JPS59154088A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS59154088A JPS59154088A JP2799983A JP2799983A JPS59154088A JP S59154088 A JPS59154088 A JP S59154088A JP 2799983 A JP2799983 A JP 2799983A JP 2799983 A JP2799983 A JP 2799983A JP S59154088 A JPS59154088 A JP S59154088A
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- layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光論理回路の構成要素である光メモリ機能
を示す半導体レーザに関する。
を示す半導体レーザに関する。
光論理回路は従来の電子による論理回路よりも高速動作
が可能な新しい回路として期待されており、各所で基礎
検討が進められている。
が可能な新しい回路として期待されており、各所で基礎
検討が進められている。
光論理回路の構成要素のひとつに光双安定を利用した光
メモリ機能があり、種々の光双安定素子が考えられてい
る。その中で半導体材料を用いたものは、その高速性を
最も良く生かせるものとして注目されている。
メモリ機能があり、種々の光双安定素子が考えられてい
る。その中で半導体材料を用いたものは、その高速性を
最も良く生かせるものとして注目されている。
これについては、例えば、河口比によりエレクトロニク
ス・レターズ（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８
）誌所載１９８１年第１７巻１６７頁記載の半導体レー
ザがある。この半導体レーザは、ダブルへテロ構造の半
導体レーザの電流注入部と電流非注入部がその共振器軸
方向に交互に並ぶことによりとの方向で不均一な電流分
布を形成し、電流注入部からのまわり込みにより若干の
電流が注゛入される電流非注入部での可飽和吸収効果に
より光双安定動作が実現されている。しかしながら、こ
の半導体レーザは電流注入の幅を限定して水平横モード
を制御した。いわゆるプレーナー構造のため水平横モー
ドが不安定なこと及び発振しきい値が高いこと等から室
温での動作が困難であり、実用的な素子とは言えない。
ス・レターズ（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８
）誌所載１９８１年第１７巻１６７頁記載の半導体レー
ザがある。この半導体レーザは、ダブルへテロ構造の半
導体レーザの電流注入部と電流非注入部がその共振器軸
方向に交互に並ぶことによりとの方向で不均一な電流分
布を形成し、電流注入部からのまわり込みにより若干の
電流が注゛入される電流非注入部での可飽和吸収効果に
より光双安定動作が実現されている。しかしながら、こ
の半導体レーザは電流注入の幅を限定して水平横モード
を制御した。いわゆるプレーナー構造のため水平横モー
ドが不安定なこと及び発振しきい値が高いこと等から室
温での動作が困難であり、実用的な素子とは言えない。
その対策としてはプレーナ構造を埋め込みへテロ構造（
二して水平横モード及び発振しきい値の問題を解決した
例として材ロー氏（Ｋ、Ｙ、ＬＡＵ））によるアプライ
ド・フィジックス・レターズ（ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＩｆ
ｆＳＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８）誌所載１９８２年第４０巻
第３６９頁記載のタンデム型埋め込むヘテロ構造の半導
体レーザがある。この半導体レーザで外部からの光信号
を光メモリする場合、通常半導体レーザの気開面から活
性層内へ光注入する方法がとられる。しかしながら、通
常の結合方法を用いた場合（＝は断面積が高々０．１〜
０２μｍ′の活性層内に光を注入する結合効率は一１０
ｄＢ程度と小さい。
二して水平横モード及び発振しきい値の問題を解決した
例として材ロー氏（Ｋ、Ｙ、ＬＡＵ））によるアプライ
ド・フィジックス・レターズ（ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＩｆ
ｆＳＩＣ８ＬＥＴＴＥＲ８）誌所載１９８２年第４０巻
