JPS59191361A - 合成樹脂封止ダイオ−ド - Google Patents
合成樹脂封止ダイオ−ドInfo
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- JPS59191361A JPS59191361A JP58065247A JP6524783A JPS59191361A JP S59191361 A JPS59191361 A JP S59191361A JP 58065247 A JP58065247 A JP 58065247A JP 6524783 A JP6524783 A JP 6524783A JP S59191361 A JPS59191361 A JP S59191361A
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体素子本体に接続されたリード部の材質を
変更して機械組立作業における良品率を向上し、しかも
ダイオード特性の低下のない改良された合成樹脂封止ダ
イオードに関する。
変更して機械組立作業における良品率を向上し、しかも
ダイオード特性の低下のない改良された合成樹脂封止ダ
イオードに関する。
従来の合成樹脂封止ダイオードは、たとえば第１図示の
ように８ｉベレツトの半導体ダイオード素子（１）にリ
ード部（２＞、 ＋２＞をなすリード線＋３）、 （３
）の端部に設けられた頭部（４）、 （４）を電気的に
接続し、ダイオード素子（１）局面およびその近傍をシ
リコーン系樹脂を主体とする合成樹脂膜（５）にて被覆
して。
ように８ｉベレツトの半導体ダイオード素子（１）にリ
ード部（２＞、 ＋２＞をなすリード線＋３）、 （３
）の端部に設けられた頭部（４）、 （４）を電気的に
接続し、ダイオード素子（１）局面およびその近傍をシ
リコーン系樹脂を主体とする合成樹脂膜（５）にて被覆
して。
ダイオード−素子（１）とリード部（２）、 ＋２）と
の接続部が水や酸素などの酸化性雰囲気にさらされない
ように保護されている。上記リード部（２］、 （２１
は第２図にその断面図を示すよう九、約０．８ ｎｕｎ
程度の直径の無酸素鋼、または銀またはジルコニウム入
り無酸素銅の素線（６）にニッケルめっき、またはニッ
ケルなきせた被膜（７）を有し、第３図に示すようにそ
のリード線（３）の端部に冷間圧造によって一体に拡開
された頭部（４）と廻り止め部（８）とが形成されてい
る。
の接続部が水や酸素などの酸化性雰囲気にさらされない
ように保護されている。上記リード部（２］、 （２１
は第２図にその断面図を示すよう九、約０．８ ｎｕｎ
程度の直径の無酸素鋼、または銀またはジルコニウム入
り無酸素銅の素線（６）にニッケルめっき、またはニッ
ケルなきせた被膜（７）を有し、第３図に示すようにそ
のリード線（３）の端部に冷間圧造によって一体に拡開
された頭部（４）と廻り止め部（８）とが形成されてい
る。
第１図および第３図のリード部は第２図の上記ニッケル
被膜を省略して示しである。第１図において上記リード
部（２）、 （２）の端部とダイオード素子（１）に被
着された合成樹脂膜（５）とを蔽ってエポキシ樹脂など
の合成樹脂層（９）が形成され合成樹脂封止されている
。リード部（２）のｍｂ止め部（８）は合成樹脂層（９
）の硬化によってリード部（２）の廻転を止め。
被膜を省略して示しである。第１図において上記リード
部（２）、 （２）の端部とダイオード素子（１）に被
着された合成樹脂膜（５）とを蔽ってエポキシ樹脂など
の合成樹脂層（９）が形成され合成樹脂封止されている
。リード部（２）のｍｂ止め部（８）は合成樹脂層（９
）の硬化によってリード部（２）の廻転を止め。
リード部（２）の頭部（４）は拡開されてダイオード素
子（１）との接続が十分な面積で固定されて確実に保持
できるようになっている。
子（１）との接続が十分な面積で固定されて確実に保持
できるようになっている。
上記従来の合成樹脂封止ダイオードに使用されているリ
ード部のリード線は上記ダイオードの製造工程において
、Ｓｉベレットとリード線との溶着（ブレージング）に
おいて約３５０°Ｃないし３７０℃の一回目の熱履歴を
受け、さらにエポキシ樹脂などの合成樹脂封止の際に２
００℃ないし２５０℃の２回目の熱履歴を受ける。
ード部のリード線は上記ダイオードの製造工程において
、Ｓｉベレットとリード線との溶着（ブレージング）に
