JPS59165429A - 還元方法 - Google Patents

還元方法

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JPS59165429A
JPS59165429A JP58039543A JP3954383A JPS59165429A JP S59165429 A JPS59165429 A JP S59165429A JP 58039543 A JP58039543 A JP 58039543A JP 3954383 A JP3954383 A JP 3954383A JP S59165429 A JPS59165429 A JP S59165429A
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frame
lead frame
heater
frame holding
bonding
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秋本　久貴
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はぎンデイング部において行なわれる半導体素
子とリードフレームとを接続するワイヤデンディング工
程において、ワイヤデンディングのポンディング性を向
上させることができる還元方法に関する。
〔発明の技術的背景〕
第１図を用いて従来のワイヤデンディング工程における
還元方法について説明する。第１図（Ａ）はがンデイン
グ装置の平面図、第１図（Ｂ）はその断面図である。第
１図において、薄板移送装置（図示せず）から順次送ら
れてきたリードフレーム１はポンディング部において、
リードフレーム１にマウントされた半導体素子２とリー
ドフレーム１とをワイヤデンディングされるが、その雰
囲気は還元性雰囲気１二て行なわれる。これはリードフ
レーム１の酸化を防ぎ、リードフレーム１とワイヤとの
接続を良くするための処理である。このような還元方法
は、不活性ガスをリードフレーム１に吹きつけることζ
二より行なわれる。つまり、これは半導体素子２とリー
ドフレーム１を接続するワイヤデンディング時１ニヒー
タブロック３とフレーム押え蓋４との間ｌ二不活性ガス
を流すことシーより行なわれる。このような不活性ガス
の流路は矢印人に示すようにしてヒータブロック３内を
流れる不活性ガスは、ヒータブロック３内を通過するこ
とにより温められて、ヒータブロック上蓋５で集められ
て、このヒータブロック上蓋５Ｃ二設ケられた複数の孔
６より上方Ｃ二吹き出される。そして、孔６より上方に
吹き出された不活性ガスはリードフレーム１を通過して
フレーム押え蓋４で受けとられてフレーム押え上蓋７に
入る。
そして、このフレーム押え上Ｍ２において不活性ガスは
循環されて、リードフレーム１にある半導体素子２Ｃ二
開孔８を通して噴射されていた。
このよう（二して、ワイヤポンディング時の還元を行な
っていた。
〔背景技術の問題点〕
しかし、第１図を用いて説明したような従来の還元方法
は以下【二記述するような欠点があった。
（１）　　リードフレーム１の厚さが厚くなる（例えば
、ヒートシンクなど）と、ヒータブロック３とフレーム
押え蓋４とのすき間が広くなり、ヒータブロック３で温
められた不活性ガスがそのすき間を通して外に吹き出て
しまうため、フレーム押え蓋４Ｉ−は集積されない。こ
のため、不活性ガス（二よる還元効果が減少し、リード
フレーム１とボンディングワイヤとの接着性を著しく低
下させる。
（２）　　また、上記した第１項′で述べたリードフレ
ーム１とデンディングワイヤとの接着性を維持するため
ｆ二は不活性ガスの量を多くしなければならないため、
不経済である。
（３）　　ヒータブロック３とフレーム押え蓋４との間
ｆ二熱的移動があり、リードフレーム１上の半導体素子
２の最適温度を下げてしまい、ビンデイング性を著しく
低下させる。
〔発明の目的〕
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
はビンディング部において行なわれる半導体素子とリー
ドフレームとを接続するワイヤデンディング工程（二お
いて、デンディングワイヤとリードフレームとの接着性
の向上、米活性ガスの節約及び温度差の是正を行なうこ
とができる還元方法を提供することＣ二ある。
〔発明の概要〕
フレーム押え蓋にヒータと不活性ガス流路を設け、その
ヒータを二よりフレーム押え蓋を温める。そして、不活
性ガス流路を通して流れる不活性ガスは温められたフレ
ーム押え蓋により温められて、フレーム押え上蓋から半
導体素子がガウントされているリードフレームに吹きつ
けられる。従って、リードフレームが厚くなってヒータ
ブロックとフレーム押え蓋とのすき間が大きくなっても
不活性ガスは上方より供給されるため、還元性雰囲気を
保つことができる。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第２図はこの発明に係る還元方法が用いられるＭンデイ
ング装置を示す。第２図（Ａ）は？ンデイング装置Ｑ平
面図、第２図ＣＢ）はその断面図である。第２図におい
て、第１図と同一名称には同一番号を付することこする
。１ノはフレーム押え蓋４Ｃ二取つけられたヒータで、
このヒータ１１により上記フレーム押え蓋４及びフレー
ム押え下蓋１．２が温められる。上記フレーム押え蓋４
Ｅ二は不活性ガス経路Ｂ、Ｃが設けられており、この不
活性ガス経路Ｂ、Ｃｆｔ通−る不活性ガスは上記ヒータ
１１（二より温められる。そして、上記不活性ガス経路
Ｂ。
Ｃを通った不活性ガスはフレーム押え蓋４の開孔８のま
わりを循環して、フレーム押え下蓋１２とフレーム押え
蓋４との隙間を流れて、リードフレーム１及びリードフ
レーム１上Ｃ：マウントされている半導体素子２に噴射
される。
なお、例えばリードフレーム１（ニヒートシンクなどが
あった場合には熱伝導性を上げるためにヒータブロック
３に溝を作り、ヒートシンクとリードフレーム１との両
方を温めるようにすればよい。
〔発明の効果〕
以上詳述したようＣ二この発明を二よれば、ビンディン
グ部において行なわれる半導体素子とリードフレームと
を接続するワイヤがンデイング工程において、リードフ
レームの厚さに関係なく、還元性雰囲気を作りだすこと
ができる。つまり、不活性ガスを上方Ｃ二供給源を持つ
ようＣ二したので、リードフレームが厚くなってフレー
ム押え蓋とヒータブロックとの隙間が大きくなっても無
関係にリードフレーム及び半導体素子に不活性ガスを吹
きつける１ことができる。さら（二、従来のようにフレ
ーム押え蓋とヒータブロックとの隙間があった場合に不
活性ガスが無駄に吹き出すような不活性ガスの無駄を防
止することができる。さらに、フレーム押え蓋にもヒー
タを内蔵させたので、フレーム押え蓋とヒータとの間の
温度差をなくすことができる■で、ワイヤデンディング
の接着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（人）は従来の還元方法を用いたがンデイング装
置の平面図、第１図（Ｂ）はその断面図、第２図（Ａ）
はこの発明の一実施例Ｃ二係る還元方法を用いたボンデ
ィング装置の平面図、第２図（Ｂ）はその断面図である
。 １・・・リードフレーム　３・・・ヒータブロック、４
・・・フレーム押え蓋、１ノ・・・ヒータ、１２・・・
フレーム押え下蓋。 出歇人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子とり−ドフレームとを接続するワイヤデンデ
    イング工程Ｃ二用いられる還元方法において、デンディ
    ング部のリードフレームの上方に設けられるフレーム押
    え蓋にヒータを内蔵し、上記フレーム押え蓋内に不活性
    ガス経路を設けてデンディング部に不活性ガスを供給す
    るようにしたことを特徴とする還元方法。
JP58039543A 1983-03-10 1983-03-10 還元方法 Granted JPS59165429A (ja)

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JP58039543A JPS59165429A (ja) 1983-03-10 1983-03-10 還元方法

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JPH047102B2 JPH047102B2 (ja) 1992-02-07

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