第３６９頁記載のタンデム型埋め込むヘテロ構造の半導
体レーザがある。この半導体レーザで外部からの光信号
を光メモリする場合、通常半導体レーザの気開面から活
性層内へ光注入する方法がとられる。しかしながら、通
常の結合方法を用いた場合（＝は断面積が高々０．１〜
０２μｍ′の活性層内に光を注入する結合効率は一１０
ｄＢ程度と小さい。
仮に結合効率を改善した結合手段が用いられたとしても
光アイソレータを使用しない限り光学系端面からの反射
光により半導体レーザの光出力が不安定となり、従って
安定な動作な得（二くい等の問題があった。
光アイソレータを使用しない限り光学系端面からの反射
光により半導体レーザの光出力が不安定となり、従って
安定な動作な得（二くい等の問題があった。
この発明の目的は、外部からの光信号が容易に結合しや
すく且つ反射光による不安定な光出力を生じることなく
光メモリ機能の可能な半導体レーザな提供することにあ
る。
すく且つ反射光による不安定な光出力を生じることなく
光メモリ機能の可能な半導体レーザな提供することにあ
る。
この発明によれば、活性層にまで達する２本のほぼ平行
な溝で形成した活性層を含むメサストライプを少なくと
も前記メサストライプの上部の半導体層とは異なる導電
型の半導体層を含む半導体層で埋め込んだ埋め込みへテ
ロ構造半導体レーザ（＝おいて、前記活性層の少なくと
も一部が幅を拡く且つ厚く形成され、前記活性層の一部
で幅及び厚さの拡い部分のメサストライプ上方の電極を
除くことにより外部からの光注入を可能にしたことを特
徴とする半導体レーザが得られる。
な溝で形成した活性層を含むメサストライプを少なくと
も前記メサストライプの上部の半導体層とは異なる導電
型の半導体層を含む半導体層で埋め込んだ埋め込みへテ
ロ構造半導体レーザ（＝おいて、前記活性層の少なくと
も一部が幅を拡く且つ厚く形成され、前記活性層の一部
で幅及び厚さの拡い部分のメサストライプ上方の電極を
除くことにより外部からの光注入を可能にしたことを特
徴とする半導体レーザが得られる。
この発明においては、活性層の少なくとも一部が幅を拡
く且つ厚く形成される構成となっていもこの場合活性層
の幅を一部拡く形成させると、溝の幅が相対的に狭くな
るため、この部分ではメサストライプの上部の半導体層
とは異なる導電型の半導体層で覆われやすい。その結果
、この部分では電流が注入されにくくなり可飽和吸収領
域として機能し、光双安定動作を実現できる。またこの
部分での活性層が幅が拡く且つ厚く形成されているので
、光を注入した場合に効率良く吸収されやすい。そこで
メサストライプ上方の電極を一部取り除いて半導体レー
ザの臂開面からではなく電極を取り除いたその部分に光
注入すれば、光ビームを十分小さく絞る必要がなく、又
反射光による半導体レーザの光出力の不象定性を生じな
い。
く且つ厚く形成される構成となっていもこの場合活性層
の幅を一部拡く形成させると、溝の幅が相対的に狭くな
るため、この部分ではメサストライプの上部の半導体層
とは異なる導電型の半導体層で覆われやすい。その結果
、この部分では電流が注入されにくくなり可飽和吸収領
域として機能し、光双安定動作を実現できる。またこの
部分での活性層が幅が拡く且つ厚く形成されているので
、光を注入した場合に効率良く吸収されやすい。そこで
メサストライプ上方の電極を一部取り除いて半導体レー
ザの臂開面からではなく電極を取り除いたその部分に光
注入すれば、光ビームを十分小さく絞る必要がなく、又
反射光による半導体レーザの光出力の不象定性を生じな
い。
次に実施例を用いてこの発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例の活性層を含む面の平面断面図
、第２図はその側面断面図、第３図（＆）。
、第２図はその側面断面図、第３図（＆）。
ｆｂ）はそれぞれ第１．２図のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’断面
の断面図である。第４図ｆａｔ〜（ｅ）は本発明の第１
の実施例の製造方法を示すための斜視図である。
の断面図である。第４図ｆａｔ〜（ｅ）は本発明の第１
の実施例の製造方法を示すための斜視図である。
この実施例は、プレーナ型の埋め込みへテロ構に
造でメサスト２イブ中のｒ柱層を部分的４幅が拡く且つ
厚い形状にしたものである。プレーナ型の埋め込みへテ
ロ構造の半導体レーザは、活性層を含むメサストライプ
をｐ形及びｎ形半導体層で埋。
