JPS58170533A - リチヤ−ジ装置 - Google Patents

リチヤ−ジ装置

Info

Publication number
JPS58170533A
JPS58170533A JP5403382A JP5403382A JPS58170533A JP S58170533 A JPS58170533 A JP S58170533A JP 5403382 A JP5403382 A JP 5403382A JP 5403382 A JP5403382 A JP 5403382A JP S58170533 A JPS58170533 A JP S58170533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bottom plate
shaft
cylinder
attached
closing member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5403382A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Takahashi
孝夫 高橋
Shingo Hayashi
信吾 林
Hisataka Sugiyama
杉山 久嵩
Yoshiaki Tada
多田 嘉明
Toshio Oishi
大石 俊夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP5403382A priority Critical patent/JPS58170533A/ja
Publication of JPS58170533A publication Critical patent/JPS58170533A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/0015Feeding of the particles in the reactor; Evacuation of the particles out of the reactor
    • B01J8/003Feeding of the particles in the reactor; Evacuation of the particles out of the reactor in a downward flow

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ンプ状の半導体原料などを供給するためのりチャージ装
置に関する。
半導体結晶をO Z (chochraleki)法に
より成長させる場合、1回の結晶成長が終結したとき、
常に所定量の融液がルツボ内に残留する。この融液が残
留している状態でルツボを冷却すると、残留融液が凝固
する際の熱膨張とルツボの熱膨張との差によりルツボが
破損して再使用不可能となり、また冷却するだめの時間
や再加熱するための時間77ハ掛゛、)て運転効率を著
しく低−1させる。この/−め。
1回の結晶成長が終結したどき、ルツボを冷却させずに
次回の結晶成長のだめの原料をルツボ内へ供給すること
が好ましい。ところが、前記ルツボは、常圧または減圧
の不活性ガス雰囲気中で結晶成長を行なう必要性からチ
ャンバ内に納めらね、また原料供給時にもルツボ内の残
留融液が酸化しないように、常圧捷たは減圧の不活性ガ
ス雰囲気は容易でなかった。
本発明の目的は、前述したような情況下にあるルツボ内
等への原料供給を、遠隔操作により的確に行ない得るよ
うにしたりチャージ装置を提供するにある。
本発明の他の目的は、引上機が備えている引上ワイヤま
たは引上軸を利用し、その昇降動作によって原料の投入
を行ない得るようにしたりチャージ装置を提供するにあ
る。
本発明のさらに他の目的は、ルツボ内等へ原装置を提供
するにある。
J以下本発明の一実施例を示す第1図ないし第3図につ
いて説明する。1oは図示しない引上機の引、十−軸で
、この引上軸1oの下端にピ刈1により軸12が着脱可
能に数個けられるようになっている。軸12の下端には
切欠き部13aを設けた口金13が固着さね、この口金
13に下端を開放した筒体14が取付けられている。こ
の筒体14は、第2図において中央で縦に2つ割りにな
され、各々の筒片1i1a、14bはヒンジ15により
互いに揺動可能に数個けられている。筒体14は、内面
側16がSi、 M(、等の耐熱材または5iC−8i
aNa等の耐熱セラミックス材で形成され、外面側17
がステンレス板等の耐腐蝕性材料で被われている。筒片
14a、14bの下端には、ちょう@18により底板1
9a、19bが取付けられている。
底板1’?a、l’/bの両側先端にはワイヤなどの底
板開閉部拐(以下ワイヤとして説明する) 20a。
20bが連結されている。これらのワイヤ20a、20
bは、互いに逆側の筒片14b、14aの外面に設け/
こガイド21に導かれ、該筒片14b、14aの外面に
沿って上方へ伸びている。ワイヤ20a、20bは、軸
12の上端寄りにアーム22を介して取付けられた滑車
23に巻掛けられて下方に向けられ、軸12に摺動可能
に係合された重錘24に連結されている。
前記ワイヤ20a、 20bには、底板14a、14b
と滑車23の間でかつ重錘24の上方に位置する個所に
当金25が止めねじ26により位置調整可能に固定され
ている。この当金25は、その中央が軸12に摺動可能
に係合されると共に、軸12に形成した平らなガイド面
27と駒28により軸12に対する回転を規制されてい
る。この当金25は、引上機などの被りチャージ側に設
けたストッパ29に対し、軸12が所定の角位置の範囲
内にあるとき当接し、それ以外の角位置にあるときには
上下方向へ通過し得るようになっている。
次いで本装置の動作について説明する。ピン11により
本装置を引上軸10に連結する前に、本装置を横または
斜めにして口金13の切欠き部13aがらランプ状半導
体原料などの原料を筒体14内へ入れる。次いで本装置
を立ててビン11により軸12を引上軸10に連結する
。このとき重錘24は軸12に沿って下降し、ワイヤ2
0a、 20bの底板19a、19bに連結されている
側を上方へ引張り、底板l 9a、 19bに対して閉
じる方向の力を付与すると共に、該ワイヤ20a、 2
0bが互いに逆側の筒片14b、14a側から底板19
a、19bに連結されているため、筒片14a、 14
bに対してもこれらを閉じる方向の力を八 付与する。そこで、筒片14a、14bおよび底板19
a+1’?bは第2図に示すように互いに閉じた状態を
保って引上軸10に吊るされる。こうして、本装置を引
−に軸10に吊るしたならば、該引上軸ioを当金25
がストッパ29に当接しない角位置に回転させて下降さ
せる。引上軸10の下降に伴って本装置が下降し、底板
l’?a、19bが第2図に示すようにルツボ30内の
