JPS59178407A - 偏波面保存光フアイバ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は偏波面保存光ファイバに関する。

偏波面保存光ファイバとしては、りでに種々の構造が提
案されているが、現在最も評価を得ているものに第１図
に示′？ｌ構造のものがある。

これは４層構造の光ファイバであり、コア１１、クラッ
ド１２、内側ジャケラ１〜１３、外側ジＩｌクツ１−１
４を有りるものである。

コア１１はＧｅＱ２を含む５ｉ０２ガラスがうなり、ク
ラッド１２は高純度３ｉ０２がらなり、内側ジャクツ（
〜（ユＩ−）２０５及びｌ−３２０３を含む５ｉ０２ガ
ラスｈ目らなり、外側ジＶケットは５ｉ０２ガラスから
なっている。

この偏波面保存光ファイバは極めて優れた特性をもして
いるが、耐放射線性の点てやや勉があっｌこ　１゜ また、この偏波面保存光ファイバの製法としてはＶＡＤ
法に類似したスート堆積法によって製造できるが、世の
中では内（’Ｊ　ＣＶ　Ｄ法が良く知られておりこれに
よっても製造が試みられている。

ところが、山付ＣＶＤ法で製造した場合、」アに中心ぬ
けを生じ、第２図に示１　、にうな屈折重分４ｉと＜ｉ
す、必ザしも満足できる特性が得られなかった。

ホ光１１１ＪはｕＪｉかる状況に鑑み、耐放射線性に優
れ、Ｖ　Ａ　ｌ）法（・も内ｆＪＣＶＤ法°（も容易に
製造でき、しかし特性的に十分満足でさる偏波面（５＋
：存光ファイバの具体的構成を提供することをＬＩ的と
づる。

’Ｊ　／、、：４つら、本発明の要旨は、耐放射線性を
良グｒ（こし、内（＝Ｊ−ＣＶ　Ｉ）法による中心ぬ（
）現象を解消づるために、」アを高純度Ｓｉ　０２とし
、しかし一般に５ｉ０２コアの光ファイバが右している
欠員を解決Ｊるための具体的構成を詳細に限定したしの
て゛ある、。

木５で明の構成を、一実施例をンＪ＼り第３３図を参照
しくＬ１体的に説明する。

第３図にＪ３いＣ１３１はコア、３２はクララ１〜、Ｊ
　Ｊ　Ｌよ内側シ１／ケツｌ〜であり、３４は外側ジャ
ケットＣある。

コア３１は高純度ＳｉＯ２かうなり、格別のドーパント
を含まない構成であり、クラッド３２はＳｉＯ２を主成
分としＰ２　Ｏ５，８２０ｓ及びフッ素を含有覆る構成
であり、内側ジャケット３２はＳ　１−０２を主成分と
しＰ２Ｏ５及びＢ２０３を含有した椙成であり、外側ジ
ャケット３４はＳ’！０２を主成分どし格別のドーパン
トを含まない構成である。

クラッド３２に含まれるフッ素は屈折率制御用ドーパン
トであり、Ｐ２Ｏ５及びＢ２０３は屈折率制御と粘度の
調整を兼ねたドーパントぐある。

フッ素は８２０３などに比べ少量で屈折率を大幅に下げ
ることができる物質である。

づなわち８２０３が１４〜１５モル％含まれるＳｉ　０
２カラスでも５ｉ０２の屈折率に対して０．７％程度し
か下げることができず、Ｂ２’０３を１５モル％以上含
有さゼて−５ざらに屈折率を下げることばできずに８２
’０３のにり合を大きく覆るとかえって屈折率が高くな
ってしまう。

これに対して、フッ素はその含有割合が１．５モル％で
０．５％程度屈折率を下げることがＣき、３モル％で５
ｉ０２に対して１．０％程度屈折率をトけることができ
る。

従ってクララ１〜３２を第４図に示りＪ：うな屈折捧゛
の（Ｌ（い層としく形１反Ｊることは極めて容易にで・
きる。

屈折十分イ１ｊか第４図に承りような形であると、第５
〕図に小づような形の場合に比べＣ、クラッド３３２ど
内側ジトケット３３の厚さを薄く椙成りることかでき、
製造が容易である。すなわち、第５図のようなｈ１１析
率分布形状の場合には第４図のｊζうな形状の光ノアイ
バと同等の特性を得Ｊ、うとした場合に、クラッド３２
と内側ジｔ・クツ１−３３の合８１１９さを厚くしなけ
ればならず、これらの要素を内（＝Ｊ法で作るにしろ、
外付法で作るにしろめんどう（′あり、しかし所定の楕
円形状を作成しなりればならないので相当製造条件が限
定され−（しまう。

クラッド３２に含まれるフッ素の量は内側ジｔ・ケラト
３３に比べくクラッド３２の屈折率が明確に低くなる程
麿であればよく、例えば２〜５′Ｉニル％稈度でよい。

クラッド３２に含まれるＰ２Ｏ５の量は微少でよい。

内側ジャケット３３に含まれるＢ２０３は屈折率制御と
歪付与の目的ぐ加えられたドーパントであり、Ｐ２Ｏ５
は粘度調整と屈折率制御の目的で加えられたドーバンＩ
・である。

