JPS59164383A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子Info
- Publication number
- JPS59164383A JPS59164383A JP58036570A JP3657083A JPS59164383A JP S59164383 A JPS59164383 A JP S59164383A JP 58036570 A JP58036570 A JP 58036570A JP 3657083 A JP3657083 A JP 3657083A JP S59164383 A JPS59164383 A JP S59164383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- display
- display element
- electrode
- electrochromic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は新規なエレクトロクロミック（以下ＥＣと略
す）材料を少なくとも一方の電極材料として用いたエレ
クトロクロミック表示素子（以下ＥＯＤと略す）に関す
る。
す）材料を少なくとも一方の電極材料として用いたエレ
クトロクロミック表示素子（以下ＥＯＤと略す）に関す
る。
従来のＥＣ材料としてビオロゲン誘導体或いは酸化タン
グステン（ＷＯ８）、酸化モリブデン（ＭＯＯ３）など
のような遷移金属化合物を用いるものが知ら１れている
。前者の１％合はビオロゲン誘導体を溶解した溶液を２
枚の対向する電極を備えた表示セル内に封入し、表示極
において還元させると着色表示され、逆に酸化されると
元の状態に消色されるものであり、後者の場合は表示極
側にあらかじめＷＯ８等を薄膜として付着させておき、
さらに２枚の対向する電極間に電解液を封入した表示セ
ルにおいて前記と同様に酸化還元反応に基づく着消色を
行なうものである。また上記ＥＣ材料とは酸化・・。
グステン（ＷＯ８）、酸化モリブデン（ＭＯＯ３）など
のような遷移金属化合物を用いるものが知ら１れている
。前者の１％合はビオロゲン誘導体を溶解した溶液を２
枚の対向する電極を備えた表示セル内に封入し、表示極
において還元させると着色表示され、逆に酸化されると
元の状態に消色されるものであり、後者の場合は表示極
側にあらかじめＷＯ８等を薄膜として付着させておき、
さらに２枚の対向する電極間に電解液を封入した表示セ
ルにおいて前記と同様に酸化還元反応に基づく着消色を
行なうものである。また上記ＥＣ材料とは酸化・・。
還元反応による発消色が逆になるか、発消色が極めて小
さい酸化イリジウム（工ｒ２０８）、酸化ニッケル（Ｎ
ｉＯ）などを例えばＷＯ３の対向電極として用いるＥＣ
Ｄも公知である。
さい酸化イリジウム（工ｒ２０８）、酸化ニッケル（Ｎ
ｉＯ）などを例えばＷＯ３の対向電極として用いるＥＣ
Ｄも公知である。
しかしながら、このような従来のＥＣ材料にあ１つでハ
、例えばビオロゲン誘導体ではメモリー状態で長くおい
ておくと消色しなくなったり、ＷＯ８等の酸化物ではイ
オンの拡散定数が小さいため応答速度が遅いなどメモリ
ー性が良く、シかも応答速度が早いＥＣ材料が得られて
いないという問題点があった。
、例えばビオロゲン誘導体ではメモリー状態で長くおい
ておくと消色しなくなったり、ＷＯ８等の酸化物ではイ
オンの拡散定数が小さいため応答速度が遅いなどメモリ
ー性が良く、シかも応答速度が早いＥＣ材料が得られて
いないという問題点があった。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たもので、メモリー性が良く応答性の速いＥＣＣ科料提
供するとともに、１ｒ２０３やＮｉ９に代わる対向電極
に用いることのできるＥＣ材料を提供することにより従
来のＦＣｉＤの問題点を解決することを目的としている
。
たもので、メモリー性が良く応答性の速いＥＣＣ科料提
供するとともに、１ｒ２０３やＮｉ９に代わる対向電極
に用いることのできるＥＣ材料を提供することにより従
来のＦＣｉＤの問題点を解決することを目的としている
。
この目的を達成するため、この発明のＥＯＤは、ＥＣ材
料として次式： ％式％（］） で示ぎれる鉄コバルトシア／錯体を少なくとも一方の電
極材おｔとして用いたことを特徴とする。
料として次式： ％式％（］） で示ぎれる鉄コバルトシア／錯体を少なくとも一方の電
極材おｔとして用いたことを特徴とする。
以下この発明を図面に基づいて説明する。
第１図にこの発明の第１の好適例のＥＣＤを示す。図示
するＥＯＤは＼式■の鉄コバルトシアノ錯体を透明基板
