JPS5917861B2 - 可変インピ−ダンス回路用ic - Google Patents

可変インピ−ダンス回路用ic

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JPS5917861B2
JPS5917861B2 JP51152214A JP15221476A JPS5917861B2 JP S5917861 B2 JPS5917861 B2 JP S5917861B2 JP 51152214 A JP51152214 A JP 51152214A JP 15221476 A JP15221476 A JP 15221476A JP S5917861 B2 JPS5917861 B2 JP S5917861B2
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JP
Japan
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transistors
transistor
impedance
variable
collector
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JP51152214A
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English (en)
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JPS5375879A (en
Inventor
文夫 三枝
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Keio Giken Kogyo KK
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Keio Giken Kogyo KK
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は例えば可変減衰器或は可変フィルタ等に使用
して好適な可変インピーダンス回路用ICに関し、特に
温度特性がよい可変インピーダソス回路用ICを提供せ
んとするものである。
例えば電子鍵盤楽器等では各鍵盤の音の周波数に対応す
る信号として高調波を多く含む例えば矩形波を出力させ
、その高調波の含有量を変化させ: て音色を変化させ
るようにしている。
このような場合制御電圧の変化に対し指数関数的にイン
ピーダンスが変化する可変インピーダンス素子があると
都合がよい。従来このような可変インピーダンス素子と
してダイオードが使用されているがダイ0 オートのイ
ンピーダンスは温度によつて大幅に変化し、可変フィル
タの周波数特性が温度によつて変化してしまう欠点があ
る。この発明の目的は温度変化に対して安定性のよい可
変インピーダンス回路用ICを提供しようと5 するも
のである。
以下この発明の一実施例を図面について詳細に説明する
第1図はこの発明の一実施例を示し、1は同一半導体基
板から成るICを示す。
このICIの内o 部にこの発明においてはベースを共
通接続した複数のトランジスタを形成するものである。
この例ではベースを共通接続したトランジスタを2個形
成した場合を示し、このトランジスタを2a、2bとし
て示す。これらのトランジスタ2a、2bは’5 互に
コレクターエミッタ間を直列に接続した状態でICI内
に形成され、その直列回路の両端と接続中点を外部端子
3a、36、3cに接続する。この例ではトランジスタ
2aのコレクタを外部端子3aに接続しトランジスタ2
aのエミッタと卜’0 ランジスタ2bのコレクタとを
共通接続し、この共通接続点を外部端子3bに接続する
。またトランジスタ2bのエミッタを外部端子3cに接
続した場合を示す。一方この発明ではこれらトランジス
タ2a、2bi5のベース共通接続点と制御端子の間に
ダイオードを接続するものである。
この例ではトランジスタ4を形成し、このトランジスタ
4のベースーコレクタ間のダイオードを利用した場合を
示す。即ちトランジスタ4のベースをトランジスタ2a
,2bのベース共通接続点に接続した状態でIC内に形
成し、コレクタを制御端子5に接続し、ベースの共通接
続点の外部端子6に接続する。このようなICを作るこ
とによつて例えば第2図に示すような可変フイルタを構
成することができる。
即ち制御端子5には制御電圧源7の一端を接続し、制御
電圧源7の他端を共通電位点8に接続する。共通電位点
8と外部端子6との間に定電流源9を接続する。この例
ではトランジスタ4としてNPN型トランジスタを形成
した場合を示し、これがために定電流源9の正極端子を
外部端子6に接続し、負極端子を共通電位点8に接続し
