JPS59184482A - 接触子の製造方法 - Google Patents
接触子の製造方法Info
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- JPS59184482A JPS59184482A JP5797683A JP5797683A JPS59184482A JP S59184482 A JPS59184482 A JP S59184482A JP 5797683 A JP5797683 A JP 5797683A JP 5797683 A JP5797683 A JP 5797683A JP S59184482 A JPS59184482 A JP S59184482A
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- Japan
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- plating
- bath
- copper
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、りん青銅−錫系接触子の製造法に関するもの
であり、特にはこのりん青銅−錫系に固有の高温でのめ
つき層の剥離問題を生じないシん青銅−錫系接触子の製
造法に関するものである。
であり、特にはこのりん青銅−錫系に固有の高温でのめ
つき層の剥離問題を生じないシん青銅−錫系接触子の製
造法に関するものである。
電子機器には２回路接続用のコネクタ接触子が多数使用
されている。コネクタ接触子用の材料としては、ベリリ
ウム銅、チタン鋼、りん青銅等の母材に表面接点用の金
属として金、鋼等のめっきを施したものがあるが１価格
や量産性の点から民生用電子機器において用いるには適
切でない。そこで、民生用電子機器においては。
されている。コネクタ接触子用の材料としては、ベリリ
ウム銅、チタン鋼、りん青銅等の母材に表面接点用の金
属として金、鋼等のめっきを施したものがあるが１価格
や量産性の点から民生用電子機器において用いるには適
切でない。そこで、民生用電子機器においては。
母材として銅合金を用いそして表面接点用金属として錫
または錫合金をめっきした接触子が。
または錫合金をめっきした接触子が。
製造および製品品質の総合的観点から用いられ。
殊に強度、耐応力腐食割れ性等に優れチタン銅。
ぺＩＪ ＩＪウム銅に比べ廉価である点でりん青銅を母
材としそして表面接点用金属として錫または錫合金をめ
っきした接触子が現在主として用いられている。
材としそして表面接点用金属として錫または錫合金をめ
っきした接触子が現在主として用いられている。
電子機器の内部に接触子を組込んで使用する場合１機器
内部が通電による発熱のため１００℃前後に昇温するか
ら、接触子はこのような比較的高温に長時間曝されてい
ることになる。加えて、電子機器は機械的振動を受ける
ことも多い。こうした使用条件下で、上記りん青銅−錫
系接触子を使用すると、錫めっきが母材から剥離し、接
触不良となる欠点が認識されていた。
内部が通電による発熱のため１００℃前後に昇温するか
ら、接触子はこのような比較的高温に長時間曝されてい
ることになる。加えて、電子機器は機械的振動を受ける
ことも多い。こうした使用条件下で、上記りん青銅−錫
系接触子を使用すると、錫めっきが母材から剥離し、接
触不良となる欠点が認識されていた。
この高温でのめつき層の剥離は、黄銅−錫系等では生じ
ず、りん青銅−錫系の固有の問題である。この剥離の原
因については、りん青銅に含まれるりんと錫が大気の下
で反応し界面に特別な化合物が生成される等の報告もあ
るが、いまだ十分には解明されていない。りん青銅−錫
系接触子の機能を長期保証するためにはこの剥離問題を