上に設けた透明電極上に、ＥＣ材料の層として用いたも
のである。即ちガラス等の透明な前面基板４上に設けた
透明電極８上に所定のパターン状に式■の化合物から成
るＥＣ材料の１−２と、それ以外の部分にＳｉＯ□１Ｍ
りＦ２等から成る透明絶縁膜９が設けられ表示極を形成
する。この衣示榛はシールｉｌｌ ６を介して対向電極
８を設けた１９面基板５と接Ｍされセルを構成する。こ
のセルには図示するように背景色を形成する基材から成
る多孔質の背景板７がセル中の空間に配され、注入口］
０より電解質を注入しイオン導電層１を形成した後、エ
ポキシ等の封止剤１１により注入口ＩＯを封止しＥ ０
１）として完成したものである。
するＥＯＤは＼式■の鉄コバルトシアノ錯体を透明基板
上に設けた透明電極上に、ＥＣ材料の層として用いたも
のである。即ちガラス等の透明な前面基板４上に設けた
透明電極８上に所定のパターン状に式■の化合物から成
るＥＣ材料の１−２と、それ以外の部分にＳｉＯ□１Ｍ
りＦ２等から成る透明絶縁膜９が設けられ表示極を形成
する。この衣示榛はシールｉｌｌ ６を介して対向電極
８を設けた１９面基板５と接Ｍされセルを構成する。こ
のセルには図示するように背景色を形成する基材から成
る多孔質の背景板７がセル中の空間に配され、注入口］
０より電解質を注入しイオン導電層１を形成した後、エ
ポキシ等の封止剤１１により注入口ＩＯを封止しＥ ０
１）として完成したものである。
この発明において用いる前記式Ｉの鉄コバルトシアノ錯
体は、覗解還元法により作成することができる。この化
合物は電圧を印加することにより次の反応式： ％式％）） （式中のＭはアルカリ金属イオン、ｅ■は電子、２は反
応のモル数を示す）で表わされる反応を行なうと考えら
れる。この化合物は酸化状態で黄色、還元状態で無色と
なり、白色背景に対しては白地に黄色の表示が得られる
。発消色状態の可視スペクトルを第２図に示す。
体は、覗解還元法により作成することができる。この化
合物は電圧を印加することにより次の反応式： ％式％）） （式中のＭはアルカリ金属イオン、ｅ■は電子、２は反
応のモル数を示す）で表わされる反応を行なうと考えら
れる。この化合物は酸化状態で黄色、還元状態で無色と
なり、白色背景に対しては白地に黄色の表示が得られる
。発消色状態の可視スペクトルを第２図に示す。
次に前記セルの形成方法を具体例により説明する。
表示パターン部と電極リード接続部を除いた透明ガラス
基板上のＳｎＯ２透明電極上にＳｉＯを８００人蒸着し
、絶縁皮膜を形成した。この電極を、塩化第二鉄および
シアン化コバルトカリウム（Ｆ８（００（ＯＮＩ６）
）を各々ｏ、ｏ］、Ｍ、７含む水溶液に入れ、０ 、０
５ ｍＡ／ｃｍ”の電流密度にて２０ｍ０／／Ｃｍ２’
＋［解還元を行ない、約１− ｏ ｏ ＯＡの鉄コバル
トシアノ錯体膜を得た。背景板として白色の多孔質アル
ミナ基板を用い、対向′電極としてカーボン繊維に同じ
鉄コバルトシアノ錯体を２０ ｍＧ／ｃｍ２ｍ解還元を
行なったものを表示用の鉄コバルトシ′γ）錯体膜の約
１０倍の面積にして用い、第１図に示すＥＯＤの如くシ
ール剤を介して表示極と接着させセルを形成し、注入口
より電解質として１ ”／ｉのＮａＯ／！Ｏ。
基板上のＳｎＯ２透明電極上にＳｉＯを８００人蒸着し
、絶縁皮膜を形成した。この電極を、塩化第二鉄および
シアン化コバルトカリウム（Ｆ８（００（ＯＮＩ６）
）を各々ｏ、ｏ］、Ｍ、７含む水溶液に入れ、０ 、０
５ ｍＡ／ｃｍ”の電流密度にて２０ｍ０／／Ｃｍ２’
＋［解還元を行ない、約１− ｏ ｏ ＯＡの鉄コバル
トシアノ錯体膜を得た。背景板として白色の多孔質アル
ミナ基板を用い、対向′電極としてカーボン繊維に同じ
鉄コバルトシアノ錯体を２０ ｍＧ／ｃｍ２ｍ解還元を
行なったものを表示用の鉄コバルトシ′γ）錯体膜の約
１０倍の面積にして用い、第１図に示すＥＯＤの如くシ
ール剤を介して表示極と接着させセルを形成し、注入口
より電解質として１ ”／ｉのＮａＯ／！Ｏ。
プロビレンカーボイ・−ト溶液を注入してエポキシ樹脂
で封止した。このように形成した表示素子の電極間に電
圧］■周波数１． Ｈ２の矩形波を印加したところ、応
答速朋０．２秒の黄色の発色、消色を繰返し、］０６サ
イクル後にも何ら異常は認められなかった。ここで応答
速度とは発色ビーり波長（Ｆｅｚ （Ｇ ｏ （ＣＮ
）ｏ 、ｌの、揚台８６５ｎｍ）４ｍおける発色時の透
過率ＴＯＮおよび消色時の透過率ＴＯＦＦより以下の式
で求められるコントラスト（Ｋｌが４０％に達するまで
の時間である。
で封止した。このように形成した表示素子の電極間に電
圧］■周波数１． Ｈ２の矩形波を印加したところ、応
答速朋０．２秒の黄色の発色、消色を繰返し、］０６サ
