JPS59154455A - 電子写真用感光体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 質シリコンカーバイドを主体とする材料を感恍性太面層
に有する電子写真用感光体およびその製造方法に関する
ものである。

電子馬具用感光体Ｃ二ついては、現在、その光伸電材料
としてＳｅ，ＯｄＳ、７、ｎｏｔ，ｃどの＊’Ｊ　ｍ　
負相やポリビニルカルバゾール、トリニトロフルオレノ
ンなどの有機相を使用したものが、汎用されている。し
かし、これら公知の光Ｗ電材別はいずれも未解決の問題
を含むものであり、例えばＢｅ糸糸導導電材料は分光感
度が秀れているものの製造時の毒性が未解決とされてい
るほか、これには耐久性、熱時の結晶化時に暗抵抗率が
低一トするという欠点があり、ＣｄＳ−ＺｎＯ　　ζ二
ついてはこれ１うを１４，を脂バインダー中（二分散さ
せてから、塗布、硬化という製造工程における塗布液の
ｄ．ξ！ｉ硬に間匙があるほか、このようにして得た光
導（４，層が耐湿劣化性をもち、その表面均一性Ｃ二も
難点があるという不利があり、ＣａＳ　についてはさら
に間作−■−からの問題がある。また、上記した楢機竹
材（二は製造が容易であり、これから作られた光導電性
か可撓性であるという有利性があるけれども、これζ二
は耐ｔｉ１性、耐コロナ性、クリーニング性に欠けると
いう不利があり、さらＣ二は分光感度領域が狭く、それ
が短波長側に片寄っているという欠点があった。

そのため、この電子写真用感光体については、その光導
電層を非晶質シリコンで形成してなるものが１３１１発
され、これによれば水素、ホウ素、リンｌ「どのドーピ
ング剤の添加によって秀れた電気的、光学的特性をもち
、耐久性、耐溶剤性Ｃ−もｆぐれ斧、毒性のｌ「い光導
電層をもつ感光１末ｆｒ”ｈ得られるとされている（特
開昭５４−７８１．３５号公報、同５４−９９４４１号
公報、同５４−１５５０４６号公報参照）。しかし、こ
れは空気中での発火性が強く、その取り扱いが廃棄ガス
処理の而からも問題であｌ）、しかも高価格であるシラ
ンガス（Ｓ　ＩＨ＜、　Ｓ　ｉ　２ト１６）を始発杓と
するものであ４〕し、これにはまたこのシランガスのプ
ラズマ処理（二よる非晶ａシリコンの析出速度が３〜５
λ７／秒とｊ１″く、したがって光導電１１ｉｌとして
必要な１０μ以」−の膜厚を得るのに長時間が必労とさ
ｆｔ　Ｚ）という工業的な不利がある。

本発明の第１発明はこのような不利を解決した電子写真
用感光体に関するもので、これは光導電層を非晶質シリ
コンカーバイドを主体とする被覆ものとする で形成した感光表面層を有÷柚特徴とするものであり、
この第２発明は古ζ体を収納（７たプラズマ反応装置内
に、分子中Ｃ二ＳｉＸ鯖合（Ｘはハロゲン原子または酸
素原子）を含冶ぜず、少なくとも１ケの三Ｓ　３．　Ｈ
結合を有するげい素化合物、またはこのけい素化合物と
炭化水素化合物とを導入し、プラズマ気相沈積法で基体
上（二光導″１−Ｌｌ、層となる非、！ｉ′ｉ′１負の
シリコンカーバイド被覆層を形成させることを特徴とす
る電子′８真用感光体の装道力氾モ；ニイ系わるもので
ある。

これを説明すると、本発明者らはさきＣ二分子中ｉ二Ｓ
　ｉ　Ｘ結合を含まない有機けい素化合物またはこの有
機けい素化合物と炭化水素化合物とをプラズマ気相沈積
法（以下ＣＶ’　Ｄ法と略記する〕で処理して基体」−
に非晶質シリコンカーバイド被覆をする方法を開発した
Ｌ　Ｉｅｉ願昭５７−２２８５０４号）が、このように
して形成させた非晶質シリコンカーバイド被膜について
の検討を行なったところ、これが１０１２ΩＣ１１ｌ以
４二の暗抵抗率を示すこと、このプラズマ処理に当って
上記したけし）素イ１１合物−［■　　ホウ素、リンな
どのドープ剤を添加すると２〜 電子写真用感光体とし又要求される明抵抗と暗抵抗の差
を３〜５桁≦二することかでさること、王たこの被膜が
知、子馬′真用感光体の光導電層とし゛Ｃ要求される耐
コｒＪナイオン性、耐溶剤性、耐光疲労性、耐湿性、耐
熱性、ｌｌ■摩耗性、クリーニング性なとに非常にすぐ
れた特性を示すものであることを見出して、本発明を完
成させた。