、制御電圧源は正極端子を共通電位点8に、また負極端
子を制御端子5に接続するようにしている。一方外部端
子3aと共通電位点8との間には例えば鍵盤楽器の信号
源としての矩形波信号源10を接続し、外部端子3b,
3cと共通電位点8との間にはそれぞれコンデンサ11
a,11bを接続し、外部端子3cと共通電位点8との
間より出力端子12−12を導出する。このように外部
回路を構成した場合には第3図に示すような可変フイル
タが構成される。即ちトランジスタ4のベース−コレク
タ間で構成されるダイオードには定電流源9の電流が流
れる。
このとき制御電圧源7の電圧を可変するとトランジスタ
4のベース−コレクタ間で構成するダイオードのインピ
ーダンスが変化しそのベースの電位が変化する。このベ
ース電位の変化がトランジスタ2a,2bのベースに供
給されトランジスタ2a,2bのコレクターエミツタ間
のインピーダンスが可変される。従つて第3図に示すよ
うにトランジスタ2a,2bの各コレクターエミツタ間
のインピーダンスをR,,R2とすると、このインピー
ダンスR,,R2が変化することによつて信号源10か
ら出力端子12−12に至る間の低減P波特性が変化し
信号源10が矩形波発振器とすれば出力端子12−12
に得られる信号の高調波含有量を変化させることができ
る。この場合トランジスタ4で構成されるダイオードの
インピーダンスは制御電圧の変化に対して一般に周知の
如く指数特性を呈する。このため制御電圧源7の電圧を
可変したときトランジスタ4のベース電位の変化は指数
関数的に変化する。このためトランジスタ2a,2bの
ベース電位も指数関数的に変化し、その各コレクターエ
ミツタ間のインピーダンスも指数関数的に変化する。よ
つてトランジスタ2a,2bとコンデンサ11a,11
bで構成される低域遮断周波数の変化は制御電圧の変化
に対し指数関数的に変化し、制御電圧の変化に対し遮断
周波数を大幅に変化させることができる。よつてこの可
変フイルタを例えば鍵盤楽器の音色調整器として用いた
場合には矩形波から正弦波に近い波形までを得ることが
でき音色を大幅に変化させることができる。然もこの発
明によるICによれば各インピーダンス可変用トランジ
スタ2a,2bのベースには同一半導体基板上に形成さ
れたダイオードを介して制御電圧を供結するようにした
から温度変化に対してそのインピーダンスが安定に保持
される。
即ち例えば温度上昇によりトランジスタ2a,2bのコ
レクターエミツタ間のインピーダンスが低下しようとし
た場合トランジスタ4のベース−コレクタ間で構成され
るダイオードのインピーダンスも温度上昇により低下し
、トランジスタ2a,2bのベース電位を下げる方向に
制御する。この結果トランジスタ2a,2bのインピー
ダンスの低下は抑制される。また温度が低下しトランジ
スタ2a,2bのインピーダンスが増加しようとした場
合にはトランジスタ4で構成されるダイオードのインピ
ーダソスが増加しトランジスタ2a,2bのベース電位
を上昇させるからこの場合もトランジスタ2a,2bの
インピーダンスの増加は抑制される。然もトランジスタ
2a,2b及びトランジスタ4は同一半導体基板上に形
成されているため、温度変化に対して全てのトランジス
タのインピーダンスが一様に変化し、温度変化に対して
極めて安定性が高い可変インピーダンス回路を得ること
ができる。結局トランジスタ2a,2bのインピーダン
スは温度変化に対し安定に保持され、例えば第2図に示
したように可変フイルタを構成した場合その遮断周波数
は温度変化に対して安定性が高く実用に際してその効果
は大である。向上述においては外部端子3b,3cにコ
ンデンサ11a,11bを接続し、この発明によるIC
を可変フイルタに利用した場合について説明したが、他
の応用として例えば第4図に示すように外部端子3b,
3cに抵抗器13a,13bを接続することにより第5
図に示すような可変減衰器を構成することもできる。
また上述においてはトランジスタ4のベース−コレクタ
間のダイオードを温度補償用として用いたが、ベースー
エミツタ間のダイオードを使用するようにしてもよい。
更に可変インピーダンス用トランジスタ2a,2bはト
ランジスタ2aのエミツタとトランジスタ2bのコレク
タとを接続して直列接続したが、第6図に示すようにト
ランジスタ2aのエミツタを外部端子3aに接続し、コ
レクタをトランジスタ2bのエミツタと接続して外部端
子3bに接続し、トランジスタ2bのコレクタを外部端
子3cに接続するようにしてもよい。更に第7図に示す
ようにトランジスタ2a,2bのエミツタを共通接続す
るように直列接続しても上述と全く同様の作用効果が得
られる。また上述ではトランジスタ2a,2b及び4を
NPN型トランジスタとしたがPNP型トランジスタと
することもできる。この場合には定電流源6と制御電圧
