JPS59184711A - 金属酸化物の製造方法 - Google Patents
金属酸化物の製造方法Info
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- JPS59184711A JPS59184711A JP58059179A JP5917983A JPS59184711A JP S59184711 A JPS59184711 A JP S59184711A JP 58059179 A JP58059179 A JP 58059179A JP 5917983 A JP5917983 A JP 5917983A JP S59184711 A JPS59184711 A JP S59184711A
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- nitric acid
- metal oxide
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＬＬＬ
本発明は金属酸化物薄膜の形成方法に関し、より詳細に
は、半導体式ガス検知装置のガス検知膜の製造や、ディ
スプレイパネル、光センサ等の透明電極膜の製造に適用
し得る、金属酸化物の薄膜形成方法に関するものである
。
は、半導体式ガス検知装置のガス検知膜の製造や、ディ
スプレイパネル、光センサ等の透明電極膜の製造に適用
し得る、金属酸化物の薄膜形成方法に関するものである
。
従来技術
従来、半導体式ガス検知装置のガス検知材料には金属酸
化物半導体の焼結体が一般的に使用されている。その製
造方法は例えば、特開昭５８−３０６４８号公報に代表
される如く、濃硝酸を使用してスズを処理して酸化スズ
を製造することが常套手段であり、その様にして製造さ
れた酸化スズの沈澱を５ｆＯｚやＡｌ２Ｏ２等をバイン
ダとして焼結させるというものである。しかし、従来の
ＡＣ１００Ｖ駆動のガス検知装置に代わって、乾電池駆
動のガス検知装置の開発が最近進められており、低消費
電力とするためにガス検知装置の小型化が望まれている
。この小型ガス検知装置においては、ガス検知材料も膜
厚数ｐｍ、面積数１００μｍ２に形成する必要があるが
、従来の焼結体ではこのような微細な形状を実現するこ
とは不可能であった。
化物半導体の焼結体が一般的に使用されている。その製
造方法は例えば、特開昭５８−３０６４８号公報に代表
される如く、濃硝酸を使用してスズを処理して酸化スズ
を製造することが常套手段であり、その様にして製造さ
れた酸化スズの沈澱を５ｆＯｚやＡｌ２Ｏ２等をバイン
ダとして焼結させるというものである。しかし、従来の
ＡＣ１００Ｖ駆動のガス検知装置に代わって、乾電池駆
動のガス検知装置の開発が最近進められており、低消費
電力とするためにガス検知装置の小型化が望まれている
。この小型ガス検知装置においては、ガス検知材料も膜
厚数ｐｍ、面積数１００μｍ２に形成する必要があるが
、従来の焼結体ではこのような微細な形状を実現するこ
とは不可能であった。
目 的
本発明は、微細形状に加工することの可能な金属酸化物
半導体の製造方法を提供することを目的とする。
半導体の製造方法を提供することを目的とする。
構 成
本発明の構成について、以下、具体的な実施例に基づい
て説明する。第１（ａ）図〜第１（ｈ）図は、耐熱性基
板上に作成されるガス検知装置に本発明を適用した場合
の製造工程を示す断面図である。尚、半導体式ガス検知
装置は、加熱された金属酸化物半導体の抵抗値が、ガス
の吸着により変化するという性質を利用したものであっ
て、構成の概略は、基板上に加熱用のヒータ、リード線
。
て説明する。第１（ａ）図〜第１（ｈ）図は、耐熱性基
板上に作成されるガス検知装置に本発明を適用した場合
の製造工程を示す断面図である。尚、半導体式ガス検知
装置は、加熱された金属酸化物半導体の抵抗値が、ガス
の吸着により変化するという性質を利用したものであっ
て、構成の概略は、基板上に加熱用のヒータ、リード線
。
電極及びガス検知用半導体が所定の形状に被着形成され
ているものである。
ているものである。
＆！１ （ａ ）図は、本発明の出発点であって、セラ
