JPS59162525A - プラスチツク液晶表示素子 - Google Patents
プラスチツク液晶表示素子Info
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- JPS59162525A JPS59162525A JP3596483A JP3596483A JPS59162525A JP S59162525 A JPS59162525 A JP S59162525A JP 3596483 A JP3596483 A JP 3596483A JP 3596483 A JP3596483 A JP 3596483A JP S59162525 A JPS59162525 A JP S59162525A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- film
- crystal display
- display element
- crystal layer
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はプラスチック液晶表示素子に係り、特に信頼性
の高い低温処理型の配向制御膜に関する。
の高い低温処理型の配向制御膜に関する。
従来、液晶セル特に電界の作用により動作する電気光学
的効果を利用したネマチック液晶表示素子は導電性膜（
電極）奢設けたガラス基板に配向膜を設けた一対のガラ
ス基板全対向させ、無機質又は有機質のシール剤により
シールして液晶容器管構成し、これに液晶組成物全封入
することにより構成される。そして前記の配向膜にはｓ
ｉｏの蒸着膜等が主に用いられてきた。その理由はｓｉ
ｏの蒸着膜に関しては液晶と接しても液晶に溶解しない
ので悪影響に与えず比較的均一に配向できる利点がある
からである。しかし、ｓｉｏ膜に関しては全ての液晶材
料を均一に配向させるまでには至らなかった。一方、そ
う言った状況下で配向膜の連続生産性並びに大規模な設
備や複雑な操作？要し７ないで良好な配向が得らｎるも
のが要求され検討結果数たにポリイミド膜等のラビング
による方法が見いださｎた。その後、液晶表示素子は大
きく飛躍し現在に至っている。近年更にコスト低下並び
に表示品質の向上全目的にガラス基板からプラスチック
基板の液晶表示素子に変わりつつある。
的効果を利用したネマチック液晶表示素子は導電性膜（
電極）奢設けたガラス基板に配向膜を設けた一対のガラ
ス基板全対向させ、無機質又は有機質のシール剤により
シールして液晶容器管構成し、これに液晶組成物全封入
することにより構成される。そして前記の配向膜にはｓ
ｉｏの蒸着膜等が主に用いられてきた。その理由はｓｉ
ｏの蒸着膜に関しては液晶と接しても液晶に溶解しない
ので悪影響に与えず比較的均一に配向できる利点がある
からである。しかし、ｓｉｏ膜に関しては全ての液晶材
料を均一に配向させるまでには至らなかった。一方、そ
う言った状況下で配向膜の連続生産性並びに大規模な設
備や複雑な操作？要し７ないで良好な配向が得らｎるも
のが要求され検討結果数たにポリイミド膜等のラビング
による方法が見いださｎた。その後、液晶表示素子は大
きく飛躍し現在に至っている。近年更にコスト低下並び
に表示品質の向上全目的にガラス基板からプラスチック
基板の液晶表示素子に変わりつつある。
そこで、従来から用いられているガラス基板用の不溶性
ポリイミド等を配向膜に検討した結果、プラスチック基
板の軟化する温度以上の高温処理に施こさないと配向膜
として使用できないと言う欠点が生じた。
ポリイミド等を配向膜に検討した結果、プラスチック基
板の軟化する温度以上の高温処理に施こさないと配向膜
として使用できないと言う欠点が生じた。
これまで、プラスチック用配向膜にはポリエスチル樹脂
並びにポリエステルとナイロン樹脂の混合物またポリア
ミド樹脂等が知られている。この様な配向膜は前記のポ
リイミド膜等に比較して低温処理が可能でありプラスチ
ック用基板の配向膜に対する初期特性は比較的優れてい
る。しかし、プラスチック液晶表示素子は、プラスチッ
ク基板の熱変形並びに偏光板の耐熱性から処理条件が１
００Ｃ以上にできない必然性がある。その条件下でプラ