源3の極性を逆にして外部端子6と5に接続すればよい
。また上述では低域通過フイルタの遮断周波数を変化さ
せるようにした可変フイルタにこの発明によるCを応用
した例を説明したが、第8図に示すように外部端子3b
にコンデンサ11aを通じて信号源10を接続し、外部
端子3aを共通電位点に接続し、外部端子3cにはコン
デンサ11bを接続することにより、第9図に示すよう
なバンドパスフイルタを得ることもでき、制御電圧源7
の制御によつてトランジスタ2a,2bのインピーダン
スR,,R2が変化するとその帯域通過特性の中心周波
数を変化させることができる。
また第10図に示すように出力端子12の出力を増幅器
15に供給しその同相出力をコンデンサ11aを通じて
外部端子3bに帰還させるように使用することもできる
。この場合には正帰還量を適当に調整することによつて
第11図に示すように低域遮断周波数附近の減衰特性を
曲線A,b,cに示すように変化させることができる。
向点線dは増幅器15を使用しない場合の例えば第2図
で説明した可変フイルタの特性を示す。そしてこの場合
も上述と同様に制御電圧源7の電圧を変化させることに
よつてその遮断周波数を周波数軸fに沿つて指数関数的
に変化させることができる。また上述では可変インピー
ダンスを構成するトランジスタをIClの中に2個形成
した場合を説明したが実際には更に多くのトランジスタ
を直列接続して形成するものであり、可変インピーダン
ス用のトランジスタの数を多くすればそれだけ可変フイ
ルタとしてはその減衰特性を急峻にすることができ、ま
た可変減衰器を構成した場合には減衰量を可変範囲を大
きくできるものであるから可変インピーダンス用トラン
ジスタの数に限定はない。
以上説明したようにこの発明によれば温度特性のよい可
変インピーダンス回路用1Cを構成することができ、可
変フイルタ或は可変減衰器等に応用してその効果は頗る
大である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す接続図、第2図はこ
の発明による可変インピーダンス用1Cの応用例を示す
接続図、第3図はその等価回路を示す接続図、第4図は
この発明の他の応用例を示す接続図、第5図はその等価
回路を示す接続図、第6図及び第7図はこの発明の他の
実施例を示す接続図、第8図はこの発明の他の応用例を
示す接続図、第9図はその等価回路を示す接続図、第1
0図はこの発明の更に他の応用例を示す接続図、第11
図はその動作の説明に供する特性曲線図である。 1:可変インピーダンス回路用1C12a,2b:可変
インピーダンスを構成するトランジスタ、3a,3b,
3c:外部端子、4:温度補償用ダイオードを構成する
トランジスタ、5:制御端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 A、同一半導体基板上にベースが共通接続されて形
    成された複数のトランジスタと、B、これら複数のトラ
    ンジスタのベース共通接続点に接続された外部端子と、
    C、上記複数のトランジスタの中の何れか一つのトラン
    ジスタのエミッタかコレクタの何れか一方に接続された
    制御用外部端子と、D、上記複数のトランジスタの他の
    残りのトランジスタのエミッタとコレクタを共通接続し
    て構成したトランジスタのエミッタとコレクタによる直
    列回路と、E、このトランジスタのエミッタとコレクタ
    による直列回路の両端とトランジスタ相互の共通接続点
    から導出した外部端子とから成る可変インピーダンス回
    路用IC。
JP51152214A 1976-12-17 1976-12-17 可変インピ−ダンス回路用ic Expired JPS5917861B2 (ja)

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JPS5375879A JPS5375879A (en) 1978-07-05
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ID=15535555

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS58111526U (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 ロ−ランド株式会社 電圧制御型フイルタ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51117816A (en) * 1975-04-09 1976-10-16 Sony Corp Receiver

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