ミックやガラス等の耐熱材料を使用した基体１ａ上に、
Ｔａ ２ Ｎ、Ｓｉ Ｃ，Ｎｆ Ｃｒ 、Ｐｔ等を使用
した金属１１ｂが公知の薄膜形成技術により形成され、
ヒータ、リード線及び電極のそれぞれのバタンか、公知
のフォトリソグラフィ技術により形成されている。ここ
で、基体１ａと金属膜１ｂをまとめて基板１とよぶこと
にする。
ミックやガラス等の耐熱材料を使用した基体１ａ上に、
Ｔａ ２ Ｎ、Ｓｉ Ｃ，Ｎｆ Ｃｒ 、Ｐｔ等を使用
した金属１１ｂが公知の薄膜形成技術により形成され、
ヒータ、リード線及び電極のそれぞれのバタンか、公知
のフォトリソグラフィ技術により形成されている。ここ
で、基体１ａと金属膜１ｂをまとめて基板１とよぶこと
にする。
まず４、第１（Ｃ）図に示すように、基板１上にＳｎ膜
２を形成する。膜厚は０．５〜３μｍとするとよい。形
成方法として、真空蒸着法やスパッタリング法を用いる
。このときＳ’ｎ膜２中２中ｎ水化物を生成すると、Ｓ
ｎＯ２膜としたときに空気中の湿度に対して抵抗値の変
動が大きくなるので、ガス検知機能が不安定となり信頼
性が低下する。
２を形成する。膜厚は０．５〜３μｍとするとよい。形
成方法として、真空蒸着法やスパッタリング法を用いる
。このときＳ’ｎ膜２中２中ｎ水化物を生成すると、Ｓ
ｎＯ２膜としたときに空気中の湿度に対して抵抗値の変
動が大きくなるので、ガス検知機能が不安定となり信頼
性が低下する。
また、後述する如き熱分解で酸化物薄膜を析出する工程
においても３ｎ○２膜になりにくくなる。
においても３ｎ○２膜になりにくくなる。
従って、Ｓｎ Ｍ２形成中にＳｎ膜に水分が含まれたり
吸着されたりしないような状態にすることが必要である
。また、Ｓｎ膜２表面は活性であるから、緻密にしてで
きるだけ表面積を小さくする。
吸着されたりしないような状態にすることが必要である
。また、Ｓｎ膜２表面は活性であるから、緻密にしてで
きるだけ表面積を小さくする。
例えば、真空装置内部の雰囲気をＩ Ｘ、 １０−６Ｔ
ｏｒ「以下とし、装置内の残留ガス、吸着ガス、特に）
１２０などはベークアウトや液化窒素のトラップ等によ
り充分に排気を行なった上で、ｓｎを抵抗加熱真空蒸着
法、又は１×１０−〜１ｘｉｏ−”ｒｏｒｒのＡｒ雰囲
気中でのスパッタリングにより薄膜形成する。又、膜形
成速度（デポジションレート）を０．０１〜０．１牌７
ｍ１ｎ程度の低いスピードにおさえて、緻密なＳｎ膜２
が得られるようにする。
ｏｒ「以下とし、装置内の残留ガス、吸着ガス、特に）
１２０などはベークアウトや液化窒素のトラップ等によ
り充分に排気を行なった上で、ｓｎを抵抗加熱真空蒸着
法、又は１×１０−〜１ｘｉｏ−”ｒｏｒｒのＡｒ雰囲
気中でのスパッタリングにより薄膜形成する。又、膜形
成速度（デポジションレート）を０．０１〜０．１牌７
ｍ１ｎ程度の低いスピードにおさえて、緻密なＳｎ膜２
が得られるようにする。
第１（ｂ）図は抵抗加熱蒸着法によって３ｎ膜２を形成
する場合であって、蒸着ヒータ４でスズペレット４′を
加熱して気化させ基板１上に被着させる。
する場合であって、蒸着ヒータ４でスズペレット４′を
加熱して気化させ基板１上に被着させる。
次に、第１（ｄ）図に示すように、Ｓｎ膜２の上にフォ
トレジスト３を形成し、フォトエツチングによって所定
の領域だけ残すようにする。その後、Ｓｎ膜２を２ｖｏ
１％以上の硝酸水溶液（常温）に浸すと、フォトレジス
ト３に覆われている部分以外は１０〜６０秒で白色綿状
の沈澱力となるから、水で洗い落すか超音波洗浄を行っ
てこの沈澱物を取除く（第１（ｅ）図参照）。更にフォ
トレジスト３を除去して所定のバタン形状のＳｎ Ｉｓ
２を得る（第１（ｆ）図参照）。
トレジスト３を形成し、フォトエツチングによって所定
の領域だけ残すようにする。その後、Ｓｎ膜２を２ｖｏ
１％以上の硝酸水溶液（常温）に浸すと、フォトレジス
ト３に覆われている部分以外は１０〜６０秒で白色綿状
の沈澱力となるから、水で洗い落すか超音波洗浄を行っ
てこの沈澱物を取除く（第１（ｅ）図参照）。更にフォ
トレジスト３を除去して所定のバタン形状のＳｎ Ｉｓ
２を得る（第１（ｆ）図参照）。
次に、以上の如く形成されたＳｎ膜２を０．１〜５ｖｏ
１％の硝酸水溶液（５〜２５℃）に浸すと、０．５〜１
