JPS5895548A - リチヤ−ジ装置 - Google Patents

リチヤ−ジ装置

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Publication number
JPS5895548A
JPS5895548A JP19227481A JP19227481A JPS5895548A JP S5895548 A JPS5895548 A JP S5895548A JP 19227481 A JP19227481 A JP 19227481A JP 19227481 A JP19227481 A JP 19227481A JP S5895548 A JPS5895548 A JP S5895548A
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JP
Japan
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cylinder
cylindrical
bottom plate
bottom plates
raw materials
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Pending
Application number
JP19227481A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaharu Watanabe
正晴 渡辺
Toshiro Usami
俊郎 宇佐美
Akiyuki Furuya
古屋 明雪
Takao Takahashi
孝夫 高橋
Shingo Hayashi
信吾 林
Hisataka Sugiyama
杉山 久嵩
Yoshiaki Tada
多田 嘉明
Toshio Oishi
大石 俊夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Machine Co Ltd
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Machine Co Ltd, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP19227481A priority Critical patent/JPS5895548A/ja
Publication of JPS5895548A publication Critical patent/JPS5895548A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B01J4/008Feed or outlet control devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体結晶引上機のルッが内等へランプ状の
半導体原料などを供給するためのりチャージ装置に関す
る・ 半導体結晶をCZ (aho*hralskl )法に
ょシ成長させる場合、1回の結晶成長が終結したとき、
常に所定量の融液がルッ?内に残留する・この融液が残
留している状態でルッIを冷却すると、残留融液が凝固
する際の熱膨張とルッIの熱膨張との差によシルクIが
破損して再使用不可能となシ、また冷却するための時間
や再加熱するための時間が掛って運転効率を著しく低下
させる。このため、1回の結晶成長が終結したとき、ル
ツがを冷却せずに次回の結晶成長のための原料をルツー
内へ供給することが好ましい。しかしながら、前記ルツ
Iは、常圧または減圧の不活性ガス雰囲気中で結晶成長
を行なう必要性からチャンバ(覆体)内に納められ、ま
た原料供給時にもルツI内の残留融液が酸化しないよう
に常圧または減圧の不活性ガス雰囲気中に置く必要があ
)、さらに、前記のように加熱状態に置かれているルツ
が内へ原料を供給することは容易に行ない得るものでは
なかった。
しかして、先に本願発明者らは、筒体の下端に開閉する
底板を設け、この中にランデ状原料を入れ、前記底板に
開閉兼支持用のワイヤ等を連結してその上端を引上ワイ
、ヤまたは引上軸に連結し、これらの引上ワイヤまたは
引上軸の昇降動作のみにて筒体内のラング状原料をルツ
ゲ内へ比較的静かに投入し得るようにしたりチャージ装
置を提案した(特願昭55−171626号および特願
昭55−171627号)。これらの装置は、原料供給