ぜひとも解決する必要がある。
ず、りん青銅−錫系の固有の問題である。この剥離の原
因については、りん青銅に含まれるりんと錫が大気の下
で反応し界面に特別な化合物が生成される等の報告もあ
るが、いまだ十分には解明されていない。りん青銅−錫
系接触子の機能を長期保証するためにはこの剥離問題を
ぜひとも解決する必要がある。
剥離防止対策として、錫または錫合金めっき層の下側に
ニッケルの下地めっきを施すことが試みられたが加工性
が悪く々るため好ましくない。同じく下地めっきとして
硫酸鋼浴を用いて銅下地めっきを施すことが提唱された
が、２μ以上もの厚い銅層が必要であるといわれており
。
ニッケルの下地めっきを施すことが試みられたが加工性
が悪く々るため好ましくない。同じく下地めっきとして
硫酸鋼浴を用いて銅下地めっきを施すことが提唱された
が、２μ以上もの厚い銅層が必要であるといわれており
。
またその性能が安定せず商品化に問題があった。
更には、銀を含む特別な錫合金を使用する提案もあるが
、経済性の面等から好ましくない。ま接錫あるいは錫合
金を電気めっきした後加熱溶融処理する方法が剥離防止
策として知られているが、この方法によると加熱溶融に
より、皮膜が溶融状態で集まって小滴になろうとする傾
向があるためめっき光沢が下地めっきを施したものに比
べ著し−く悪化する欠点があった。
、経済性の面等から好ましくない。ま接錫あるいは錫合
金を電気めっきした後加熱溶融処理する方法が剥離防止
策として知られているが、この方法によると加熱溶融に
より、皮膜が溶融状態で集まって小滴になろうとする傾
向があるためめっき光沢が下地めっきを施したものに比
べ著し−く悪化する欠点があった。
本発明者は、良好な加工性を維持しまた低廉性をも維持
する剥離防止対策としては、銅下地めっきを利用する方
策が有利と考え、多くの検討を重ねた。その結果、まっ
たく予想外にも。
する剥離防止対策としては、銅下地めっきを利用する方
策が有利と考え、多くの検討を重ねた。その結果、まっ
たく予想外にも。
従来用いられていた硫酸鋼浴に替えて１−価の銅イオン
濃度が１０〜６０ ｔ／ｌ 、遊離シアン濃度が１０〜
２０ ｔ／Ｌである青化浴を使用してりん青銅母材に銅
下地めっきを薄く施し、その後上地めっきとして錫ある
いは錫合金を電気めっきし続いて加熱溶融処理するか或
いは上地めっきとして錫あるいは錫合金を溶融めっきす
ることにより、上述した剥離問題が解決されうろことが
見出された。とうすることＫより、銅下地めつき層は０
．３μ以下の薄さで十分に剥離防止能を発揮し、きわめ
て好適である。ま゛だ上地である錫あるいは錫合金めっ
きは電気めっき後加熱溶融処理を施すかあるいは溶融め
っきされているため、錫めっき皮膜の重大な欠点である
ウィスカーの発生を有効に抑制し、電気めっき皮膜よシ
冶金学的製法による金属に近いため、加熱条件下の使用
で問題となる変色等の表面性状の劣化が少ない。
濃度が１０〜６０ ｔ／ｌ 、遊離シアン濃度が１０〜
２０ ｔ／Ｌである青化浴を使用してりん青銅母材に銅
下地めっきを薄く施し、その後上地めっきとして錫ある
いは錫合金を電気めっきし続いて加熱溶融処理するか或
いは上地めっきとして錫あるいは錫合金を溶融めっきす
ることにより、上述した剥離問題が解決されうろことが
見出された。とうすることＫより、銅下地めつき層は０
．３μ以下の薄さで十分に剥離防止能を発揮し、きわめ
て好適である。ま゛だ上地である錫あるいは錫合金めっ
きは電気めっき後加熱溶融処理を施すかあるいは溶融め
っきされているため、錫めっき皮膜の重大な欠点である
ウィスカーの発生を有効に抑制し、電気めっき皮膜よシ
冶金学的製法による金属に近いため、加熱条件下の使用
で問題となる変色等の表面性状の劣化が少ない。
斯くして１本発明は、りん青銅を母材としそして表面接