０分間程分間臼色綿状の３ｎと希硝酸の反応生成物膜２
′が生成される（第１（ｇ）図参照）。このＳｎと希硝
酸の反応生成物膜２′を加熱し、熱分解させて酸化物５
ｎＯｚ膜２″を析出させる（第１（ｈ）図参照）。加熱
方法としては、例えば大気導入された電気炉で温度４０
０〜６００℃の加熱を約１〜１０分間行う。この時、白
色光源下で基板１上のＳｎと希硝酸の反応生成物膜２′
を観察すると、電気炉の温度が高くなる−につれ白→黄
→茶→赤→黒→白又は無色透明のように色調が変化する
。これは３ｎの水化物を含まずに５ｎｏ２膜２″が生成
される過程であることを示すものである。
１％の硝酸水溶液（５〜２５℃）に浸すと、０．５〜１
０分間程分間臼色綿状の３ｎと希硝酸の反応生成物膜２
′が生成される（第１（ｇ）図参照）。このＳｎと希硝
酸の反応生成物膜２′を加熱し、熱分解させて酸化物５
ｎＯｚ膜２″を析出させる（第１（ｈ）図参照）。加熱
方法としては、例えば大気導入された電気炉で温度４０
０〜６００℃の加熱を約１〜１０分間行う。この時、白
色光源下で基板１上のＳｎと希硝酸の反応生成物膜２′
を観察すると、電気炉の温度が高くなる−につれ白→黄
→茶→赤→黒→白又は無色透明のように色調が変化する
。これは３ｎの水化物を含まずに５ｎｏ２膜２″が生成
される過程であることを示すものである。
以上の方法ではフォトエツチングでのバタン形成が可能
であるから、従来にない微細構造のガス検知膜が形成で
きる。又、使用する酸が低濃度であること、反応温度が
低いこと、処理時間が短いことから、基板１の構成材料
に腐食を発生させるような影響がなく、従って信頼性を
低下させずに製造することが可能である。
であるから、従来にない微細構造のガス検知膜が形成で
きる。又、使用する酸が低濃度であること、反応温度が
低いこと、処理時間が短いことから、基板１の構成材料
に腐食を発生させるような影響がなく、従って信頼性を
低下させずに製造することが可能である。
次に、本発明の別の方法について第２（ａ）図〜第２（
ｈ）図を参照して説明する。第２（ａ）図〜第２（ｈ）
図は、ブリッジ構造のガス検知装置に本発明を適用した
場合の製造工程を示す断面図である。このブリッジ構造
のガス検知装置は前述した耐熱性基板上に作成されたガ
ス検知装置と動作原理は同じであるが、構造的な特徴と
してヒータ及びリード線のパタンの下部において、基板
に空洞部１Ｃが形成されており、その結果、ヒータの熱
効率及び温度分布等を改善しているものである。第２（
ａ）図は、本発明の出発点であって、基体１ａ上に金属
膜１ｂが形成されヒータ、リード線及び電極がそれぞれ
バタン化されている。また、基体１ａは空洞部１Ｇを有
しており、この空洞部１Ｃの上でヒータとリード線はブ
リッジ構造をなしている。ここで基体１ａと金属膜１ｂ
をまとめて基板１とよぶことにする。第２（ｂ）図にお
いて、基板１上にマスク５をセットする。ここで、マス
ク５の形状は基板１におけるブリッジ部分の所定の領域
を除いて、基板１を全面的に覆うものとする。次に、こ
のマスク５を用いて、第２（ｄ ）図に示すようにＡρ
膜７を所定のパタンに形成する。第２（Ｃ）図は、抵抗
加熱真空蒸着法によってへρ膜７を形成する場合であっ
て、蒸着ヒータ６でアルミペレット６′を加熱して気化
させ、マスク５の開口部を通して基板１のブリッジ部分
の所定の領域上に被着させる。Ａρ膜７は、真空蒸着法
の他スパッタリング法にて形成することも可能であって
、それらの場合における各条件は、前述の実施例におけ
るＳｎ膜２の形成の場合と同じである。
ｈ）図を参照して説明する。第２（ａ）図〜第２（ｈ）
図は、ブリッジ構造のガス検知装置に本発明を適用した
場合の製造工程を示す断面図である。このブリッジ構造
のガス検知装置は前述した耐熱性基板上に作成されたガ
ス検知装置と動作原理は同じであるが、構造的な特徴と
してヒータ及びリード線のパタンの下部において、基板
に空洞部１Ｃが形成されており、その結果、ヒータの熱
効率及び温度分布等を改善しているものである。第２（
ａ）図は、本発明の出発点であって、基体１ａ上に金属
膜１ｂが形成されヒータ、リード線及び電極がそれぞれ
バタン化されている。また、基体１ａは空洞部１Ｇを有