スチック液晶表示素子を作製し、信頼性特性を実験した
結果７０Ｃ放置の雰囲気中で１００時間で消費電流が急
激に増大し、一定電圧で表示部が点燈しなくなる現象が
生ずること衾実験により認めた。この理由としては、ガ
ラス基板用の高温処理可能な配向膜に比べ、プラスチッ
ク用の配向膜は低温処理であるために、配向膜中の低分
子量物並びに導電性不純物が液晶に対し特に悪影響を及
ぼす効果が大きいことに起因する。
並びにポリエステルとナイロン樹脂の混合物またポリア
ミド樹脂等が知られている。この様な配向膜は前記のポ
リイミド膜等に比較して低温処理が可能でありプラスチ
ック用基板の配向膜に対する初期特性は比較的優れてい
る。しかし、プラスチック液晶表示素子は、プラスチッ
ク基板の熱変形並びに偏光板の耐熱性から処理条件が１
００Ｃ以上にできない必然性がある。その条件下でプラ
スチック液晶表示素子を作製し、信頼性特性を実験した
結果７０Ｃ放置の雰囲気中で１００時間で消費電流が急
激に増大し、一定電圧で表示部が点燈しなくなる現象が
生ずること衾実験により認めた。この理由としては、ガ
ラス基板用の高温処理可能な配向膜に比べ、プラスチッ
ク用の配向膜は低温処理であるために、配向膜中の低分
子量物並びに導電性不純物が液晶に対し特に悪影響を及
ぼす効果が大きいことに起因する。
そこで、本発明者らはプラスチック基板に適した低温処
理で高純度のワニス化が計れる配向膜を多角的に検討し
た。これまでプラスチック基板用として知られている低
温処理型のポリエステル樹脂並びにポリアミド樹脂は原
料の段階からも精製が難しい。例えば酸クロライドＹ用
いたポリアミド樹脂等は酸クロライドの精製並びに脱１
（ｃｌ化金十分進めるには困難性！有し、高純度のワニ
ス化が必然的に得にくいものである結論に紋った。更に
、例えばアミド基（−ＮＨｃｏ−）に含まれる活性化プ
ロトンが液晶との相互作用に悪影響を及ぼすこと全知得
した。こう言った中で原料の段階から比較的精製が容易
で且つ極低温領域でも反応性が十分進行しやすい酸無水
物系全対象に実験？進めた。その際、従来からの不溶性
ポリイミド膜は使用できないので、ジアミン並びに酸無
水物の組成に対する選択性の検討１行ない可溶性のポリ
イミド膜の探索結果、低温処理でも液晶に悪影響せず電
流増加率を抑制させるプラスチック基板に適した配向膜
を完成するに紋ったものである。
理で高純度のワニス化が計れる配向膜を多角的に検討し
た。これまでプラスチック基板用として知られている低
温処理型のポリエステル樹脂並びにポリアミド樹脂は原
料の段階からも精製が難しい。例えば酸クロライドＹ用
いたポリアミド樹脂等は酸クロライドの精製並びに脱１
（ｃｌ化金十分進めるには困難性！有し、高純度のワニ
ス化が必然的に得にくいものである結論に紋った。更に
、例えばアミド基（−ＮＨｃｏ−）に含まれる活性化プ
ロトンが液晶との相互作用に悪影響を及ぼすこと全知得
した。こう言った中で原料の段階から比較的精製が容易
で且つ極低温領域でも反応性が十分進行しやすい酸無水
物系全対象に実験？進めた。その際、従来からの不溶性
ポリイミド膜は使用できないので、ジアミン並びに酸無
水物の組成に対する選択性の検討１行ない可溶性のポリ
イミド膜の探索結果、低温処理でも液晶に悪影響せず電
流増加率を抑制させるプラスチック基板に適した配向膜
を完成するに紋ったものである。
本発明の目的は、低温処理が可能な配向膜有する電流増
加率の小さいグラスチック液晶表示素子全提供すること
にある。
加率の小さいグラスチック液晶表示素子全提供すること
にある。
本発明の前記目的を達成するプラスチック液晶表示素子
は平行に配置され、少”なくともその一方は透明な導電
性不純物する数枚のプラスチック基板間に液晶層全介在
して成るプラスチック液晶表示素子において導電性膜と
液晶層との間の配向膜は可溶性のポリスルホンエーテル
イミド共縮重合体により構成されること全特徴とする。
は平行に配置され、少”なくともその一方は透明な導電
性不純物する数枚のプラスチック基板間に液晶層全介在
して成るプラスチック液晶表示素子において導電性膜と
液晶層との間の配向膜は可溶性のポリスルホンエーテル
イミド共縮重合体により構成されること全特徴とする。
本発明について更に詳細に説明すると、本発明において
