JPS59193781A - レ−ザ加工方式 - Google Patents

レ−ザ加工方式

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JPS59193781A
JPS59193781A JP58067971A JP6797183A JPS59193781A JP S59193781 A JPS59193781 A JP S59193781A JP 58067971 A JP58067971 A JP 58067971A JP 6797183 A JP6797183 A JP 6797183A JP S59193781 A JPS59193781 A JP S59193781A
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JP
Japan
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groove
computer
laser
laser processing
mirror
Prior art date
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Pending
Application number
JP58067971A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP58067971A priority Critical patent/JPS59193781A/ja
Publication of JPS59193781A publication Critical patent/JPS59193781A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166Multilayered materials
    • B23K2103/172Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はレーザビームを用いて被加工面に開溝を形成
するレーザ加工方式に関する。
(1) この発明は被加工面にレーク加−1°により開溝を形成
するに際し、この前工程に、、l′Jいて形成された開
講を基準としてコンピュータ!Ii’J fall L
こより次の開溝の位置を自己整合コンピュー〜−夕・コ
ントl:I−ルド(セルフ・レジストレイジョン)的に
f火定J−るレーザ加工方式に関する。
この発明は、絶縁基板上に第1の導電性被膜よりなる第
1の電極、非単結晶半導体板INX’、さらにこの上面
に第2の導電性被膜よりなる第2の?i2極を積層して
形成する光電変換装置に関するものである。
第1の導電性波)吹を第1のレーヂスクレ・イゾ(以T
LSというう加工により所定の形状に第1の開溝を形成
してパターニングをし、さらにこの−1−面に半導体級
Nを形成して、この第1の開/1−5を基準としてそれ
と従属の形状の第2の開溝を半導体に設けたものである
さらにこの第2の開溝を形成した後、第2の導電性被膜
を形成し、第1または第2の15HJ溝を基<pSとし
てこの第2の導電性被膜と従属関係のパター(2) ンを有して第3の開溝を形成せんとするものである。
即し、本発明はレーザ加工方式において少なくとも2つ
のレーザ加工をまったく独立にパターニングを施すので
はなく、第1の開溝と従属関係を有した第2、第3の開
溝を、人間の制御を行うのではなく、コンピュータによ
ってプログラムを行うことにより、自動的に作製するこ
とを目的としでている。
従来レーザ加工方式においては、1つの開溝またはパタ
ーンを被加工面に施すことが行われていた。しかし重合
わせてパター ン形成するということはまったく行われ
ていなかった。
本発明はこの一定の処理を:lンピュ−タに予めプログ
ラムするごとにより、複数の開溝の位置、形状が無秩序
にばらついてずれが起きることな(高#’fj度で作製
することを目的としている。
本発明はこのため、第2または第3の開溝を形成する工
程中に、第1の開溝を光学的に検知しつつ行うことによ
り、さらにその精度を所定の位置(3) に列して土2ヅ以内好ましくは土し 以内に向]−さ一
部ることを目的とする。
以下に図面に従って本発明の詳細な説明−Jろ。
第1図は本発明のレージ゛加丁処理力式乙によ・乙ゾI
:lツク図である。
図面において、レーザ加工1尺(50) 414レ一ザ
光1辰機(21)にVテーフ゛ル(29)等よりなって
い・乙。
レーザ加工機(21)は1.0しのYAGレ−ヂ(+、
SJ波数1〜30KIIz、ヒー−−−ム糸10〜8ビ
例えば5ゾ、出力0.1〜聞例えばIW)を用いた。レ
ーリ°光は」リオメーータ(22)を経て、ミラー (
選択圧JIJ <i2屈)(23)より基板(1)上の
被加工面(5)に1″、る。
他方、光学的位置検出系(51) シよランプ(24)
によりハー−−フミラーー(25)より被加工面(5)
に至り、反則光がミラー (25)を通過し−(検知;
4:((26)に至る。この検知器(21)では被加]
薗]′+1での開a(18)の位置情報を検出し、」J
ンビユ−り(27)に入力される。
このコンピュータ(27)にはメ:εリ (21)にて
第2の開溝(19)の相対的な位置をゾI:]クラ広さ
く4) れているため、これと第1の加工f(1;の開溝(18
)の位置とを重合わせて第2の開溝の位置、パターンを
レーザ加工機(50)の発振機(21)に入力さける。
同様に位置をXYテーブルの制御系(29)に入力さゼ
る。かくしてごのXYテーブルのシフ1〜を完了した後
、このレーザ発振機(21> 4J第1の開溝(10)
よりIす「定の距離ずれた位−:(座標)に第゛  2
の開溝(19)を形成せしめることがiJ能となる。
ごのレーザ加工方式において、第1の開溝をたえず検知
することができるため、この第1の開溝(J8)の位置
を検知しつつ第2の開溝(1つ)の作製を実施すること
が可能となった。
第2の図は本発明方式を用いた充電変換装置のiq断面
図を示す。
図面に従ってさらに本発明の内容を示J0第2図におい
て、(A)は例えは20cmに60 c mの大きさを
