JPS59156992A - 半導体結晶引上機用リチヤ−ジ装置 - Google Patents
半導体結晶引上機用リチヤ−ジ装置Info
- Publication number
- JPS59156992A JPS59156992A JP2739683A JP2739683A JPS59156992A JP S59156992 A JPS59156992 A JP S59156992A JP 2739683 A JP2739683 A JP 2739683A JP 2739683 A JP2739683 A JP 2739683A JP S59156992 A JPS59156992 A JP S59156992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical body
- crucible
- bottom plate
- raw material
- ceramic sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体結晶引上機のルツボ内へランプ状のシ
リコンなどの半導体原料を投入するためのりチャージ装
置に関するものである。
リコンなどの半導体原料を投入するためのりチャージ装
置に関するものである。
本願発明者らは、先に、この種のりチャージ装置として
、下端に開閉可能な底板を設けた筒体内にランプ状半導
体原料を収納し、該原料をルツボ内ヘリチャージする際
、前記筒体の下端をルツボ内の表面のみかぁ・固した残
留＋ｉ＋！！ｌ液表面に近付表面、前記底板を開くこと
により、筒体内のランプ状半導体原料をルツボ内ヘリチ
ャージするようにしたものを提案した。これらのりチャ
ージ装置は、筒体内からランプ状半導体原料が落下して
いく隙に、該ランプ状半導体原料が筒体の内面を擦過し
て原料中に筒体内りに物が不純物としてＭ人することを
極力押え、かつ細体内面との摩擦によってランプ状半導
体原料が筒体内でブリッジを起こし、落下していかない
現象を防止するため、筒体の少なくとも内面を石英で形
成していた。しかしながら、ランプ状半導体原料がシリ
コンの場合には、その硬度より石英の硬度の方が低いた
め、擦過現象を完全に押えることができず、また、これ
らのリチャージ装置は、常温と１２００〜１３００℃の
高温との間を往復するため、該装励は耐熱性のみならず
十分な硬度を有しかつ耐熱価！＄牡にも優れ、窟らに取
扱〆上から耐機械的衝撃・狂にも優れている必要がある
が、石英はこれらの点で十分なものとは言えなかった。
、下端に開閉可能な底板を設けた筒体内にランプ状半導
体原料を収納し、該原料をルツボ内ヘリチャージする際
、前記筒体の下端をルツボ内の表面のみかぁ・固した残
留＋ｉ＋！！ｌ液表面に近付表面、前記底板を開くこと
により、筒体内のランプ状半導体原料をルツボ内ヘリチ
ャージするようにしたものを提案した。これらのりチャ
ージ装置は、筒体内からランプ状半導体原料が落下して
いく隙に、該ランプ状半導体原料が筒体の内面を擦過し
て原料中に筒体内りに物が不純物としてＭ人することを
極力押え、かつ細体内面との摩擦によってランプ状半導
体原料が筒体内でブリッジを起こし、落下していかない
現象を防止するため、筒体の少なくとも内面を石英で形
成していた。しかしながら、ランプ状半導体原料がシリ
コンの場合には、その硬度より石英の硬度の方が低いた
め、擦過現象を完全に押えることができず、また、これ
らのリチャージ装置は、常温と１２００〜１３００℃の
高温との間を往復するため、該装励は耐熱性のみならず
十分な硬度を有しかつ耐熱価！＄牡にも優れ、窟らに取
扱〆上から耐機械的衝撃・狂にも優れている必要がある
が、石英はこれらの点で十分なものとは言えなかった。
本発明は、上記事情にもとづきなされたもので、その目
的とするところは、擦過による不純物の混入やブリッジ
の発生を防止し、長勘間の使用にも十分に耐え、的確な
原料供給を行々い得るようにした半導体結晶引上扮用リ
チャージ装置を桿供するにある。
的とするところは、擦過による不純物の混入やブリッジ
の発生を防止し、長勘間の使用にも十分に耐え、的確な
原料供給を行々い得るようにした半導体結晶引上扮用リ
チャージ装置を桿供するにある。
本発明は、かかる目的を達成するために、動体の少なく
とも内面を、ＳＩ、Ｎ４ないしはＳｉ３Ｎ。
