TWI619566B - 整流二極體的引線結構的製造方法及裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種整流二極體的引線結構的製造方法，包括以下步驟：首先，提供設定長度的一胚料；接著，將所述胚料進行鍛打，以形成一預鍛件，其中所述預鍛件具有一引線部及一連接於所述引線部一端的頭部；然後，將所述預鍛件裁切成型，以使所述頭部成型為一接合部，其中所述接合部具有一焊接面，且所述焊接面為具有N個直線邊緣的一多邊形，其中N為大於2的正整數。採用本發明之方法所製成的引線結構，能有效提升整流二極體之性能。
Description
本發明有關於一種整流二極體，尤指一種用於汽車發電機之整流二極的引線結構的製造方法。
整流二極體為交流發電機的重要零組件之一，其可裝配於汽車發電機上，而當汽車引擎運轉時，發電機所產生的交流電可透過二極體以轉換成直流電，然後再儲存於電瓶以供應車上各項電器用品所需的電力。一般來說，汽車發電機中之整流二極體常會處於高溫、高振動環境中，因此整流二極體須具備耐高壓、耐高溫、高信賴度且能迅速散熱等的設計。
請參閱圖1，為一種習知之整流二極體的引線結構的示意圖。
引線結構3’由於在成型過程中會受到所用模具的限制，導致成型出的接觸面31’大多為圓形；然而，目前市面上有許多特殊規格的整流晶片2’，以一六角形晶片為例，其接觸面21’的形狀亦為六角形，與引線結構3’之接觸面31’的形狀不同。當引線結構3’與整流晶片2’利用焊料接合在一起時，接觸面31’通常無法完全覆蓋接觸面21’，以致整流二極體無法發揮其最大性能。另外，受限於引線結構3’的結構設計，其與絕緣封裝膠體之間的結合力很差，因而容易造成引線結構3’相對於絕緣封裝膠體發生轉動，甚至從絕緣封裝膠體內滑脫出來。
除此之外，引線結構3’須藉由焊料和整流晶片2’接合在一起並形成導通，惟在引線結構3’與整流晶片2’之間的接合界面，熔
融焊料會因為本身的內聚力/表面張力，以致若條件未控制得當容易造成均勻性不佳，如此，一方面不僅無法覆蓋到整流晶片2’的周邊區域或角落區域，二來可能會影響到整流二極體的結構強度及性能。
如上所述，目前業界常用的製作整流二極體中之引線結構的方法，已無法滿足引線結構的性能需求。
本發明從增加整流二極體之整體功率的角度出發，主要目的之一在於提供一種整流二極體的引線結構的製造方法及裝置，其所製成的引線結構具有形狀對應多邊形輪廓之整流晶片的焊接面，且焊接面之外側周緣的R角(即兩直線邊緣間的圓弧角的半徑)均不超過0.2mm。
為實現上述目的，本發明採用以下技術方案：一種整流二極體的引線結構的製造方法，其包括以下步驟：首先，提供設定長度的一胚料；接著，將所述胚料進行鍛打，以形成一預鍛件，其中所述預鍛件具有一引線部及一連接於所述引線部一端的頭部；然後，將所述預鍛件裁切成型，以使所述頭部成型為一接合部，其中所述接合部具有一焊接面，且所述焊接面為具有N個直線邊緣的一多邊形，其中N為大於2的正整數。
本發明還提供一種用於實施上述之製造方法的整流二極體的引線結構的製造裝置，其包括一剪斷機構、一鍛頭機構及一裁切機構。其中，所述剪斷機構用於提供設定長度的一胚料；所述鍛頭機構用於將所述胚料進行鍛打以形成一預鍛件，其中所述預鍛件具有一引線部及一連接於所述引線部一端的頭部；所述裁切機構用於將所述預鍛件裁切成型，以使所述頭部成型為一接合部，其中所述接合部具有一焊接面，且所述焊接面為具有N個直線邊緣的一多邊形，其中N為大於2的正整數。
本發明與現有技術相比具有明顯的優點與有益效果如下：
首先，本發明透過“先鍛打胚料以成型出頭部，然後再將頭部裁切成具特殊規格尺寸(如四角、六角、或八角)的接合部”的特定步驟流程，根據本發明之引線結構的接合部在與多邊形輪廓的整流晶片接合時，可增加所述二者的接觸截面積，使導通的電流值提高，進而有效增加整體功率。
