JPS59178367U - スパツタリング装置 - Google Patents

スパツタリング装置

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Publication number
JPS59178367U
JPS59178367U JP6973183U JP6973183U JPS59178367U JP S59178367 U JPS59178367 U JP S59178367U JP 6973183 U JP6973183 U JP 6973183U JP 6973183 U JP6973183 U JP 6973183U JP S59178367 U JPS59178367 U JP S59178367U
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JP
Japan
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substrate holder
anode
cathode
sputtered particles
utility
Prior art date
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Granted
Application number
JP6973183U
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English (en)
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JPS629320Y2 (ja
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今岡　英一郎
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Fujitsu General Ltd
Original Assignee
Fujitsu General Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のスパッタリング装置の構成図、第２図は
第１図のチェンバ内部を示すもので一部を切欠いた斜視
図、第３図は本考案によるスパッタリング装置の一実施
例を示す構成図、第４図は第３図のチェンバ内部を示す
もので一部を切欠いた斜視図、第５図は第４図のアノー
ドの他の実施例を示す斜視図、第６図は第４図のアノー
ドのさらに他の実施例を示す斜視図である。 １．１１・・・チェンバ（減圧容器）、２．　２０゜２
０ａ、２０ｂ・・・シャッタ、３・・・窓、４□、１６
・・・ターゲットホルダ（、カソード）、５ａ、〜５ａ
４゜５ｂ１〜５ｂ４．　１５ａｔ〜１５ａ４．　１５１
）１〜１５ｋ）４””基板、６．１２・・・基板ホルダ
、７．２７・・・高圧直流電源（スパッタ電源）、１３
・・・回転軸、４゜。 １７・・・ターゲット、１８・・・網目、１９・・・ア
ノード、２１・・・中心穴、２２・・・管軸、２３・・
・円板、２４１〜２４ｎ・・・格子、２５１〜２５．、
士、）・・・隙間、２６・・・円孔、２Ｂ・・・直流電
源（バイアス電源）。

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）減圧容器内でカソードからスパッタされたスパッ
    タ粒子を基板ホルダ上の基板の表面に付着せしめるスパ
    ッタリング装置において、該基板ホルダを回転可能な柱
    状体で形成し、該基板ホルダの外周面に該基板を取り付
    け、該基板ホルダの外周面と該カソードとの間に、該基
    板ホルダと回転中心軸を同一とする回転可能な筒状ジャ
    ・シタを設−け、該筒状シャッタの周面の該カソードと
    対面する部分にスパッタ粒子を通過せしめるための通過
    孔を多数形成したアノードを設け、該アノードと該カソ
    ードとの間にスパッタ電源を接続し１、該アノ、−ドと
    該基板ホルダとの間に該基板ホルダを負バイアスとする
    ためのバイアス電源を接続してなることを特徴とするス
    パッタリング装置。
  2. （２）実用新案登録請求の範囲第１項記載において、ア
    ノードは網体で形成し、この網体の網目をスパッタ粒子
    の通過孔としてなるスパッタリング装置。
  3. （３）実用新案登録請求の範囲第１項記載において、ア
    ノードは多数の格子で形成し、これらの格子相互間の隙
    間をスパッタ粒子の通過孔としてなるスパッタリング装
    置。
  4. （４）　　実用新案登録請求の範囲第１項記載において
    、アノードは筒状シャッタの周面のカソードと対面する
    部分に多数の円孔を穿設し、これらの穿設円孔をスパッ
    タ粒子の通過孔としてなるスパッタリング装置。
JP6973183U 1983-05-10 1983-05-10 スパツタリング装置 Granted JPS59178367U (ja)

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JP6973183U JPS59178367U (ja) 1983-05-10 1983-05-10 スパツタリング装置

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JPS59178367U true JPS59178367U (ja) 1984-11-29
JPS629320Y2 JPS629320Y2 (ja) 1987-03-04

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ID=30199883

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JP6973183U Granted JPS59178367U (ja) 1983-05-10 1983-05-10 スパツタリング装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009531545A (ja) * 2006-03-28 2009-09-03 ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム コーティング装置
JP2009531544A (ja) * 2006-03-28 2009-09-03 ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム スパッタリング装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5582778A (en) * 1978-12-19 1980-06-21 Nippon Denso Co Ltd Sputtering apparatus
JPS55100979A (en) * 1979-01-23 1980-08-01 Fujitsu General Ltd Sputtering apparatus
JPS55180761U (ja) * 1979-06-12 1980-12-25

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5582778A (en) * 1978-12-19 1980-06-21 Nippon Denso Co Ltd Sputtering apparatus
JPS55100979A (en) * 1979-01-23 1980-08-01 Fujitsu General Ltd Sputtering apparatus
JPS55180761U (ja) * 1979-06-12 1980-12-25

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009531545A (ja) * 2006-03-28 2009-09-03 ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム コーティング装置
JP2009531544A (ja) * 2006-03-28 2009-09-03 ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム スパッタリング装置
US9082595B2 (en) 2006-03-28 2015-07-14 Sulzer Metaplas Gmbh Sputtering apparatus

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Publication number Publication date
JPS629320Y2 (ja) 1987-03-04

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