
散するのを減少させるため陣壁層月をＪｆｌ槓さけても
よい。
ら得られるファイバのオプチカルクラッドを形成りる拐
買である。次いで反応物成分は、以後のＦ；の１．ｆｌ
槓がＡブヂカルコアの材質となるＪ、う変えられる。ク
ラツド材の１ａ槓の前に、不純物が基イホ管からクラッ
ド月へ及びクラッド月１）冒らＡブチカルコア祠へと拡
散するのを減少させるため陣壁層月をＪｆｌ槓さけても
よい。
Ｊ（１槓段階の完了後、管の外表面で２０００℃程度。
内表面ではそれより約１ｏｏ℃低い温度と覆る高温の加
熱を行な・うよう調整されＩζバーナ流重重第２のバー
ナ１４を１回又は複数回縦断さけることで孔の中実化を
行なう。これは表面張力効果にＪ、り中実化が始まる程
度にまで管を゛軟化さけるのに充分である。典型的には
２回縦断するだけで孔の完全な中火化が起こる。孔を封
止し管を通るガスの連続流を止めるため、封止が心押し
台から始まり一レ１１１合端の蒸気１へレインの方向へ
伝わってぃ＜ 、Ｉう縦断の方向が逆転される。中実化
過程の初期段階中は、酸素、塩素及び場合により若干の
四塩化ゲルマニウムが管の封止によりゼきとめられるま
で維持される。酸素は部分的な還元が起ころうとするの
を防ぎ、塩素は残留水分と反応して塩化水素となること
で残留水分を除去づる乾燥剤とじで有用（゛あり、四塩
化ゲルマニウムはゲルマニウムを牛成りるよう酸素と反
応することで芯材からゲルマニウムか気化しＣ失４ｆわ
れるのを防ぐ。
熱を行な・うよう調整されＩζバーナ流重重第２のバー
ナ１４を１回又は複数回縦断さけることで孔の中実化を
行なう。これは表面張力効果にＪ、り中実化が始まる程
度にまで管を゛軟化さけるのに充分である。典型的には
２回縦断するだけで孔の完全な中火化が起こる。孔を封
止し管を通るガスの連続流を止めるため、封止が心押し
台から始まり一レ１１１合端の蒸気１へレインの方向へ
伝わってぃ＜ 、Ｉう縦断の方向が逆転される。中実化
過程の初期段階中は、酸素、塩素及び場合により若干の
四塩化ゲルマニウムが管の封止によりゼきとめられるま
で維持される。酸素は部分的な還元が起ころうとするの
を防ぎ、塩素は残留水分と反応して塩化水素となること
で残留水分を除去づる乾燥剤とじで有用（゛あり、四塩
化ゲルマニウムはゲルマニウムを牛成りるよう酸素と反
応することで芯材からゲルマニウムか気化しＣ失４ｆわ
れるのを防ぐ。
例えは １．３８ミクロン程麻の波長で働くよう設ｊｌ
された甲−ヒードファイバ用の７′リフオームを製造す
る場合には、ゲルマニウム及びリンの酸化物でドーピン
グされた二酸化ケイ素がオプヂカルクンツドを形成する
よう約２．５ｇ／分の割合で用偵され、イの後に堆積条
件はゲルマニウムのみでドーピングされた二酸化ケイ素
からなる芯材の層を形成づるように僅かに変更される。
された甲−ヒードファイバ用の７′リフオームを製造す
る場合には、ゲルマニウム及びリンの酸化物でドーピン
グされた二酸化ケイ素がオプヂカルクンツドを形成する
よう約２．５ｇ／分の割合で用偵され、イの後に堆積条
件はゲルマニウムのみでドーピングされた二酸化ケイ素
からなる芯材の層を形成づるように僅かに変更される。
高純度の四塩化クイ素、四塩化ゲルマニウム及びオＶシ
塩化リンが原料反応物として使用された。
塩化リンが原料反応物として使用された。
四塩化９イ索の１〜リク［１０シラン不純物分は１０乃
芋２０１）ｌ）ｍであった。残留水分が約”＋ ｐｐｍ
により′乾燥された酸素がキＡ７リアガスとして使用さ
れ、二酸化り一イ素管の水酸重分は１５０ｐｐｍ程度で
あった。
芋２０１）ｌ）ｍであった。残留水分が約”＋ ｐｐｍ
により′乾燥された酸素がキＡ７リアガスとして使用さ
れ、二酸化り一イ素管の水酸重分は１５０ｐｐｍ程度で
あった。
被覆管の孔の中実化は、酸素及び塩素の内部雰囲気を使
用し２回の縦断により行なわれた。中実化過程の１回目
の縦断では孔を通る流量は２００ｃｃ７７分の酸素及び
１ｏｏｃｃ ／分の塩素であった。
用し２回の縦断により行なわれた。中実化過程の１回目
の縦断では孔を通る流量は２００ｃｃ７７分の酸素及び
１ｏｏｃｃ ／分の塩素であった。
できあがったブリフＡ−−ムがら、聞［１数０．１３の
光ファイバが外径１２５ミク〔１ンど＜ｆｆｉるにう紡
糸され、ファイバ紡糸工程とオンラインして２５０ミク
ロンの径となるようシリコンで被覆された。
光ファイバが外径１２５ミク〔１ンど＜ｆｆｉるにう紡
糸され、ファイバ紡糸工程とオンラインして２５０ミク
ロンの径となるようシリコンで被覆された。