しており、この空洞部１Ｃの上でヒータとリード線はブ
リッジ構造をなしている。ここで基体１ａと金属膜１ｂ
をまとめて基板１とよぶことにする。第２（ｂ）図にお
いて、基板１上にマスク５をセットする。ここで、マス
ク５の形状は基板１におけるブリッジ部分の所定の領域
を除いて、基板１を全面的に覆うものとする。次に、こ
のマスク５を用いて、第２（ｄ ）図に示すようにＡρ
膜７を所定のパタンに形成する。第２（Ｃ）図は、抵抗
加熱真空蒸着法によってへρ膜７を形成する場合であっ
て、蒸着ヒータ６でアルミペレット６′を加熱して気化
させ、マスク５の開口部を通して基板１のブリッジ部分
の所定の領域上に被着させる。Ａρ膜７は、真空蒸着法
の他スパッタリング法にて形成することも可能であって
、それらの場合における各条件は、前述の実施例におけ
るＳｎ膜２の形成の場合と同じである。
次に、マスク５を用いて、Ｐｔのスパッタリング（Ａｒ
圧力１ Ｘ １０−’ 〜１０Ｔｏｒｒ ） ヲ行い、
Ａρ膜７の上に多孔質状のＰｔ膜８を重ねる（第２（ｅ
）図参照）。膜厚は０，０２〜Ｑ、０６ ｐｍとすると
よい。その後、マスク５を用いて、Ｐｄのスパッタリン
グ（Ａｒ圧力Ｉ Ｘ １０−’ 〜１０ＴＯｒｒ ）を
行い、ＡＡ膜とＰｔ膜の上に更に重ねて多孔質状のＰｄ
膜９を形成する（第２（ｆ）図参照）。
圧力１ Ｘ １０−’ 〜１０Ｔｏｒｒ ） ヲ行い、
Ａρ膜７の上に多孔質状のＰｔ膜８を重ねる（第２（ｅ
）図参照）。膜厚は０，０２〜Ｑ、０６ ｐｍとすると
よい。その後、マスク５を用いて、Ｐｄのスパッタリン
グ（Ａｒ圧力Ｉ Ｘ １０−’ 〜１０ＴＯｒｒ ）を
行い、ＡＡ膜とＰｔ膜の上に更に重ねて多孔質状のＰｄ
膜９を形成する（第２（ｆ）図参照）。
膜厚は０．０２〜０．０６μｍとするとよい。
以上の如く形成されたＡβ膜７．Ｐｔ膜８．Ｐｄ１１９
を０．２〜２ｖ０１％の硝酸水溶液く５〜２５℃）に浸
すと、Ｐｔ膜８とＰｄ膜９の多孔質状の表面から硝酸水
溶液が侵入し、ＡＪ２膜７と反応してＡρと希硝酸の反
応生成物膜７′を生成する（第２（ｇ）図参照）。この
Ａβと希硝酸の反応生成物膜７′を加熱し、熱分解させ
て酸化物Ａｒ２０３膜７″を析出させる。熱分解後、へ
ρ２０３膜７″の表面にはＰｔ ８’およびＰｄ９′が
分散して分布するような状態となっている（第２（ｈ）
図参照）。尚、Ａρと希硝酸の反応生成物膜７′の熱分
解の際の条件は前述の実施例におけるＳｎと希硝酸の反
応生成物膜２′の場合と同じである。
を０．２〜２ｖ０１％の硝酸水溶液く５〜２５℃）に浸
すと、Ｐｔ膜８とＰｄ膜９の多孔質状の表面から硝酸水
溶液が侵入し、ＡＪ２膜７と反応してＡρと希硝酸の反
応生成物膜７′を生成する（第２（ｇ）図参照）。この
Ａβと希硝酸の反応生成物膜７′を加熱し、熱分解させ
て酸化物Ａｒ２０３膜７″を析出させる。熱分解後、へ
ρ２０３膜７″の表面にはＰｔ ８’およびＰｄ９′が
分散して分布するような状態となっている（第２（ｈ）
図参照）。尚、Ａρと希硝酸の反応生成物膜７′の熱分
解の際の条件は前述の実施例におけるＳｎと希硝酸の反
応生成物膜２′の場合と同じである。
このガス検知膜は、一般的には接触燃焼式触媒と呼ばれ
る材料に属するものであるが、従来のこの種の触媒と比
較すると、薄膜形成技術を応用している為微細形状とす
ることが可能であり、且つ触媒寿命が安定で長期におよ
ぶものであるという利点を有する。寿命が長期である理
由は、八βと希硝酸の反応生成物膜７′を熱分解して得
られるＡβ２０３膜７″の構造が熱的に安定で、Ｐｔ８
’及びＰｄ ９’ を強固に担持させておく能力を持つ
からである。
る材料に属するものであるが、従来のこの種の触媒と比
較すると、薄膜形成技術を応用している為微細形状とす
ることが可能であり、且つ触媒寿命が安定で長期におよ
ぶものであるという利点を有する。寿命が長期である理
由は、八βと希硝酸の反応生成物膜７′を熱分解して得
られるＡβ２０３膜７″の構造が熱的に安定で、Ｐｔ８
’及びＰｄ ９’ を強固に担持させておく能力を持つ
からである。
本発明は液晶ディスプレイパネルやプラズマディスプレ
イパネル等における透明電極膜の製造に適用することも
