JPS59158623A - Cmosバツフア回路 - Google Patents
Cmosバツフア回路Info
- Publication number
- JPS59158623A JPS59158623A JP58032307A JP3230783A JPS59158623A JP S59158623 A JPS59158623 A JP S59158623A JP 58032307 A JP58032307 A JP 58032307A JP 3230783 A JP3230783 A JP 3230783A JP S59158623 A JPS59158623 A JP S59158623A
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- Japan
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- load
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0016—Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明け、CMOSトラシジスタで形成したCMOSバ
ッファに関するものである。
ッファに関するものである。
[背景技術1
従来、CMOSバッファ回路は、負荷の大きさが種々に
変化する場8には、最も大きな負荷を想定して設けてい
六二。この几め、小さい負荷が接続された場合でも、常
に大負荷駆動に必要な電流が流れてしまうという欠点金
有していた。
変化する場8には、最も大きな負荷を想定して設けてい
六二。この几め、小さい負荷が接続された場合でも、常
に大負荷駆動に必要な電流が流れてしまうという欠点金
有していた。
[発明の目的]
本発明の目的とするところは、負荷の大きさに応じて出
力電流の大きさケ切換えられるようにして不要な電力消
費を回避することにあり、他の目的とするところは、負
荷の大きさに応じて自動的にバッファの電流供給能力1
kgJ換えるようにすることにある。
力電流の大きさケ切換えられるようにして不要な電力消
費を回避することにあり、他の目的とするところは、負
荷の大きさに応じて自動的にバッファの電流供給能力1
kgJ換えるようにすることにある。
[発明の開示1
実施例
第1図において、(1)は第1のバッファで、Pチャネ
ルMO8)ラシジスタMP、とNfセネルMOSトラン
ジスタR(N2とにより成る。(2)は第2のバッファ
て′、P:f−セネルMO3)ラシジスタMP3とN:
fl’ネルMO5I−ラ−)ジスタMN4とより成る。
ルMO8)ラシジスタMP、とNfセネルMOSトラン
ジスタR(N2とにより成る。(2)は第2のバッファ
て′、P:f−セネルMO3)ラシジスタMP3とN:
fl’ネルMO5I−ラ−)ジスタMN4とより成る。
+3+l″i制御回路で、コントロール信号CT T−
Kより第2のJSツファ(2)音制御するものである。
Kより第2のJSツファ(2)音制御するものである。
(4)は9荷である。
動作
コシトロール信号CTLがLレベルのとき、制仙1回路
(3)の出力PV′iHレベル、NけLしベルになり、
第2のバッファ(2)の名MO3I−ラーJジスタM
P3、MNJ:II’ともにオフになり、第2のバッフ
ァ(2+ Vi遮断される。そのため、入力端子INに
入る信号に応じて第1のバッファi11のみ葡介して出
力端子OUTより出力電流が負荷(42に供給される。
(3)の出力PV′iHレベル、NけLしベルになり、
第2のバッファ(2)の名MO3I−ラーJジスタM
P3、MNJ:II’ともにオフになり、第2のバッフ
ァ(2+ Vi遮断される。そのため、入力端子INに
入る信号に応じて第1のバッファi11のみ葡介して出
力端子OUTより出力電流が負荷(42に供給される。
このとき、入力端子INK入る信号がLレベルのとき、
第1のバッファより負荷(4)への吐き出し電流l0H
Iが流れ、Hレベルのときけ吸い込み電流l0LIが流
れる。つぎに、コシトロール信号CTLがHレベルのと
き、制御回路(3)の出力P、Nけ、ともに入力端子I
Nの信号と同じ信号が伝達されるため、第1のバッファ
fi+および第2のバッファ(2)ヲ介して負荷(4)
へ電流が供給される。入力端子INに入る信号がLレベ
ルのききは吐き出し電流’OH+、lo)H2が流れ、
Lレベルのときは吸い込み電流I。L3、’OL2が流
れる。このように、負荷(4)が大きいときはコシトロ
ール信号CTLkHしベルにして第1のバッファ(1)
および第2のノSツファ(2)ヲ用いて負荷(4)に電
流を供給でき、負荷(4)が小さいときはコシトロール
信号CT L i Lレベルにして第1のバッファのみ
を用いて電流を供給でき、負荷(4)に応じた電流値の
9j換えができる。
第1のバッファより負荷(4)への吐き出し電流l0H
Iが流れ、Hレベルのときけ吸い込み電流l0LIが流
れる。つぎに、コシトロール信号CTLがHレベルのと
き、制御回路(3)の出力P、Nけ、ともに入力端子I
Nの信号と同じ信号が伝達されるため、第1のバッファ
fi+および第2のバッファ(2)ヲ介して負荷(4)
へ電流が供給される。入力端子INに入る信号がLレベ
ルのききは吐き出し電流’OH+、lo)H2が流れ、
Lレベルのときは吸い込み電流I。L3、’OL2が流
れる。このように、負荷(4)が大きいときはコシトロ
ール信号CTLkHしベルにして第1のバッファ(1)
および第2のノSツファ(2)ヲ用いて負荷(4)に電
流を供給でき、負荷(4)が小さいときはコシトロール
信号CT L i Lレベルにして第1のバッファのみ
を用いて電流を供給でき、負荷(4)に応じた電流値の
9j換えができる。
第2実施例
第2図は本発明の他の実施例で、illけ第1のバッフ
ァ、(2)は第2のバッファで、第1図の実施例と同じ
ように形成したものであり、+3+ V′i制御回路で
