JPS59162451A - 塗膜欠陥検出装置 - Google Patents
塗膜欠陥検出装置Info
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- JPS59162451A JPS59162451A JP58035980A JP3598083A JPS59162451A JP S59162451 A JPS59162451 A JP S59162451A JP 58035980 A JP58035980 A JP 58035980A JP 3598083 A JP3598083 A JP 3598083A JP S59162451 A JPS59162451 A JP S59162451A
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- Japan
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- film
- coating film
- paint film
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2418—Probes using optoacoustic interaction with the material, e.g. laser radiation, photoacoustics
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は塗膜に照射した光のエネルギーが変換して生じ
た音波または熱弾性波を検出し、塗膜の健全性を非破壊
的に検査できる塗膜欠陥検出装置に関する。
た音波または熱弾性波を検出し、塗膜の健全性を非破壊
的に検査できる塗膜欠陥検出装置に関する。
塗装の主目的の１つは、被塗布金属の防食にある。その
ため、塗膜が金属表面に密着していることを確認する必
要がろる。この塗膜と金属表面との密着度を祠べろ方法
として剥離試験等の破壊検査と、塗膜を直接蒲めること
がない非破壊検査とがある。
ため、塗膜が金属表面に密着していることを確認する必
要がろる。この塗膜と金属表面との密着度を祠べろ方法
として剥離試験等の破壊検査と、塗膜を直接蒲めること
がない非破壊検査とがある。
非破壊検査の代表的なものに虱腺の誘電正接ｔａｎδを
測定する方法と、電解質溶液中における電流値の測定に
よる方法とがある。
測定する方法と、電解質溶液中における電流値の測定に
よる方法とがある。
塗膜の誘電正接ｔａｎδの変化をｍｌＪ定して塗膜の欠
陥を横比する方法は、誘電正接の変化が塗膜自体の構造
劣化によるものか、金属と塗膜との接着度の低下による
ものか−を区別することが困難でるる。
陥を横比する方法は、誘電正接の変化が塗膜自体の構造
劣化によるものか、金属と塗膜との接着度の低下による
ものか−を区別することが困難でるる。
しかも、測定用の成極を検査対象部に密着させる必要が
あり、このため広い面積を恢査する揚台には電極面績を
大きくしたシ、多くの測定時間が必要である等の問題が
ある。
あり、このため広い面積を恢査する揚台には電極面績を
大きくしたシ、多くの測定時間が必要である等の問題が
ある。
電解質溶液中において電流を６１１ｊ走する電気化学的
な方法によシ威膜を検出する方法は、電解質溶液中に塗
装した金属を試料電極とし、その周囲に対極と参照電極
とを配置し、准解質浴液中における電流値を測定するも
のである。しかし、この方法によるときは、検出するの
は塗膜下の腐食であシ、腐食が生じて初めて塗膜の欠陥
を検出することができる。しかも、電解質溶液が必要で
あるばかシでなく、大気環境中に訃ける塗膜の欠陥を検
出するのには適していない。
な方法によシ威膜を検出する方法は、電解質溶液中に塗
装した金属を試料電極とし、その周囲に対極と参照電極
とを配置し、准解質浴液中における電流値を測定するも
のである。しかし、この方法によるときは、検出するの
は塗膜下の腐食であシ、腐食が生じて初めて塗膜の欠陥
を検出することができる。しかも、電解質溶液が必要で