点金属として錫あるいは錫合金を具備する接触子の製造
方法において、該りん青銅母材上に１価の銅イオン濃度
が１０〜６０ ｔ／ｌ 。
点金属として錫あるいは錫合金を具備する接触子の製造
方法において、該りん青銅母材上に１価の銅イオン濃度
が１０〜６０ ｔ／ｌ 。
遊離シアン濃度が１０〜２ ｒ） ｔ／ｌである青化銅
浴を使用して０．３μ以下の銅下地層を電気めっきし、
その後鍋あるいは錫合金を電気めっきし続いて加熱溶融
処理を行うかまたは錫あるいは錫合金を溶融めっきする
ことを特徴とする接触子製造方法を提供する。
浴を使用して０．３μ以下の銅下地層を電気めっきし、
その後鍋あるいは錫合金を電気めっきし続いて加熱溶融
処理を行うかまたは錫あるいは錫合金を溶融めっきする
ことを特徴とする接触子製造方法を提供する。
本発明について以下具体的に説明する。尚。
本発明においては、りん青銅の条、シート等にめっきお
よび加熱溶融処理した後接触子に成型するのが通例であ
るが、υん青銅条等を接触子に成型した後にめっきおよ
び加熱溶融処理することも妨げるものでない。ここでは
前者に基いて説明する。
よび加熱溶融処理した後接触子に成型するのが通例であ
るが、υん青銅条等を接触子に成型した後にめっきおよ
び加熱溶融処理することも妨げるものでない。ここでは
前者に基いて説明する。
本発明において使用されるりん青銅条は、ばね用りん青
銅としてＪＩＳに規定される各種のものを包括するもの
であり、一般に錫３〜１０係と、りん０．０３〜０．３
５％を含むものである。
銅としてＪＩＳに規定される各種のものを包括するもの
であり、一般に錫３〜１０係と、りん０．０３〜０．３
５％を含むものである。
この他、少量の亜鉛等の添加元素を含むこともある。
）ん青銅条は、アルカリ脱脂、電解脱脂、酸洗、水洗等
の所定の浄化処理を公知の態様で施された後１本発明に
従って青化浴を使用しての銅下地電気めっきが施される
。本発明においては、銅下地めっきが従来のように硫酸
鋼浴を用いずに青化浴を使用して実施されることが錫あ
るいは錫合金層の剥離を防止する上できわめて重要であ
る。
の所定の浄化処理を公知の態様で施された後１本発明に
従って青化浴を使用しての銅下地電気めっきが施される
。本発明においては、銅下地めっきが従来のように硫酸
鋼浴を用いずに青化浴を使用して実施されることが錫あ
るいは錫合金層の剥離を防止する上できわめて重要であ
る。
ここで青化銅浴は１価の銅イオンと遊離シアンを主体と
するものであるが、上述したように剥離問題を解決する
ためには青化銅浴中の１価の銅イオン濃度を１０〜６０
ｔ／ｌ ＰＣ，遊離シアン濃度を１０〜２０ ｆ／ｌ
の範囲にするととが必要である。銅イオン濃度が６０
ｆ／Ｌより高く。
するものであるが、上述したように剥離問題を解決する
ためには青化銅浴中の１価の銅イオン濃度を１０〜６０
ｔ／ｌ ＰＣ，遊離シアン濃度を１０〜２０ ｆ／ｌ
の範囲にするととが必要である。銅イオン濃度が６０
ｆ／Ｌより高く。
遊離シアンが１０ ｆ／ｌ’より低い場合は剥離を有効
に防止するととができず、また鋼イオン濃度が１０ ｔ
／ｌより低く、遊離シアン濃度が２０ ｔ／ｌよシ高い
場合は銅下地層の密着不良等を生じ。
に防止するととができず、また鋼イオン濃度が１０ ｔ
／ｌより低く、遊離シアン濃度が２０ ｔ／ｌよシ高い
場合は銅下地層の密着不良等を生じ。
かつ電流効率が低くなるため生産性が極めて悪くなる。
その他の組成については好適表青化銅めっき浴組成を適
宜選択することができる。次に代表的な青化銅めっき浴
を示す。
宜選択することができる。次に代表的な青化銅めっき浴
を示す。
青化銅浴（低濃度浴）
・粂 實化第−銅 １５〜３ｏり／ｌ）
青化ナトリウム ３０〜４５ ｔ／を遊離青化ナ
トリウム １０〜１５ ｔ／を水酸化カリウム
