JPS59168769A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置

Info

Publication number
JPS59168769A
JPS59168769A JP58044821A JP4482183A JPS59168769A JP S59168769 A JPS59168769 A JP S59168769A JP 58044821 A JP58044821 A JP 58044821A JP 4482183 A JP4482183 A JP 4482183A JP S59168769 A JPS59168769 A JP S59168769A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input terminal
photoconductive element
photoelectric conversion
ground potential
electrode side
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58044821A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0134494B2 (ja
Inventor
Hiroshi Mitsuda
満田 浩
Masatoshi Kato
雅敏 加藤
Akio Ioka
井岡 杲雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58044821A priority Critical patent/JPS59168769A/ja
Publication of JPS59168769A publication Critical patent/JPS59168769A/ja
Publication of JPH0134494B2 publication Critical patent/JPH0134494B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/40Picture signal circuits
    • H04N1/40025Circuits exciting or modulating particular heads for reproducing continuous tone value scales

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 −の発明は、ファクシミリやOCR等で使用される光電
変換装置に関するものである。
従来、ファクシミIJやOCR等の光電変換装置におい
ては、MO8型イメージセンサやCCDイメージセンサ
が多用されている。これらのイメージセンサはIC技術
で製作されるためその大きさは2〜8に程度であシ、原
稿面を読み取るためには80crfL〜40αの物像間
距離を有する光学系によって縮小する必要があシ、装置
の小型化を困難にしていた。
近年、非晶質又は多結晶の薄膜を使用し、原稿幅と1対
1に対応するような大型イメージセンサを製作し、これ
と集束性ファイバーアレイとを組み合せて光電変換する
ことにょ力、物像間距離r数a〜十数儒にし、小型化し
ようとする試みがなされている。
しかしこの大型イメージセンサを用いた光電変換装置は
、走査駆動方式に難点があった。以下、これについて説
明する。第1図は従来試みられている大型イメージセン
サの駆動方式の一例でマトリクス構成になっている。図
において、賜、R2゜島・°・島はCd S’、アモル
ファス・シリコン等にょシ形成された光導電素子列、D
、 、 D、 、 D3・・・・・・Dnは電流の逆流
を防止するためのブロッキング・ダイオード列、SX、
 、 sx2.・・・・・・5XITIはマトリックス
の共通側電極の選択スイッチ列、SY、 、 SY2・
・・・・・SY、はマトリックスの個別側電極の選択ス
イッチ列・RLは光導電電流を検出するための負荷抵抗
、Eは直流電源、(1)は信号出力端子である。
次に動作について説明する。共通側電極の選択スイッチ
列sx、 、 sx2・・・・・・sXmのうちの1個
と個別側電極の選択スインf 列SYt、 SY2 、
 SY3.8Y4 、 、SY5のうちの1個を閉じる
ことによシ、任意の光導電素子を選択することができる
。例えば、光導電素子Rs k選択する場合には、スイ
ッチSXLとスイッチSYlを閉じることによって、直
流電源Eから、選択スイッチSX1〜ブロツキングダイ
オードD、〜光導電素子曳〜選択スイッチSY、の経路
を通シ、負荷抵抗ELLに電流が流れる。このとき光導
電素子列に入射する光量に応じて光導電素子列の導電率
が変化するから、負荷抵抗FLLの抵抗値全光導電素子
R,の抵抗値よシ十分小さく設定しておくことによシ、
負荷抵抗几りには上記入射光量にほぼ比例した電流が流
れ、信号出力端子(1)から出力信号を得ることができ
る。もし、Dl、D2・・・・・・Dnのブロッキング
・ダイオードが存在しない場合には、負荷抵抗RLに光
導電素子列を流れる電流以外の不必要な電流が流れ、出
力信号が入射光量に比例しなくなる。例えば、第1図に
おいて、すべてのブロッキングダイオードを短絡して考
えると、各光導電素子について掲〜几りの経路以外に鳥
〜馬〜^〜RLの経路、九〜〜−5〜Rn−4〜几りの