とも内面を、ＳＩ、Ｎ４ないしはＳｉ３Ｎ。
を主成分としＹ、０３あるいは０６０２％の焼結助剤を
添加したセラミックス焼結体、もしくはＳｉ、Ｎ、とＡ
Ａ、Ｏ，の複合セラミックス焼結体の中のいずれか１つ
の材料で形成するようにしたものである。
添加したセラミックス焼結体、もしくはＳｉ、Ｎ、とＡ
Ａ、Ｏ，の複合セラミックス焼結体の中のいずれか１つ
の材料で形成するようにしたものである。
以下、本発明を第１図および第２図に示す一実施例を参
照して説明する。図中１は筒体で、円筒状をし、Ｓ’３
Ｎ４ （シリコンナイトライド）でつくられている。こ
の筒体１は、上下が開放しており、下端は第２図に示す
ように、対称的に斜めに切断されている。筒体１の外表
面には、同じ＜Ｓｉ３Ｎ、の突起２，３がそれぞれ４つ
ずつ取付けられている。４は外周で、第２図から明らか
なように長手方向に沿って２つ割りになされ、前記筒体
１の上方部分の外周を覆うようになっている。これらの
外筒４は、上端に設けたつは５をボルト６にてリング７
に締付けると共に、下端部をワイヤ８にて締付けること
により、筒体１の外周に保持されるようになっており、
さらにこれらの外筒４に設けた孔９，１ｏが前記突起２
，３を嵌入することにより、外筒４に対する筒体１の長
平方向の位置ずれを防止するようになっている。なお、
この長手方向の位−ずれは、つば５に取付けたブラケッ
ト１１が、上方の突起２の下端を支持することによって
より数案に防止されるようになっている。
照して説明する。図中１は筒体で、円筒状をし、Ｓ’３
Ｎ４ （シリコンナイトライド）でつくられている。こ
の筒体１は、上下が開放しており、下端は第２図に示す
ように、対称的に斜めに切断されている。筒体１の外表
面には、同じ＜Ｓｉ３Ｎ、の突起２，３がそれぞれ４つ
ずつ取付けられている。４は外周で、第２図から明らか
なように長手方向に沿って２つ割りになされ、前記筒体
１の上方部分の外周を覆うようになっている。これらの
外筒４は、上端に設けたつは５をボルト６にてリング７
に締付けると共に、下端部をワイヤ８にて締付けること
により、筒体１の外周に保持されるようになっており、
さらにこれらの外筒４に設けた孔９，１ｏが前記突起２
，３を嵌入することにより、外筒４に対する筒体１の長
平方向の位置ずれを防止するようになっている。なお、
この長手方向の位−ずれは、つば５に取付けたブラケッ
ト１１が、上方の突起２の下端を支持することによって
より数案に防止されるようになっている。
外周４の下端には、例えば外＠４の下端に突出させた右
岸を折曲げることなどにより形成された止め金１２によ
り板１３が取付けられている。この板１３は、筒体１の
下端の斜めに切…ｊされている部分の両方の最上部に対
しｉｄ シてそれぞれ設けられたＳｉ３Ｎ、の突起１４
０間に嵌入すると共に、ワイヤ１５にて締付けることに
より、筒体１の外表面上に固定されている、両板１３の
下端には、ヒンジ１６を介して砂背開き式の底板１７が
それぞれ揺動自在に取付けられている。これらの底板１
７は、筒体１の下端の両斜面部にそれぞれ対応しており
、該筒体１の下端を閉じ得るようになっている。これら
の底板１７の内面には、５ｉｓＮ、の板１８が貼付けら
れている。
岸を折曲げることなどにより形成された止め金１２によ
り板１３が取付けられている。この板１３は、筒体１の
下端の斜めに切…ｊされている部分の両方の最上部に対
しｉｄ シてそれぞれ設けられたＳｉ３Ｎ、の突起１４
０間に嵌入すると共に、ワイヤ１５にて締付けることに
より、筒体１の外表面上に固定されている、両板１３の
下端には、ヒンジ１６を介して砂背開き式の底板１７が
それぞれ揺動自在に取付けられている。これらの底板１
７は、筒体１の下端の両斜面部にそれぞれ対応しており
、該筒体１の下端を閉じ得るようになっている。これら
の底板１７の内面には、５ｉｓＮ、の板１８が貼付けら
れている。
底板１７の両側先端は、第１図に示すように、若干外方
へ突出し、そこにワイヤ１９が結ばれている。両底板１
７の第１図において左右の両端にそれぞれ結ばれたワイ
ヤ１９は、左右別々に第２図に示すように１９ａのとこ
ろで一本に結ばれ、筒体１の外表面に沿って上方へ沖び
、前記リング７にブラケット２０を介して回転自在に取
付けられたプーリ２１１１Ｃ受けられ、さらに上方に伸
びて、１９ｂのところで左右のワイヤ１９が一本に結ば