配向膜として使用されるポリ−スルホンエーテルイミド
共縮重合体はイミド化の際に溶解性が大きな問題になる
のでジアミン化合物としてはｍ位の４０．４′−ジ（ｍ
−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、酸無水物に
は中央にカルボニル基含有する３、 ３’ 、 ４．４
’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を主成分
とした組成を見いだしクレゾール、０−クロルフェノー
ル及びトルエンのような溶媒中で合成したものである。
配向膜として使用されるポリ−スルホンエーテルイミド
共縮重合体はイミド化の際に溶解性が大きな問題になる
のでジアミン化合物としてはｍ位の４０．４′−ジ（ｍ
−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、酸無水物に
は中央にカルボニル基含有する３、 ３’ 、 ４．４
’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を主成分
とした組成を見いだしクレゾール、０−クロルフェノー
ル及びトルエンのような溶媒中で合成したものである。
又共縮重合体には例えば４．４′−ジアミノジフェニル
エーテル、４．４’−ジ（ｐ−アミノフェノキシ）ジフ
ェニルプロパン。
エーテル、４．４’−ジ（ｐ−アミノフェノキシ）ジフ
ェニルプロパン。
ピロメリット酸二無水物、３．３’ 、 ４．４’ −
シフｘニルテトラカルボン酸二無水物などを１０モｎ、
％以下で併用させることは可能である。しかし それ以
上の割合になると可溶性が困難になり沈殿が生じて反応
が進まない支障が生ずる。上記の様な組成以外の可溶性
のポリイミド樹脂には骨格中に例えばアルキル基等全導
入した系が考えられるが、いずれも直線性（剛直性）の
観点から配向規制力が劣るものである。
シフｘニルテトラカルボン酸二無水物などを１０モｎ、
％以下で併用させることは可能である。しかし それ以
上の割合になると可溶性が困難になり沈殿が生じて反応
が進まない支障が生ずる。上記の様な組成以外の可溶性
のポリイミド樹脂には骨格中に例えばアルキル基等全導
入した系が考えられるが、いずれも直線性（剛直性）の
観点から配向規制力が劣るものである。
本発明全実施するに当り原料のジアミン化合物並びに酸
無水物については精度（再結晶、蒸留昇華、イオン交換
体処理等）全施し、高純度の可溶性ポリスルホンエーテ
ルイミド樹脂全合成したものである。その後、溶剤を揮
散するだけで使用可能な低温処理型のイミド基を有する
配向膜であり、各種の液晶組成物に対していずれも消費
電流の増加全抑制する効果衾示した。
無水物については精度（再結晶、蒸留昇華、イオン交換
体処理等）全施し、高純度の可溶性ポリスルホンエーテ
ルイミド樹脂全合成したものである。その後、溶剤を揮
散するだけで使用可能な低温処理型のイミド基を有する
配向膜であり、各種の液晶組成物に対していずれも消費
電流の増加全抑制する効果衾示した。
次に本発明の実施例及び比較例について説明するが、本
発明はこれらによりなんら限定されるものではない。
発明はこれらによりなんら限定されるものではない。
なお実施例及び比較例においては次の液晶組成物全使用
した。
した。
（ａ） ピフェニル型液晶：Ｃ，Ｈｌ ｔ 僚）（狸
ＣＮＣ，Ｈｌ５−＠−＠−ＣＮ 、 Ｃ５Ｈｌｌ Ｄｏ
ｐ問■ＣＮ及びＣ７Ｈ１６’（◇−■刈ＤＯ，Ｈ，の混
合物。
ＣＮＣ，Ｈｌ５−＠−＠−ＣＮ 、 Ｃ５Ｈｌｌ Ｄｏ
ｐ問■ＣＮ及びＣ７Ｈ１６’（◇−■刈ＤＯ，Ｈ，の混
合物。
（ｂ） シクロヘキサン型液晶： Ｃ，’ Ｈ７−＠
−６−ＣＮ 。
−６−ＣＮ 。
Ｃ３ＨＩＩ Ｈ−＠−ＣＮ、 Ｃ７Ｈ１６’ Ｈ
舎ＤＣ２Ｈ５。
舎ＤＣ２Ｈ５。
Ｃ！ＩＨＩＩ→）（奸Ｄ Ｃ４Ｈａの混合物。
（Ｃ）シクロヘキサンベンゾニーｈＷＭ 晶’Ｃ３Ｈ？
４ｃｏ２４ＣＮ 、 Ｃｓ Ｈ，、→トｃＯ２（■Ｃ
Ｎ、 Ｃ７Ｈ１，項”：ｆｃｏ、−１ｇ奸Ｃ！ＩＨＩ
Ｉ ＩＣ，Ｈ，−＠−ＣＯ２−＠−Ｄ ｃｔ Ｈａ
の混合物。
４ｃｏ２４ＣＮ 、 Ｃｓ Ｈ，、→トｃＯ２（■Ｃ
Ｎ、 Ｃ７Ｈ１，項”：ｆｃｏ、−１ｇ奸Ｃ！ＩＨＩ