残留融液31の固化表面32に接近したところで引上軸
10の下降を停止させる。このとき、当金25がストッ
パ29より若干下方に位置するように、予じめこれらの
関係部材の位置を定めておく。
次いで当金25とストッパ29を当接させ得る角位置へ
引上軸10を回転させ、該引上軸10を比較的ゆるやか
に上昇させる。この引上軸10の上昇に伴って本装置が
上昇し、当金25も上昇する。本装置が若干上昇すると
、当金25がストッパ29に当接する。
そこで、軸12、口金13、筒体14、底板19a、 
19bは引上軸10の上昇に伴って引続き上昇するが、
当金25は上昇を阻止され、前記軸12等の上昇に伴っ
て重錘24を軸12に対して相対的に上昇させる。この
ため、当金25およびこれから底板19a、19bまで
伸びているワイヤ20a、 20bは、第3図に7]e
すように、筒体14の上昇に伴って相対的に下降するこ
とになる。そこで、ワイヤ20a、 20bによる底板
1’?a、19bおよび筒片14a、 14bは、該筒
片14a。
141)内に収納されている原料の重力により、次第に
開かれ、前記原料をルツボ30内に落下させる。
このとき、筒片14a、14bが上昇しながら底板19
a。
+9bが次第に開いていくためJ底板19a、19bが
開き始める位置を残留融液31の固化表面32に接近さ
せることができ、原料の落下距離をより小さく押えるこ
とができる。しかも原料の落下に伴って筒体14がに昇
するため、原料投入開始時の原料の落″下をより静かに
行なうことができる。
底板19a、19bが第3図に示すように全開状態にな
った後は、筒体14をさらに上昇させるか、またはルツ
ボ30を下降させるかのいずれかにより筒体14内に残
っている原料をすべてルツボ30内へ排出する。この排
出は、筒体14の上昇速度またItiルツボ30の下降
速度を適宜な値に定めることにより比較的静かに行なわ
れる。
こうして、筒体14内の全原料をルツボ30内へ投入し
終ったならば、ルツボ30を所定量下降させて投入され
た原料と底板19a、 19bとの間に所定量の空間を
設け、引上軸10を下降させて、底板19a。
19bおよび筒片+4a、+4bを第2図に示す初期の
状態に戻し、さらに当金25とストツノ々29が当接し
ない角位置へ引上軸10を回転させて、引上軸10を上
昇させ、ビン11を抜いて本装置を引上軸10から外す
ことにより1回のりチャージを終了する。
前述した実施例は、底板19a、 19bを閉じるため
の力をワイヤ20a、、20bに付与する手段として重
錘24を用いた例を示したが、これに限らずバネ。
ヤ20a、 20bによらずロッドとリンクなどを用い
てもよく、さらにまた底板19a、19bの開閉手段と
してロッドとリンクなどの剛体を用いた場合には、これ
を前述した実施例の場合とは逆に下方へ押圧したとき底
板l’?a、 19bを閉じるようにしておき、筒体1
4を下降させつつ底板19a、19bを開くよりにすれ
ば、引上軸lotたけこれに代る引上ワイヤを回転させ
ることなく、単に下降させるのみでよい等種々変更可能
である。
以上述べたように本発明によれば、引−ヒワイヤまたは
引上軸等により本装置を昇降させ、場合によっては昇降
および回転させることのみで、原料をリチャージするこ
とができ、このため遠隔操イ1によって簡単かつ的確に
リチャージができ、さらに筒体の下端を残留融液の固化
表面により接近させた状態から筒体を上昇させつつ底板
を開くようにすれば、リチャージ開始時の原料落下をよ
り静かに行なうことができる等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるリチャージ装置の一実施例を示す
側面図、第2図は第1図のI[−I[線による断面図、
第3図は第2図と同一部分の断面で底板が開いた状態を
示す図である。 10・ ・・引上軸、11・・・・・・ ビン、12・
・・・・・・・軌13・・・ 口金、  14・・・・
・・・・筒体、14a、14b・・・・・・底板、20
a、20b・・・・曲・ワイヤ(底板開閉部材)、23
・・・・・・・滑車、24・・・・・・重錘(付勢手段
)、25・・・・・・・・当金、26・・・・ 止めね
じ、27・・・・・・・ガイド面、28・・・・駒、 
  29・・・・・・・・・ストッパ、30・・・・・
・・ルツボ、31・・・・・・・・・残留融液、32・
・・・・・ 固化表面。 出願人 東芝機械株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 下端が開放され上端が引上ワイヤまたは引上軸に連
    結可能になされた筒体と、同筒体の下端にヒンジにより
    揺動可能に取付けられた1ないし複数枚の底板と、前記
    筒体に沿って移動可能に設けられると共に前記底板に該
    底板を開閉可能に連結された底板開閉部材と、同底板開
    閉部材に対し底板が閉じる方向への力を付与する重錘も
    しくはバネなどの付勢手段と、被りチャージ側に固設さ
    れ材に取付けられた当金とからなるリチャージ装置。 2、底板開閉部材が、当金を上昇させる方向へ移動した
    とき底板を閉じ、これと逆の方向へ移動したとき底板を
    開くように構成されている特許請求の範囲第1項記載の
    りチャージ装置。 3底板開閉部材が、筒体に沿って上下に伸びるワイヤで
    形成され、その下端が底板の先端に連結されると共に上
    端側が滑車を介して下方に向けられその先端に付勢手段
    である重錘を連結した特許請求の範囲第2項記載のりチ
    ャージ装置。 4、 当金が、ワイヤの下端から滑車に至るまでの間に
    位置調整可能に固定されている特許請求の範囲第3項記
    載のりチャージ装置。 5、 重錘および当金が、筒体を支持するためその上部
    に接続されている軸に摺動可能に係合されている特許請
    求の範囲第4項記載のリチャー4置。
JP5403382A 1982-04-01 1982-04-01 リチヤ−ジ装置 Pending JPS58170533A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5403382A JPS58170533A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 リチヤ−ジ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5403382A JPS58170533A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 リチヤ−ジ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58170533A true JPS58170533A (ja) 1983-10-07