再者，根據本發明提出的製造方法，大幅提高引線結構的接合部之輪廓的精細度，可使焊接面之外側周緣的R角(即兩直線邊緣間的圓弧角的半徑)均不超過0.2mm，因此當接合部與整流晶片相接合時，熔融焊料可均勻地形成於所述二者的接合界面，並且整流晶片的各個角落區域都能被焊料完整包覆而受到保護，進而不容易在外力作用下發生崩碎或破損。
本發明的其他目的和優點可以從本發明所揭露的技術特徵得到進一步的了解。為了讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例並配合所附圖式作詳細說明如下。
(先前技術)
2’‧‧‧整流晶片
21’‧‧‧接觸面
3’‧‧‧引線結構
31’‧‧‧接觸面
(本發明)
1‧‧‧原料
12‧‧‧胚料
2‧‧‧預鍛件
22‧‧‧第一引線部
24‧‧‧頭部
25‧‧‧待裁切料
26‧‧‧底面
28‧‧‧多餘部分
3‧‧‧引線結構
31‧‧‧第二引線部
32‧‧‧接合部
33‧‧‧焊接面
33a‧‧‧直線邊緣
33b‧‧‧圓弧邊緣
34‧‧‧環側表面
35‧‧‧定位凸緣
36‧‧‧連接部
4‧‧‧第一導電焊墊
5‧‧‧第二導電焊墊
6‧‧‧絕緣封裝體
Z‧‧‧整流二極體
B‧‧‧基座
C‧‧‧整流晶片
θ‧‧‧角度
S‧‧‧容置空間
D1、D2‧‧‧內徑
100‧‧‧剪斷機構
102‧‧‧剪斷模具
104‧‧‧擋板
106‧‧‧剪刀
200、200’‧‧‧鍛頭機構
202、202’‧‧‧沖壓模具
2021‧‧‧容置部
2022、2022’‧‧‧第一模穴
204‧‧‧沖頭
300‧‧‧裁切機構
302‧‧‧成型模具
3021‧‧‧第二模穴
T‧‧‧厚度
H1、H2‧‧‧高度
步驟S100至步驟S106
圖1為習知之整流二極體的引線結構與具有多邊形輪廓之整流晶片的示意圖。
圖2為本發明之整流二極體的引線結構的製造方法的流程示意圖。
圖3為對應本發明之整流二極體的引線結構的製造方法中之步驟S100的製程示意圖。
圖4為對應本發明之整流二極體的引線結構的製造方法中之步驟S102之一種實施方式的製程示意圖。
圖4A為對應本發明之整流二極體的引線結構的製造方法中之步驟S102之另一種實施方式的製程示意圖。
圖5為所述步驟S102中所成型之預鍛件之一種態樣的示意圖。
圖5A為所述步驟S102中所成型之預鍛件之另一種態樣的示意圖。
圖6為對應本發明之整流二極體的引線結構的製造方法中之步驟S104之一種實施方式的製程示意圖。
圖6A為對應本發明之整流二極體的引線結構的製造方法中之步驟S104之另一種實施方式的製程示意圖。
圖6B為對應本發明之整流二極體的引線結構的製造方法中之步驟S104之又一種實施方式的製程示意圖。
圖6C為對應本發明之整流二極體的引線結構的製造方法中之步驟S104之再一種實施方式的製程示意圖。
圖7為根據本發明之整流二極體的引線結構之一種態樣的立體視圖。
圖8為根據本發明之整流二極體的引線結構之一種態樣的剖視圖。
圖9為根據本發明之整流二極體的引線結構之另一種態樣的剖視圖。
圖10為根據本發明之整流二極體的引線結構之另一種態樣的立體視圖。
圖11為應用根據本發明之引線結構之整流二極體的示意圖。
基於整流二極體為智慧型手機、Ultrabook、液晶電視、平板電腦、LED照明、及車用電子等產品的必備零組件之一，其能在電子電路中扮演整流及穩定電壓等功能，本發明提供一種製作整流二極體中之引線結構的新技術；值得一提的是，利用此新技術能製作出具特殊規格及精細尺寸(如四角、六角、或八角)之與晶片焊接面的引線結構，且與習知之引線結構相比，根據本發明之引線結構的焊接面的外側周緣可形成有半徑小於0.2mm的R角(或稱圓角)。
承上述，本發明之引線結構與晶片接合的部份(在下文中係稱作“接合部”)能完全覆蓋住多邊形輪廓之整流晶片的周邊區域，其中焊接面與整流晶片二者之接觸截面積也會因此而增加，藉此，整流二極體的性能可望大幅提升。更重要的是，在接合過程中熔融焊料可均勻地形成於接合部與整流晶片二者之接合界