経路、R3〜山〜鳥〜瓜の経路、鳥〜1(fl−2〜R
n−4〜FLLの経路など多数の経路を通って、負荷抵
抗BJLに不要な電流が流れる。ブロッキングダイオー
ド列はこれらの不要電流が流れるのを阻止する役割シを
はたす。このブロッキングダイオードとしては、逆電流
の少ない篩性能のダイオードチップを各光導電素子と直
列にそれぞれ接続するか、あるいは共通9tlllll
E極に光導電素子との間で良好なブロッキング特性を持
つような材料を用い、一体構成でブロッキングダイオー
ドを形成する方法がとられる。前者の場合は構成が複雑
で、しかも高密度化が困難であシ、後者の場合には、光
導電素子にCd8、共通側電極にテルルを用いた例など
があるが、光4電材料と共通′#IL極の材料が限られ
る・うえ1.順方向抵抗と逆方向回流のいずれもが十分
小さい良好なダイオード特性を作成するのは困難であシ
、またダイオード部分に光が入射するとブロッキング特
性が不完全になるなどの欠点がある。
また第1図に示す従来の光電変換装置は、前述のように
負荷抵抗−RLの値を光導電素子の抵抗値にくらべて十
分小さくする必要かある為(1/10〜1150にする
必要がある)、出力信号レベルが小さくなる欠点もあっ
た。
この発明は上記のような従来の光電変換装置の欠点を除
去するためになされたもので、光電変換信号の検出部に
演算増幅器を使用することによシ、従来必要であったブ
ロッキングダイオードが不必要になり、従って構成が簡
単で、高密度化も容易な光電変換装置を提供するもので
ある。
以下この発明の一寮施例を一第2図によって説明する。
第2図において(1)は信号出力端子、(21は演算増
幅器で、その正の入力端子は接地され、負の入力端子は
、共通側電極の選択スイッチSX1. SXt・・・・
・・SXmに接続されるとともに、負荷抵抗RLを経て
演算増幅器の出力端子に接続されている。また個別側電
極に接続された選択スイッチSY1.SY2・・・・・
・SY、は、個別側電極を直流電源Eか又は接地のい−
jれかに接続できるようになっている。
次に動作について説明する。共通側電極の選択スイッチ
列sx1’、 sx2.・・・・・・SXmのうちの1
個と、個別個電極の選択スイッチ列8Y、 、 8Y2
・・・・・・SY、のうちの1個を閉じることによシ、
任意の光導電素子を選択する。これは、第1図の動作と
同じである。
第2図の実施例の動作が従来の第1図の動作に優ってい
る点は、任意の光導電素子を選択したとき、負荷抵抗R
Lには選択した光導電素子を流れる電流以外には、不要
な電流が流れず、従って第1図のようなブロッキングダ
イオードを必要としないところにある。以下、これにつ
いて詳しく説明する。
第2図の実施例において、例えば光2電素子鵬を選択す
る場合を考える。個別側電極に接続された選択スイッチ
については、SYtを直流電源E側に、SY、以外の選
択スイッチは接地側に切シ換える。また共通側電価に接
続された選択スイッチについては、SX、だけを閉じた
状態にする。このとき直流電源Eから光4電素子瓜を通
って負荷抵抗RLニ電流が流れる・負荷抵抗几りは演算
増幅器(2ンの出力端子と負の入力端子間に接続されて
いるから、演算増幅器(2)はFLLを帰環抵抗とする
増幅器として動作する。このとき、演算増幅器(2]の
正の入力端子は接地されているから、負の入力端子も接
地電位に極めて近い値(数mV程度)となる。従って、
光2電素子山に流れる電流値は、直流電源EO′?電圧
を光導電素子用の抵抗値で割った値をとなυ、これは光
2電素子鴇に入射する光量に比例する。−万、個別11
11電極に接続された選択スイッチBY2゜8Ys 、
 SY4 、8Ysは接地側に切υ換えられているから
、光導電素子1% 、 Rs 、 k 、 Rsについ
ては両端とも接地電位となシ、従って電流は流れない。
そのtこめ、負荷抵抗RLには光4電素子瓜に流れる電
流と同一の電流が流れ、信号出力端子(1)から入射光
量1こ比例した光電変検出力信号を得ることができる。
光4電素子亀以外の光導電素子を選択する場合番こも全
く同様に動作する0 第1図の従来の例においては、光24電素子と直列に負
荷抵抗RLが接続されているため、原理的ζこ信号出力
電圧が光導電素子への入射光量ζζ比4!Alせず、さ
りとて負荷抵抗RLの抵抗値を光導電素子の抵抗値よシ
十分小さく設定することによフ近似的に入射光量に比例
するようにすると、信号出力電圧の大きさが小さくなっ
てしまう欠点があった。
第2図の本発明の実施例においては、出力信号電圧は原
理的に光導電素子への入射光量に比例するだけでなく、
ブロッキングダイオードが不要にできるという利点以外
にも負荷抵抗RLの抵抗値を大□さく選ぶことによシ信
号電圧を太きくすることができるという大きな利点を有
するものである。
第2図の実施例では、マ) IJクスの共通側竜衝の選
択スイッチ列に演算増幅器(2)を接続し、個別側電極
の選択スイッチは、直流電源E又は接地のいずれかに切
シ換えて接続できるようにした構成を示したが、この構
成は種々に変形して実現できる。第8図はこの発明の第
2の実施例を示し、第2図の構成の一部を変形したもの
で、マトリクスの共通側電楡の選択スイッチsx、 、
 sx2・・・・・・Ω籟は、演算増幅器(2)の負の
入力端子か、又は接地のいずれかに切夛換えて接続でき
るようにし、個別側電極の選択スイッチSY、 、 S