０〜４９／ｌ めっき条件は、青化銅浴の組成に依存するが。
青化ナトリウム ３０〜４５ ｔ／を遊離青化ナ
トリウム １０〜１５ ｔ／を水酸化カリウム
０〜４９／ｌ めっき条件は、青化銅浴の組成に依存するが。
ｐＨ＝１０〜１２．浴温度＝５０〜５０℃、陰極電流密
度−３〜８ ’Ａ／ａ−の下で実施されるのが通常であ
る。
度−３〜８ ’Ａ／ａ−の下で実施されるのが通常であ
る。
銅下地めっき厚は０．３μ以下であり、これにより十分
に前記剥離防止効果を発揮する。
に前記剥離防止効果を発揮する。
こうして、銅下地めっきが施された後１表面液点用金属
として錫あるいは錫合金が上地めっきされる。めっきは
、電気めっきあるいは溶融めっきのいずれで本実施する
ことができる。錫合金としては１．一般にはんだ材料と
して知られる鉛、ビスマス、カドミウム、アンチモノ、
インジウム、アルミニウム、亜鉛等を１種以上含むもの
を包括するものである。
として錫あるいは錫合金が上地めっきされる。めっきは
、電気めっきあるいは溶融めっきのいずれで本実施する
ことができる。錫合金としては１．一般にはんだ材料と
して知られる鉛、ビスマス、カドミウム、アンチモノ、
インジウム、アルミニウム、亜鉛等を１種以上含むもの
を包括するものである。
電気めっきおよび溶融めっきのめつき浴およびめっき条
件は従来から採用されているものいずれでもよい。例え
ば錫電気めつきにおいては。
件は従来から採用されているものいずれでもよい。例え
ば錫電気めつきにおいては。
アルカリ浴としては、錫酸カリウムおよび水酸化カリウ
ムを主体とする浴、錫酸ナトリウム２水酸化ナトリウム
および酢酸ナトリウムを主体とする浴、塩化第一錫およ
びビロリン酸ナトリウムを主体とする浴等が知られてい
る。酸性浴としては、シュウ酸塩浴、ホウフッ化浴、硫
酸壇浴等が知られている。いずれも公知のものであ夛、
それぞれの浴のめっき条件も確立されている。代表例を
挙げておく。
ムを主体とする浴、錫酸ナトリウム２水酸化ナトリウム
および酢酸ナトリウムを主体とする浴、塩化第一錫およ
びビロリン酸ナトリウムを主体とする浴等が知られてい
る。酸性浴としては、シュウ酸塩浴、ホウフッ化浴、硫
酸壇浴等が知られている。いずれも公知のものであ夛、
それぞれの浴のめっき条件も確立されている。代表例を
挙げておく。
アルカリ錫浴
錫酸カリｆｙ ム８０〜５２ｏｔ／を
水酸化カリウム １０〜４５ ｆ ／ Ｌ酢
酸 ２〜１ａｔ／を浴
温 ６５〜９０ｕ電流密度 ５〜１０
Ａ／（ｌぜ 硫酸錫浴 硫酸第一錫 ６０〜１００１／を 硫 酸 ６０〜１２０ｒ／ｚクレ
ゾールスルホノ酸 ６０〜１２０ ｆ／ｌソ
ラ チ ン １〜 ５ ｆ／
ｌベータナフトール １〜３ ｆ／を浴
温 １８〜２５ ℃電流密度 ５
〜１５ Ａ％１ｍ’ フェノールスルホン酸浴（半田めっキ）フェノールスル
ホンａｍ−錫 １２０〜２００ ｆ／ｌフェノー
ルスルホン酸［ｔ２ｏ〜２０ Ｑ １！／ｌフエノール
スルホン酸 １１０〜２００ ｆ／を浴
温 ２ｏ〜 ４０℃電 流 密
度 １〜 ５ Ａ／ｄｒｒ？溶融め
っきについても９半田浴を中心として幾つかのものが実
施されている。適当なフラックスを塗布後半出浴に浸漬
することにより錫合金皮膜を付着することができる。
酸 ２〜１ａｔ／を浴
温 ６５〜９０ｕ電流密度 ５〜１０
Ａ／（ｌぜ 硫酸錫浴 硫酸第一錫 ６０〜１００１／を 硫 酸 ６０〜１２０ｒ／ｚクレ
ゾールスルホノ酸 ６０〜１２０ ｆ／ｌソ
ラ チ ン １〜 ５ ｆ／
ｌベータナフトール １〜３ ｆ／を浴
温 １８〜２５ ℃電流密度 ５
〜１５ Ａ％１ｍ’ フェノールスルホン酸浴（半田めっキ）フェノールスル
ホンａｍ−錫 １２０〜２００ ｆ／ｌフェノー
ルスルホン酸［ｔ２ｏ〜２０ Ｑ １！／ｌフエノール
スルホン酸 １１０〜２００ ｆ／を浴