イクル後にも何ら異常は認められなかった。ここで応答
速度とは発色ビーり波長（Ｆｅｚ （Ｇ ｏ （ＣＮ
）ｏ 、ｌの、揚台８６５ｎｍ）４ｍおける発色時の透
過率ＴＯＮおよび消色時の透過率ＴＯＦＦより以下の式
で求められるコントラスト（Ｋｌが４０％に達するまで
の時間である。
次に上記表示素子と、表示材料としてＷＯ８およびビオ
ロゲンをそれぞれ用いた表示素子の消え残りの蓄積を測
定したところ次の表に示す結果が得られた。
ロゲンをそれぞれ用いた表示素子の消え残りの蓄積を測
定したところ次の表に示す結果が得られた。
＊Ｉ Ｆ６Ｉ１１斤−Ｆｅ（ＴＩ）の反応がほぼ可逆に
起こる。
起こる。
＊２Ｌ１＋等がＷＯ３の格子の中に取り込まれることに
但しＶ：ビオロゲン、Ｘ：Ｂｒ、Ｉ郷 土式において■の反応が起こり、消え残りが生じる。
但しＶ：ビオロゲン、Ｘ：Ｂｒ、Ｉ郷 土式において■の反応が起こり、消え残りが生じる。
を用いた。この場合着色した状態で３０分放置しておく
と消色しようとした場合に消え残りを生じた。
と消色しようとした場合に消え残りを生じた。
次に第３図に、この発明の第２の好適例のｇａｓｈ・を
示す。第３図において１はイオン導電層、２は背面基板
５上に設けた透明電極８上に電解還元法により作成した
鉄コバルトシアノ錯体より成るＥＣ物質の層、４は透明
基板、６はシール剤、９は絶縁皮膜、］２は透明基板４
上に設けた透明電極８−．１ｍに所定のパターン状に被
着したＷＯ８等のＥＣ’＄質の層である。第８図に示す
このＥＯＤは対向電極の透明電極上に式■の鉄コバルト
シアノ錯体をＥＣ物質材料の層として用いたものである
。。
示す。第３図において１はイオン導電層、２は背面基板
５上に設けた透明電極８上に電解還元法により作成した
鉄コバルトシアノ錯体より成るＥＣ物質の層、４は透明
基板、６はシール剤、９は絶縁皮膜、］２は透明基板４
上に設けた透明電極８−．１ｍに所定のパターン状に被
着したＷＯ８等のＥＣ’＄質の層である。第８図に示す
このＥＯＤは対向電極の透明電極上に式■の鉄コバルト
シアノ錯体をＥＣ物質材料の層として用いたものである
。。
そし℃表示極の重量電極」二のＥＣ物質の層としてＷＯ
８層を用いると、表示極に負、対向電極に正の重圧を印
加した場合緑色、その逆の場合には無色となり、背景板
不用の透過型素子として用いることができる。
８層を用いると、表示極に負、対向電極に正の重圧を印
加した場合緑色、その逆の場合には無色となり、背景板
不用の透過型素子として用いることができる。
また逆に表示極としで工ｒ２０．を用いると、表示極に
負、対向電極に正の電圧を印加すると、黄色、逆の場合
は黒色の表示が得られ、二色スイッチングが可能になる
。
負、対向電極に正の電圧を印加すると、黄色、逆の場合
は黒色の表示が得られ、二色スイッチングが可能になる
。
以上説明してきたように、この発明によれば酸化還元物
質として前記式１の鉄コバルトシアノ錯体を用いること
により、これまで安定に得られなかった黄色の表示が可
能となったばかりでなく、他の発消色物質と組み合わせ
ることにより、これまで得られなかった表示色や二色ス
イッチングが可能になり、しかも応答性が速やく、メモ
リー性が囃いという効果が得られる。
質として前記式１の鉄コバルトシアノ錯体を用いること
により、これまで安定に得られなかった黄色の表示が可
能となったばかりでなく、他の発消色物質と組み合わせ
ることにより、これまで得られなかった表示色や二色ス
イッチングが可能になり、しかも応答性が速やく、メモ
リー性が囃いという効果が得られる。
第１図はこの発明の一例のＩＩＤの断面図、第２図はこ
の発明に用いる鉄コバルトシアノ錯体の吸収スペクトル
を表わす線図、 第８図はこの発明の他の例のＥ’ＣＤの断面図である。 １・・・イオン導電、層 ２・・・鉄コバルトシアノ錯体膜 ３・・・対向電極 ４・・・透明基板または前面基板 ５・・・背面基板 ６・・・シール剤７・・・背景
板 ８・・・透明電極９・・・絶縁皮膜 １０
・・・′醒解質注入口１１・・・Ｍ 、＋Ｊ−Ａｌｌ
］、 ２・・・ＥＣ材料の層。 第１図 第２図 、ｊ５０ ４００ ４５θ ５００ ５５０
６００第３図 ど９
の発明に用いる鉄コバルトシアノ錯体の吸収スペクトル
を表わす線図、 第８図はこの発明の他の例のＥ’ＣＤの断面図である。 １・・・イオン導電、層 ２・・・鉄コバルトシアノ錯体膜 ３・・・対向電極 ４・・・透明基板または前面基板 ５・・・背面基板 ６・・・シール剤７・・・背景
板 ８・・・透明電極９・・・絶縁皮膜 １０
・・・′醒解質注入口１１・・・Ｍ 、＋Ｊ−Ａｌｌ
］、 ２・・・ＥＣ材料の層。 第１図 第２図 、ｊ５０ ４００ ４５θ ５００ ５５０