れ、支持具２２に連結されている。なお、２３は図示し
ない引上軸または引上ワイヤに取付けられた吊り具で、
ピン２４の抜差などにより、支持具２２に着脱可能に連
結されるようになっている。
へ突出し、そこにワイヤ１９が結ばれている。両底板１
７の第１図において左右の両端にそれぞれ結ばれたワイ
ヤ１９は、左右別々に第２図に示すように１９ａのとこ
ろで一本に結ばれ、筒体１の外表面に沿って上方へ沖び
、前記リング７にブラケット２０を介して回転自在に取
付けられたプーリ２１１１Ｃ受けられ、さらに上方に伸
びて、１９ｂのところで左右のワイヤ１９が一本に結ば
れ、支持具２２に連結されている。なお、２３は図示し
ない引上軸または引上ワイヤに取付けられた吊り具で、
ピン２４の抜差などにより、支持具２２に着脱可能に連
結されるようになっている。
また前記外筒４の途中にばつば２５が設けられ、このつ
ば２５の下方に、ねじ２６によりリング状のストツノ母
２７が取付けられている。
ば２５の下方に、ねじ２６によりリング状のストツノ母
２７が取付けられている。
次いで本装置の作用について説明する。まず、支持具２
２を吊り具２３に連結する前に、本装置を適宜な台など
の上に横たえて底板１７を開き、筒体１内に所定量のラ
ンプ状半導体原料２８（第３図参照）を入れる。ランプ
状半導体装置２８を入れ終ったならば、底板１７を閉じ
、該底板１７が開かないように押えつつ筒体１を立て、
前記吊り具２３に支持具２２を連結して吊り上げる。
２を吊り具２３に連結する前に、本装置を適宜な台など
の上に横たえて底板１７を開き、筒体１内に所定量のラ
ンプ状半導体原料２８（第３図参照）を入れる。ランプ
状半導体装置２８を入れ終ったならば、底板１７を閉じ
、該底板１７が開かないように押えつつ筒体１を立て、
前記吊り具２３に支持具２２を連結して吊り上げる。
この吊り上げＫより支持具２２から下方に沖びるワイヤ
１９が緊張してその下端に結ばれている底板１７を閉じ
る方向へ引張り、該底板１７を閉じると共に、これらの
底板１７を介して筒体１およびこれに取付けられそいる
外＠４などの本装置全体を空中に吊す。そこで、底板１
７は完全に閉じられ、吊り具２３の移動に伴って本装置
は空中を適宜に移動可能となるう第１図は、前記のよう
に本装置を吊して、仮想線で示す引上機のルツボ３ｏ上
に位置させた状態を示しており、３１はルツボ３ｏを梯
う加熱チャンバ、３２は引上チャンバ、３３はストン／
４２７を受止めるストッパ受テある。なお、本装置は、
第１図において、図示の位置より冒いところから引上チ
ャンバ３２内に入れられ、吊り具２３を下げることによ
り図示のように下降される。こうして、筒体１の下端が
ルツボ３゜内の残留融液３４の上面に所定距離だけ近付
くと、第１図に示すように、ストッパ２７がストッパ受
３３に当接する。なお、ルツボ３０内の残留融液３４は
、図示しないヒータの温度コントロールによってその表
面のみが固化された状態におかれ、加熱チャンバ３１内
は不活性ガスで満たされるか、または引上チャンバ３２
内も含めて真空状態に置かれる。
１９が緊張してその下端に結ばれている底板１７を閉じ
る方向へ引張り、該底板１７を閉じると共に、これらの
底板１７を介して筒体１およびこれに取付けられそいる
外＠４などの本装置全体を空中に吊す。そこで、底板１
７は完全に閉じられ、吊り具２３の移動に伴って本装置
は空中を適宜に移動可能となるう第１図は、前記のよう
に本装置を吊して、仮想線で示す引上機のルツボ３ｏ上
に位置させた状態を示しており、３１はルツボ３ｏを梯
う加熱チャンバ、３２は引上チャンバ、３３はストン／
４２７を受止めるストッパ受テある。なお、本装置は、
第１図において、図示の位置より冒いところから引上チ
ャンバ３２内に入れられ、吊り具２３を下げることによ
り図示のように下降される。こうして、筒体１の下端が
ルツボ３゜内の残留融液３４の上面に所定距離だけ近付
くと、第１図に示すように、ストッパ２７がストッパ受
３３に当接する。なお、ルツボ３０内の残留融液３４は
、図示しないヒータの温度コントロールによってその表
面のみが固化された状態におかれ、加熱チャンバ３１内
は不活性ガスで満たされるか、または引上チャンバ３２
内も含めて真空状態に置かれる。
前記ストツノぞ２７がストツノや受３３に当接した後、
さらに吊り具２３を下げると、外筒４および筒体１は前
記ストツノ母受３３にて下降を阻止され、ワイヤ１９の