操作が単なる引上ワイヤまたは引上軸の昇降のみでよい
ため操作が簡単でIhI)、高温でかつ真空または不活
性ガス雰囲気内等の人手が届きにくいところでの使用に
適している利点を有するが、筒体の内面の材質やラング
状原料の種類によってはブリ、ノを起こして落下不良を
生ずる欠点があった。
本発明は、前述したようなりチャージ装置の欠点を解決
し、確実にランプ状の半導体原料等を筒体内から排出し
得るようにしたりチャージ装置を提供するにある。
以下本発明の一実施例を示す第1図ないし第2図につい
て説明する。1は支持部材で、筒部1aとその上端に形
成されたつば部1bとからなシ、その上部にブラケット
2を介して2つの回転自在なプーリ3が対称的に取付け
られている。支持部材1の筒部1aには、2つに縦割シ
になされた筒片4 a # 4 bがそれぞれヒンジ5
を介して揺動可能に取付けられ、下端側を仮想線で示す
ように開き得ると共に実線で示すように閉じたとき、支
持部材1と共に1つの筒体Tを形成するように構成され
ている。それぞれの筒片4 a e 4 bの下端は、
縦割シの分割面が下に向って凸の山形の稜線となるよう
にそれぞれ斜めに力、トされ、それぞれの筒片4m+4
bの下端には該山形の下端を開放可能に閉塞する底板6
m、6bがヒンジ1にて揺動可能に取付けられている。
前記筒片4 a e 4 bおよび底板ga 、6bの
内面または全体は、Si 、S 102−M。
等の耐熱材または5iC−81,N4等の耐熱セラミ。
クス材で形成され、これら自身を高温から保護すると共
に、高温下にお−いてこれらとこれらの中に入れられた
ランデ状原料とが融着することのないようになっている
前記底板6m 、6bの先端両側には、それぞれ分岐点
A、Bから第2図に示すように分岐されたワイヤ8m+
8bが連結されている。それぞれの底板6m 、6bに
連結されている前記ワイヤg & e 8 bの前記分
岐点A、Bは、互いに反対側の筒片4b*4mの外周の
ほぼ中央に位置し、これらの分岐点A、Hに連結された
ワイヤ9&a9bは筒片4b、4mに沿って上方に伸び
、支持部材1のつば部1bに設けられた孔10を通って
前記プーリ3に掛けられ、それらの上端は吊具11に連
結され、との吊具11を介して引上軸または引上ワイヤ
12に着脱可能に連結されるようになっている。
前記支持部材1のつば部1bには、前記筒片4m、4b
の開閉を阻害しないようにスタンド13が取付けられて
いる。このスタンド13の下端は、本装置を第1図に仮
想線で示す引上チャンバ14内に入れて下降させたとき
、引上チャンバ14の下部に設けたスト、パ15に当接
して筒体Tの下降限位置を規制するためのストッA?当
接部となっている。なお、第1図に仮想線で示す16は
加熱チャンバ、11はルツが、18は残留融液である。
次いで本装置の作用について説明する。まず、吊具11
を引上軸または引上ワイヤ12に連結する前に、本装置
を適宜な台などの上に横たえて筒片4h、4bの上端側
開口また拡底板11゜6bを開いて下端側開口から該筒
片4m、4bの中に所定量のランプ状原料(図示せず)
を入れる◎ランデ状原料を入れ終ったならば、底板6亀
、6bを閉じ、これらの底板6亀、6bおよび筒片4m
、4bが開かないように押えつつ筒体Tを立て、吊具1
1を引上軸または引上ワイヤ12に連結して吊上げる。
この吊上げによシ吊具11.から下方に伸びるワイヤ9
m、9bおよびこれらから分岐したワイヤga、8bが
緊張してそれらの下端に連結されている底板6m、6b
を閉じる方向へ引張)、底板6 a # 81)を閉じ
ると共に、それぞれのワイヤ&as9aとsb 、sb
が互いに逆側の筒片4b、4a側に交叉しているため、
筒片4m、4bを閉じる方向へ押圧し、筒片4m。
4bをも閉じる□そこで、筒片4 a a 4 bおよ
び底板6m # 6bは、内部にランプ状原料を収納し
た状態で完全に閉じられ、吊具11の移動に伴って空中
を適宜に移動可能となる。
しかして、本装置を第1図に示す位置よp高いところか
ら引上チャンバ14内に入れ、引上軸または引上ワイヤ
12を下降させて、本装置を第1図に示すように引上チ
ャンバ14内から加熱チャンバ16内のルッ−N17に
向けて下降させる。こうして、筒体テの下端がルッ&J
F内の残留融液18の上面に所定距離だけ近付くと、第
1図に示すように、スタンド13の下端がストヅノや1
5に当接する。
なお、このときルッが11内の残留融液18は、図示し