６００第３図 ど９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ ｐ化還元反応により発色、消色を行なうエレクトロ
クロミック表示素子において、エレクトロクロミック材
料として次式： ％式％（１） ） で示される鉄コバルトシアノ錯体を、少なく１とも一方
の電極材料として用いたことを特徴とするエレクトロク
ロミック表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58036570A JPS59164383A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58036570A JPS59164383A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59164383A true JPS59164383A (ja) | 1984-09-17 |
Family
ID=12473421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58036570A Pending JPS59164383A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59164383A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7577345B2 (en) | 2004-01-15 | 2009-08-18 | Olympus Corporation | Water/drip-proof structure for acoustic member and electronic apparatus having the same |
| JP2011208217A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Univ Of Tsukuba | シアノ架橋金属錯体超構造作成方法およびシアノ架橋金属錯体超構造作成装置 |
| US8658251B2 (en) | 2008-06-27 | 2014-02-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of producing structural member having prussian blue-type metal complex nanoparticles, structural member obtained by the method, substrate, electrochromic device, rectifying device, and photo responding device, using the structural member |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP58036570A patent/JPS59164383A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7577345B2 (en) | 2004-01-15 | 2009-08-18 | Olympus Corporation | Water/drip-proof structure for acoustic member and electronic apparatus having the same |
| US8658251B2 (en) | 2008-06-27 | 2014-02-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of producing structural member having prussian blue-type metal complex nanoparticles, structural member obtained by the method, substrate, electrochromic device, rectifying device, and photo responding device, using the structural member |
| JP2011208217A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Univ Of Tsukuba | シアノ架橋金属錯体超構造作成方法およびシアノ架橋金属錯体超構造作成装置 |
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