みが下降するため、底板１７がその上方に入れられてい
るランプ状半導体原料２８の自重によって押し開かれ、
該ランプ状半導体原料をルツボ３０内に投入する。
さらに吊り具２３を下げると、外筒４および筒体１は前
記ストツノ母受３３にて下降を阻止され、ワイヤ１９の
みが下降するため、底板１７がその上方に入れられてい
るランプ状半導体原料２８の自重によって押し開かれ、
該ランプ状半導体原料をルツボ３０内に投入する。
このとき、比較的多量のランプ状半導体原料２８を筒体
１内に積重ねて収納しておくと、第３図に符号Ａで示す
ようにブリ′ツジを生じようとする。このブリッジＡの
発生は、各ランプ状半導体原料２８が互いに接触して重
力の方向である下向きの力だけでなく横方向へ押し合っ
てセ１！１体ノの内面に押圧されるために生ずるもので
あり、この筒体１の内面とランプ状半導体原料２８との
Ｎ」の摩擦が大きい場合に発生する。ランプ状半減体原
料２８は、割られて卵入の大きさになされたものである
ため、表面が尖っている。そこで、筒体１の内面に食込
み易く、これが前記摩擦を増大させ、ブリッジＡを発生
させる原因となると共に、ブリッジＡを発生させないま
でも、ランプ状半導体原料２８が筒体１０内面を擦過し
てその削り屑が不純物としてルツボ３０内へ入ってしま
うものであるっ しかるに、本発明のように、筒体１を８ｉ３Ｎ。
１内に積重ねて収納しておくと、第３図に符号Ａで示す
ようにブリ′ツジを生じようとする。このブリッジＡの
発生は、各ランプ状半導体原料２８が互いに接触して重
力の方向である下向きの力だけでなく横方向へ押し合っ
てセ１！１体ノの内面に押圧されるために生ずるもので
あり、この筒体１の内面とランプ状半導体原料２８との
Ｎ」の摩擦が大きい場合に発生する。ランプ状半減体原
料２８は、割られて卵入の大きさになされたものである
ため、表面が尖っている。そこで、筒体１の内面に食込
み易く、これが前記摩擦を増大させ、ブリッジＡを発生
させる原因となると共に、ブリッジＡを発生させないま
でも、ランプ状半導体原料２８が筒体１０内面を擦過し
てその削り屑が不純物としてルツボ３０内へ入ってしま
うものであるっ しかるに、本発明のように、筒体１を８ｉ３Ｎ。
で形成した場合は、該８４３Ｎ、は高温硬度も十分高い
ためか、ブリッジを生ずることなく、非常に確実に落下
し、また、擦過による不純物の混入も全く生じないこと
が確認された。なお、本実施例に用いたＳｒ、Ｎ４は、
気孔率が１０％以下でモース硬度９の高密度のものであ
る。
ためか、ブリッジを生ずることなく、非常に確実に落下
し、また、擦過による不純物の混入も全く生じないこと
が確認された。なお、本実施例に用いたＳｒ、Ｎ４は、
気孔率が１０％以下でモース硬度９の高密度のものであ
る。
前記ランプ状半導体原料２８の投入は、あまり高いとこ
ろから行なうとルツボ３０を破損させたり、振動によっ
てルツボ３０や加熱チャンバ３１の内面に堆積している
付着物がはがれてルツボ３０内に落下することのないよ
うにするため、投入開始時における残留融液３４の上面
と筒体１の下端との距離が適宜な値となるようにルツボ
３０の上下方向位置を定めておき、投入開始後、ルツボ
３０を徐々に低下させることにより、はとんど衝撃を与
えないで、比較的多量のランプ状半導体原料２８を投入
することができる。
ろから行なうとルツボ３０を破損させたり、振動によっ
てルツボ３０や加熱チャンバ３１の内面に堆積している
付着物がはがれてルツボ３０内に落下することのないよ
うにするため、投入開始時における残留融液３４の上面
と筒体１の下端との距離が適宜な値となるようにルツボ
３０の上下方向位置を定めておき、投入開始後、ルツボ
３０を徐々に低下させることにより、はとんど衝撃を与
えないで、比較的多量のランプ状半導体原料２８を投入
することができる。
全部のランプ状半導体原料２８を投入し終ったならば、
吊り具２３を引上げる。この引上げにより、ワイヤ１ｇ
が上昇してまず底板１７を閉じ、次いで筒体１などの本
装置全体を上昇させる。こうして本装置を引上チャンバ
３２内に完全に上昇させた後、加熱チャンバ３１と引上
チャンバ３２とを図示しないゲートパルプにて分離する
ことにより、前記のようにランプ゛状半導体原料２８が
リチャージされた加熱チャンバ３１内の酸化防止状態を
保ち、さらには真空状態を保ち、引上チャンバ３２から