あるばかシでなく、大気環境中に訃ける塗膜の欠陥を検
出するのには適していない。
本発明は、大気環境中において塗膜の欠陥を非破壊的に
容易に検出することが出来る塗膜欠陥検出装置を提供す
ることを目的とする。
容易に検出することが出来る塗膜欠陥検出装置を提供す
ることを目的とする。
本発明は、塗膜に周期的に光を照射し、塗膜の膨張、収
縮に伴って生じる弾性波を検出し、塗膜の欠陥を容易に
検出できるように構成したものである。
縮に伴って生じる弾性波を検出し、塗膜の欠陥を容易に
検出できるように構成したものである。
本発明は、主に物質分析の分野において発展してきた光
−音響効果を利用したものである。この光−音響効果を
利用した計測技術の原理は、次の通シである。
−音響効果を利用したものである。この光−音響効果を
利用した計測技術の原理は、次の通シである。
断続的に光を物質に照射すると光が熱に変わり、熱が物
質内部において断続的に発生する。このため、断続的な
熱の発生によ多物質は、熱膨張と収縮とを繰シ返し、物
質が熱振動をする七ともに、物質の周囲の空気も膨張、
収縮を繰シ返し、光を照射する周波数に応じた音波が発
生する。光−音響効果を利用した物質分析は、この物質
の振動または音波を測定し、物質の内部構造を推定する
ものである。
質内部において断続的に発生する。このため、断続的な
熱の発生によ多物質は、熱膨張と収縮とを繰シ返し、物
質が熱振動をする七ともに、物質の周囲の空気も膨張、
収縮を繰シ返し、光を照射する周波数に応じた音波が発
生する。光−音響効果を利用した物質分析は、この物質
の振動または音波を測定し、物質の内部構造を推定する
ものである。
発明者らは、上記の現象を利用することによシ、塗膜の
欠陥を検出することに有効であることを見出した。すな
わち、塗膜に周期的に光を照射すると、塗膜および塗膜
周辺の空気が照射する光の周期に応じ膨張、収縮を繰シ
返す。そして、塗膜が被塗布物である母材金属に十分密
着しているときは、塗膜と母材金属との間の熱伝達係数
が大きく、塗膜内に発生した熱が母材金属を介して効果
的に除去される。そのため、塗膜または塗膜周辺の大気
の膨張、収縮が照射される光の周期に対応して効果的に
生ずる。しかし、塗膜が母材金属に十分密着していない
ときは、塗膜内に生じた熱が効率的に除去されないため
、塗膜または塗膜周辺の大気の膨張、収縮と、光の照射
周期との間にずれを生ずる。したがって、塗膜または塗
膜周辺の空気の膨張、収縮を、マイクロフォンまだは圧
電素子を用いて検出した場合に、これらの信号の変化に
よシ、塗膜と母材金属との間の接層状態を瑛仰すること
ができる。
欠陥を検出することに有効であることを見出した。すな
わち、塗膜に周期的に光を照射すると、塗膜および塗膜
周辺の空気が照射する光の周期に応じ膨張、収縮を繰シ
返す。そして、塗膜が被塗布物である母材金属に十分密
着しているときは、塗膜と母材金属との間の熱伝達係数
が大きく、塗膜内に発生した熱が母材金属を介して効果
的に除去される。そのため、塗膜または塗膜周辺の大気
の膨張、収縮が照射される光の周期に対応して効果的に
生ずる。しかし、塗膜が母材金属に十分密着していない
ときは、塗膜内に生じた熱が効率的に除去されないため
、塗膜または塗膜周辺の大気の膨張、収縮と、光の照射
周期との間にずれを生ずる。したがって、塗膜または塗
膜周辺の空気の膨張、収縮を、マイクロフォンまだは圧
電素子を用いて検出した場合に、これらの信号の変化に
よシ、塗膜と母材金属との間の接層状態を瑛仰すること
ができる。
第１図は、本発明に係る砿渓久陥検出装置の基本構成図
である。第１図において、光源（８）１ｏは、特に限定
する必要はないが、ｓ／へ沈金あげるために光の強度の
大きいレーザーが望ましく、装置の小型化を図る場合に
は、半導体レーザーを用いることが有効である。また、
高出力の発光ダイオードを用いてもよい。光源１０から
の光は、集光レンズ１２において集光されたのち、元変
Ａ器１４を介して測定セル１６に周期的に照射される。
である。第１図において、光源（８）１ｏは、特に限定
する必要はないが、ｓ／へ沈金あげるために光の強度の