本発明の第１発明による電子−１う真相感光体は例えば
第１図、第２図【二示されでいる。−）なわら、この感
光体１トま第１図にン］〈シたようにステンレススチー
ル、アルミニウム、煩司、りに１ム、モリフ′デン、金
、イリジウム、チタン、白金などの金属またはそれらの
合金などの阜体２のうえに、プラズマＣＶＤ法で非晶贋
シリコンカーバイド被膜３を設けたものであるが、これ
はまた第２図に示したようにこのシリコンカーバイド被
膜層８の上にさらに導電処理をした合成樹脂フィルム、
シート、ガラス、セラミックス層４を設けたヰ）のであ
ってもよい。

この基体２およびこれに非晶質シリコンカーバイド被膜
３を設けた感光体１のフ＋β状は信急とされるが、これ
らは通常円筒状、ベルト状、板状などとされる。このｗ
体２の上Ｃ二形成さｔｒ、る光導電１′Ｍとなる非晶質
シリコンカーバイド被膜層は後述す＜）プラズマＣＶ　
Ｄ法ににって作られろが、この光導ｆｉｔ・１層の１）
；１抵抗率値を電子写真用感光体として要求されるイ１
１′Ｉどする／こめにはこの非晶質シリコンカーバイド
中に水素を含面させることがよく、この水素のｈｌにつ
いては理論的な裏イ」けは必ずしも明碍でないけれども
５〜４０原子％とすればよいが、この水素ｈｉはこのシ
リコンカーバイド被膜を形成させるためのけい素化合物
の種類、プラズマ発生条件などで容易に制御することが
できる。

また、この電子写真用感光体はその光導電層となる非晶
質シリコンカーバイド中を形成させるときに、その原料
となるけい素化合物Ｃ二このシリコンカーバイド層をｎ
型またはｐ型とするための不純物を添加しておけば、そ
の伝、ｉ５１ｉを任意に制御することができるので、こ
れによればこの感光体に静電イ８を形成させる際の帯電
を■、○のいずれにも任意に設定することができるとい
う利点が与えられる。

」−記した本発明の電子ｆＬｉ−真用感光体ｊオ本発明
の第２発明である以下に述べる方法で装スサ）◇ことが
できる。

すなわち、本発明の方法はその分子中にＳＩＸ結合を有
しないが三Ｓ　〕、　Ｈ結合糸を冶するけい素化合物を
ガス状で反応装置内に導入し、このプラズマＣＶ　Ｄ処
理によって反応装置内に収納した基体上ｌ１非晶質のシ
リコンカーバイドを被覆させるものであり、これＣ−よ
れば容易に」−記１ッた本発明の感光体を得ることがで
きる。

この方法でプラズマ反応装置内に収納される基体は本発
明の感光体を構成する前記した金属または合金などから
なるものとすればよい。また、この反応に使用されるけ
い素化合物はこれが反応装置内にガス状で導入されるも
のであることから種発生のものとされるが、これはその
分子中（二Ｓコｘ基を含んでいると分解性がわるくなる
のでこれは含まないものとする必要があり、さらＣ二は
このプラズマｃ　Ｖ　Ｄ　７１．によるシリコンカーバ
イドの生成反応を望ましい速度と−イーるということか
ら：ＥＳｉＨ基を少なくとも１−ｆ含むものとする必要
がある。