面，使得整流晶片的各個角落區域都可以被焊料包覆而受到完整的保護，進而不容易在外力作用下發生崩碎或破損。
下文特舉一較佳的實施例，並配合所附圖式來說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容瞭解本發明的優點與功效。另外，本發明可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，也就是說本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在本發明的精神下進行各種修飾與變更。此外，所附圖式僅做為簡單示意用途，並非依實際尺寸的描繪，先予敘明。
請參閱圖2，為本發明一較佳實施例之整流上極體的引線結構的製造方法的流程示意圖。如圖所示，本實施例所提供的整流二極體的引線結構的製造方法包括：步驟S100，提供設定長度的一胚料；步驟S102，將胚料進行鍛打，以形成一預鍛件；步驟S104，將預鍛件裁切成型，以得到一引線結構；以及步驟S106，將引線結構進行表面去毛邊。
請參閱圖3，步驟S100於實際施行時，可利用一剪斷機構100將一原料1切分成複數段分別具有一預定長度的胚料12。具體地說，原料1之主體可為金屬材質(如：銅料)的柱狀結構；本實施例所用剪斷機構100可包括一剪斷模具102、一可相對於剪斷模具102移動的擋板104及一設置於剪斷模具102與擋板104之間的剪刀106，其中剪斷模具102可供一部分的原料1設置於其中，另一部分的原料1則朝擋板104的方向突伸出剪斷模具102之外；在進行剪斷操作時，由於擋板104與剪斷模具102之間的垂直距離可以決定突伸出剪斷模具102之原料1的長度，因此可依此方式並利用剪刀106將原料1裁剪成複數段設定長度且斷面呈圓形的胚料12。須說明的是，雖然本實施例係利用剪斷機構100準備設定長度的一胚料，但是實際上步驟S100的施行方式並不限制於此。
請一併參閱圖4及圖5，步驟S102於實際施行時，可利用一
鍛頭機構200鍛打胚料12，以使胚料12的一端成型出一第一引線部22且另一端成型出一頭部24。具體地說，本實施例所用鍛頭機構200可包括相對設置的一沖壓模具202及一沖頭204，其中沖壓模具202具有一容置部2021及一與容置部2021連通的第一模穴2022，而容置部2021可供一部分的胚料12設置，同時讓另一部分的胚料12通過第一模穴2022而裸露於沖壓模具202之外；沖頭204於進行鍛打操作時，可從遠離沖壓模具202往靠近沖壓模具202的方向移動，直到壓合於沖壓模具202上才停止，過程中外露的胚料12會被擠壓入第一模穴2022內，同時填滿於整個第一模穴2022。須說明的是，雖然本實施例係利用沖壓模具202與沖頭204相配合以成型出預鍛件2，但是實際上步驟S102的施行方式並不限制於此。附帶一提，鍛頭機構200可安裝於一打釘機上。
請一併參閱圖5、圖6及圖6A，進一步介紹步驟S102中所成型的預鍛件2的結構特徵，預鍛件2具有第一引線部22及一連接於第一引線部22一端的頭部24，其中第一引線部22的結構與沖壓模具202之容置部2021的構型空間相符，且頭部24的結構與沖壓模具202之第一模穴2022的構型空間相符；舉例來說，當第一模穴2022為一圓形模穴時，鍛頭機構200所成型出的頭部24的斷面則為圓形(如圖6所示)，或者當第一模穴2022為一N邊形模穴(N為大於2之整數)，所成型出的頭部24之斷面則為N邊形(如圖6A所示)。
請一併參閱圖6、圖6A~6C及圖7，步驟S104於實際施行時，可利用一裁切機構300對預鍛件2進行裁切，以將其頭部24裁切成具有對應整流晶片之一預定形狀的接合部32；本實施例中，整流晶片例如為一多邊形(如：四邊形、六邊形、或八邊形)的晶片。具體地說，裁切機構300例如可為一沖切機構，其主要包括一成型模具302，其具有一第二模穴3021，且第二模穴3021之斷