Family

ID=12959271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5403382A Pending JPS58170533A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 リチヤ−ジ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58170533A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008239449A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008239449A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sharp Corp 固体材料供給装置、固体材料処理装置および固体材料供給方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN210116069U (zh) 一种生产电熔锆刚玉砖用加工平台
JP2008285351A5 (ja)
CN209922722U (zh) 一种防滑落的锆刚玉电熔砖吊装装置
JPH1036187A (ja) 単結晶の引上げ方法及び装置
JPS58170533A (ja) リチヤ−ジ装置
CN210173874U (zh) 一种行车机械臂
JP4562139B2 (ja) 単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法
US20020124987A1 (en) Casting apparatus with mold handling/positioning fixture
JP3598681B2 (ja) 単結晶の引上げ方法及び装置
JPH07172975A (ja) 単結晶引上装置用原料組み込み方法及び装置
JPH0631193B2 (ja) リチャージ装置
CN209775085U (zh) 一种电杆生产用浇灌喂料装置
JP3438492B2 (ja) 単結晶の引上げ方法
JP3964002B2 (ja) 単結晶保持装置及び単結晶保持方法
JPH1095691A (ja) 結晶保持装置
WO2002000967A1 (fr) Dispositif de support d'un creuset ainsi que procede et dispositif d'introduction de materiau
US4371502A (en) Crystal growing furnace pulling head
US4399545A (en) Method of lowering electrodes of an electric-arc furnace
US3418019A (en) Charging device for a metallurgical furnace
KR970043342A (ko) 단결정인상장치의 부재취급방법,단결정인상장치의 부재취급기구, 및 단결정인상장치의 부재취급지그
JP2525271B2 (ja) 溶湯鍋のライニング築造装置における離脱機構付成形用中子
JPH033638B2 (ja)
JPS5895548A (ja) リチヤ−ジ装置
JPH03290392A (ja) 単結晶製造装置
KR102488340B1 (ko) 제철용 래들의 모래투입장치