可能である。次に、本発明の更にもう１つの実施例とし
て、ガラス基板上に酸化スズの透明電極膜を形成する工
程を第３（ａ）図〜第３（ｇ）図を参照して説明する。
イパネル等における透明電極膜の製造に適用することも
可能である。次に、本発明の更にもう１つの実施例とし
て、ガラス基板上に酸化スズの透明電極膜を形成する工
程を第３（ａ）図〜第３（ｇ）図を参照して説明する。
まず、第３（ａ）図の如く、ガラス基板１上にＳｎ膜２
をＮ膜形成する。次に、第３（ｂ）図の如く、３ｎ膜２
上の所定の領域にＡｕ膜１０を形成する。Ａｕ膜１０の
形成は所定のマスクを使用して、公知の薄膜形成技術に
より行う。その後、第３（Ｃ）図の如く、Ｓｎ膜２及び
ＡＵ膜１０の上にフォトレジスト３を形成し、公知のフ
ォトリソグラフィ技術により所定の形状にバタン化する
。
をＮ膜形成する。次に、第３（ｂ）図の如く、３ｎ膜２
上の所定の領域にＡｕ膜１０を形成する。Ａｕ膜１０の
形成は所定のマスクを使用して、公知の薄膜形成技術に
より行う。その後、第３（Ｃ）図の如く、Ｓｎ膜２及び
ＡＵ膜１０の上にフォトレジスト３を形成し、公知のフ
ォトリソグラフィ技術により所定の形状にバタン化する
。
ここで、第３（ｄ）図の如く、不用なＳｎ膜２を除去し
、更にフォトレジスト３をレジスト剥離液にて取り除く
。続いて、Ｓｎ膜２を硝酸水溶液に浸して３ｎと希硝酸
の反応生成物膜２′を生成しく第３（ｅ）図参照）、熱
分解により酸化物ＳｎＯ２膜２″を析出させる（第３（
ｔ）図参照）。
、更にフォトレジスト３をレジスト剥離液にて取り除く
。続いて、Ｓｎ膜２を硝酸水溶液に浸して３ｎと希硝酸
の反応生成物膜２′を生成しく第３（ｅ）図参照）、熱
分解により酸化物ＳｎＯ２膜２″を析出させる（第３（
ｔ）図参照）。
第３（ｆ）図において、Ａｕ膜１０の下部は硝酸水溶液
に接触しないから、３ｎ膜２のままであり、熱分解工程
中にＡ Ｌ＋膜１０と反応してＡｌｌ −８ｎ系の共晶
合金１１が都合良く形成される。このＡｕ−３ｎ系の共
晶合金１１を加熱圧着ボンディング用のバンプとして、
第３（ｇ）図の如く、リード線１２をボンディングする
。尚、Ｓｎ膜２の薄膜形成、Ｓｎと希硝酸の反応生成物
膜２′の生成及びＳｎ○２膜２″の析出に関する工程は
、前述の耐熱性基板上に作成されるガス検知装置の場合
と同じであるので説明を省略する。以上の方法により形
成される透明電極膜は、フォトエツチングによるファイ
ンバタン形成が可能で、しかも確実なボンディングが可
能である。従来の液晶ディスプレイパネル等の透明電極
膜は、導電性ゴムのコンタクトによって駆動回路側と接
続されていたが、本発明の方法を適用することにより、
確実なワイヤーボンディングが可能となり、信頼性を向
上させることができる。
に接触しないから、３ｎ膜２のままであり、熱分解工程
中にＡ Ｌ＋膜１０と反応してＡｌｌ −８ｎ系の共晶
合金１１が都合良く形成される。このＡｕ−３ｎ系の共
晶合金１１を加熱圧着ボンディング用のバンプとして、
第３（ｇ）図の如く、リード線１２をボンディングする
。尚、Ｓｎ膜２の薄膜形成、Ｓｎと希硝酸の反応生成物
膜２′の生成及びＳｎ○２膜２″の析出に関する工程は
、前述の耐熱性基板上に作成されるガス検知装置の場合
と同じであるので説明を省略する。以上の方法により形
成される透明電極膜は、フォトエツチングによるファイ
ンバタン形成が可能で、しかも確実なボンディングが可
能である。従来の液晶ディスプレイパネル等の透明電極
膜は、導電性ゴムのコンタクトによって駆動回路側と接
続されていたが、本発明の方法を適用することにより、
確実なワイヤーボンディングが可能となり、信頼性を向
上させることができる。
効 果
以上の如く、本発明により金属酸化物半導体を、薄膜形
成技術を用いて微細形状に作成することが可能となる。
成技術を用いて微細形状に作成することが可能となる。
また、ガス検知装置に適用した場合、水化物の発生がほ
とんどないため、ガス検知材料として特性の優れたもの
が得られるという効果がある。尚、本発明は上述の実施
例に限定されることなく、本発明の技術的範囲内におい
て種々の変形が可能であることは勿論である。
とんどないため、ガス検知材料として特性の優れたもの