面呈多邊形(較佳為R角小於或等於0.2mm的多邊形)，在此實施例中，藉由一沖頭(圖中未顯示)，並驅動沖頭從遠離成型模具302往靠近成型模具302的方向移動。裁切機構300對預鍛件2的沖切方向可如圖6C所示，自第一引線部22往頭部24的方向沖切，但實施上亦可為與圖6C所示的方向相反，自底面26下方往頭部24沖切，以切除頭部24的多餘部分28。在完成上述之步驟S100至步驟S104後，即可成型出一與多邊形輪廓之整流晶片的構型相匹配的引線結構3。
進一步介紹步驟S104中所成型的引線結構3的結構特徵，如圖7所示，引線結構3具有一可作為第一電極的第二引線部31及一連接於第二引線部31一端且可作為第二電極的接合部32。在此需要先說明的是，第一引線部22的結構可以和第二引線部31相同或不同；更進一步地說，所述引線結構3的引線部31可以是在前一個步驟(步驟S102)中就成型出來的，或是再將前一個步驟中形成的半成品進行二次加工而成型出來的。本實施例中，第二引線部31為柱狀的，且外徑介於1.1至1.7mm之間；據此，引線結構3可帶有較佳的挺性而不容易發生彎折，並有助於提升整流二極體的散熱效率。
請一併參閱圖7及圖8，接合部32可為一多邊形的角柱或錐柱體，且接合部32具有一用於接合整流晶片的焊接面33及一由焊接面33向上延伸的環側表面34。值得注意的是，為達到增加散熱面積的效果，可以在接合部32的環側表面34做拔模斜度，也就是說環側表面34係呈錐狀傾斜配置的，其中環側表面34與焊接面33之間夾有一預定角度θ，較佳係介於60度至90度之間。
進一步值得注意的是，步驟S104中所成型的引線結構3，其接合部32的外側周緣可成型出半徑極小的R角；以六邊形的角柱或錐柱體為例，接合部32之焊接面33為交替設置且相連的六個直線邊緣33a及六個圓弧邊緣33b圍繞而成，其中每一個圓弧邊
緣33b即連接於相鄰的兩個直線邊緣33a之間，且每一個圓弧邊緣33b之半徑都不超過0.2mm。據此，焊接面33可緊密地與整流晶片的各個角落區域相互接合，進而可增加接合部32與整流晶片的接觸截面積；除此之外，在接合過程中熔融焊料可均勻地形成於接合部32與整流晶片(圖中未顯示)二者之接合界面，並將整流晶片的各個角落區予以包覆。
請一併參閱圖4A至圖6C，為本實施例之其他實施態樣，首先要注意的是，步驟S102中，所述預鍛件2可依不同的模具結構而有不同的設計型式，如圖4A所示，當利用不同於前述之鍛頭機構200的另一鍛頭機構200’鍛打胚料12時，由於沖壓模具202’的第一模穴2022’具有不同的空間構型，因此沖頭204在與沖壓模具202’合模後，依此方式製作出來的預鍛件2可以在頭部24之底端外側周緣預留一待裁切料25；更進一步地說，如圖5A及圖6B所示，待裁切料25具有一預定厚度T，且待裁切料25的內徑D1大於頭部24的最大內徑D2。
請再配合參閱圖6C及圖9，然後要注意的是，步驟S104中，以前述裁切機構300對預鍛件2的待裁切料25進行裁切(沖切方向可如圖6C所示，或者為與圖6C所示的相反方向)，藉此在接合部32之環側表面34底端成型出一定位凸緣35，因此，定位凸緣35的預定高度H2與待裁切料25的預定厚度T實質上相等；在結構設計上，接合部32的高度H1可介於約0.2至2.5mm之間，相對於此，定位凸緣35的高度H2可介於0.2至1.5mm之間，較佳係介於約0.3至0.7mm之間，其中更以0.5mm左右的高度為最佳。而透過定位凸緣35的配置，可增加引線結構3與包覆於引線結構3之絕緣層之間結合力。
請一併參閱圖8、圖9及圖10，對於本實施例之其他實施態樣，在利用沖壓模具202成型出第一引線部22與頭部24的過程中，可設計成型出一連接於所述二者之間的連接部36；而透過連