温 ２ｏ〜 ４０℃電 流 密
度 １〜 ５ Ａ／ｄｒｒ？溶融め
っきについても９半田浴を中心として幾つかのものが実
施されている。適当なフラックスを塗布後半出浴に浸漬
することにより錫合金皮膜を付着することができる。
錫あるいは錫合金めっき層の厚さは、対象とする接触子
の型式により異なるが、１〜数μの範囲が通例である。
の型式により異なるが、１〜数μの範囲が通例である。
１．２〜２．５μの厚さが一般に推奨される。
こうして、上地めっきとして錫あるいは錫合金でめっき
されたシん青銅条は続いて加熱溶融処理を受ける。加熱
溶融処理けりフロー処理とも呼ばれるもので、バーナ直
火型炉、電気炉等の加熱炉において上地めっきの融点以
上に５〜１０秒間加熱することによって行われる。この
処理によって錫あるいは錫合金層の再溶融と流動化が起
こり２表面の滑らかさおよび光沢が改善され、さらに剥
離防止効果が与えられる。但し、溶融めっきしたものに
ついては再溶融は特に行う必要はない。
されたシん青銅条は続いて加熱溶融処理を受ける。加熱
溶融処理けりフロー処理とも呼ばれるもので、バーナ直
火型炉、電気炉等の加熱炉において上地めっきの融点以
上に５〜１０秒間加熱することによって行われる。この
処理によって錫あるいは錫合金層の再溶融と流動化が起
こり２表面の滑らかさおよび光沢が改善され、さらに剥
離防止効果が与えられる。但し、溶融めっきしたものに
ついては再溶融は特に行う必要はない。
以上の処理を終えたりん宵銅−錫めっき条は接触子に成
型される。ニッケルのような加工性の悪いめっき層が存
在しないので成型は容易に実施例 本発明に従って作製された接触子は高温下での使用中に
もめつき層の剥離を生じない。例えば、１０５℃の温度
で６００時間保持した後９０°曲げ剥離試験を行っても
剥離は全く生じない。介在する銅下地層は薄いので、生
産性に優れ１曲げ加工に際してクラックが生じにくい。
型される。ニッケルのような加工性の悪いめっき層が存
在しないので成型は容易に実施例 本発明に従って作製された接触子は高温下での使用中に
もめつき層の剥離を生じない。例えば、１０５℃の温度
で６００時間保持した後９０°曲げ剥離試験を行っても
剥離は全く生じない。介在する銅下地層は薄いので、生
産性に優れ１曲げ加工に際してクラックが生じにくい。
さらに高温使用下における変色等の表面性状の劣化も電
気めっき皮膜のみのものより著しく改″＋□ 善される。また上地めっきとして純錫を用いた場合、電
気錫めっき皮膜の量大な欠点となるウィスカーの生長も
有効に抑制できる。
気めっき皮膜のみのものより著しく改″＋□ 善される。また上地めっきとして純錫を用いた場合、電
気錫めっき皮膜の量大な欠点となるウィスカーの生長も
有効に抑制できる。
実施例１
ばね用しん青銅粂を、アルカリ脱脂、電解脱脂、そして
酸洗中和後、０６μ、Ｑ、２．５μ。
酸洗中和後、０６μ、Ｑ、２．５μ。
０．２ｐ、 ａｌ ５．ｐ、 ａｌ ｐおよび０．０５
ｐの６種の銅下地めっきを下記の青化浴を使用して施
した。その後、それぞれについて１．５μ厚の錫めっき
を行った。浴組成々らびにめっき条件は下記の通υであ
る 肯化第−銅 ２５９／Ｌ 青化ソーダ ａＯｅ／を 遊離肯化ナトリウム １２ ｙ／を水酸化カリ
ウム ２ ｔ７’を 浴 温 ４０ ℃電流密度
６ Ａ／ａｔｔ？ 硫酸錫浴 硫醗第−錫 ７０ｒ／を 硫 酵 １ｏｏｙ／ｌクレゾールス
ルホン酸 １ｏａｔ／ｌゼ ラ テ ン
２ ｙ／ｌベータナフトール
１．５ ｆ／を浴 温 ４０
℃電流密度 ４ Ａ／ｃｌｎ／ こうして錫めっきされた条を電気炉において６００℃の
炉内温度で１０秒間保持した後、冷却した。その後、こ
の条を接触子に成型した。
ｐの６種の銅下地めっきを下記の青化浴を使用して施
した。その後、それぞれについて１．５μ厚の錫めっき