ないヒータの温度コントロールによってその表面のみが
固化した状態におかれ、加熱チャンバ16内は不活性ガ
スで満たされるか、または引上チャンバ14内も含めて
真榊状態におかれる。
前記のようにスタンド13の下端がスト、ノ譬15に当
接した後、さらに引上軸または引上ワイヤ12を下降さ
せると、筒体Tはスト、・母15によって下降を阻止さ
れ、吊具J1のみが下降するため、ワイヤla*lbm
9aa9bがゆるみ、筒体T内に収納されているランプ
状原料の重量によシ底板6m、6bが開かれる〇このラ
ンプ状原料の重量は筒片4m、4bを押開く方向にも作
用し、吊具11の下降に伴って筒片4m、4bおよび底
板6m*6bを第1図に仮想線で示すように開く。そこ
で、内部のランプ状原料は、ブリ、−)を起こすことな
く、底板6m 、6bの開きに応じてルツが17内へ順
次落下し、よシ確実に排出される。
なお、このルツボ17内へのランプ状原料の投入をでき
るだけ静かに行なうため、前記底板6m、6bの開放開
始位置をできるだけ残留融液18の表面に近付けておき
、先に落下したランプ状原料がルツボ17内に積上げら
れて後続のランプ状原料の排出を阻止するようになった
ところで、ルツ&11を次第に下降させるようにすると
よい。
こうして、筒体T内のすべてのランデ状原料を排出し終
ったならば、引上軸および引上ワイヤ12を上昇させれ
ば、ワイヤ9m、9b。
71am#bが再び第1図に実線で示すように張られ、
底板6ha6bおよび筒片4m、4bを閉じる。このと
き、筒片4as4bのヒンジ5を該筒片4m、4bの重
心位置よシ分割面側へ位置させておけば、筒片4m、4
bはワイヤg&m8b*9&I9bの力を借りずに自重
で閉じ、第1図に実線で示す初期状態により確実に復帰
させることができる。筒片4m 、4bおよび底板6m
、6bが完全に閉じた後、引上軸または引上ワイヤ12
をさらに上昇させれば、ワイヤ8*、8b*9ma9b
によって本装置は再び持上げられ、ストヅ/415から
離れて加熱チャンノ青16内から引上チャンバ14内へ
至る。次いで、加熱チャンバ16と引上チャンバ14と
を図示しないダートパルプにて分離することによシ、加
熱チャンバ31内の酸化防止状態を保ち、さらには減圧
状態を保ち、引上チャンバ14内から本装置を取出して
リチャージを完了する。
第3図は、本発明の他の実施例を示すもので、吊具11
から重錘20を落下させると共に、支持部材1に重錘2
0を通過させる穴21を設け、同図に示すように、スタ
ンド13がスト、パ15に当接した後にさらに吊具11
を下降させたとき、重錘20が穴21内を下降するよう
Kなっている。この重錘20には、ピン22によシ爪2
3が揺動可能に取付けられている。この爪23は図示の
状態から上方へのみ揺動するようになされ、前記型ti
axoの穴21に対する下降は自由にするも、爪23が
穴21の下へ移動した後、再び重量20を上昇させた場
合は爪23によシ支持部材1を持上げ得るようになって
いる。
この装置によれば、筒体丁を下降′させて筒片4m、4
bおよび底板6 a I 6 bを開いてランプ状原料
をルツが11内に投入するまでの動作は前述した実施例
と同じであるが、投入開始後、ランプ状原料がルツが1
7内に積上がシ、後続のラング、状原料が落下しなくな
ったとき、吊具11を上昇させれば、ワイヤ9 a s
 9 bが底板6h、6bおよび筒片4m、4bを閉じ
始める前に爪23が支持部材1に係合して筒体Tを上昇
させるため、ルツが11を下降−させることなく、筒体
Tを単に上昇させるのみで、よシ多量のランプ状原料を
ルツー11内に投入することが可能となる。
この装置において、同第3図に示すように、ワイヤ9m
、9bの途中にガイド25、摺動駒26、バネ27など
からなる伸縮手段24を設け、筒体T内にランプ状原料
があってその重量が底板6m、6bや筒片4m、4bを
開く方向の力として作用しているときには、核力により
てバネ21を圧縮して図示の伸長状態におき、核力がな
くなって底板6 a + 6 bおよび筒片4 a e
’ 4 bの自重のみとなったときに・1ネ21によシ
摺動駒26を上昇させて収縮させるようにすれば、ラン
プ状原料をすべて排出したところで底板6gm6bおよ
び筒片4m*4bを自動的に閉じることができる。
前述した実施例は、2つに縦割シにした筒片4m、4b
をともにヒンジ5にて揺動可能に取付けた例を示したが