おいて約３５０°Ｃないし３７０℃の一回目の熱履歴を
受け、さらにエポキシ樹脂などの合成樹脂封止の際に２
００℃ないし２５０℃の２回目の熱履歴を受ける。
上記無酸素銅（「金属（イ）」と称する。）および銀入
た軟化特性曲線図から明らかなように、金属（イ）の特
性曲線（い）は約２５０℃で、金属（ロ）の特性曲線（
ろ）は約３００℃で軟化が始まる。したがって。
た軟化特性曲線図から明らかなように、金属（イ）の特
性曲線（い）は約２５０℃で、金属（ロ）の特性曲線（
ろ）は約３００℃で軟化が始まる。したがって。
上記二回の熱履歴、特に−回目の熱履歴によってリード
線は軟化し１曲がシやすくなシ２曲がりの発生したもの
は手作業などによる修理を行う必要があった。
線は軟化し１曲がシやすくなシ２曲がりの発生したもの
は手作業などによる修理を行う必要があった。
近時合成樹脂封止ダイオードの量産化が進み自動機によ
る量産を行う際に上記の曲がりの発生は自動化のネック
となり問題となった。
る量産を行う際に上記の曲がりの発生は自動化のネック
となり問題となった。
本発明は上記した従来の合成樹脂封止ダイオードの問題
点に鑑みてなされたもので、従来のダイオード製造工程
における加熱において軟化することが少なく、シたがっ
て自動機によるダイオード。
点に鑑みてなされたもので、従来のダイオード製造工程
における加熱において軟化することが少なく、シたがっ
て自動機によるダイオード。
の製造を容易に行うことができ、しかも特性の低下のな
い改良された合成樹脂封止ダイオードを斯界に提供する
ことを目的とする。
い改良された合成樹脂封止ダイオードを斯界に提供する
ことを目的とする。
本発明は合金の重量を１００としたときに、銅と０．Ｉ
Ｏないし鼾２８重量％のジルコニウムとの合金からなる
リード部を有していることを特徴とする合成樹脂封止ダ
イオードである。
Ｏないし鼾２８重量％のジルコニウムとの合金からなる
リード部を有していることを特徴とする合成樹脂封止ダ
イオードである。
本発明の詳細について説明する。
本発明者らは合金総重量に対するジルコニウムの重量を
０．０５から０．３５重量％の間で５段階に変化させて
、銅とジルコニウムとの分散強化形の合金を製造し、こ
れを直径０．８１ ｎｕｎに線引きして。
０．０５から０．３５重量％の間で５段階に変化させて
、銅とジルコニウムとの分散強化形の合金を製造し、こ
れを直径０．８１ ｎｕｎに線引きして。
３ないし５ミクロンのニッケルめっきを施して製造した
金属線を焼鈍したのち、さらに直径０．７８ｍｍに伸線
してリード線を製造した。上記リード線を加工して添付
第３図に示す形状のリード部を製造した。比較用として
従来の２７０ ＰＰＭの銀入り無酸素銅線を使用し、上
記と同様に線引き、ニッケルめっき、焼鈍、線引きの過
程を経て同様第３図示の形状のリード部を製造した。そ
うして上記リード部を自動機、すなわちオート・トラン
スファ・モールド機にかけてそれぞれ１，０００個の合
成樹脂封止ダイオードを製造し、それぞれのリード部の
リード曲がり発生率について試験し、この試験を５回く
り返し行った。
金属線を焼鈍したのち、さらに直径０．７８ｍｍに伸線
してリード線を製造した。上記リード線を加工して添付
第３図に示す形状のリード部を製造した。比較用として
従来の２７０ ＰＰＭの銀入り無酸素銅線を使用し、上
記と同様に線引き、ニッケルめっき、焼鈍、線引きの過
程を経て同様第３図示の形状のリード部を製造した。そ
うして上記リード部を自動機、すなわちオート・トラン
スファ・モールド機にかけてそれぞれ１，０００個の合
成樹脂封止ダイオードを製造し、それぞれのリード部の
リード曲がり発生率について試験し、この試験を５回く
り返し行った。
以下余白
上記結果から試験品Ｂ、ＣならびにＤはリード曲がりの
発生が少ないことが判った。すなわち。
発生が少ないことが判った。すなわち。
上記合金に含有されるジルコニウムの量が０．１０重量
％より少ない試験品Ａは従来品の銀入シ無酸素銅線とほ
とんど同様にプレージング工程においてリード線材の軟
化が発生し、耐熱効果がなく。
％より少ない試験品Ａは従来品の銀入シ無酸素銅線とほ
とんど同様にプレージング工程においてリード線材の軟
化が発生し、耐熱効果がなく。
したがってリード曲がりが発生して不可であシ。
ジルコニウムの量が０．２８重量％より多い試験品Ｅは