これらのけい素化合物は例えば一般式 Ｒ２ｎ＋２８１ｒ□（ここにＲは水素原子またはメチル
基、エチル尽、プロピル払、フェニル是、ビニル基から
遊ばれる１価炭化水素法、ｎは１〜４の正数）で示され
るシランまたはポリシラン類、および一般式　　　　　
　　Ｆ（ □ Ｒ３ｂ　１　＋　　Ｒｙｓ　１　へ　ＲＦ（ （ここにＲは前記Ｃニーじ、Ｒ１はメチレン哉まだはフ
ェニレン基、ｍは１〜２の正数）で示されるシルフェニ
レン化合物またはシルフェニレン化合物あるいはｒｌ−
分子中ｌ二この両者の主骨格をもつ化合物などがあげら
れる。このけい素化合物としては次式：　５ｉｆ−１４
、ＣＨ３５ｉｎ３．　　（ＣＨ３）２ＳｉＨ２、（Ｃｊ
（３ン　、　　５ＩＩ（、（Ｃ２１（５）２Ｓコ　Ｈ２
−Ｃ３Ｈ６ε蜀　Ｈ３、Ｃ、Ｈ２−＝　Ｃ）！斜！ａ、
Ｓ］　　ＦＴ□　、　　　Ｃ６）１．Ｅ１］　）（３、
Ｓ１２１（６、ＣＨ３ＣＨ３ＣＥ（３Ｃ１３０Ｈ３ＣＨ
３１１１ｌ１１ ）（！：ＥＩ　　　　Ｓコ　−ＳＬ　　　　’　　　　
、　Ｈ−８ｉ　−８ｉ　−４；ｉ−Ｈ，１１１ｌ１ｌ ＣＨ３ＣＥ（３ＣＨ３Ｃ）（３ト−Ｉ　　　　Ｃ０３Ｃ
）（３Ｃ■（３ １ ＣＨ３Ｃ１−１３Ｃ馬 １　　　　　　　　　１　　　　　　　　　　１ＣＩ（
３Ｃ１−■３ＣＴ（３ ＣＨ、ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ。

０）１３Ｃ）（３Ｃ１１３ １１１ ｉ１−８ｉ−ＣＴ（２’ｉ；ｉ　　　５ｌ−Ｉ（Ｉ（１
１１ ＣＨ３ＣＨ３ＣＨ３ で示されるシラン、ポリシランが例示され、これらｒ・
まその１科または２種かあるいは２錘以上の混合物とし
て使用されるが、これＣ二ついてはメチルポリシラン類
を３５０℃以上の温度で熱分解させて得られるメチルハ
イドロジエンシラン類、直仄法によるメチルシラン製造
時ｆ二副生するメチルクロロジシラン類の還元によって
得られるメチルハイドロジエンシラン類が好ましいもの
とされる。

なお、これらのけい素化合物はプラズマ処理ｆ二よって
非晶質のシリコンカーバイドとなるが、このけい素化合
物が’Ｅ　ＳｉＨ結合を多量Ｃ１含むものであるとこの
シリコンカーバイドが非晶質のシリコンを含むものとな
るので、この場合にはけい素化合物にメタン、エタン、
プロパン、エチレン、アセチレン、ベンゼン、トルエン
などの炭化水素化合物を添加すれはよく、これｆニーよ
ればシ１１コン分の少ないシリコンカーバイドを得るこ
とができ２）。

本発明の方法は俵体物′員を収納したプラズマ反応器内
を減圧としたのち、ここｆ二手記したけい素化合物また
はこれと炭化水素化合物とをガス状で導入し、一定圧力
としＣから電圧を印加して器内にプラズマを発生させる
ことによって行なわれるが、これらは必要に応じ、ヘリ
ウム、水素、アルゴン、Ｗ、ａ　Ｍミ「どのキャリ八・
−ガスｌ二個−流さ・せて反応器内〔二導入してもよく
、このキャリヤーガスの使用はプラズマの安定化と）（
Ｉ−このプラズマに」；つて生成するシリコンカーバイ
ド被膜の組成の安定化と物性向上をもたらＴという効用
を与えるので好ましいものとされる。

このプラズマを発生させる【二は、反応装置内を１０ト
ル以下、好ましくは０．０５〜１トルのガスＩＦ下とし
たのち、装置内Ｃ１説けられている電極ｆ二１０　ＫＨ
ｚ〜１００ＭＩ（ｚ　、　１０　’Ｗ〜１．００　Ｋ、
ＷのＩ’：：（’ｈ’、’ｌ　７＋各Ｈ７ｊ・力を、印
加才れｔよよいが、この竜イ・狛ま外部で１磯、極とし
７てもよい。また、この装置内には予じめ’、！ＪＬ　
）ｌｉ・３牙するべき基体物質が収納されるが、この）
４一体杓負十、Ｃ−プラズマ処理、で生成したシリコン
カーバイド被ｌ１位として被着させるためにはこれを加
熱ｔ、−Ｃおくことがよく、これには例えば基体物質を
通弗、加熱するか、あるいはこれをプラズマ発生相の−
ｙ′−ス側市［極−Ｌに置きこの電極を加熱するよう（
−し７て、これを５０〜５００℃、さらにトま１０（＋
−４００”Ｃ程＋４Ｊｃ保持す２）よう＋＝ｔ、ｈばよ
い。