本装置を取出し、リチャージを完了するっ 前記加熱チャンバ３ノ内の特にルツボ３０内は、前記チ
ャージ時にも１２００〜１３００℃の高温に保たれてい
るため、本装置の特に下部は前記のような高温と機外の
常温との間を往復させられ、相当大きな熱衝撃を繰返し
受ける。しかしながら、前記のようにＳｉ３Ｎ、で形成
した筒体１は、前記のような熱衝撃にも十分に耐え、さ
らに耐機械的衝撃性にも優れているため、長期間にわた
って使用できると共に、本装置の加熱チャンバ３１に対
する出入操作が簡単かつ迅速に行なえる。
吊り具２３を引上げる。この引上げにより、ワイヤ１ｇ
が上昇してまず底板１７を閉じ、次いで筒体１などの本
装置全体を上昇させる。こうして本装置を引上チャンバ
３２内に完全に上昇させた後、加熱チャンバ３１と引上
チャンバ３２とを図示しないゲートパルプにて分離する
ことにより、前記のようにランプ゛状半導体原料２８が
リチャージされた加熱チャンバ３１内の酸化防止状態を
保ち、さらには真空状態を保ち、引上チャンバ３２から
本装置を取出し、リチャージを完了するっ 前記加熱チャンバ３ノ内の特にルツボ３０内は、前記チ
ャージ時にも１２００〜１３００℃の高温に保たれてい
るため、本装置の特に下部は前記のような高温と機外の
常温との間を往復させられ、相当大きな熱衝撃を繰返し
受ける。しかしながら、前記のようにＳｉ３Ｎ、で形成
した筒体１は、前記のような熱衝撃にも十分に耐え、さ
らに耐機械的衝撃性にも優れているため、長期間にわた
って使用できると共に、本装置の加熱チャンバ３１に対
する出入操作が簡単かつ迅速に行なえる。
なお、本発明は上記実施例に限るものでない。
すなわち、筒体１をＳｔ、Ｎ４で形成した例を示したが
、これに限らす８４．Ｎ、を主成分とし−０３あるいは
ＣｅＯ，等の焼結助剤を添加したセラミックス焼結体、
さらにはＳｉ、Ｎ４とＡ、４２０３の祷合セラミックス
焼結体で形成してもほぼ同様の結果が得られる。なお、
筒体１は、内面のみを前記のような材料で形成してもよ
い。また、前述した実施例は、筒体“１の下降をストン
・り２７にて規制し、ワイヤ１９をさらに下降させるこ
とにより底板１７を開いてランプ状半導体原料２８を落
下させるようにしたりチャージ装置に本発明を適用した
例を示したが、本発明は、拘体内にランプ状半導体原料
を収納して下端からルツボ内へ放出する方式の種々のり
チャージ装置に適用し得ることは言うまでもなく、筒体
としてはこれを縦割にして下端側を開くようにしたり、
下端が広がるテーパ状とすればより好ましい。
、これに限らす８４．Ｎ、を主成分とし−０３あるいは
ＣｅＯ，等の焼結助剤を添加したセラミックス焼結体、
さらにはＳｉ、Ｎ４とＡ、４２０３の祷合セラミックス
焼結体で形成してもほぼ同様の結果が得られる。なお、
筒体１は、内面のみを前記のような材料で形成してもよ
い。また、前述した実施例は、筒体“１の下降をストン
・り２７にて規制し、ワイヤ１９をさらに下降させるこ
とにより底板１７を開いてランプ状半導体原料２８を落
下させるようにしたりチャージ装置に本発明を適用した
例を示したが、本発明は、拘体内にランプ状半導体原料
を収納して下端からルツボ内へ放出する方式の種々のり
チャージ装置に適用し得ることは言うまでもなく、筒体
としてはこれを縦割にして下端側を開くようにしたり、
下端が広がるテーパ状とすればより好ましい。
その他、本発明は本発明の要旨を変え々い範囲で種々変
形実施可能なことは勿論である。
形実施可能なことは勿論である。
以上述べたように本発明によれば、半導体原料がランプ
状半導体原料であっても該原料を筒体内から確実に排出
することができ、該ランプ状半導体原料が筒体内面を擦
過することによる不純物の混入をも防止して、より高品
質の単結晶インゴットを得ることかでき、さらに装置の
寿命５を伸ばし、かつ加熱チャンバに対する出入動作も
簡単かつ迅速にできるなどの効果が侍られる。
状半導体原料であっても該原料を筒体内から確実に排出
することができ、該ランプ状半導体原料が筒体内面を擦
過することによる不純物の混入をも防止して、より高品
質の単結晶インゴットを得ることかでき、さらに装置の
寿命５を伸ばし、かつ加熱チャンバに対する出入動作も
簡単かつ迅速にできるなどの効果が侍られる。
第１図は本発明の一実施例を示す一部破断圧面図、第２
図は同じく一部碌断右制御面図、第３図は筒体内におい