試験品Ａや従来品と比べるとリード曲が９の発生率は小
さいが硬くなりすぎて、そのため上記自動機、すなわち
オート・トランスファ・モールド機によってダイオード
を製作する際に機械事故が発生しやすく機械の稼動率が
低下するから不可である。
試験品Ａや従来品と比べるとリード曲が９の発生率は小
さいが硬くなりすぎて、そのため上記自動機、すなわち
オート・トランスファ・モールド機によってダイオード
を製作する際に機械事故が発生しやすく機械の稼動率が
低下するから不可である。
しだがって上記表に示す試験品Ｂ、Ｃならびにり、すな
わち、銅と０．１０ないし０．２８重量％のジルコニウ
ムとの合金からなるリード部を具備する合成樹脂封止ダ
イオードが本発明である。
わち、銅と０．１０ないし０．２８重量％のジルコニウ
ムとの合金からなるリード部を具備する合成樹脂封止ダ
イオードが本発明である。
第４図の曲線（は）は上記本発明合成樹脂封止ダイオー
ドに使用されるリード部のリード線の軟化特性曲線であ
る。上記リード線は直径が０．７８ｍｍで３ミクロンの
ニッケルめっきをしたものであり。
ドに使用されるリード部のリード線の軟化特性曲線であ
る。上記リード線は直径が０．７８ｍｍで３ミクロンの
ニッケルめっきをしたものであり。
第４図から明らかなように軟化温度が無酸素銅線（約２
５０°Ｃ）〔前記［金属０］に相当する。〕および２７
０ ＰＰＭの銀入り無酸素銅線（約３００°Ｃ）〔前記
「金属（ロ）」に相当する。〕に比べて約４００℃と高
く、シたがってプレージング工程などにおけるリード線
材の軟化の発生がなく、シかも加工がしやすく、さらに
導電率において２本発明に使用されるリード線は、
ｌＡＣ３（Ｉｎｔｅｒ ｎａｔｉｏｎａｌＡｎｎ謡ｄ
Ｃｏｐｐｅｒ ５ｔａｎｄａｒｄ ）が７０％以上であ
れば実用になるが、従来の無酸素銅（９９％ＩＡＣ８）
に対して９４％、２７０ＰＰＭ銀入り無酸素鋼（９−７
％ＩＡＣ８）に対して９６％の値を示し、導電率もよく
、きわめて良好な結果を示した。
５０°Ｃ）〔前記［金属０］に相当する。〕および２７
０ ＰＰＭの銀入り無酸素銅線（約３００°Ｃ）〔前記
「金属（ロ）」に相当する。〕に比べて約４００℃と高
く、シたがってプレージング工程などにおけるリード線
材の軟化の発生がなく、シかも加工がしやすく、さらに
導電率において２本発明に使用されるリード線は、
ｌＡＣ３（Ｉｎｔｅｒ ｎａｔｉｏｎａｌＡｎｎ謡ｄ
Ｃｏｐｐｅｒ ５ｔａｎｄａｒｄ ）が７０％以上であ
れば実用になるが、従来の無酸素銅（９９％ＩＡＣ８）
に対して９４％、２７０ＰＰＭ銀入り無酸素鋼（９−７
％ＩＡＣ８）に対して９６％の値を示し、導電率もよく
、きわめて良好な結果を示した。
本発明はダイオード素子と接続されるリード部が銅と０
．１０ないし０．２８重量％のジルコニウムとの合金か
らなっていることを特徴とする合成樹脂封止ダイオード
であって、Ｓｉペレットなどとリード線とのブレージン
グや合成樹脂封止の際における熱履歴によって軟化され
ることが少なく、シたがって、リード線の曲がシの発生
が少ないから。
．１０ないし０．２８重量％のジルコニウムとの合金か
らなっていることを特徴とする合成樹脂封止ダイオード
であって、Ｓｉペレットなどとリード線とのブレージン
グや合成樹脂封止の際における熱履歴によって軟化され
ることが少なく、シたがって、リード線の曲がシの発生
が少ないから。
オート・トランスファ・モールド機などの自動機によっ
て合成樹脂封止ダイオードを製造する際に。
て合成樹脂封止ダイオードを製造する際に。
リード線の手直しの必要がきわめて少なくなり機械の稼
動率がいちじるしく向上するというすぐれた効果があり
、しかも導電率も高いからダイオード特性も従来と遜色
ないものを得ることができる。
動率がいちじるしく向上するというすぐれた効果があり
、しかも導電率も高いからダイオード特性も従来と遜色
ないものを得ることができる。
第１図は合成樹脂封止ダイオードの一例の一部切欠正面
図、第２図は上記合成樹脂封止ダイオードのリード線の
断面図、第３図は上記合成樹脂封止ダイオードのリード
部の斜視図、第４図は上記リード線の軟化特性曲線図で
ある。 １・・・ダイオード素子、 ２・・・リード部。 代理人′−弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
図、第２図は上記合成樹脂封止ダイオードのリード線の