大きいレーザーが望ましく、装置の小型化を図る場合に
は、半導体レーザーを用いることが有効である。また、
高出力の発光ダイオードを用いてもよい。光源１０から
の光は、集光レンズ１２において集光されたのち、元変
Ａ器１４を介して測定セル１６に周期的に照射される。
この光変調器１４は、光を周期的に遮断するチョッパで
もよく、また、音響−光モシュレータでもよい。なお、
光源として発光ダイオードのように外部信号により容易
に光の強度を変えることが可能な光源の場合には、光変
調器１４を必要とじない。
もよく、また、音響−光モシュレータでもよい。なお、
光源として発光ダイオードのように外部信号により容易
に光の強度を変えることが可能な光源の場合には、光変
調器１４を必要とじない。
測定セル１６に２いて周期的な光の照射によシ生じた塗
膜の熱弾性波、または塗膜周囲の季気振動すなわち音波
は検出端子１８によシ検出され、ロックインアンプ２０
において光変調器１４の変調周波叡に同調した信号のみ
が増幅され、記録計２２において衣示される。なお、・
検出端子１８は、音波を検出するときにはマイクロフォ
ン、塗膜の熱弾性波を検出するときには圧電索子が有効
である。互た、Ｓ／Ｎ比を向上させるためには、これら
の検出素子の共振周波数が照射光の周波数と一致させる
ようにすることが４ましい。
膜の熱弾性波、または塗膜周囲の季気振動すなわち音波
は検出端子１８によシ検出され、ロックインアンプ２０
において光変調器１４の変調周波叡に同調した信号のみ
が増幅され、記録計２２において衣示される。なお、・
検出端子１８は、音波を検出するときにはマイクロフォ
ン、塗膜の熱弾性波を検出するときには圧電索子が有効
である。互た、Ｓ／Ｎ比を向上させるためには、これら
の検出素子の共振周波数が照射光の周波数と一致させる
ようにすることが４ましい。
第２図は、音波を検出して壁膜の欠陥を検知する塗膜欠
陥検出装置の一実施例の説明図である。
陥検出装置の一実施例の説明図である。
第２図において光源でるるキセノンランプ２４から照射
された光は、集光レンズ１２を介し雑音を少なくするた
めに干渉フィルタ２６に導かれる。
された光は、集光レンズ１２を介し雑音を少なくするた
めに干渉フィルタ２６に導かれる。
干渉フィルタ２６を通過した光は、元チョッパ２８にお
いて測定セル１６への照射が一定周期となるように機械
的に断続される。すなわち、光チヨツパ２８は、ｉ間御
装置彦３０によ９１間ＩＩｊｌＩＩされている直流モー
タ３２により、所定の一屋速度によシ回転する。
いて測定セル１６への照射が一定周期となるように機械
的に断続される。すなわち、光チヨツパ２８は、ｉ間御
装置彦３０によ９１間ＩＩｊｌＩＩされている直流モー
タ３２により、所定の一屋速度によシ回転する。
測定セル１６において周期的な光の照射によシ第２図に
図示しない塗ｊ摸は、膨張、収縮を周期的に繰シ返し、
この膨張、収縮に伴い発生する弾性波の−、１土である
音波がマイクロフォン３４によシ検出され、ロックイン
アンプ２０に入力される。
図示しない塗ｊ摸は、膨張、収縮を周期的に繰シ返し、
この膨張、収縮に伴い発生する弾性波の−、１土である
音波がマイクロフォン３４によシ検出され、ロックイン
アンプ２０に入力される。
そして、ロックインアンプ２０は、フォトカプラ（例え
ば光源と光検知器の組み合わせ）３６からの入力ｉ言号
によシ、測定セル１６に照射される光の周期に一致する
周波数の音波を増幅し、ＣＲＴ等の記録計２２に入力し
我示する。
ば光源と光検知器の組み合わせ）３６からの入力ｉ言号
によシ、測定セル１６に照射される光の周期に一致する
周波数の音波を増幅し、ＣＲＴ等の記録計２２に入力し
我示する。
第３図は、測定セル１６の一列を示すものである。測定
セル１６は、ハウジング３８により試料室４０が形成さ
れている。そして、試料室４０の上部には、対物レンズ
４２が設置してあう、この対物レンズ４２の下方には試
料取付用架台４４に支持された試料容器４６が設けであ
る。また、ハウジング３８にはマイクロフォン３４が挿
入してあシ、試料室４０の音波を検出することができる
ようになっている。マイクロフォン３４が検出した音波
