JPS59177972A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
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- JPS59177972A JPS59177972A JP5299783A JP5299783A JPS59177972A JP S59177972 A JPS59177972 A JP S59177972A JP 5299783 A JP5299783 A JP 5299783A JP 5299783 A JP5299783 A JP 5299783A JP S59177972 A JPS59177972 A JP S59177972A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は特にシリコンダイアフラム部をもつ半導体圧力
センサの製造方法に関する。
センサの製造方法に関する。
回 従来技術
第１図はシリコンダイアフラム型半導体圧力センナの典
型的構造を示し、（１）はシリコンダイアプラム部、（
２）は該ダイアプラム部を環状Ｃ：包囲し支持する基部
、（３）（３）・・・はダイアフラム部（１）に拡散に
より形成されたピエゾ抵抗である。
型的構造を示し、（１）はシリコンダイアプラム部、（
２）は該ダイアプラム部を環状Ｃ：包囲し支持する基部
、（３）（３）・・・はダイアフラム部（１）に拡散に
より形成されたピエゾ抵抗である。
この種のセンサにおい℃、七の感度を高めるためには、
ダイヤフラム部（１）の厚みを２０μｍ程度の極薄にす
る必要があり、このため、従来はシリコン単結晶基板の
裏側より高温、長時間の条件でエツチングを行なって凹
所（４）を形成することＣ二よりダイアプラム部（１）
ヲ設けていた。然るに、この様す過酷なエツチングでは
、ダイアフラム部（１）下下面、即ちエツチング面の平
坦性にばらつきが現われる。ダイアフラム型圧力センサ
の製造歩留りはほとんどそのダイアフラム部で決まり、
従って上記の如き、エツチング１＝よる不所望な影響は
できるだけ避けなければならない。
ダイヤフラム部（１）の厚みを２０μｍ程度の極薄にす
る必要があり、このため、従来はシリコン単結晶基板の
裏側より高温、長時間の条件でエツチングを行なって凹
所（４）を形成することＣ二よりダイアプラム部（１）
ヲ設けていた。然るに、この様す過酷なエツチングでは
、ダイアフラム部（１）下下面、即ちエツチング面の平
坦性にばらつきが現われる。ダイアフラム型圧力センサ
の製造歩留りはほとんどそのダイアフラム部で決まり、
従って上記の如き、エツチング１＝よる不所望な影響は
できるだけ避けなければならない。
（ハ）発明の目的
本発明はシリコンダイアフラム部形成のためのエツチン
グ工程Ｃ：伴う上記従来の欠点を除去せんとするもので
ある。
グ工程Ｃ：伴う上記従来の欠点を除去せんとするもので
ある。
に）発明の構成
本発明に係る半導体圧力センナの製造方法はシリコン単
結晶成長可能な結晶薄膜とシリコン単結晶膜と乞、シリ
コン単結晶基板の一表面（：順次積層形成した後、エン
チングにて上記結晶薄膜に達する凹所ン上記基板の他表
面側に設けることにより、上記凹所の底部に圧力センナ
用ダイアフラム部ン形成することに特徴を有する。
結晶成長可能な結晶薄膜とシリコン単結晶膜と乞、シリ
コン単結晶基板の一表面（：順次積層形成した後、エン
チングにて上記結晶薄膜に達する凹所ン上記基板の他表
面側に設けることにより、上記凹所の底部に圧力センナ
用ダイアフラム部ン形成することに特徴を有する。
囲）実施例
第２図に示す本実施例製造方法の第１工程において、約
４００μｍ厚さのシリコン単結晶基板（１（ｌｌの一方
の表面に約０．２μｍ厚さの結晶薄膜ａｎｙａ’設ける
。結晶薄膜任りは、その上（ニシリコン単結晶成長可能
なものであり、例えばＭｇ０−ＡＩ！２０５からなるス
ピネル膜である。斯るスビネノシ膜の成長は、基板（１
［１の上記一方の表面を（１００）とし該基板を９５０
℃に保ちつつ、ＭｇＯ１！２−ＡＩＩＣ，ｌ！！１−Ｈ
２−００２系のガスに曝すことによるエピタキシャル気
相成長法により行なわれる。
４００μｍ厚さのシリコン単結晶基板（１（ｌｌの一方
の表面に約０．２μｍ厚さの結晶薄膜ａｎｙａ’設ける
。結晶薄膜任りは、その上（ニシリコン単結晶成長可能
なものであり、例えばＭｇ０−ＡＩ！２０５からなるス
ピネル膜である。斯るスビネノシ膜の成長は、基板（１
［１の上記一方の表面を（１００）とし該基板を９５０
℃に保ちつつ、ＭｇＯ１！２−ＡＩＩＣ，ｌ！！１−Ｈ
２−００２系のガスに曝すことによるエピタキシャル気
相成長法により行なわれる。
第３図１：示す第２工程では、結晶薄膜１１１１の上表
面に約２０μｍ厚のシリコン単結晶膜（１２１を形成す
キシャル成長により行なわれ、このとき結晶薄膜圓はス
ピネル等からなるので、上記エピタキシャル成長に対す
る良好な成長基板となる。
面に約２０μｍ厚のシリコン単結晶膜（１２１を形成す
キシャル成長により行なわれ、このとき結晶薄膜圓はス
ピネル等からなるので、上記エピタキシャル成長に対す
る良好な成長基板となる。
第４図に示す第３工程ではシリコン単結晶基板ＣＩＯ＋
