JPS59194455A - 密封型樹脂封止半導体装置 - Google Patents
密封型樹脂封止半導体装置Info
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- JPS59194455A JPS59194455A JP58068616A JP6861683A JPS59194455A JP S59194455 A JPS59194455 A JP S59194455A JP 58068616 A JP58068616 A JP 58068616A JP 6861683 A JP6861683 A JP 6861683A JP S59194455 A JPS59194455 A JP S59194455A
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- Japan
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- resin
- heat sink
- semiconductor device
- sealed
- molded
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放熱板を樹脂材にてモールドし、リード部以外
に導電性を有する物質が露出しないようにしたな≠中手
導体装置に係るものである。
に導電性を有する物質が露出しないようにしたな≠中手
導体装置に係るものである。
一般に、樹脂封止型半導体装置は放熱板上に半導体ベレ
ットをマウントし、半導体ペレットの電極とリードとを
金属細線で電気的に接続をしてから半導体ベレット部お
よび金属細線接続部等の要部を樹脂にて封止した構造で
ある。この要部を封止する外装樹脂材は放熱板の表面に
のみ形成する形状のものや、放熱板の裏面と同一平面を
形成するようにして放熱板の裏面を露出した形状や、放
熱板の表裏面全体を覆う形状のものなど用途に応じて各
種形状のものがある。
ットをマウントし、半導体ペレットの電極とリードとを
金属細線で電気的に接続をしてから半導体ベレット部お
よび金属細線接続部等の要部を樹脂にて封止した構造で
ある。この要部を封止する外装樹脂材は放熱板の表面に
のみ形成する形状のものや、放熱板の裏面と同一平面を
形成するようにして放熱板の裏面を露出した形状や、放
熱板の表裏面全体を覆う形状のものなど用途に応じて各
種形状のものがある。
第１図はその一例を示したものであシ（ａ）は正面図（
ｂ）は側断面図である。同図（ｂ）の側断面図にて説明
すると、半導体ペレット３が取シ付けられネジ穴６を有
する放熱板１は複数本のリード２の中央の一本にそ゛の
端面一部にかしめや半田付は等の手段で電気的且つ機械
的に固定されている。リード２の他のものは放熱板１の
近傍に先端が配置され他端は反対方向に延び、外装樹脂
材５の外部に半導体ペレット３の電極を外部に導出して
いる。半導体ペレットの表面電極はそれぞれと対応する
リードと金線等の金属細線４で接続されている。放熱板
１のベレットマウント部の周辺とリード２の金属細線４
との接続部はエポキシ樹脂等の外装樹脂材５で封止され
ている。この外装樹脂材５の−部は放熱板１以外の部分
にも食み出して形成されるが、この部分では放熱板１の
裏面と同一の面を形成するように揃えである。
ｂ）は側断面図である。同図（ｂ）の側断面図にて説明
すると、半導体ペレット３が取シ付けられネジ穴６を有
する放熱板１は複数本のリード２の中央の一本にそ゛の
端面一部にかしめや半田付は等の手段で電気的且つ機械
的に固定されている。リード２の他のものは放熱板１の
近傍に先端が配置され他端は反対方向に延び、外装樹脂
材５の外部に半導体ペレット３の電極を外部に導出して
いる。半導体ペレットの表面電極はそれぞれと対応する
リードと金線等の金属細線４で接続されている。放熱板
１のベレットマウント部の周辺とリード２の金属細線４
との接続部はエポキシ樹脂等の外装樹脂材５で封止され
ている。この外装樹脂材５の−部は放熱板１以外の部分
にも食み出して形成されるが、この部分では放熱板１の
裏面と同一の面を形成するように揃えである。
この様な半導体装置を実装する場合、放熱性のよい金属
体に放熱板１をそのネジ穴６を通してネジ付けしたシ、
半田等を介して接着したシ、樹脂等の接着材にて接着す
ることがなされてきた。この様な実装状態においては金
属体と放熱板１とが電気的に接続されているため、金属
体に電界もしくは電圧・電流等が加わると放熱板１を媒