は、磁気信号に変換され、プリアンプ４８において増幅
された後、前記したロックインアンプ２０に入力される
。 ・ 上記の装置により次の要領によシ塗膜の欠陥検出試験を
行なった。
セル１６は、ハウジング３８により試料室４０が形成さ
れている。そして、試料室４０の上部には、対物レンズ
４２が設置してあう、この対物レンズ４２の下方には試
料取付用架台４４に支持された試料容器４６が設けであ
る。また、ハウジング３８にはマイクロフォン３４が挿
入してあシ、試料室４０の音波を検出することができる
ようになっている。マイクロフォン３４が検出した音波
は、磁気信号に変換され、プリアンプ４８において増幅
された後、前記したロックインアンプ２０に入力される
。 ・ 上記の装置により次の要領によシ塗膜の欠陥検出試験を
行なった。
試料は、直径１０咽のステンレス鋼製ディスクの上にク
リア型、すなわち透明型エポキシ系塗料を厚さ約５０μ
ｍ塗布して作った。この試料は２鍾ｇＡあり、その１つ
は欠陥模擬試料であって、ディスクの中央に直径約１珊
の孔を開けたものにエポキシ系塗料を塗ったものである
。
リア型、すなわち透明型エポキシ系塗料を厚さ約５０μ
ｍ塗布して作った。この試料は２鍾ｇＡあり、その１つ
は欠陥模擬試料であって、ディスクの中央に直径約１珊
の孔を開けたものにエポキシ系塗料を塗ったものである
。
これらの試料を測定セル１６の中にセットし、試料に約
１咽幅に集光した光を２５Ｈｚの周期において断続的に
照射した。その結果、発生音波の１ｄ号レベルは、ディ
スクに孔のおいていない健全な試料に比較して欠陥模擬
試料の場合、約１桁小さくなった。このことから、塗膜
の欠陥を検出しうろことがわかる。
１咽幅に集光した光を２５Ｈｚの周期において断続的に
照射した。その結果、発生音波の１ｄ号レベルは、ディ
スクに孔のおいていない健全な試料に比較して欠陥模擬
試料の場合、約１桁小さくなった。このことから、塗膜
の欠陥を検出しうろことがわかる。
第４図は、圧電素子であるＰＺＴを用いた塗膜欠陥検出
装置の実施例の一例である。本果流列の装置は、光源と
してＨｅ−Ｎｅレーザー５ｏを用いている。また、チョ
ッパ２８は開式発生器５２によシ制御している。レーザ
ー光は、チョッパ２８を通った後プリズム５４．５６を
通った後、試料５８に照射される。試料５８には圧電素
子６０が密着して設けてろる。なお、プリズム５６は、
レーザー光移動台６２Ｖ−よシ図に示したＸ方向に移動
でき、レーザー光が試料上を走軒できるようになってい
る。
装置の実施例の一例である。本果流列の装置は、光源と
してＨｅ−Ｎｅレーザー５ｏを用いている。また、チョ
ッパ２８は開式発生器５２によシ制御している。レーザ
ー光は、チョッパ２８を通った後プリズム５４．５６を
通った後、試料５８に照射される。試料５８には圧電素
子６０が密着して設けてろる。なお、プリズム５６は、
レーザー光移動台６２Ｖ−よシ図に示したＸ方向に移動
でき、レーザー光が試料上を走軒できるようになってい
る。
この装置によシ第５図に示した試料を用いて塗膜欠陥検
出テストを行なった。第５図に示した試料は、アルミニ
ウム板６４の中央部に約０．５珊幅の溝６５を設け、上
面にエポキシ系塗料６６を約５０μｍ塗布しである。こ
の試料の中央にレーザー光が尚たるように前記した試料
移動台６２を調整し、第５図に示じた矢印６８のように
、２０Ｈ２の周期をもってレーザー光を照射し、走査し
た。
出テストを行なった。第５図に示した試料は、アルミニ
ウム板６４の中央部に約０．５珊幅の溝６５を設け、上
面にエポキシ系塗料６６を約５０μｍ塗布しである。こ
の試料の中央にレーザー光が尚たるように前記した試料
移動台６２を調整し、第５図に示じた矢印６８のように
、２０Ｈ２の周期をもってレーザー光を照射し、走査し
た。
第６図に試験結果を示す。第６図に示すように試料の溝
６５の部分において１６号レベルおよび位相のずれが極
小値を示す。したがって、レーザー光と圧電素子とを用
−ることによシ塗膜欠陥すなわち塗膜下の剥離を検出す
ることができる。
６５の部分において１６号レベルおよび位相のずれが極
