JPS5919892B2 - 集束型光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents

集束型光フアイバ母材の製造方法

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JPS5919892B2
JPS5919892B2 JP12068379A JP12068379A JPS5919892B2 JP S5919892 B2 JPS5919892 B2 JP S5919892B2 JP 12068379 A JP12068379 A JP 12068379A JP 12068379 A JP12068379 A JP 12068379A JP S5919892 B2 JPS5919892 B2 JP S5919892B2
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克之 井本
正雄 角
宏司 石田
庸雄 菅沼
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Hitachi Ltd
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Hitachi Cable Ltd
Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 集束型光ファイバ母材の製法の一つとして、1本の同心
多重管バーナを用いる方法が知られている。
この方法は、第1図に示すように、同心多重管バーナ1
の第1、第2ノズルより組成の異なるガラス原料のガス
をArをキャリヤガスとして、また第3ノズルよりAr
)第4ノズルよりH2、第5ノズルよ■)O2をそれぞ
れ噴出させる。(中心のノズルを第1ノズル、外側に向
い第2、第3・・・ノズルとする)そして酸水素炎中で
屈折率制御用ドーパントを拡散させることにより、半径
方向にドーパント濃度の分布したガラス微粒子を合成し
、これを軸方向に堆積させていくことにより煤状ガラス
の円柱体6を作る方法である。この方法で集束型光ファ
イバ母材を作るには、バーナの寸法、原料組成、原料ガ
スおよびAr、H2、O2ガスの供給速度、バーナと煤
堆積表面との間隔を最適に設定しなければならない。と
ころが、バーナ寸法、原料ガスおよびAr、H2、O2
ガスの供給速度、バーナと煤堆積表面との間隔はーー義
的に決まつてしまい、最適な屈折率分布を得ることと、
ターゲット上へのガラス煤の堆積収量を最良にすること
の両方を満足させることはむずかしいという問題点があ
る。本発明はプロセス変量を増やすことによつて制御の
自由度を多くし、最適な屈折率分布を得るこ・ とと、
ターゲット上へのガラス煤の堆積収量を最良にすること
の両方を満足させる方法を提供することにある。
また、副次的効果として、プロセスの安定度を上げ、再
現性良く集束型光フアイバ母材を作製する方法も提供す
るものである。本発明の集束型光フアイバ母材の製造方
法は、同心多重管バーナの炎の径方向拡がり量を制御す
ることによつて炎中のドーパントの拡がり量を制御する
ことを特徴とするものである。
バーナの炎の径方向拡が)量を制御する方法として、上
記バーナの外周にバーナの炎を保護する管を設け、その
管を炎の軸方向に調節するものである。あるいはバーナ
と保護管のすき間から炎の発生方向に沿つてガスを流し
、そのガス流量を調節する方法である。本発明の概念図
を第2図に示しこれを以下に説明する。
第2図はバーナ1の外周に保護管7を設けたものである
この保護管7は動力伝達装置8によつて炎の軸方向9(
あるいは9′方向)へ移動できるようになつている。1
0はバーナと保護管の移動を容易にするベアリングであ
る。
保護管7がない場合にはガラス煤堆積表面の位置はバー
ナノズル出口部からtlのところで最適な集束型分布に
なる。ところが保護管7を設けることにより、最適な集
束型分布を形成するガラス煤堆積表面はバーナノズル出
口部からtl+T2の位置となり、炎の軸方向へT,だ
け長くなる。その結果、ターゲツトへ衝突して飛散する
ガラス煤の量が減少し、ターゲツトへのガラス煤の堆積
収率が良くなる。また、炎を保護管で保護しているので
、外部のじよう乱による炎のゆらぎを抑えることができ
る。第3図は炎の拡がり量を制御する保護管として、.
−炎の発生方向にテーパ状に径が拡がつた管7′を用い
た場合である。この場合のT,″はT2′くT,となる
。第4図はバーナ1と保護管7″のすき間から炎の発生
方向に沿つて矢印11,1「の方向にガ5スを流すよう
にして炎の径方向拡がク量を制御する方法を示したもの
である。
このガスは酸化性ガス、不活性ガス、あるいはガラス原
料を含んだ上記ガス、さらには上記ガスを混合したガス
などを用いることができる。このガス流量は、多い場合
4には炎の径方向拡がり量を大きく制御できるが、あま
り多すぎるとガラス煤ロツド6の外周部を冷やすことに
なり、均一なガラス煤ロツドを作成する点から考えると
あまり好ましくない。その流量値は同心多重管バーナ1
の第5ノズルから噴射させる02ガス流量値と同程度の
値が好ましい。矢印11から送り込むガスにガラス原料
を含んだガスを用いる場合には、光フアイバのクラツド
材となるガス、たとえば、BBr,,Cct2F,を含
んだガスを用いる。なお、第4図の場合の保護管75″
は炎の軸方向に長く延長させてガラス煤ロツド6をおお