接部36的配置，可有效避免第一引線部22與頭部24或是第二引線部31與接合部32的連接處因承受過大的應力而發生斷裂之情事。
須說明的是，雖然本實施例係利用裁切機構300裁切出具特殊規格尺寸之接合部32的引線結構3，但是實際上步驟S104的施行方式並不限制於此。舉例來說，其他具體實施例中，裁切頭部24的步驟可利用一切削刀具，並透過往復切削加工方式將頭部24的多餘部分28切除，或者，亦可利用一銑削刀具，並透過螺旋銑削加工方式將頭部24的多餘部分28去除；所以，圖6A至圖6C所示之裁切成型方式僅供舉例說明，並不限定本發明。另外，雖然圖7所示之引線結構3中，接合部32之焊接面33的形狀為六邊形，但是對於本實施例之其他實施態樣，接合部32之焊接面33的形狀亦可藉由第二模穴3021的空間構型設計而成型為四邊形、八邊形或其他具有不同邊數的多邊形；所以，圖7所示之接合部32之焊接面33的形狀僅供舉例說明，實際上焊接面33可為具有N個直線邊緣的多邊形，其中N為大於2的正整數。
步驟S106於實際施行時，可利用研磨工具對引線結構3進行表面處理，以達到去毛邊的效果。具體地說，本實施例主要利用滾筒將經裁切後形成的斷面進行去毛邊及圓角化，藉此提高引線結構3的品質。須說明的是，雖然本實施例所用研磨工具為滾筒，但是實際上步驟S106的施行方式並不限制於此。
請複參閱圖3、圖4及圖6，一種用於實施上述之整流二極體的引線結構的製造方法的成型裝置可包括一剪斷機構100、一鍛頭機構200及一裁切機構300。其中，剪斷機構100用於提供設定長度的一胚料12；鍛頭機構200用於將胚料12進行鍛打以形成一預鍛件2，其具有一引線部(第一引線部22)及一連接於引線部一端的頭部24；裁切機構300用於將預鍛件2裁切成型，以使預鍛件2的頭部24成型為一接合部32，其中接合部32具有一焊接面
33，且焊接面33為具有N個直線邊緣的一多邊形，其中N為大於2的正整數。
為了使引線結構3的接合部32之焊接面33與整流晶片的形狀(特別是正六邊形或正四邊形晶片)達最佳匹配狀態，所述裁切機構300的成型模具302所具有的第二模穴3021可精密設計形狀及尺寸，例如將所述第二模穴3021的截面形狀設計為R角小於或等於0.2毫米的N邊形，藉此裁切機構300於切除所述頭部24的多餘部分28後，即可使所述焊接面33呈R角小於或等於0.2毫米的N邊形。
如上所述，已詳細地說明本發明整流二極體的引線結構的製造方法及裝置的特徵、優點及所能達成的功效，接下來將進一步介紹應用本發明所製成的引線結構3的整流二極體。請參閱圖11，為根據本發明之引線結構之整流二極體的示意圖。如圖所示，整流二極體Z包括一基座B、一整流晶片C、一引線結構3、一第一導電焊墊4、一第二導電焊墊5、及一絕緣封裝體6。具體地說，基座B具有一承載部及一內環繞表面(圖中未標示)，其中承載部與內環繞表面可共同界定出一容置空間S，用於設置接合在一起的整流晶片C與引線結構3。
更詳細地說，第一和第二導電焊墊4、5分別設置於整流晶片C的相對二表面，而整流晶片C透過第一導電焊墊4結合於基座B的承載部上，且引線結構3的接合部32透過第二導電焊墊5與整流晶片C相接，絕緣封裝體6形成於基座B的容置空間S，用於完整包覆住整流晶片C、第一和第二導電焊墊4、5、及引線結構3。本實施例中，第一和第二導電焊墊4、5可為金屬材料(如：錫)，絕緣封裝體6可為環氧樹脂(Epoxy)或是聚亞醯胺(PI)，然本發明不以此為限。
值得再一次說明的是，由於根據本發明之引線結構3的接合部32可以滿足整流晶片C的特殊規格需求，因此即便整流二極體
Z中採用了多邊形(如：四邊形、六邊形、或八邊形)的整流晶片C，所述接合部32亦能完全覆蓋住多邊形輪廓之整流晶片C的周邊區域，以提高結合部32與整流晶片C之間的導通的電流值。