小値を示す。したがって、レーザー光と圧電素子とを用
−ることによシ塗膜欠陥すなわち塗膜下の剥離を検出す
ることができる。
第７図は装置の小型化を図るために半導体レーザーを用
いた実施例のブロック図である。第７図において被測定
物７ｏに接して圧電素子６ｏが設けてあシ、被測定物７
０には、半導体レーザー（Ｐ’ｂＳｎＴｅ ）７２のレ
ーザー光が照射できるようになっている。半導体レーザ
ー７２は、パワーアンプ７４を介して関数発生器５２に
ょシ、レーザー光の照射、波長ヵ樋１」御される。この
半導体レーザーを用いるときは、チョッパが不要なばか
り、でなく、ＳＺＮ比を最適にできるような波長を選ぶ
ことができる。
いた実施例のブロック図である。第７図において被測定
物７ｏに接して圧電素子６ｏが設けてあシ、被測定物７
０には、半導体レーザー（Ｐ’ｂＳｎＴｅ ）７２のレ
ーザー光が照射できるようになっている。半導体レーザ
ー７２は、パワーアンプ７４を介して関数発生器５２に
ょシ、レーザー光の照射、波長ヵ樋１」御される。この
半導体レーザーを用いるときは、チョッパが不要なばか
り、でなく、ＳＺＮ比を最適にできるような波長を選ぶ
ことができる。
なお、半導体レーザー７２の代ゎシにＮｂＰｓＯ＊４の
発光ダイオード金円いたところ、発光ダイオードを用い
た場合においても半導体レーザーと同様の効果を得る仁
とができた。
発光ダイオード金円いたところ、発光ダイオードを用い
た場合においても半導体レーザーと同様の効果を得る仁
とができた。
また、検出素子としてマイクロフォンの有効性を確認す
るため第８図に示した検出器を用いた。
るため第８図に示した検出器を用いた。
この検出器７６は、フレーム７８に半導体レーザー７２
とコンデンサマイクロフォン８０とが固定しである。そ
して、フレーム７８の下端面には０リング８２が設けて
あシ、検出器７６を塗＃８６に押圧したときに、測定基
８８内の空気が外部に漏れないようにしである。この・
演出器７６による測定の結果は、圧電素子の場合と同様
の効果を示すことがわかった。なお、第８図において示
した符号９０は、塗膜８６が塗布してちる母材である。
とコンデンサマイクロフォン８０とが固定しである。そ
して、フレーム７８の下端面には０リング８２が設けて
あシ、検出器７６を塗＃８６に押圧したときに、測定基
８８内の空気が外部に漏れないようにしである。この・
演出器７６による測定の結果は、圧電素子の場合と同様
の効果を示すことがわかった。なお、第８図において示
した符号９０は、塗膜８６が塗布してちる母材である。
以上説明したように本発明によれば、塗膜に周期的な光
を照射し、塗膜に周期的な膨張、収縮を発生させること
によシ、大気環境中における塗膜の欠陥を容易に検出す
ることができる。
を照射し、塗膜に周期的な膨張、収縮を発生させること
によシ、大気環境中における塗膜の欠陥を容易に検出す
ることができる。
第１図は本発明に係る塗膜欠陥検出装置の基本構成図、
第２図はマイクロフォンを用いた本発明に係る塗膜欠陥
検出装置の実施例の説明図、第３図は第２図に示した測
定セルの詳細図、第４図は本発明に係る塗膜欠陥検出装
置の他の実施例の説明図、第５図は第４図に示した装置
に装着した試料の一例を示す図、第６図は第５図に示し
た試料の測定結果を示す図、第７図は千尋体レーザーを
用いた本発明に係る塗１反欠陥検出装置の実施例のブロ
ック図、第８図はコンデンサマイクロフォンを用いた検
出器の実施例の説明図である。 ｌＯ・・・光源、１４・・・光変調器、１８・・・検出
端子、２２・・・記録計、２４・・・キセノンランプ、
２８・・・光チョッパ、３４・・・マイクロフォン、５
０・・・Ｈｅ−ＮｅＶ−ザー、６０・・・圧電素子、６
５・・・溝、６６・・・エポキシ系塗料、７０・・・被
測定物、７２・・・半導体レーザー、７６・・・検出器
、８０・・・コンデンサー １ ｍ ｌＯ ￥２（２） 第９口 竿 乙 〔ン］ 駄料−Ｉ幕ｆｔ−孝薗ＳＥ江 番 ７ 図 第δ ｍ 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％ ０出 願 人 日立エンジニアリング株式会社日立市幸