てランプ状半導体原料がブリッジを起こした状態を示す
部分り面図である。 １・・・筒体、４・・・外筒、５．２５・・・つば、７
・・・リング、８，１５．１９・・・ワイヤ、１３・・
・板、１７・・・底板、１８・・・石英板、２ノ・・・
プーリ、２２・・・支持具、２３・・・吊り具、２７・
・・ストッパ、２８・・・ランプ状半導体原料、３０・
・・ルツボ、３１°°°加熱チヤンバ、３２・・・引上
チャンバ、３３・・・ストツノぐ受、３４・・・残留融
液。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−４９＝ 第３図 第１頁の続き ０発 明 者 長谷部等 山形県西置賜郡小国町大字小国 町り７８東芝セラミックス株式会 社小国製造所内 ０発 明 者 松田正人 山形県西置賜郡小国町大字小国 町り７８東芝セラミックス株式会 社小国製造所内 ■出 願 人 東芝セラミックス株式会社東京都新宿区
西新宿１丁目２６番 ２号
図は同じく一部碌断右制御面図、第３図は筒体内におい
てランプ状半導体原料がブリッジを起こした状態を示す
部分り面図である。 １・・・筒体、４・・・外筒、５．２５・・・つば、７
・・・リング、８，１５．１９・・・ワイヤ、１３・・
・板、１７・・・底板、１８・・・石英板、２ノ・・・
プーリ、２２・・・支持具、２３・・・吊り具、２７・
・・ストッパ、２８・・・ランプ状半導体原料、３０・
・・ルツボ、３１°°°加熱チヤンバ、３２・・・引上
チャンバ、３３・・・ストツノぐ受、３４・・・残留融
液。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−４９＝ 第３図 第１頁の続き ０発 明 者 長谷部等 山形県西置賜郡小国町大字小国 町り７８東芝セラミックス株式会 社小国製造所内 ０発 明 者 松田正人 山形県西置賜郡小国町大字小国 町り７８東芝セラミックス株式会 社小国製造所内 ■出 願 人 東芝セラミックス株式会社東京都新宿区
西新宿１丁目２６番 ２号
Claims (1)
- 下端に開閉可能な底板を設けた筒体内に半導体原料を収
納し、底板な開くことによって前記半導体原料なルツボ
内へ投入するようにした半導体結晶引上機用リチャージ
装置において、前記筒体の少なくとも内面をＳｔ、Ｎ４
ないしはＳｉ、Ｎ、を主成分とじＹ２Ｏ３あるいはＣｅ
０，９の焼結助剤を添加したセラミックス焼結体、もし
くはＳｔ、Ｎ４とＡｌ３ｔ Ｏｓの複合セラミックス焼
結体の中のいずれか１つの材料で形成したことを特徴と
する半導体結晶引上機用リチャージ装置っ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2739683A JPS59156992A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体結晶引上機用リチヤ−ジ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2739683A JPS59156992A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体結晶引上機用リチヤ−ジ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59156992A true JPS59156992A (ja) | 1984-09-06 |
Family
ID=12219899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2739683A Pending JPS59156992A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 半導体結晶引上機用リチヤ−ジ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59156992A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1983
- 1983-02-21 JP JP2739683A patent/JPS59156992A/ja active Pending
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