断面図、第３図は上記合成樹脂封止ダイオードのリード
部の斜視図、第４図は上記リード線の軟化特性曲線図で
ある。 １・・・ダイオード素子、 ２・・・リード部。 代理人′−弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
Claims (1)
- 合成樹脂封止半導体ダイオード素子に接続されるリード
部を具備するものにおいて、上記リード部は銅と０．Ｉ
Ｏないし０．２８重景％のジルコニウムとの合金からな
っていることを特徴とする合成樹脂封止ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065247A JPS59191361A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 合成樹脂封止ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065247A JPS59191361A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 合成樹脂封止ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191361A true JPS59191361A (ja) | 1984-10-30 |
Family
ID=13281385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58065247A Pending JPS59191361A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 合成樹脂封止ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191361A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760482A (en) * | 1995-03-20 | 1998-06-02 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor device of the type sealed in glass comprising a semiconductor body connected to slugs by means of a silver-aluminum bonding layer |
| CN106424466A (zh) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | 朋程科技股份有限公司 | 整流二极管的引线结构的制造方法及装置 |
| TWI619566B (zh) * | 2015-08-06 | 2018-04-01 | 朋程科技股份有限公司 | 整流二極體的引線結構的製造方法及裝置 |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP58065247A patent/JPS59191361A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760482A (en) * | 1995-03-20 | 1998-06-02 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor device of the type sealed in glass comprising a semiconductor body connected to slugs by means of a silver-aluminum bonding layer |
| TWI619566B (zh) * | 2015-08-06 | 2018-04-01 | 朋程科技股份有限公司 | 整流二極體的引線結構的製造方法及裝置 |
| CN106424466A (zh) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | 朋程科技股份有限公司 | 整流二极管的引线结构的制造方法及装置 |
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