体として電界等が半導体ペレット３．にマで伝達され誤
動作の原因となったシ、程度のひどい時には半導体ベレ
ットそのものを破壊する等の事故を引き起こすことがあ
った。
体に放熱板１をそのネジ穴６を通してネジ付けしたシ、
半田等を介して接着したシ、樹脂等の接着材にて接着す
ることがなされてきた。この様な実装状態においては金
属体と放熱板１とが電気的に接続されているため、金属
体に電界もしくは電圧・電流等が加わると放熱板１を媒
体として電界等が半導体ペレット３．にマで伝達され誤
動作の原因となったシ、程度のひどい時には半導体ベレ
ットそのものを破壊する等の事故を引き起こすことがあ
った。
この様な電界等の加わる場合には、放熱板１と外部金属
体をマイカ板等の絶縁体を通して電気的接続をなくして
実装したｐ１半導体装置内に内部絶縁板を設けて放熱板
と半導体ベレットに電気的つながシをなくすなどの試み
が取られて来た。
体をマイカ板等の絶縁体を通して電気的接続をなくして
実装したｐ１半導体装置内に内部絶縁板を設けて放熱板
と半導体ベレットに電気的つながシをなくすなどの試み
が取られて来た。
本発明は特に、このような半導体ベレットと外部金属体
との電気的接続をなくした密封型樹脂封止半導体装置の
構造に関するものである。このような形式の半導体装置
では放熱板のネジ穴部近傍は薄い樹脂でおおわれている
が、この部分の樹脂と放熱板との密着強度が弱く、樹脂
がカケだシバガレだシする欠点があった。
との電気的接続をなくした密封型樹脂封止半導体装置の
構造に関するものである。このような形式の半導体装置
では放熱板のネジ穴部近傍は薄い樹脂でおおわれている
が、この部分の樹脂と放熱板との密着強度が弱く、樹脂
がカケだシバガレだシする欠点があった。
本発明の目的は、放熱板をおおう樹脂の放熱板への密着
強度の強い密封型樹脂封止半導体装置を得ることにある
。
強度の強い密封型樹脂封止半導体装置を得ることにある
。
本発明によれば、放熱板の外部取付部近傍に凹部を有し
、゛放熱板はこの凹部を含んで全体が樹脂で封止された
半導体装置を得る。また、望ましくは、放熱板の半導体
ペレット取付部およびこの半導体ベレットの電極と外部
導出リードとの接続部を第１の樹脂封止工程で樹脂封止
し、放熱板の凹部を含む他の部分を第２の樹脂封止工程
で樹脂封止して得られる。
、゛放熱板はこの凹部を含んで全体が樹脂で封止された
半導体装置を得る。また、望ましくは、放熱板の半導体
ペレット取付部およびこの半導体ベレットの電極と外部
導出リードとの接続部を第１の樹脂封止工程で樹脂封止
し、放熱板の凹部を含む他の部分を第２の樹脂封止工程
で樹脂封止して得られる。
次に、本発明を図面を参照してよル詳細に説明する。
第２図は本発明による半導体装置であり、（ａ）が正面
図、（ｂ）が側断面図である。モールド樹脂５が放熱板
１の裏面を厚さ均一でおおっている。この′ため、外部
すなわち半導体装置取付部と半導体ベレット３とはり、
−ド２を通してのみ電気的につながシを持つ構造となっ
ている。
図、（ｂ）が側断面図である。モールド樹脂５が放熱板
１の裏面を厚さ均一でおおっている。この′ため、外部
すなわち半導体装置取付部と半導体ベレット３とはり、
−ド２を通してのみ電気的につながシを持つ構造となっ
ている。
本発明による半導体装置の製造方法を第３図以下にて示
す。
す。
第３図（ａ）は本発明の一実施例に用いるベースリボン
でアシ、取付穴を形成する為の口形開口部又は凹形開口
部６を有している。また、半導体ベレット３を取付ける
部分と開口部６との間には一部開口部と重なる凹部１３
を放熱板１の裏面に有している。この状態を同図（ｂ）
により詳細に示す。
でアシ、取付穴を形成する為の口形開口部又は凹形開口
部６を有している。また、半導体ベレット３を取付ける
部分と開口部６との間には一部開口部と重なる凹部１３
を放熱板１の裏面に有している。この状態を同図（ｂ）
により詳細に示す。
まず、第３図（ａ）に示す様に、半導体ベレット３がベ
ースリボンの所定部に取シ付けられると共に、半導体ベ
レット３の電極部と各リード２とは金属細線４がおのお
のポンディングされて接続されている。このベースリボ
ンを樹脂でモールド成形するには、第４図に示す成形金
型による第一モールド成形がまずなされる。ベースリボ
ンはリード側と位置決め及び樹脂モレ防止用の突き出し
部１２と放熱板押さえ部７とによシ平行度を保たれてい
る。この状態において、リード側矢印部８を通してモー
ルド成形樹脂力４；射出され、高温高圧にて固められる