つＪ″、言二本発明の方法を添付の図面にも１どづいて
説明−↑るが、・：＋’ｐ、　３図はバッチ式で基体を
処理イーる方法を小しグにものであり、このプラズマ反
応器１１１−はその内部ｌ二人刃側電極１２とアース電
極１３が設置されており、これは系外の真至ホンブ１４
によってトラップ１５を経て１０トル以−）の識斤下に
保Ｉ、１され、この系内の真空度はセンサー１６にょっ
−Ｃビラニー真空Ｍ１１７に記録される。

基体１８はアース電Ｔｈ１３のト（二あり、これは外部
のヒーター′市源１９（ユよっ゛Ｃ加熱されるアース電
極１３からの伝熱で所定温１０（二保持される。、二の
入力側′電極１２１−高周波竜源２０から１（う：力が
印加され、系［７′−１に低温プラズマがニル生５柱て
いイ］状態Ｃ二なったとき、容器２１からｍｊＸ＜計２
２、吐出口２３をなｆて系内ｌ二けい素化合物が棉人さ
れる。−１このけい素化合物１ｊこの截温プラズマによ
って非晶質のシリコンカーバイドとｌ「す、これが糸体
」二に皮脱とＬで被着さＪｌ、イ〕が、この（けい素化
合物に炭化水５（ｉＩ合！１ネイを２Ｍ！合するとさ、
さらにこ八、をキャリヤーガスで搬送゛するときにはこ
れらな８器２４．２６からｉ”Ｊｅ　稙＃Ｉ’　２５．
２７を糸−６てンｒＮｆ、入さセるように才牙］７ばよ
い。４「お１、二の場合ｆ二おいて法体」二ｆ二形成さ
れるシリコンカーバイド被膜ζ二水素ガスを吸烏ｊさせ
るとき、またこれをｒｌを、Ｊ〕ハ弓の感剤性とするた
めには、この１−１−い素化合物に所定量のＨ２ガス、
ｎ型または１′少のドープ剤？添加すればよく、これ【
二よれば基体上に非晶質シリコンカーバイドを主体とす
る光導電層を５へ一１００大／秒の成長速度で形成させ
ることができる。

つぎＣ二本発明の実施例をあげるが、例中におけるｋＡ
ｅ、はメチル基、■１はビニル基を示したものである。

実施例１ 表面を充分清浄化した厚さ１市、長さ１００　ｍｍ、ｉ
］５　Ｑ　ｒｕｎのアルミニウム基板を第３図【１示し
たプラズマ反応装置内のアース電極上ｌ二固定し、下部
ヒーターで２００℃に加熱した。

ついで、この装置内を真空排気して内圧が０．０５トル
ｆ二なったときに系内ｆ二水素／アルゴン−１／４（容
Ｅｄ比）の混合ガスをキャリヤーガスとして導入して系
内の圧力を０．２トルとしてから、Ｍ　ｅ　　　Ｍ　ｅ を導入【７て内圧を０３５トルに保持し、入力端外極に
１３．５６　Ｍｕｚ　、ちＯＷの高周波電力を印加して
系内にプラズマを発生させた。このプラズマによりテト
ラメチルジシランは分解され、この反応を８時間継続し
たところ、非晶質のシリコンカーバイドが厚さ２０μで
被着されたμ；体が得られた。

つぎ（二、この乃体を取り出して、これに暗中で５．５
０（ＩＶの電圧を印加してその表面ｌ二〇コロナ放電を
行なわせたのち、これに１５　ｌｕｘ・秒の露光１片で
画像露光を行なってここ（１静電像を形成させ、これを
カスケード法で■荷電されたトナーｌ二よって現像し、
紙への転写、定着を行なったところ、極めて解像力の高
い鮮明な画像がイ８られた。

なお、水晶についてこの画像形成を繰り返し７行なって
その耐久性についての試験を行なったところ、２万枚目
の画像も初めのものと同様（二色゛ｌ明であり、この光
導電層が耐溶剤性、耐コロナイオン↑ノ１、簡１　／１
ｉ＋　Ｉｆ、（べに著しくイ゛ぐれたものであることが
面１ｊ、（シさ２ｔ］、プこ。