が得られるという効果がある。尚、本発明は上述の実施
例に限定されることなく、本発明の技術的範囲内におい
て種々の変形が可能であることは勿論である。
第１（ａ）図乃至第１（ｈ）図は、本発明を耐熱性基板
上に作成されるガス検知装置の製造に適用した場合の工
程を示す各断面図、第２（ａ）図乃至第２（ｈ）図は、
本発明をブリッジ構成のガス検知装置の製造に適用した
場合の工程を示す各断面図、第３（ａ）図乃至第３（ｇ
）図は本発明を液晶ディスプレイパネルの透明電極膜の
製造に適用した場合の工程を示す各断面図である。 （符号の説明） １ ： 基板 ２ ： Ｓｎ膜 ２’：Ｓｎと希硝酸の 反応生成物膜 ２ Ｌｒ ： ３ ｎ○２膜 ３ ： フォトレジスト ５ ： マスク ７ ； Ａρ膜 ７′ ： 八ρと希硝酸の 反応生成物膜 ７″ ：Ａｇ２Ｏ３膜 ８ ： Ｐｔ膜 ９ ： Ｐｄ膜 特許出願人 リ コ − 精 器 株式会社′ｚ
′−７ 第１（Ｃ）図 第１（ｑ）ｉぶ１第１
（ｄ）図 第１（ｈ）図；７Ｓ２（ａ）
ｉ−ｆｆｌ εＦｉ２（ｅｌ〜で１＞
；）２ ＜ ｂ ＞図 第２（ｆ）図
第３（Ｑ）図 第３（ｂｌ二′てｊ ０ 第３（ｃ）図 第３（ｄ）図 第３（ｅ）ド１ ０ 第３は）図 ＜°（’；３（ｇ）図 ２
上に作成されるガス検知装置の製造に適用した場合の工
程を示す各断面図、第２（ａ）図乃至第２（ｈ）図は、
本発明をブリッジ構成のガス検知装置の製造に適用した
場合の工程を示す各断面図、第３（ａ）図乃至第３（ｇ
）図は本発明を液晶ディスプレイパネルの透明電極膜の
製造に適用した場合の工程を示す各断面図である。 （符号の説明） １ ： 基板 ２ ： Ｓｎ膜 ２’：Ｓｎと希硝酸の 反応生成物膜 ２ Ｌｒ ： ３ ｎ○２膜 ３ ： フォトレジスト ５ ： マスク ７ ； Ａρ膜 ７′ ： 八ρと希硝酸の 反応生成物膜 ７″ ：Ａｇ２Ｏ３膜 ８ ： Ｐｔ膜 ９ ： Ｐｄ膜 特許出願人 リ コ − 精 器 株式会社′ｚ
′−７ 第１（Ｃ）図 第１（ｑ）ｉぶ１第１
（ｄ）図 第１（ｈ）図；７Ｓ２（ａ）
ｉ−ｆｆｌ εＦｉ２（ｅｌ〜で１＞
；）２ ＜ ｂ ＞図 第２（ｆ）図
第３（Ｑ）図 第３（ｂｌ二′てｊ ０ 第３（ｃ）図 第３（ｄ）図 第３（ｅ）ド１ ０ 第３は）図 ＜°（’；３（ｇ）図 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に金属膜を薄膜形成す４る工程、前記金属膜
を希硝酸と反応させて反応生成物を得る工程、前記反応
生成物を熱分解して金属酸化物膜を生成する工程、とを
有することを特徴とする金属酸化物の製造方法。 ２、上記第１項において、前記金属膜が３ｎを有するこ
とを特徴とする金属酸化物の製造方法。 ３、上記第１項において、前記金属膜がＡＪ２を有する
ことを特徴とする金属酸化物の製造方法。 ４、上記第２項において、前記金属酸化物膜がガス検知
膜であることを特徴とする金属酸化物の製造方法。 ５、上記第２項において、前記金属酸化物膜が透明導電
膜であることを特徴とする金属酸化物の製造方法。 ６、上記第３項において、前記薄膜形成する工程の後に
前記金属膜の上にＰｔ及びＰｄを被着形成する工程を付
加し、前記金属酸化物膜がガス検知膜であることを特徴
とする金属酸化物の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059179A JPS59184711A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 金属酸化物の製造方法 |
| CA000446823A CA1216330A (en) | 1983-02-07 | 1984-02-06 | Low power gas detector |
| US06/577,858 US4580439A (en) | 1983-02-07 | 1984-02-07 | Low power gas detector |