波長１．３８ミクロンでの減衰の測定の結果、損失は１
〜２ｄＢ／ｋｍであった。ｊ（［積の前に反応物を予熱
し中実化中の予熱を行なう第１のバーブ１３に点火しな
い以外は略同−の条件で製造したプリフォームから１Ｕ
らｈ；ｃ同様のファイバについて比較測定をしたところ
、この波長にお（プる損失の平均値は４．４Ｊ ／ ｋ
ｍであった。
〜２ｄＢ／ｋｍであった。ｊ（［積の前に反応物を予熱
し中実化中の予熱を行なう第１のバーブ１３に点火しな
い以外は略同−の条件で製造したプリフォームから１Ｕ
らｈ；ｃ同様のファイバについて比較測定をしたところ
、この波長にお（プる損失の平均値は４．４Ｊ ／ ｋ
ｍであった。
図は堆梢過稈中の旋盤に取付けられ７ｊ基体管を概略的
に示す図である。 １０・・・管、１１・・・主軸台、１２・・・心押し台
、１３・・・第１のバーナ、１４・・・第２のバーナ。
に示す図である。 １０・・・管、１１・・・主軸台、１２・・・心押し台
、１３・・・第１のバーナ、１４・・・第２のバーナ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ｌｔ体管の１１１Ｉ１１方向に移動する局部
高温域で促進される気相反応の生成物であるドーピング
された二酸化ケイ素により基体管の孔を被覆する段階と
、孔が中実化される間堆積物を塩素からなる又はｔ、ｊ
素を含む雰囲気に＠露する段階とからなり、該反応はハ
ロゲン化ケイ素及び１又は複数の他のハロゲン化物又は
オキシハロゲン化物の直接酸化反応で水素及びその化合
物が除去される反応であり、高温域の全移動範囲の上流
で反応物は反応物と残存水分との間の加水分解反応を促
進して反応物を乾燥づるのには充分だが何らかの目立っ
た直接的酸化を促進リ−るには不充分な温度にまで予熱
される光ファイパブリフＡ−ムの製造方法。 （２）ハロゲン化ケイ素は塩化ケイ素であることを特徴
とする特泊諸求の範囲第１項記載の製造方法。 （３） 反応物の予熱は基体管中で行なわれることを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の製造
方法。 （４） 反応物の予熱は１０００°Ｃ以上の温度によ
で′加熱されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第３項のいずれか１項に記載の製造方法。 ６）基体管の軸方向に移動する局部高温域で促進され四
塩化ケイ素及び１又は複数の他の元素のハロゲン化物又
はオキシハロゲン化物の直接酸化反応であり水素及びそ
の化合物が除去される反応である気相反応の生成物であ
るドーピングされた二酸化ケイ素で基体管の孔を被覆す
る段階と、孔の中実化が被覆管の軸ｌｊ向に移動づ−る
局部高温域で行なわれる間被覆を塩素力スに曝露し中実
化中塩素からなる又はｍ素を含むカス流は管の孔が長手
方向のある個所で完全に閉鎖されてＶきとめられるまで
維持される段階と、孔中実生高温域の全移動範囲の上流
でガス流は１０００℃以上であるが下流の孔中実生高温
域の最１ａ渇１廊よりｂ実質的に低い温度にまで予熱さ
れる段階とからなる光フアイバプリフォームの製造方法
。 ６） 孔中実生高温域の上流での予熱は基体管中Ｃ１“
］−イｔわれることを特徴とする特許請求の範囲り）５
項記載の製造方法、。 （７） 歯接酸化堆積反応は特許請求の範囲第１項乃
至第４項のいずれか１項に記載された方法で行なわれる
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項又は第６項に記
載の製造方法。 （８） 特許請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか
１項に記載の製造方法で製造された光ファイパブリフォ
ーム３、 （１〕） 特１．′［請求の範囲第８項に記載のプリ
フオームから得られた光ファイバ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08310274A GB2138416B (en) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | Optical fibre preform manufacture |
| GB8310274 | 1983-04-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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