首先，本發明透過“先鍛打胚料以成型出頭部，然後再將頭部裁切成具特殊規格尺寸(如四角、六角、或八角)的接合部”的特殊步驟流程，根據本發明之引線結構的接合部在與多邊形輪廓的整流晶片對接結合時，可增加所述二者的接觸截面積，使導通的電流值提高，進而有效增加整體功率。
再者，根據本發明之引線結構的多邊形接合部，其焊接面的圓弧邊緣的R角均不超過0.2mm，因此當接合部與整流晶片相接合時，熔融焊料可均勻地形成於所述二者的接合界面，並且整流晶片的各個角落區域都能被焊料完整包覆而受到保護，進而不容易在外力作用下發生崩碎或破損。
除此之外，在成型出引線結構之引線部與接合部的過程中，可額外成型出一連接於所述二者之間的連接部，而透過連接部的配置，可有效避免因承受過大的應力而發生引線結構斷裂之情事；並且，可同時在接合部之環側表面底端成型出一定位凸緣，而透過定位凸緣的配置，可增加引線結構與包覆於引線結構之絕緣封裝體之間結合力。
惟以上所述僅為本發明之較佳實施例，非意欲侷限本發明之專利保護範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所為之等效變化，均同理皆包含於本發明之權利保護範圍內，合予陳明。
Claims (9)
- 一種整流二極體的引線結構之製作方法，包括以下步驟：提供設定長度的一胚料；將所述胚料進行鍛打，以形成一預鍛件，其中所述預鍛件具有一引線部及一連接於所述引線部一端的頭部；以及將所述預鍛件裁切成型，以使所述頭部成型為一接合部，其中所述接合部具有一焊接面，所述焊接面呈R角小於或等於0.2毫米的N邊形，並具有交替設置且相連的N個直線邊緣以及N個圓弧邊緣，其中N為大於2的正整數，每一所述圓弧邊緣具有一小於或等於0.2毫米的預定半徑。
- 如請求項1所述的引線結構之製作方法，其中所述鍛打步驟包含將所述預鍛件的頭部之一底面成型為圓形，或是將該底面成型為N邊形。
- 如請求項1所述的引線結構之製作方法，其中於所述裁切成型步驟後更包含一研磨所述引線結構的步驟。
- 如請求項1所述的引線結構之製作方法，其中所述鍛打步驟更包含於所述頭部預留一待裁切料，所述待裁切料的內徑大於所述所述頭部的最大內徑，且所述待裁切料具有一預定厚度，俾使所述裁切成型步驟使所述接合部之一環側表面的底端進一步成型出具有一預定高度的一定位凸緣，其中所述預定厚度與所述預定高度實質上相等。
- 如請求項4所述的引線結構之製作方法，其中所述預定厚度為0.2至1.5毫米，且所述預定高度為0.2至1.5毫米。
- 一種整流二極體的引線結構的製造裝置，包括：一剪斷機構，提供設定長度的一胚料；一鍛頭機構，將所述胚料進行鍛打以形成一預鍛件，其中所述預鍛件具有一引線部及一連接於所述引線部一端的頭部；及一裁切機構，將所述預鍛件裁切成型，以使所述頭部成型為一 接合部，且所述接合部具有一焊接面；其中，所述裁切機構包括一成型模具，且所述成型模具具有一截面形狀為R角小於或等於0.2毫米的N邊形的模穴；其中，所述裁切機構用於切除所述頭部的一多餘部分，俾使所述焊接面呈R角小於或等於0.2毫米的N邊形，並具有交替設置且相連的N個直線邊緣以及N個圓弧邊緣，其中N為大於2的正整數，每一所述圓弧邊緣具有一小於或等於0.2毫米的預定半徑。
- 如請求項6所述的製造裝置，其中所述鍛頭機構包括一沖壓模具，所述沖壓模具具有一容置部及一與容置部連通的模穴，而所述引線部的結構與所述沖壓模具的所述容置部的構型空間相符，且所述頭部的結構與所述沖壓模具的所述模穴的構型空間相符。
- 如請求項7所述的製造裝置，其中所述沖壓模具的所述模穴為一圓形模穴或一N邊形模穴，以使所述預鍛件的頭部之一底面成型為圓形或N邊形。
- 如請求項6所述的製造裝置，其中所述裁切機構係為一沖切機構。
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