うようにしてもよい。この場合には、外部のじよう乱に
よる炎のゆらぎをほぼ完全に抑制することができる。保
護管の材質は石英ガラス、バイコールガラスなどのガラ
ス製のもの、またはセラミツクスなどの磁器製のもの、
さらにはステンレスなどの金属製のものでもよい。次に
具体的実施例について述べる。
第1図において、第1ノズルにArガスをキヤリヤガス
としてSict4,Gect,,POcム の蒸気をそ
れぞ粗 300CC/11Tk,l5O工/I5lOO
CC/―を送り込んだ。
第2ノズルにArガスをキヤリヤガスとしてSiCt,
,BBr,の蒸気をそれぞれ300工/―,130CC
/―を送う込んだ。第3ノズルには3t/―のArガス
を送り、第4ノズルにはH,ガスを5t/―、第5ノズ
ルには0,ガスを10t/―送り込んだ。そして外径2
0wnの石英ロツドからなるターゲツトを50rpmの
速度で矢印3方向に回転させながら矢印4方向に6wm
/11Tkの速度で引上げ、約80mの外径を有するガ
ラス煤ロツド6を得た。なお、バーナ1の径は20T!
Rlnである。次に第2図に示すように、バーナ1の外
周に上記バーナの外径の約2倍の大きさの内径を有する
石英ガラス保護管7(第2図、第3図、第4図に訃ける
保護管7,7′,7″の外径は縮小して示してある)を
設け、また保護管をバーナノズル1の出口部からT,の
ところまで突出させ、T2をパラメータにして第1図の
場合と同一条件でガラス煤ロツドを作成した。その結果
、T2が約7c1nで、最適な集束型分布を得た。しか
も、第1図の場合に比し、堆積収率が約1.2倍大きく
なつた。また、上記方法で作成した光フアイバのベース
バンド周波数特性を測定した結果、第1図}よび第2図
の場合もほぼ同程度の帯域幅であつたが、第1図の場合
にはその周波数特性に階段上の変曲部がみられ、第2図
の特性よりも卦とつていた。これは第1図の場合には外
部のじよう乱によつて軸方向の屈折率ゆらぎが生じたこ
とによるものと考えられる。第4図の装置に}いて、テ
ーパ型保護管7″″のガスの流れ出る側の内径をバーナ
の外径の約9倍の大きさにし、かつT2″=oとし、さ
らに矢印11方向から02ガスを4t/Min流しなが
ら第1図の場合と同一のバーナ条件でガラス煤ロツドを
堆積させた。
その結果、外径の変動がほとんどないガラス煤ロツドを
堆積させることができ、またバーナノズル出口部からガ
ラス煤ロツドの堆積表面までの間隔を第1図の場合に比
し、約1.2倍大きくできた。そして堆積収率も約1.
05倍大きくなつた。本発明は上記実施例に限定されな
い。
すなわち、ガラス原料は上記・・ロゲン化物以外に、水
素化物、アルキル化物からなるシリコン化合物卦よび屈
折率制御用化合物を用いることができる。またガラス原
料はガス状以外に、液体の状態で噴射させてもよい。バ
ーナは5重管構造に限定されない。矢印11方向から送
り込むガスは予め加熱して卦いたガスを送り込んでもよ
い。第2,3図に示す保護管の軸方向への突出し量t1
は0よりも大きな任意の値に設定することができるが、
外部のじよう乱による炎のゆらぎを抑制するためには出
来るだけ大きい値が好ましい。保護管のテーパ部は部分
的に拡がつたりその逆に小さくなつていてもかまわない
。また、それらの組合せを用いてもよい。さらに保護管
の内径は小さくすればT2を大きくと江ガラス煤の堆積
収率を上げることができる。しかしあま幻小さくすると
この保護管の内側にガラス煤が堆積されたりするので好
ましくない。したがつて、保護管の内径は通常の場合、
バーナ外径の1.数倍以上が好ましい。保護管内径を大
きくすると、T2は小さくなるが、外乱のじよう乱によ
る炎のゆらぎをより効果的に低減することができる。し
たがつて保護管の内径はガラス煤ロツド6の外径よりも
2倍程度まで大きくしても本発明の効果は得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術に訃ける光フアイバ母材製造装置を説
明する概略断面図、第2図、第3図卦よび第4図はそれ
ぞれ本発明による光フアイバ母材の製造方法の実施例に
訃いて用いる装置を説明する概略断面図である。 各図において、1はバーナ、2はターゲツト、5はバー
ナの炎、6はガラス煤ロツド、7,7′訃よび77′は
保護管、8は動力伝達装置、10はベアリングである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 同心多重管バーナを用いてターゲット上にガラス煤
    を堆積し集束型光ファイバ母材を製造する方法において
    、該バーナの外周に炎中のドーパントの拡がり量を制御
    する保護管を設けかつ該バーナと該保護管のすき間から
    炎の発生方向に沿つてガスを流し、該母材が所望の集束
    型分布を有するように該保護管の先端の位置ならびに該
    ガスの流量を調節し定めてなることを特徴とする集束型
    光ファイバ母材の製造方法。 2 特許請求の範囲第1項記載の集束型光ファイバ母材
    の製造方法において、前記保護管を炎の軸方向に対して
    部分的にまたはすべてテーパ形状にすることを特徴とす
    る集束型光ファイバ母材の製造方法。
JP12068379A 1979-09-21 1979-09-21 集束型光フアイバ母材の製造方法 Expired JPS5919892B2 (ja)

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