| US06/838,289 US4740387A (en) | 1983-02-07 | 1986-03-10 | Low power gas detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059179A JPS59184711A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | 金属酸化物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184711A true JPS59184711A (ja) | 1984-10-20 |
| JPH0317765B2 JPH0317765B2 (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=13105909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059179A Granted JPS59184711A (ja) | 1983-02-07 | 1983-04-06 | 金属酸化物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184711A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012520784A (ja) * | 2009-03-18 | 2012-09-10 | エージーシー フラット グラス ノース アメリカ，インコーポレイテッド | 薄膜コーティング及びその作製方法 |
| CN104132987A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-11-05 | 中国石油化工股份有限公司 | 用于烃类气体检测的气敏原件的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50146595A (ja) * | 1974-05-17 | 1975-11-25 | ||
| JPS5244827A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing diffusing plate for optical use |
-
1983
- 1983-04-06 JP JP58059179A patent/JPS59184711A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50146595A (ja) * | 1974-05-17 | 1975-11-25 | ||
| JPS5244827A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing diffusing plate for optical use |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012520784A (ja) * | 2009-03-18 | 2012-09-10 | エージーシー フラット グラス ノース アメリカ，インコーポレイテッド | 薄膜コーティング及びその作製方法 |
| US9487438B2 (en) | 2009-03-18 | 2016-11-08 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Insulating glass unit comprising a sheet of glass with a fluorine doped tin oxide coating made from a gas stream comprising a nitric acid solution as oxidizing agent |
| CN104132987A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-11-05 | 中国石油化工股份有限公司 | 用于烃类气体检测的气敏原件的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0317765B2 (ja) | 1991-03-08 |
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