、PチャネルMO5I−ラ:、VジスタMP5、Nチャ
ネルMO8I−ラシジスタM N6等により構成する。
ァ、(2)は第2のバッファで、第1図の実施例と同じ
ように形成したものであり、+3+ V′i制御回路で
、PチャネルMO5I−ラ:、VジスタMP5、Nチャ
ネルMO8I−ラシジスタM N6等により構成する。
(4)は負荷である。(5)はコシトロール信号発生回
路で、負荷(4)の大きさにより第1のバッファfl+
の応答速度が異なることを利用してコシトロール信号C
TL’に発生させるものて゛ある。
路で、負荷(4)の大きさにより第1のバッファfl+
の応答速度が異なることを利用してコシトロール信号C
TL’に発生させるものて゛ある。
第2実施例の動作
tPJ3図(a) 〜(g) /d負負荷4)が小で入
力端子INVC立上り信ちが印加されたときの第2図に
精ちを付した各部の信号波形図、第1図(a)〜(ロ)
)け9、荷(4)が大で入力端子INに立」エリ信号が
印加されたときの各部信号波形図、m5図(a)〜(g
)は負荷(4)が小で人、力端子INに立下り信号が印
加されたときの各部@ち・波形図、第6図(a)〜(g
)は負荷(4)か大で入力端子INに立下り信号が印加
されたときの各部信号波形図である。入力端子1.Nに
立上り(又は立下り)信゛ちが入力されたとき、負荷(
4)が大きなときけ出力端子OUTに出る電圧は負荷(
4)が小さいときに比べてゆっくりと立下る(又は立上
る)。
力端子INVC立上り信ちが印加されたときの第2図に
精ちを付した各部の信号波形図、第1図(a)〜(ロ)
)け9、荷(4)が大で入力端子INに立」エリ信号が
印加されたときの各部信号波形図、m5図(a)〜(g
)は負荷(4)が小で人、力端子INに立下り信号が印
加されたときの各部@ち・波形図、第6図(a)〜(g
)は負荷(4)か大で入力端子INに立下り信号が印加
されたときの各部信号波形図である。入力端子1.Nに
立上り(又は立下り)信゛ちが入力されたとき、負荷(
4)が大きなときけ出力端子OUTに出る電圧は負荷(
4)が小さいときに比べてゆっくりと立下る(又は立上
る)。
したがって、コントロール信号発生回路(5)の出力に
は、入力端子INに立上り信号が加わった場合にはC′
を通して、又、入力端子INに立下り信号が加わつ友場
合にけC全通して第1図(g)および第6図(g)のよ
うにコントロール信号CTLがHレベルになる。このコ
ントロール信9CTL’に制御回路(3)?介して第2
のバッファ(2)に加えることにより、負荷(4)が大
きいときけ第1のバッファ(1)と第2のバッファ(2
)とが駆動されて負荷(4)に大電流が供給され、負荷
(4)が小さいさきは]シトロール信号CTLけ第5図
(ロ))および第5図(g)のようにLレベルのままで
、躬1のバッファ11)のみKより負荷(4)に電流が
供給される。し文がって、負荷(4)の大きさにエリ自
動的にバッファの電流供給能力全切換えることができる
。
は、入力端子INに立上り信号が加わった場合にはC′
を通して、又、入力端子INに立下り信号が加わつ友場
合にけC全通して第1図(g)および第6図(g)のよ
うにコントロール信号CTLがHレベルになる。このコ
ントロール信9CTL’に制御回路(3)?介して第2
のバッファ(2)に加えることにより、負荷(4)が大
きいときけ第1のバッファ(1)と第2のバッファ(2
)とが駆動されて負荷(4)に大電流が供給され、負荷
(4)が小さいさきは]シトロール信号CTLけ第5図
(ロ))および第5図(g)のようにLレベルのままで
、躬1のバッファ11)のみKより負荷(4)に電流が
供給される。し文がって、負荷(4)の大きさにエリ自
動的にバッファの電流供給能力全切換えることができる
。
[発明の効果1
本発明は上述のように、第1のバッファと第2のバッフ
ァと?具備し、]′Jトロール信号がHレベルのとき第
1のバッファおよび第2のバッフアゲ1作させて負荷に
大電流牙供給できる如くした力・ら、負荷の大きさに応
じて出力電流の大きさ全切換えられるようにでき、不要
な電力消費全回避でき、又、負荷の大きさにより第1の
バッファの応答速度が異なること全利用してコシトロー
ル信号を発生させるコシトロール信号発生回路を設けた
から、負荷の大きさに応じて自動的にバックアQ′@流
供給能力をゆノ換えることができるという効果を奏する
ものである。
ァと?具備し、]′Jトロール信号がHレベルのとき第
1のバッファおよび第2のバッフアゲ1作させて負荷に
大電流牙供給できる如くした力・ら、負荷の大きさに応
じて出力電流の大きさ全切換えられるようにでき、不要
な電力消費全回避でき、又、負荷の大きさにより第1の
バッファの応答速度が異なること全利用してコシトロー
ル信号を発生させるコシトロール信号発生回路を設けた
から、負荷の大きさに応じて自動的にバックアQ′@流
供給能力をゆノ換えることができるという効果を奏する
ものである。
第1図は不発り」の一実施例の回路図、第2図は同上の
他の実施例の回路図、第5図(a)〜(g)、第4図(
a)〜(g)、第5図(a)〜(g)および掲6図(a
)〜(g)はそれぞれ第2図の実施例の動部信号波形図
である(1)・第1のバッファ、(2) 第2のバッ
ファ、(4)・・負荷、(6)・・コツト0−ル@号発
生回路。 代理人 弁理士 石 ]コ」 長 七第1図
他の実施例の回路図、第5図(a)〜(g)、第4図(
a)〜(g)、第5図(a)〜(g)および掲6図(a
)〜(g)はそれぞれ第2図の実施例の動部信号波形図
である(1)・第1のバッファ、(2) 第2のバッ
ファ、(4)・・負荷、(6)・・コツト0−ル@号発
生回路。 代理人 弁理士 石 ]コ」 長 七第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 +1J PチャネルMO3)ラシジスタとNチャネル
MO8I−ラシジスタとより成る第1e)ノス1νファ