、いずれか一方の筒片4aまたは4bは固定としてもよ
く、さらに筒片は円筒を2分割したものに限らず、筒状
体を縦に数分割したものであればよく、少なくとも複数
の筒片によって形成される筒状体のほぼ半分を揺動可能
に取付ければよい0また、筒片と底板  。
を開閉させると共に本装置を支持する部材としてワイヤ
8ae8bm9mm9bを用いた例を示したが、口、ド
とワイヤの組合せ、またはリンクなど種々の方式を採用
し得ることは言うまでもなく、さらにまた筒片の開閉と
支持および底板の開閉と支持を別々の部材で行なわせる
ようにしてもよく、さらにまた底板も2つ割シに限らず
、1枚1.+は3枚以上にしてもよい等、種々変更し得
ることは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば、本装置を吊具によっ
て上下に移動させるのみで、底板はもちろん筒体をも開
閉することができ、予じめ収納しておいたランプ状の半
導体原料等を確実に落下させることができる。このため
、従来困難とされていた半導体結晶引上機のルツゲ内な
どのように人が近付きにくく、十分な作業空間を有しな
い箇所へのりチャージが遠隔操作により適確にでき、該
遠隔操作も極めて簡単であるなどの効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるリチャージ装置の一実施例を示す
縦断面図、第2図は第1図の右側面図、wI、3図は本
発明の他の実施例を示す縦断面図である。 T−・・筒体、1・・・支持部材、4 a + 4 b
 ・・・筒片、s 、 y−・・ヒンジ、6・−底板、
8mm8b、9**9b・・・ワイヤ、11・・・吊具
、12−・引上軸または引上ワイヤ、13・・・スタン
ド、14−・・引上チャンバ、15・・・スト、Δ、1
6−・・加熱チャンバ、17・・・ルツが、J J−・
・残留融液、20・・・重錘、23・・・爪、24・・
・伸縮手段、25・・・ガイド、26・・・摺動駒、2
1・・・バネ。 第1頁の続き 0発 明 者 杉山久嵩 沼津市犬岡2068の3東芝機械株 式会社沼津事業所内 0発 明 者 多田嘉明 @発明 者 大石俊夫 沼津市大岡2068の3東芝機械株 式会社沼津事業所内 号 303−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、昇降可能な吊具に支持される筒体内に原料を収゛納
    し、咳筒体の下端に設けた底板を筒体の昇降に伴って開
    放することによシ原料を落下させて供給するようにした
    りチャージ装置に訃いて、前記筒体を複数個の縦割の筒
    片にて形成すると共に該筒片の1ないしすべてを上端寄
    シに設けたヒンジによシ揺動可能に設け、咳筒片のlな
    いしすべての下端にヒンジを介して底板を播動可能に取
    付けたことを特徴とするりチャージ装置。 2、筒体の少なくとも内面が耐熱セラミックス材で形成
    されている特許請求の範囲第1項記載のりチャージ装置
    。 3、底板の少なくとも内面が耐熱セラミ、クス材で形成
    されている特許請求の範囲第1’tたけ2項記載のりチ
    ャージ装置。 4、筒体が2つ割シの筒片からな夛、それぞれの筒片の
    下端に底板が2つ割シの観音開きとなるように設けられ
    、それぞれの底板の先端両側を互いに反対側の筒片に沿
    って伸び下方で2本に分岐した可曲性の筒片および底板
    開閉兼筒体支持用部材を介して吊具に連結してなる特許
    請求の範囲第1,2または3項記載のりチャージ装置。
JP19227481A 1981-11-30 1981-11-30 リチヤ−ジ装置 Pending JPS5895548A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59156992A (ja) * 1983-02-21 1984-09-06 Toshiba Mach Co Ltd 半導体結晶引上機用リチヤ−ジ装置
JP2008239449A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS59156992A (ja) * 1983-02-21 1984-09-06 Toshiba Mach Co Ltd 半導体結晶引上機用リチヤ−ジ装置
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