有する絶縁基板(1)である。ごごではガラス基板を用
いた。
さらにこの上面に被加工面(5)が形成されている。
(5) この加工面(5)にはレーデ加J二lこより開溝(12
)が設けられている。
この第2図の一部を拡大したその縦断面図を第2図(B
)に示す。
図面において、基板(1)は2mm厚のカラス、ノこ面
である。さらにごの上面に第10)m ′rJi性扱i
lQをITO(酸化インジュームスズ)を500〜15
0011 上SnO□(200〜400Å)の21F7
1繰として透光性を白して設りている。
これに則し、第1の開溝(18)をLSにより形成し、
第1の導電膜を複数のパターン(ここで811第2図(
A)に示°ダごとき短冊状)に電気的に分−IIJして
いる。このLSによりガラス基イ及の−・)〕j;が俗
人して四部(60)を作ってしまった。
さらにこの第1の開溝を形成し7た1々、ごのJllu
に非単結晶半導体をPIN接合を少なくとも1つ杓して
積層した。
図面ではP型5IXCI((X =0.8 )  (2
)  F、′・ノ100′A)−I型Sin  (約0
.!p)(3)−N型微結晶IBSI(約2ooi> 
 < 4 >よりなる1つの門N ’I妾音を有す(6
) る半導体(3)をプラズマCVI)法、ツメ1−CVD
法またはフメトプラズマCVD法により形成して、被加
工面(5)が形成された。
この後、この半導体(3)を第1の開溝(1日)を基準
として10〜20シ例えば7?、図面においで左側にン
フ1〜させて第2の開溝を形成し7だ。ごのンフト州は
予め第1図においてノ七り (28)にプし1グラムさ
−ぜておいた。
このため、第1の開講をモニタしつつ、それと平行に第
2の開溝(19)を形成することができた。
図面ではごの第2の開溝は半導体(3)およびその下の
第1の導電性(2)をもレーザスクラ・イブをして除去
さ・lた。
さらに図面においては、この上面全面に第2の導電膜を
形成さ−Uた。ごごでは11’0  (15)を50〜
150〇八(列えは105〇へのjりさに、さらにその
−1: ++i農こ反射性金属(16)を300・〜5
0 (1071例λぽ100〇への厚さに真空蒸着法、
CVI)法により形成さ−lた。
次ぎにこの第2の導電膜に夕・1し、第1の開溝を(7
) 1・し−ζ第3の開溝を第1図のレーデ加工方式に、j
、り形成させた。この第3の開f′−一(20)は第2
の導電膜(4)のみからなるその−[の−゛1コ2θ体
(口をも除去(10〉 さ−Uてしまった。
図面において、かくしてガラス)A1!y、(1)」シ
こ腹数の光電変換素子(31)  (32)かりし成さ
A17、さ1″:)にそれらは開溝(18)  (]:
l)  (20) 、I、す4にる理2ノ 活部(12)において電気的に直列に連結さ−lること
が可能となった。
このような入面、債に設けられた′)γなる月料を、そ
れぞれの+A料を11;」の月料と特定の関係(ここで
は直列構造)を有して形成さセる口、テ、不発1!I]
の一しルフ・レタス1−レイソヨン方i(のレ−リ2加
エノノ式はきわめて有効であることが判明し)ご。
本発明において、第2図の光重変換装置↓、ニオ3いて
、20cm X GOcmの基4及の人きさにス1し、
1−9の累f−(31)Y(32)を15+nm X 
20c、nとし、ぞれ己[)を同−基板状に40段直列
接続をざゼる場合、l)旧 (10001匈/C♂)の
条件十にて開放電化2!’j v+パノ粁1電流300
 mAを有することができ、変換〃ノ率7.5%を自−
4(8) ることか可11シとなった。
さらにこの光電変換装置においては、この丈積化構造を
有せしめるに際し、本発明方式ではコンピユータにより
制御された完全無人化製造ラインを作ることが可能とな
り、きわめて工業的に価値人なるものであることが判明
した。
本発明において、被加工面は水平面をXYテーブル上に
配設をした。しかしこれは垂直に配設をしても、またこ
の基板の移動ではなくレーーザの光源を移動させること
により開溝を作ってもよいことはい・うまでもない。
また第2図において、光電変換装置ば20cm X G
cmを4つ組み合わせて40cmX120cmのNED
O規格とするのではなく 、40cmx 40cmを3
枚配列し、おなしパネル形成をおこなってもよい。また
電卓用その他民生用の光電変換装置を含む半導体装置の
製造に本発明方式を同様に応用することも有’Jノであ
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のレーデ加工方式のブロック図(9) を示す。 第2図は本発明のレーデ加工方式〇こまって作、′−)
れた光電変換装置を示す。 特許出願人 (10)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被加工面に第1のレーザ加工処理を施すごとにより
    形成された開溝を光学的位置検出系にて検知し、該位置
    情報をコンピュータに入力し、該情報を基準として、該
    位置より前記コンピュータにプログラムされた所定の座
    標移行させる情報をレーザ加工機に入力して、第2の加
    工処理をn1ノ記扱加工面に11・うごとにより第2の
    開溝を形成することをも徴とするレーザ加工方式。 2、特許請求の範囲第1項において、第1の加工処理に
    より形成された開溝を検知しつつ第2の加工処理を被加
    工面に行うことを特徴とするレーザ加工方式。
JP58067971A 1983-04-18 1983-04-18 レ−ザ加工方式 Pending JPS59193781A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62148093A (ja) * 1985-12-24 1987-07-02 Nippon Kogaku Kk <Nikon> レ−ザ加工装置
JPH0642111A (ja) * 1992-06-23 1994-02-15 Misawa Homes Co Ltd アルミニウム製の柱

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