この日２０３と１つ２０Ｓの合ｈ１用は５へ一２０モル
％であることが要求され、１０〜１５モル％程度が適当
である。

この範囲は主に粘度によっ−Ｃ限定される・ｂのであり
、Ｂ２Ｏ３とＰ２０Ｓの合５１景が５５モル％未満では
、粘度が高く、内側ジャクツ１〜３３を第３図に示づよ
うな楕円形状に作成することが著しく困難なためである
。

また、８２０ｓとＰ２０ｓどの合計量が２０モル％を越
えると、山付ＣＶＤ法によって製造りる場合には、粘度
が低くそれより内側の粘度の高い層を蒸着できないので
不適当であり、また、同時に２０モル％を越えると屈折
率の制ｆｉｌも困難になるためである。

またさらに、内側ジャケット３３における１３２０３の
割合はＰ２Ｏ５に対して１．０〜２．０（Ｆ＜の範囲で
あることが望ましい。すなわち、１’２０５に対し一ζ
１．０倍未満であると、二１ア３１及び外側ジルフット
３４に比較しで１ｉｆｔ　Ｊｌｉ　＊を明確に低く保つ
ことができなくなるため１．ｏイｒ＜以十で゛あること
か必要で・ある３゜ １３２０３の割合が１つ２０ｓよりされだっ−（多く２
．０イｇ以上であると外側ジャケラ１〜Ｌ’Ｊ　４　’
＋’Ｌどど比へ（熱膨張係数の差ばかりが人さくなり、
その割に粘度が（Ｄ：　＜ならイ１いので、割れ（クラ
ック）が入りやりい状態となり望：Ｌ’ｖ　＜　４’Ｌ
い、１外側ジキ・クツｔ−３１＋は一般に市販され−（
いる］業川用リカガラス管が使用できるが、合成０英に
Ｊ、つＣ高純度５１０２を使用してもよいことはｂらろ
／Ｖ（・ある。

本発明の（ら°１１層保存光ファイバは、例えばＩｔ；
ｌｊ　１ｉｉｌ昭５６−１２５２ご３３号公報に示され
ているよう４Σ減ルを臼む内イＳＪ　ＣＶ　Ｄ法に」、
り製造Ｃ・さることはｂらろんのこと外側ＣＶ　ｌ）法
によつＵ　’ｂ製造でき、Ｖ　Ａ　ｌ）法とこれらを混
合した［ＪツＩ’インデユープ法によっても製造できる
ものである。

また、このＪ：うにして得られた偏波面保存光）ｉ・イ
バは当然所定の樹脂組成物にＪζつで被覆して実用に供
されるものであり、被覆づる樹脂組成物の層は１層でも
複数層でもよい。

ｊス上説明したような偏波面保存光ファイバであれば、
次のにうな顕著な効果を炎４る。

（１）　　コアが高純度５ｉ０２かうなるので、耐放射
線性が良好（ある。

（２）」アがドーバン１−を含まない高純度ＳｉＯ２か
らなるので内イｑＣＶｌ）法で゛製造しでも中心ぬりが
なく、特性が安定している。

（コラ）　　コアが高純度ＳｉＯ２からなるので、粘度
が高く、内側ジャケラ１〜を楕円に形成りろ過程Ｃも変
形しない。

（４−）　　内側ジャケラ１〜に含まれるＢ２Ｏ３とＰ
ｚＯｓの量が適切に選択されＣいるのＣ１内（＝Ｊ法及
び外何法その伯のいずれで製造しても製造が容易であり
、再説性が高い。

（５）　　内側ジャケラ１−に比較してクラッドの屈折
率かイ１（＜構成され（いるのて′、同じ特性ぐムクラ
ッドと内側シ１１クットの厚さか４９＜でき、製造か臼
易で−あり、出現性か高い。

【図面の簡単な説明】

り（１図は従来の偏波面保存光］７フイバを示り断面図
、第２図は従来の偏波面保存光ファイバの屈折捧′分４
ｉを爪１線図、第３図は本発明の一実施例を小り断面図
、第４図は本発明の一実施例の屈１１１率分布を承り線
図であり、第５図は本発明と比較りるための比較例の屈
折率分布を示ツ線図である１゜３１：］コア３２：クラ
ッド、３３：内側ジｔ・クツ１−１３／ｌ：外側ジャケ
ラ１〜。 年　１　図 第　Ｚ　図 算　３［２１ 第　４　ｌ 第　Ｓ　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 断面が円形の：ｊアど、その外周に設けられたクラッド
   と、（の外周に設（プられた断面が楕円形の内側ジＶケ
   ットと、さらにその外周に設（］られた外外側ジャケラ
   とを右する偏波面保存光フッフィバにおいて、前記コア
   は高純度５１０２から４にす、前記クラッドは５ｉ０２
   を主成分とし１−）２０ｓ、１−５２０３及びフッ素を
   含有するガラスからイτす、前記内側ジャフットは５ｉ
   ０２を主成分とし１’２０ｓ及び［３２０３を含有する
   ガラスから４１す、前記クラットは内側ジャケットに比
   較しＣ含イｊりる５１０２の割合が大きく、かつ前記ク
   ラッドの１＋ｉｉ　Ｊｈ率（町内側ジャウ゛ットに比較
   して低く、前記内側ジトケツどにａ３４プるＰ２Ｏ５と
   Ｂ２Ｏ３どの合シ１鯖が５〜２０モル％であり、かつＰ
   ２Ｏ５に対りる８２０３の割合がモル％で１．０〜２．
   ０倍であることを特徴とする偏波面保存光ファイバ、１