を行った。浴組成々らびにめっき条件は下記の通υであ
る 肯化第−銅 ２５９／Ｌ 青化ソーダ ａＯｅ／を 遊離肯化ナトリウム １２ ｙ／を水酸化カリ
ウム ２ ｔ７’を 浴 温 ４０ ℃電流密度
６ Ａ／ａｔｔ？ 硫酸錫浴 硫醗第−錫 ７０ｒ／を 硫 酵 １ｏｏｙ／ｌクレゾールス
ルホン酸 １ｏａｔ／ｌゼ ラ テ ン
２ ｙ／ｌベータナフトール
１．５ ｆ／を浴 温 ４０
℃電流密度 ４ Ａ／ｃｌｎ／ こうして錫めっきされた条を電気炉において６００℃の
炉内温度で１０秒間保持した後、冷却した。その後、こ
の条を接触子に成型した。
こうして作成した接触子を１０５℃において６００時間
大気加熱した後、９０°曲げ試験による剥離試験を行っ
たが剥離は生じなかった。
大気加熱した後、９０°曲げ試験による剥離試験を行っ
たが剥離は生じなかった。
比較例１
銅下地めっきをそれぞれα５μ、ａ４５μ。
ｌ１ｌＬ４μおよび０．３５μ施す以外は実施例１と同
様に接触子を作製し、剥離試験を行った。この結果３６
０時間で錫めっき層の剥離が生じた。
様に接触子を作製し、剥離試験を行った。この結果３６
０時間で錫めっき層の剥離が生じた。
比較例２
銅下地めっきを下記の青化銅浴を使用して行った以外は
実施例１と同等にして接触子を作製し九゛ 青化第−銅 １１ Ｑ ｆ／を 青化ナトリウム １ｚｓｒ／ｚ 水酸化ナトリウム ５０ｙ７を遊離シアン
４ ｙ／を 浴 温 ６０ ℃電 流
密 度 ３Ａ／ｄ−イ剥離試験の結果
、３６０時間の加熱で錫めっき層の剥離が生じた。
実施例１と同等にして接触子を作製し九゛ 青化第−銅 １１ Ｑ ｆ／を 青化ナトリウム １ｚｓｒ／ｚ 水酸化ナトリウム ５０ｙ７を遊離シアン
４ ｙ／を 浴 温 ６０ ℃電 流
密 度 ３Ａ／ｄ−イ剥離試験の結果
、３６０時間の加熱で錫めっき層の剥離が生じた。
実施例２
実施例１′と同等の条件で６種の銅下地めっきしたもの
にフェノールスルホン酸浴で半田めっきを行った。めっ
き浴組成および条件は次の通シである： フェノールスルホンｅ第一錫１６０ ｔ／ｌフェノー
ルスルホン酸鉛 １６０ ｔ／ｌフェノールスル
ホン酸 １５０ｆ／を浴 温
６０ ℃電 流 密 度
３ Ａ／ｅＬｄその後電気炉において６５
０℃で１５秒間大気中加熱後空冷した。得られた６種の
めっき材を接触子に成型後１０５℃において６００時間
保持後９０°曲げ剥離試験を行ったが、半田めっき層の
剥離を生じなかった。
にフェノールスルホン酸浴で半田めっきを行った。めっ
き浴組成および条件は次の通シである： フェノールスルホンｅ第一錫１６０ ｔ／ｌフェノー
ルスルホン酸鉛 １６０ ｔ／ｌフェノールスル
ホン酸 １５０ｆ／を浴 温
６０ ℃電 流 密 度
３ Ａ／ｅＬｄその後電気炉において６５
０℃で１５秒間大気中加熱後空冷した。得られた６種の
めっき材を接触子に成型後１０５℃において６００時間
保持後９０°曲げ剥離試験を行ったが、半田めっき層の
剥離を生じなかった。
実施例３
実施例１と同等の条件で６種の銅下地めっきしたものに
、４０Ｂｅ塩化亜鉛水溶液のフラックスを塗布後３００
℃の浴温の６０％錫−４０％鉛の半田浴に浸漬すること
により２μの半田溶融めっきを行った。実施例１と同様
に試験したが、６００時間の加熱後も半田めっき層の剥
離は生じなかった。
、４０Ｂｅ塩化亜鉛水溶液のフラックスを塗布後３００
℃の浴温の６０％錫−４０％鉛の半田浴に浸漬すること
により２μの半田溶融めっきを行った。実施例１と同様
に試験したが、６００時間の加熱後も半田めっき層の剥
離は生じなかった。
特許出願人 日本鉱業株式会社
代理人 弁理士（７５６９）並川啓志
Claims (1)
- シん青銅を母材としてその表面接点金属として錫あるい
は錫合金を具備する接触子の製造方法において、該りん
青銅母材上に１価の銅イオン濃度が１０〜６Ｑ ｔ／Ｌ