実施例２ 実施例１（二おけるテトラメチルジシランの代わりにジ
ノチルシランＩ　Ｍｅ２ＳｉＨ２Ｊを使用して、前例同
様Ｃ二処理し、１０時間のプラズマＣＶＤ処理をｊ′ｊ
なったところ、アルミニウム基板に約２０μの厚さで非
晶質シリコンカーバイドの被覆をすることができた。

つぎに、これにＯコロナ放電を行なったのち、露光、ト
ナー現像、転写、定着したところ鮮明な画像力疎７られ
、これは２万枚以上の耐久性を示した。

また、これｌ二暗中で■コロナ放電を行ない、１５１１
１Ｘ・秒のつＹ、　、ｉｉｌで露光して静電画像を形成
させ、○荷電されたトナー【二よって現像し、転写、定
着したところ、この場合Ｃ二も鮮明な画像が得られた。

実施例３〜８ 実施例１と同じ装置を使用し、原料ガス、キャリヤーガ
スの種類、ｉｔ、基板のｌ工！ｉ曳、プラズマ発生条件
を変えてプラズマＣＶＤ処理を杓ない、得られた電子写
真用感光体ｆ二ついての電子ち一頁軽性をしらべたとこ
ろ、第１表に示したとおりの結果が得られた。

、見 定めてから装置内を０，１トル王で）Ｊ１気し、キャリ
ヤーガスを導入し７て０．１５　）ルとしたのち、反応
ガスを導入して反応さ−１−１−１１０時間後の膜厚を
測定して算出したものである。

フ、（施例　９ 実施例１と同じ装置に、アルミニウム基板をセットシ、
こ第１を２５０℃に加熱してから、この装置内を０．０
５　＋ルに排気し、ついでここ＋：ｉ（２／Ａｆ−１：
Ｉ　　（容ｉｊＸ比）の１昆合ガスを碑、入して系内を
０３トルとしノｔのち、５ＸｌＯ’容石％のｂ　２　Ｈ
６を含有−４゛るデトラメチルジ′シランを導入して系
内を０．１５　トルとした［。

っぎＣ−１人カイ１１１１電極に１３．５６１Ｈ律、３
０　Ｖ７の高周波電力を印加して系内ｌニプラズマを５
′ｉ生さ・ｊｊ、１０１１２４間反応全反応させてアル
ミニウム裁板Ｉ−に約２５／ｌのｊ早さの非晶ａシリコ
ンカーバイドを被、ｉ＋′Ｉさせた。

この上うｌ二して得た感光体は暗抵抗が１０１２Ω・（
２）であるのに対し、明抵抗が１０８０・ｃｍテアリ、
これに暗中で６，０ＯＯＶの電圧でθコロナ放ｉ・、を
行ない、１５１ＬＩＸ・秒の露光量で静電ｉｆ！ｉＩ像
を形成さ→±、ｆｆスケート法により■荷電されたトナ
ーで棉像し、転写、定］、たところ、鮮明なｉｉ！＋ｊ
像をＪｊえ、これは耐久性も２万枚月、士であつ１こ。