。ここで樹脂は突き出し部１．２と押さえ部７とによシ
せき止められて９の方向にもれ出すことはない。
ースリボンの所定部に取シ付けられると共に、半導体ベ
レット３の電極部と各リード２とは金属細線４がおのお
のポンディングされて接続されている。このベースリボ
ンを樹脂でモールド成形するには、第４図に示す成形金
型による第一モールド成形がまずなされる。ベースリボ
ンはリード側と位置決め及び樹脂モレ防止用の突き出し
部１２と放熱板押さえ部７とによシ平行度を保たれてい
る。この状態において、リード側矢印部８を通してモー
ルド成形樹脂力４；射出され、高温高圧にて固められる
。ここで樹脂は突き出し部１．２と押さえ部７とによシ
せき止められて９の方向にもれ出すことはない。
第５図はこの様にして第一モール亡゛成形がなされた半
導体装置の一例であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面
図である。この状態では樹脂５は凹部１３の一部をおお
っているにすぎない。
導体装置の一例であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面
図である。この状態では樹脂５は凹部１３の一部をおお
っているにすぎない。
第６図は第二モールド成形の工程を示したものであシ、
半導体素子はリード部及び第一モールド成形によ多形成
されたそ−ルド樹脂部によシ平行度を保たれている。ネ
ジ穴はネジ穴形成用金型１１によって形成される。ここ
で矢印方向よ゛シモールド成形樹脂を射出し前記同様に
成形することによシ第２図の様な密封型樹脂封止半導体
装置を形成出来る。
半導体素子はリード部及び第一モールド成形によ多形成
されたそ−ルド樹脂部によシ平行度を保たれている。ネ
ジ穴はネジ穴形成用金型１１によって形成される。ここ
で矢印方向よ゛シモールド成形樹脂を射出し前記同様に
成形することによシ第２図の様な密封型樹脂封止半導体
装置を形成出来る。
次に本発明による樹脂封止半導体装置の利点を説明する
。
。
第７図に示す様に、本発明による半導体装置は、半導体
素子部を封止する第１モールド部５と放熱板先端を封止
する第２モールド部５′とからなっている。従来の放熱
板全体を封止モールドしたものは、放熱板の外部への取
付部で樹脂の密着性及び強度が極端に弱く、微少な力が
加わっただけでもモールド部にすきまが出来たシモール
ド樹脂のカケが生じたり、ひどい場合にはモールド部が
ハガレ落ちる等の危険があった。本発明による実施例に
おいてはリード部２及び第２モールド部５′とで引っ張
って見ても第２モールド成形でモールドされた樹脂５′
が凹部の端部に引っかかシ相当の強度を持つことが出来
る。文相当の力を素子の表裏よシ加えても第１モールド
成形でモールドされた樹脂５の一部を囲んで第２モール
ド成形でモールドされた樹脂５′が成形されている構造
となっている為、十分な強度を維持している。さらに本
構造による半導体素子は放熱板１とモールド樹脂５およ
び５′との間隔が常に一定に保たれるので絶縁耐量を樹
脂５および５′の絶縁耐量で保証することが可能である
。さらに適自に熱放散の良い樹脂をモールド成形用に使
用することによシ高出力の半導体装置にも応用出来る。
素子部を封止する第１モールド部５と放熱板先端を封止
する第２モールド部５′とからなっている。従来の放熱
板全体を封止モールドしたものは、放熱板の外部への取
付部で樹脂の密着性及び強度が極端に弱く、微少な力が
加わっただけでもモールド部にすきまが出来たシモール
ド樹脂のカケが生じたり、ひどい場合にはモールド部が
ハガレ落ちる等の危険があった。本発明による実施例に
おいてはリード部２及び第２モールド部５′とで引っ張
って見ても第２モールド成形でモールドされた樹脂５′
が凹部の端部に引っかかシ相当の強度を持つことが出来
る。文相当の力を素子の表裏よシ加えても第１モールド
成形でモールドされた樹脂５の一部を囲んで第２モール
ド成形でモールドされた樹脂５′が成形されている構造
となっている為、十分な強度を維持している。さらに本
構造による半導体素子は放熱板１とモールド樹脂５およ
び５′との間隔が常に一定に保たれるので絶縁耐量を樹
脂５および５′の絶縁耐量で保証することが可能である
。さらに適自に熱放散の良い樹脂をモールド成形用に使
用することによシ高出力の半導体装置にも応用出来る。
以上により本発明ハパワートランジスタ、サイリスタ、
トライブック等の外囲器構成用に最適である。