、遊離シアン濃度が１０〜２０ ｔ／ｌである青化銅
浴を使用して０．３μ以下の銅下地層を電気めっきし、
その後鍋あるいは錫合金を電気めっきし続いて加熱溶融
処理を行うか、または錫あるいは錫合金を溶融めっきす
ることを特徴とする接触子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5797683A JPS59184482A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 接触子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5797683A JPS59184482A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 接触子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184482A true JPS59184482A (ja) | 1984-10-19 |
Family
ID=13071029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5797683A Pending JPS59184482A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 接触子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184482A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5069979A (en) * | 1990-03-19 | 1991-12-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plated copper alloy material |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5141222A (ja) * | 1974-10-02 | 1976-04-07 | Mitsubishi Rayon Co | Kochikutainobosuisekoho |
| JPS6147233A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-07 | Toray Ind Inc | シ−ト状物の延伸装置 |
-
1983
- 1983-04-04 JP JP5797683A patent/JPS59184482A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5141222A (ja) * | 1974-10-02 | 1976-04-07 | Mitsubishi Rayon Co | Kochikutainobosuisekoho |
| JPS6147233A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-07 | Toray Ind Inc | シ−ト状物の延伸装置 |
Cited By (1)
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| US5069979A (en) * | 1990-03-19 | 1991-12-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plated copper alloy material |
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