Y、・・・・・・SY、は直流電源Eに接続するように
構成したものである。第3図は光導°亀素子鳥を選択す
る選択スイッチ列の状態を示しているが、この場合にも
図から明らかなように光4電素子鳥、島、EL、Rsの
両端は接地電位となっているため電流が流れず、第2図
の実施例と同一の動作をする。
さらに第4図はこの発明の第8の実施例を示し、第8図
の実施例において演算増幅器(2)と直流電源Eの位置
を入れ換えた構成になっておシ、この場合にも図から明
らかなように第8図と同一の動作をする。
さらに第5図は、この発明の第4の実施例を示し、第2
図の実施例に2いて演算増幅器(2)と直流電源Eの位
置を入れ換えた構成になっておシ、この場合にも図から
明らかなように第2図と同一の動作をする。
第2図〜第5図の実施例においては、光電変換信号を検
出するための増@器として演算増幅器(2]を用いてい
るが、光電変換信号を検出する増幅器としては入力端子
電位が常に接地電位(あるいは一定電位)に保たれるも
のであればどのようなものであっても良い。第6図はそ
の一例を示し、トランジスタ(31、負荷抵抗RL、)
ランジスタ(3)の動作バイアスを設定するためのダイ
オード(4)と抵抗(5)から構成されるベース接地型
増幅器であシ、入力端子(6)は常に接地電位に保たれ
る。従って第2図〜第5図の実施例における演算増幅器
(2)の部分を第6図の増幅器に置き換えることによシ
、全く同一の光電変換動作をする。
以上説明したように、この発明は光導電素子列全マトリ
クス駆動して走査するように構成されたものにおいて、
マトリクスの共通電極側の選択スイッチ列と個別電極側
の選択スイッチ列のいずれかに直流電源を接続するとと
もに、他の選択スイッチ列は、入力端電圧が常に接地電
位(又は一定電位)に保たれるような機能を有する信号
増幅器に接続し、この増幅器の入力端には選択した光導
電素子を流れる電流だけが流れるようにした光電変換装
置を提供するものである。
この発明による光電変換装置は、以上に説明したような
構成であるが故に、逆電流を防止するためのブロッキン
グダイオードを必要とせず、ブロッキングダイオードが
必要でないから、光導電素子列の高密度化が容易で=h
、簡単な構成で安価に実現できる。また出力信号レベル
も従来の光電変換装置にくらべて、大きくできる利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の光電変換装置の構成を示す図・第2図〜
第5図はこの発明にもとす〈実施例を示す構成図、第6
図は第2図〜第5図の光電変換装置における信号検出増
幅器部分に置き換えて、同一の光電変換動作をさせるこ
とのできる信号検出増幅器の構成図である。 図において、(1)・・・信号出力端子、(2)・・・
演算増幅器、(3)・・・トランジスタ、(4)・・・
ダイオード、(5)・・・抵抗、(6)・・・信号入力
端子、8X2. SX2・・・・5Xrn・・・共通電
極側選択スイッチ列、SY、 、 SY、・・・・・・
SY、・・・個別電極側選択スイッチ列、鳥、1(2・
・・・・・煽・・・光導電素子列、RL・・・負荷抵抗
、E・・・直流電源なお、図中同一符号は同一、又は相
当部分を示す0 代理人 葛野信− 第1図 第2図 RL 【 第3図 PL 一第4図 /

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光導電素子列をマトリクス駆動するように構成さ
    れたものにおいて、共通電極側(又は個別電′″゛極側
    )には、入力端子が常に接地電位を含む一定電位Vに保
    たれる手段を有する信号増幅器に接続する開閉スイッチ
    列を配置し、個別電極側(又は共通電極側)には、所定
    の電圧の直流電源側か又は接地電位を含む一定電位V側
    に切フ換えて接続する切換スイッチ列を配置したことを
    特徴とする光電変換装置。
  2. (2)入力端子が常に一定電位に保たれる手段を有する
    信号増幅器として、正の入力端子に一定電位■(接地電
    位を含む)を供給し、負の入力端子と出力端子間に負荷
    抵抗を接続した構成の演算増幅器を使用したことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載の光電変換装置。
  3. (3)光導電素子列をマトリクス駆動するように構成さ
    れたものにおいて、共通電極側(又は個別電極gAl 
    )には、入力端子が常に接地電位を含む一定電位Vに保
    たれる手段を有する信号増幅器側か又は接地電位を含む
    一定電位V側に切シ換えて接続する切換スイッチ列を配
    置し、個別電極(111(又は共通電極側)には、所定
    の電圧の直流電源に接続する開閉スイッチを配置したこ
    とを特徴とする光電変換装置。
JP58044821A 1983-03-15 1983-03-15 光電変換装置 Granted JPS59168769A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58044821A JPS59168769A (ja) 1983-03-15 1983-03-15 光電変換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58044821A JPS59168769A (ja) 1983-03-15 1983-03-15 光電変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59168769A true JPS59168769A (ja) 1984-09-22