Ｉ ＩＣ，Ｈ，−＠−ＣＯ２−＠−Ｄ ｃｔ Ｈａ
の混合物。
なお前記中（涙はフェニレン環、告はシクロヘキサン環
を示す。
を示す。
実施例１
４．４７−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルスル
ホン（１００モル％） ３．３’ 、 ４．４’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（１００モルモル
係びクレゾール、トルエン溶媒１及応容器に入れ１５０
Ｃで７〜８時間攪拌し可溶性のポリスルホンエーテルイ
ミド共縮重合体を得た。得られたワニス全エタノール中
に滴下、再沈、洗浄後ジメチルホルムアミド等の溶媒中
に再溶解しワニス衾得た。この溶液ｔＩｎ、Ｏｓ電極の
付いたプラスチック基板に塗布し１００Ｃで２〜３時間
溶媒除去後、配向膜全８００人の厚さに形成した。その
後一定方向にこすり操作を行ない、基板周辺に有機シー
ル剤全印刷し、２枚の基板を組合わせてプラスチック液
晶素子１作製した。この素子にそれぞれ前記の液晶全注
入した。これらの液晶表示素子について配向性及び信頼
性（７０Ｃ放置条件下）即′５電流増加率全測定した。
ホン（１００モル％） ３．３’ 、 ４．４’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（１００モルモル
係びクレゾール、トルエン溶媒１及応容器に入れ１５０
Ｃで７〜８時間攪拌し可溶性のポリスルホンエーテルイ
ミド共縮重合体を得た。得られたワニス全エタノール中
に滴下、再沈、洗浄後ジメチルホルムアミド等の溶媒中
に再溶解しワニス衾得た。この溶液ｔＩｎ、Ｏｓ電極の
付いたプラスチック基板に塗布し１００Ｃで２〜３時間
溶媒除去後、配向膜全８００人の厚さに形成した。その
後一定方向にこすり操作を行ない、基板周辺に有機シー
ル剤全印刷し、２枚の基板を組合わせてプラスチック液
晶素子１作製した。この素子にそれぞれ前記の液晶全注
入した。これらの液晶表示素子について配向性及び信頼
性（７０Ｃ放置条件下）即′５電流増加率全測定した。
この結果を表に示す。
実施例２
４．４′−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルスル
ホン（９０モル％）、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル（１０モル％）、３．３’ 、 ４．４’ −ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（１００モル％
）及びクレゾール、トルエン溶媒を反応容器に入れ１５
０Ｃで５〜６時間攪拌し可溶性のポリスルホンエーテル
イミド共縮重合体奢得た。得られたワニス全エタノール
中に滴下、再沈、洗浄後へキサメチレンイミン等の溶媒
中に再溶解させワニス上寿た。その後、実施例１と同様
の工程奢得てプラスチック液晶表示素子全作製し、配向
性及び電流増加率を測定した。
ホン（９０モル％）、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル（１０モル％）、３．３’ 、 ４．４’ −ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（１００モル％
）及びクレゾール、トルエン溶媒を反応容器に入れ１５
０Ｃで５〜６時間攪拌し可溶性のポリスルホンエーテル
イミド共縮重合体奢得た。得られたワニス全エタノール
中に滴下、再沈、洗浄後へキサメチレンイミン等の溶媒
中に再溶解させワニス上寿た。その後、実施例１と同様
の工程奢得てプラスチック液晶表示素子全作製し、配向
性及び電流増加率を測定した。
実施例３
４．４′−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルスル
ホン（９５モル％）、４．４７−ジ（ｐ−アミノフェノ
キシ）ジフェニルプロパン（５モル係）３、３’ 、
４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（
９５モモル係、ピロメリット酸二無水物（５モル係）及