の他表面に二酸化シリコンからなるエツチングマスク（
１３１ｖ被ＩＦし、これを用いて選択エツチングを行な
い、結晶薄膜α１１（”ｌ−達する凹所■Ｚ、基板（１
１の他表面側に設ける。このときのエツチング液は例え
ば苛性ソーダ溶液の如く、シリコンには活性であるが、
結晶薄膜（１１１を構成する物質、即ち今の場合Ｍｇ０
−ＡＩ！２０ｉＳには不活性なものが用いられ、従って
、エンチングは結晶薄膜（Ｌｌｌの下表面にまで正確（
二進み、そこで停止する。
の他表面に二酸化シリコンからなるエツチングマスク（
１３１ｖ被ＩＦし、これを用いて選択エツチングを行な
い、結晶薄膜α１１（”ｌ−達する凹所■Ｚ、基板（１
１の他表面側に設ける。このときのエツチング液は例え
ば苛性ソーダ溶液の如く、シリコンには活性であるが、
結晶薄膜（１１１を構成する物質、即ち今の場合Ｍｇ０
−ＡＩ！２０ｉＳには不活性なものが用いられ、従って
、エンチングは結晶薄膜（Ｌｌｌの下表面にまで正確（
二進み、そこで停止する。
第５図に示す最終工程では、エツチングマスクｆｉ３を
除去すると共に、シリコン単結晶膜任りの上表面にピエ
ゾ抵抗１５）（１５＋・・・″ｌＬ：：ｔＴｔＴ散形成
する。このとき凹所Ｑ４１の底面に張られたスピネル結
晶薄膜（１１ａ）と、その直上のシリコン単結晶膜（１
４ｏ−）とがダイアフラム部となるが、スピネル結晶薄
膜（１１１Ｌ）はその厚さが非常に小さいので、ダイア
フラム部は、実質的にシリコン単結晶膜（１４ａ）で構
成されていることになる。
除去すると共に、シリコン単結晶膜任りの上表面にピエ
ゾ抵抗１５）（１５＋・・・″ｌＬ：：ｔＴｔＴ散形成
する。このとき凹所Ｑ４１の底面に張られたスピネル結
晶薄膜（１１ａ）と、その直上のシリコン単結晶膜（１
４ｏ−）とがダイアフラム部となるが、スピネル結晶薄
膜（１１１Ｌ）はその厚さが非常に小さいので、ダイア
フラム部は、実質的にシリコン単結晶膜（１４ａ）で構
成されていることになる。
上記実施例では、ピエゾ抵抗−は＄５図の最終工程で設
けられたが、第３図の工程後、第４図の工程に入る前に
形成されてもよい。
けられたが、第３図の工程後、第４図の工程に入る前に
形成されてもよい。
（へ）発明の効果
本発明Ｃ二よれば、シリコンダイアプラム部は、エンチ
ングではなく、結晶成長により形成され、従って従来の
如き、エンチング時の悪影響を受けず、再現性良く得ら
れることとなり、圧力センナの歩留りが向上する。
ングではなく、結晶成長により形成され、従って従来の
如き、エンチング時の悪影響を受けず、再現性良く得ら
れることとなり、圧力センナの歩留りが向上する。
第１図は従来例を示す断面図、第２図乃至第５図は本発
明の実施例を示す製造工程別断面図である。 ａｏ・・・シリコン単結晶基板、ＯＢ・・・結晶薄膜、
（１２１・・・シリコン単結晶膜、ａ４・・・凹所。 第１図 第２図 １ 第３図 ｌど 第４図
明の実施例を示す製造工程別断面図である。 ａｏ・・・シリコン単結晶基板、ＯＢ・・・結晶薄膜、
（１２１・・・シリコン単結晶膜、ａ４・・・凹所。 第１図 第２図 １ 第３図 ｌど 第４図
Claims (1)
- （１）Ｖ！Ｊクン単結晶成長可能な結晶薄膜とシリコン
単結晶膜とを、シリコン単結晶基板の一表面（−順次積
層形成した後、エツチングにて上記結晶薄膜に達する凹
所を上記基板の地表面側に設けることにより、上記凹所
の底部（二圧カセンナ用ダイヤプラム部を形成すること
を特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299783A JPS59177972A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299783A JPS59177972A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177972A true JPS59177972A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12930562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5299783A Pending JPS59177972A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177972A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172778A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | 圧力センサの製造方法 |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP5299783A patent/JPS59177972A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172778A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | 圧力センサの製造方法 |
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