マ＆、これ（二ついて６，０ＯＯＶで○コ「１す放電を
行ない、１５ｉｕｘ・秒の露光ｉンで静電１ＩＩｌｌ像
を形成させ、カスケード法によって○荷電されたトナー
で現像し、転与、定着したところ、この＃）合も鮮明な
画像が得られたので、このものは帯電特性に対する依存
性がなく、両極性感光体の特性をもつものであることが
判った。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はいずれも本発明の電子耳真用感光体の
縦断ｌｆｉ図を示したものであり、第３図は本発明方法
を実施する装置の縦断面図を示したものである。 Ｊ・・・　感光体、　　　２・・・　２ｋ　　体、３・
・・　非晶質シリコンカーバイド被覆、４・・・　後処
理層、　１１・・・プラズマ反応器、１２・・・入力側
電極、１３・・・アース電極、１４・・・　真草ポ′ン
ブ、　　１８・・・　基体、１９・・・　ヒーター、　
２０・・・高周波電飾、２＋、２４．２６・・・容器。 出願人　侶越化学工業株式会行 １旨−７−１゛ 丁・　糸”ｒ−Ｃ’ｆ’由ｔｆｉ　　　１↓：’１１ｆ
（ｊ’ｌｌ　５８　’１３ＩＩ　２２　　ｍ１１十ｉ−
１”ｊ　　・′）　表　・」・昭和５８年特許１（□ｌ
、第２７９６５号２、発明の名称 電子も真用感光体およびその製造方法 ３、ｒｌＭを）る者 °預′１と（・、ｊｌ、ｊｌ録　！＋：ｊ許出願人出願
人名称２０Ｇ）仁航化学工Ｙ−昧式会ト）・１代Ｊ甲　
人 （）　所　〒１０３４＋□７．ミ部中央区Ｉ−Ｉ木（，
５本町４」１１≦）感地ノ）、ｌｌヒ＋ｌ　〔１ｆ話東
１．ｉ　（２７０）　Ｏ８５８，０８５９：１６　　ネ
山　１１　　・″）　　歳］　“′父明細トンにおける
［発明の詳細な説明の翻］７　　ｒ山　＋ｌ　　、’）
　内　、ギｌ）　明細（貫電２員１２イ］のｒｍｒｍ化
晶化時１を「結晶化による」ど袖ｔ１−４する。 ２）　明細ｔ：第６頁７行の「合金んＣ１どの基体２」
を１合金またはその人ｉｉ＋＋ｈ風粘υ、処珪された電
気絶縁体−例えば合成樹脂フィルム−シー　トーガラス
ーセラミックー紙などのん体２−１と補止する。 ３）　明細書第６０１１〜１２行の［−２ｄ電処」１１
１をし１．た・・・・セラミツゲス層４」を「表囲破預
層４」と補正する。 ４）　曲屈１書第７Ｌ″１１８行の「えられる。」のあ
と（二つぎの文を−１を挿入する。 ［なお、この非晶′凸シリコンカーバイド層を１）型と
」−るζ二は周（す１律ＲＩｌｌ　ｂ族ｊｉｉ　（Ｂ　
−Ａｔ、（ｌａ）の化合物の添加、Ｉ］ヤＪとするには
周期律表ｖｂ族元素（Ｎ−Ｐ−Ａｓ　−：；ｂ　）　ｏ
＞化合′窃の添加なすればよいが、こオロ−は涌１，１
〜ｐノ（勺の場合はＢ１０．、１．ｚ°］、０−’〜１
０”原子係−ｒｒ　Ｊ（りの場合には１）Ｈ３を１０−
５〜１ｏ−８原子％１元仕せるＪ二つ（−（ればよい、
３１′５）　明＃ｊｉｉ得第９Ｆよ１１行の１メチレン
ツ、１」のあとに［−１ｆ−ヂレン八」を挿入する。 ６）　明細ｊＩ）第１２員１行の「シリコノ」を「非晶
υＩｖリロン」と補正する。 ７）　明細−】第１２貞２行−１２行−明細１ジ１第１
７頁４〜５行および明細＝第１４員１５行の１−シリ−
７ンカーバイド」をＩ）［、晶’ｔり・ノリコンカーバ
イド」と７山正する。 ８）　明細書第１２自６行の「′屯１−Ｊ−１を「直７
１ｎまたは交流の′眼圧」と？＋４４正する。 ９）　明細ｆ：第１２頁９行の「−窒素」を削除する。 １、０　）　　明細書第１４以１６ねおよび１８行のｆ
ｐ）曽−１な「ｐ型−１と袖ＩＦする。 １１）　　明細占第１５’）耳２行の「５〜１００」を
１−５〜１０」と補正する。 １２）　明細１ジ１第１７頁１７行の［−こσ）　ｉＪ
ｉ々合（二も・・・得られた。」を［（→ロロナ放屯の
ｊｊ、’、台と比較してＬ！ｕ　ｊ＊のハ１明さに低下
が見られた。−１と補止する。 １３）　明＊ｌ１１占第１９負の第１ｋをか１紙のとお
りに補止する。 １４）　　明１ｌｌＩＩｌ占第２１貞７打の１（）；電
特性−１を「帯電極性」と補正する。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 を特徴とする電子写真用感光体 ２　基体を収納したプラズマ反応装置内に、分子中（二
   ＳｉＸ結合（又はハロゲンｊ皇子または酸素原子）を含
   有せず、少なくとも１ケの＝ＳｉＨ結合を有するけい素
   化合物またはこのけい素化合物と炭化ｙＪ＜素化合物と
   を導入し、プラズマ気相沈積法で基体−１−に光導電層
   となる非晶γｌのシリコンカーバイド被覆層を形成させ
   ることを４に徴とする電子写真用感光体の製造方法