びクレゾール、トルエン溶媒全反応容器に入れ１５０Ｃ
で５〜６時間攪拌し可溶性のポリスルホンエーテルイミ
ド共縮重合体を得た。得られたワニスにインプロピルア
ルコール中に滴下、再沈、洗浄後Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン等の溶媒中に再溶解させワニスを得た。その後、
実施例１と同様の工程に得てプラスチック液晶表示素子
全作製し、配向性及び電流増加重管測定した。
ホン（９５モル％）、４．４７−ジ（ｐ−アミノフェノ
キシ）ジフェニルプロパン（５モル係）３、３’ 、
４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（
９５モモル係、ピロメリット酸二無水物（５モル係）及
びクレゾール、トルエン溶媒全反応容器に入れ１５０Ｃ
で５〜６時間攪拌し可溶性のポリスルホンエーテルイミ
ド共縮重合体を得た。得られたワニスにインプロピルア
ルコール中に滴下、再沈、洗浄後Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン等の溶媒中に再溶解させワニスを得た。その後、
実施例１と同様の工程に得てプラスチック液晶表示素子
全作製し、配向性及び電流増加重管測定した。
実施例４
４．４７−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルスル
ホン（９５モル係） （５モル係）、３．３’ 、 ４．４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物（１００モル％）及びりＬ
／７”−ル、トルエン溶媒１反応容器に入れ１５０Ｃで
７〜８時間攪拌し可溶性のポリスルホンエーテルイミド
共縮重合体を得た。得られたワニスにメチルアルコール
中に滴下、再沈、洗浄後ジメチルホルムアミド等の溶媒
中に再溶解しワニス奢得た。その後、実施例１と同様の
工程７得てプラスチック液晶表示素子を作製し、配向性
及び電流増加率全測定した。
ホン（９５モル係） （５モル係）、３．３’ 、 ４．４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物（１００モル％）及びりＬ
／７”−ル、トルエン溶媒１反応容器に入れ１５０Ｃで
７〜８時間攪拌し可溶性のポリスルホンエーテルイミド
共縮重合体を得た。得られたワニスにメチルアルコール
中に滴下、再沈、洗浄後ジメチルホルムアミド等の溶媒
中に再溶解しワニス奢得た。その後、実施例１と同様の
工程７得てプラスチック液晶表示素子を作製し、配向性
及び電流増加率全測定した。
実施例５
４．４７−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルスル
ホン（９５モル％）、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル（５モル係）、３．３’ 、 ４．４’ −ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物＋９５モル％ ）
、３．３’、 ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物（５モル係）及びクレゾール、トルエン溶媒全
反応容器に入れ１５０Ｃで５〜６時間攪拌し可溶性のポ
リスルホンエーテルイミド共ｍ重合体’を得た。得らｆ
′Ｌ、たワニス１メチルアルコール中に滴下、再沈、洗
浄後Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の溶媒中に再溶解し
、ワニスを得た。
ホン（９５モル％）、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル（５モル係）、３．３’ 、 ４．４’ −ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物＋９５モル％ ）
、３．３’、 ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物（５モル係）及びクレゾール、トルエン溶媒全
反応容器に入れ１５０Ｃで５〜６時間攪拌し可溶性のポ