町３丁目２番１号
第２図はマイクロフォンを用いた本発明に係る塗膜欠陥
検出装置の実施例の説明図、第３図は第２図に示した測
定セルの詳細図、第４図は本発明に係る塗膜欠陥検出装
置の他の実施例の説明図、第５図は第４図に示した装置
に装着した試料の一例を示す図、第６図は第５図に示し
た試料の測定結果を示す図、第７図は千尋体レーザーを
用いた本発明に係る塗１反欠陥検出装置の実施例のブロ
ック図、第８図はコンデンサマイクロフォンを用いた検
出器の実施例の説明図である。 ｌＯ・・・光源、１４・・・光変調器、１８・・・検出
端子、２２・・・記録計、２４・・・キセノンランプ、
２８・・・光チョッパ、３４・・・マイクロフォン、５
０・・・Ｈｅ−ＮｅＶ−ザー、６０・・・圧電素子、６
５・・・溝、６６・・・エポキシ系塗料、７０・・・被
測定物、７２・・・半導体レーザー、７６・・・検出器
、８０・・・コンデンサー １ ｍ ｌＯ ￥２（２） 第９口 竿 乙 〔ン］ 駄料−Ｉ幕ｆｔ−孝薗ＳＥ江 番 ７ 図 第δ ｍ 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％ ０出 願 人 日立エンジニアリング株式会社日立市幸
町３丁目２番１号
Claims (1)
- １、塗膜の剥離を非破壊的に検出する塗膜欠陥検出装置
において、塗膜を有する被測定物に周期的に光を照射す
る光源と、前記被−；」定物において光のエネルギーが
変換して生じた弾性波を・演出する、演出器と、この検
出器の検出信号によシ塗膜の状態を表示する表示装置と
を有することを特徴とする塗膜欠陥検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035980A JPS59162451A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 塗膜欠陥検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035980A JPS59162451A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 塗膜欠陥検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162451A true JPS59162451A (ja) | 1984-09-13 |
Family
ID=12457031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58035980A Pending JPS59162451A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 塗膜欠陥検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162451A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007308140A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Hane:Kk | 発泡樹脂製気密容器 |
| WO2016042794A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 株式会社東芝 | 積層造形装置および積層造形方法 |
| WO2021106970A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社トヨコー | レーザ照射状態診断方法、レーザ照射状態診断プログラム、レーザ照射状態診断装置、及び、レーザ照射装置 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP58035980A patent/JPS59162451A/ja active Pending
Cited By (5)
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