JPS59189253U - 裏面利用半導体装置 - Google Patents

裏面利用半導体装置

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JPS59189253U
JPS59189253U JP8483883U JP8483883U JPS59189253U JP S59189253 U JPS59189253 U JP S59189253U JP 8483883 U JP8483883 U JP 8483883U JP 8483883 U JP8483883 U JP 8483883U JP S59189253 U JPS59189253 U JP S59189253U
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JP
Japan
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semiconductor device
back side
side semiconductor
semiconductor substrate
processed
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Pending
Application number
JP8483883U
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English (en)
Inventor
石突　知徳
利彦 村松
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Priority to JP8483883U priority Critical patent/JPS59189253U/ja
Publication of JPS59189253U publication Critical patent/JPS59189253U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
□　第１図は、ｎ型半導体基板から製造された太陽電池
付半導体論理回路素子の図式的断面図である。 第２図は、第１図の素子の太陽電池側表面の図式的平面
図である。第３図は、Ｐ型半導体基板から製造された太
陽電池付半導体論理回路素子の、論理回路部分を省略し
た、図式的断面図である。 １・・・ｎ型半導体基板、２・・・ｐウェル、３・・・
ｎ型不純物領域、４・・・ｎ型不純物領域、５・・・ｐ
ウェル、６・・・ｎ型不純物領域、７・・・ｎ型不純物
領域、８・・・ｎ型半導体基板、９・・・ｎ型不純物領
域、１０・・・ｎ型不純物領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板の一面側に加工された集積回路と、上記の面
    と異った面側に加工された複数個の太陽電池とを含む半
    導体装置。
JP8483883U 1983-06-02 1983-06-02 裏面利用半導体装置 Pending JPS59189253U (ja)

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JPS59189253U true JPS59189253U (ja) 1984-12-15

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ID=30214805

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