リスルホンエーテルイミド共ｍ重合体’を得た。得らｆ
′Ｌ、たワニス１メチルアルコール中に滴下、再沈、洗
浄後Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の溶媒中に再溶解し
、ワニスを得た。
その後、実施例１と同様の工程１得てプラスチック液晶
表示素子を作製上、配向性及び電流増加率全測定した。
表示素子を作製上、配向性及び電流増加率全測定した。
比較例１
４．４′−ジアミノジフェニルエーテル（１００モルモ
ル係イソフタル酸クロライド（１００モルモル係びＮ−
メチル、−２−ピロリドン溶媒中で反応させてポリアミ
ド共縮重合体を得た。更に、得られたワニスをメタノー
ル中に滴下、再沈、洗浄後ジメチルホルムアミド等の溶
媒中に再溶解しワニス奢得た。その後、実施例１と同様
の工程７得てプラスチック液晶表示素子全作製し、配向
性及び電流増加率を測定した。
ル係イソフタル酸クロライド（１００モルモル係びＮ−
メチル、−２−ピロリドン溶媒中で反応させてポリアミ
ド共縮重合体を得た。更に、得られたワニスをメタノー
ル中に滴下、再沈、洗浄後ジメチルホルムアミド等の溶
媒中に再溶解しワニス奢得た。その後、実施例１と同様
の工程７得てプラスチック液晶表示素子全作製し、配向
性及び電流増加率を測定した。
比較例２
飽和ポリエステル樹脂（東洋紡製、商品名［バイロン３
０ ＰＪ ’ＴｈＮ−メチルー２−ピロリドン等に溶解
してワニスを得た。その後、実施例１と同様の工程を得
てプラスチック液晶表示素子１作製し配向性及び電流増
加率全測定した。
０ ＰＪ ’ＴｈＮ−メチルー２−ピロリドン等に溶解
してワニスを得た。その後、実施例１と同様の工程を得
てプラスチック液晶表示素子１作製し配向性及び電流増
加率全測定した。
Claims (1)
- １、平行に配置され、少なくともその一方は透明な導電
性膜全有する複数枚のプラスチック基板間に液晶層全介
在し、上記導電性膜と液晶層との間の配向膜（至）膜は
イミド基を含む可溶性共縮重合体であることｔ特徴とす
るグラスチック液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3596483A JPS59162525A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | プラスチツク液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3596483A JPS59162525A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | プラスチツク液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162525A true JPS59162525A (ja) | 1984-09-13 |
Family
ID=12456638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3596483A Pending JPS59162525A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | プラスチツク液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204619A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | Canon Inc | 液晶素子 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP3596483A patent/JPS59162525A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204619A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | Canon Inc | 液晶素子 |
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