JPH0134494B2 JPH0134494B2 (ja) 1989-07-19

Family

ID=12702107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58044821A Granted JPS59168769A (ja) 1983-03-15 1983-03-15 光電変換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59168769A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62171372A (ja) * 1986-01-24 1987-07-28 Canon Inc 光電変換装置
JPS6360661A (ja) * 1986-08-29 1988-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 原稿読取装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5857855A (ja) * 1981-09-30 1983-04-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> イメ−ジセンサ駆動回路
JPS58130667A (ja) * 1982-01-29 1983-08-04 Ricoh Co Ltd センサアレイ駆動回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5857855A (ja) * 1981-09-30 1983-04-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> イメ−ジセンサ駆動回路
JPS58130667A (ja) * 1982-01-29 1983-08-04 Ricoh Co Ltd センサアレイ駆動回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62171372A (ja) * 1986-01-24 1987-07-28 Canon Inc 光電変換装置
JPH0531986B2 (ja) * 1986-01-24 1993-05-13 Canon Kk
JPS6360661A (ja) * 1986-08-29 1988-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 原稿読取装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0134494B2 (ja) 1989-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4354104A (en) Solid-state image pickup device
CA2323486A1 (en) Active linear sensor
JPS58105672A (ja) 半導体撮像装置
JPS59107679A (ja) 光検出器エレメントのマトリツクスを使用する読み取り装置
US4549088A (en) Original reading device
US5591963A (en) Photoelectric conversion device with dual insulating layer
JP3278243B2 (ja) 光電変換装置
KR100444121B1 (ko) 센서 장치
US9142579B2 (en) Photoelectric conversion cell and array, reset circuit and electrical signal sense control circuit therefor
JPH07264485A (ja) 撮像装置
JPS59168769A (ja) 光電変換装置
US4453187A (en) Image sensor
US11330207B1 (en) High dynamic range in direct injection
JP3920763B2 (ja) センサ装置
JPH07234737A (ja) シンク形成回路
JPS59108460A (ja) 固体撮像装置
JPS61228667A (ja) 固体撮像装置
JPH022301B2 (ja)
EP0105386B1 (en) Solid-state image pickup element
Suzuki et al. High speed and high resolution contact-type image sensor using an amorphous silicon photodetector array
JPS5868968A (ja) 固体光電変換装置
KR960001348B1 (ko) 밀착 영상센서
JPH022302B2 (ja)
JP3393688B2 (ja) 画像読取装置
Weisfield a-Si: H linear and 2-D image sensors