トライブック等の外囲器構成用に最適である。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は一般的な放熱板を有する半
導体装置の平面図および断面図である。 １・・・・・・放熱板、２・・・・・・外部引き出しリ
ード、３・・・・・・半導体ペレット、４・・・・・・
リードと１極を結ぶ金属細線、５・・・・・・封止樹脂
である。 第２図（ａｌ 、 （ｂＪは本発明の一実施例による半
導体装置の平面図および断面図である。 第３図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例に用いる
ペースリボンの平面図および断面図である。 第４図は第１モールド成形の状態を示す断面図である。 １２・・・・・・樹脂モレ防止コマ、７・・・・・・平
行度を取る為の押さえ部、８・・・・・・樹脂注入部、
９・・・・・・考えられる樹脂モレ方向、１０・・・・
・・加工用金型。 第５図（ａ） 、 （ｂ）は、第一モールド状態にて取
シ出した半導体装置の平面図および断面図である。 第６図は第２モールド成形の状態を示す断面図である。 工１・・・・・・ネジ穴形成用金型。 第７図は本発明の一実施例による半導体装置に加わる力
の様子を示す図である。 （α）（ｂ） 躬１区 Ｃθ、ノ ＠ ｚ（ｇＪ （ｂジ（幻 躬
５図 （ｂ） ／ ｌθ′ ８ｂ区 ８ｑ区
導体装置の平面図および断面図である。 １・・・・・・放熱板、２・・・・・・外部引き出しリ
ード、３・・・・・・半導体ペレット、４・・・・・・
リードと１極を結ぶ金属細線、５・・・・・・封止樹脂
である。 第２図（ａｌ 、 （ｂＪは本発明の一実施例による半
導体装置の平面図および断面図である。 第３図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例に用いる
ペースリボンの平面図および断面図である。 第４図は第１モールド成形の状態を示す断面図である。 １２・・・・・・樹脂モレ防止コマ、７・・・・・・平
行度を取る為の押さえ部、８・・・・・・樹脂注入部、
９・・・・・・考えられる樹脂モレ方向、１０・・・・
・・加工用金型。 第５図（ａ） 、 （ｂ）は、第一モールド状態にて取
シ出した半導体装置の平面図および断面図である。 第６図は第２モールド成形の状態を示す断面図である。 工１・・・・・・ネジ穴形成用金型。 第７図は本発明の一実施例による半導体装置に加わる力
の様子を示す図である。 （α）（ｂ） 躬１区 Ｃθ、ノ ＠ ｚ（ｇＪ （ｂジ（幻 躬
５図 （ｂ） ／ ｌθ′ ８ｂ区 ８ｑ区
Claims (1)
- 放熱板にマウントされた半導体素子を外装樹脂材にて封
止した半導体装置において、前記放熱板の外部取付部近
傍に凹部を有し、前記放熱板はその全周が外装樹脂材に
て封止されていることを特徴とする密封型樹脂封止半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58068616A JPS59194455A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 密封型樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58068616A JPS59194455A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 密封型樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59194455A true JPS59194455A (ja) | 1984-11-05 |
Family
ID=13378864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58068616A Pending JPS59194455A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | 密封型樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59194455A (ja) |
-
1983
- 1983-04-19 JP JP58068616A patent/JPS59194455A/ja active Pending
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