と、前記第1のバッファと同様にPf’PネルMOSト
ランジスタとN″ft’ 2−ルMOSトラシジスタよ
り成る第2のバッファと紫具備し、コントロール信号が
Hレベルのとき第1のバッファおよび第2のバッファを
前作させて負荷に大電流ヶ供給できる如くして成ること
を特徴とするCMO8J\・ソファ回路0 (2)負荷の大きさにより第1のバIνファe)応答速
度が異なること?オリ用してコントロール信号を発生さ
せるコシトロール信号発生回路を設けて成ることを特徴
とする特FFM氷の範囲第1項記載グ)CMOSバッフ
ァ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58032307A JPS59158623A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Cmosバツフア回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58032307A JPS59158623A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Cmosバツフア回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59158623A true JPS59158623A (ja) | 1984-09-08 |
Family
ID=12355283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58032307A Pending JPS59158623A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Cmosバツフア回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59158623A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61167220A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 信号出力回路 |
JPS62193316A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sony Corp | 出力回路 |
JPH0220920A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Nec Corp | 出力バッファ |
JPH0258925A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 出力回路 |
JPH02125518A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
EP0520687A1 (en) * | 1991-06-28 | 1992-12-30 | AT&T Corp. | Digitally controlled element sizing |
WO1993000745A1 (en) * | 1991-06-28 | 1993-01-07 | Vlsi Technology, Inc. | Circuit which reduces noise caused by high current outputs |
EP0523833A1 (en) * | 1991-07-16 | 1993-01-20 | Samsung Semiconductor, Inc. | Programmable output drive circuit |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58032307A patent/JPS59158623A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61167220A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 信号出力回路 |
JPS62193316A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sony Corp | 出力回路 |
JPH0220920A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Nec Corp | 出力バッファ |
JPH0258925A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 出力回路 |
JPH02125518A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
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WO1993000745A1 (en) * | 1991-06-28 | 1993-01-07 | Vlsi Technology, Inc. | Circuit which reduces noise caused by high current outputs |
EP0523833A1 (en) * | 1991-07-16 | 1993-01-20 | Samsung Semiconductor, Inc. | Programmable output drive circuit |
US5319258A (en) * | 1991-07-16 | 1994-06-07 | Samsung Semiconductor, Inc. | Programmable output drive circuit |
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