厚い形状にしたものである。プレーナ型の埋め込みへテ
ロ構造の半導体レーザは、活性層を含むメサストライプ
をｐ形及びｎ形半導体層で埋。
め込んだもので、これについては特願昭５６−ＩＧ６６
６６に詳しい。
６６に詳しい。
この実施例は以下のようにして製作される。
まず、第４図（ＪＬＩにおいて、ｎ−ＩｎＰ基板１０１
の（００１）面（’） ＜１１０）方向に凹状の浅い第
１の溝１０２をエツチングにより形成する。
の（００１）面（’） ＜１１０）方向に凹状の浅い第
１の溝１０２をエツチングにより形成する。
次に、第４図（ｂ）において、液相エピタキシャル成長
方法により浅い第１の溝１０２を埋めるべくｎ−ＩｎＰ
クラッド層１０３．・波長１．３μｍ組成のノ／ドープ
Ｉｎ１−μ迦Ｐ□−ア活性層１０４ 、 Ｐ−ＩｎＰク
ラッド層１０５を順次成長させる。これ（二より第１の
溝１０２での活性層１０４を厚くシ、他の部分では活性
層１０４の厚さを通常の半導体レーザで採用されている
ｏ、 ｉμｍ前後にする。Ｐ−ＩｎＰり２ラド層１０５
は湾１の溝１０２を埋めてほぼ平らに成長されている。
方法により浅い第１の溝１０２を埋めるべくｎ−ＩｎＰ
クラッド層１０３．・波長１．３μｍ組成のノ／ドープ
Ｉｎ１−μ迦Ｐ□−ア活性層１０４ 、 Ｐ−ＩｎＰク
ラッド層１０５を順次成長させる。これ（二より第１の
溝１０２での活性層１０４を厚くシ、他の部分では活性
層１０４の厚さを通常の半導体レーザで採用されている
ｏ、 ｉμｍ前後にする。Ｐ−ＩｎＰり２ラド層１０５
は湾１の溝１０２を埋めてほぼ平らに成長されている。
次に第４図ｔｏ）では、〈１１ｏ〉方向にエツチングし
て第１の溝１０２と交差する部分２０１での活性層１０
４０幅が交差しない部分２０２よりも拡くなるようにす
る。この場合、第１図、第２図で示したように活性層１
０４を含むメサストライプ１０６が形成されるよ５に第
２．第３の溝１０７．１０８が活性層にまで達するよう
に形成される。続いてこのウェハー炉 を再び成長ｌに入れて２回目の結晶成長を行う。
て第１の溝１０２と交差する部分２０１での活性層１０
４０幅が交差しない部分２０２よりも拡くなるようにす
る。この場合、第１図、第２図で示したように活性層１
０４を含むメサストライプ１０６が形成されるよ５に第
２．第３の溝１０７．１０８が活性層にまで達するよう
に形成される。続いてこのウェハー炉 を再び成長ｌに入れて２回目の結晶成長を行う。
第４図（１１＋では、先ずＰ−ＩｎＰの＠１の電流プロ
ッり層１０９．ｎ−ＩｎＰの第２の電流ブロック層１１
０を形成し、続いてＰ−ＩｎＰの埋め込み層１１ ｉ、
ｐ−Ｉｎ１−、Ｇａ。
ッり層１０９．ｎ−ＩｎＰの第２の電流ブロック層１１
０を形成し、続いてＰ−ＩｎＰの埋め込み層１１ ｉ、
ｐ−Ｉｎ１−、Ｇａ。
”ｗ’ｌ−ｗキャブ１層１１２を形成する。この２回目
の成長において、メサストライプ１０６を構成する第２
．第３の溝１０７．１０８の幅の広い部分では、第３図
（＆）に示したように第１．第２の電流ブロック層１０
９、１１０はメサストライプ１０６上には成長しない。
の成長において、メサストライプ１０６を構成する第２
．第３の溝１０７．１０８の幅の広い部分では、第３図
（＆）に示したように第１．第２の電流ブロック層１０
９、１１０はメサストライプ１０６上には成長しない。
他方、第２．第３の溝１０７．１０８の幅の狭い部分で
は、第３図（ｂｌに示したように第２．第３の溝１０７
，１０８内を第１の電流ブロック層１０９が埋めてしま
うために、第２の電流ブロック層１１０を成長する直前
のメサストライプ１０６付近の形状が平坦になってしま
うので、第２の電流ブロック層１１０はメサストライプ
１０６の上部で途切れることなく全体を覆を設ける。こ
の場合には光注入用窓２０４に当たる部分のＡｕ−Ｚｎ
、キャップ層１１２を少なくとも除いて光注入用窓２０
４付近での光吸収がないようにする必要がある。次にｐ
側電極２０３をアロイした後基板１０１の表面にＡｕ−
Ｇｅ−Ｎｉのｎ側電極２０５を蒸着しアロイしてウェハ
ーの製作を終了する。この半導体レーザでは注入電流及
び光注入用窓２０４かもの光入力に対して安定な２値の
光出力を示し、光双安定素子として働くことを確認した
。光注入の場合では、光注入用窓２０４から入れている
ので光学系の端面からの反射光による半導体レーザの光
出力の変動は全く観測されなかった。又、そのときの外
部からの光入力は小さくてよく、効率良く活性層１０４
に吸収されていることが確認された。
は、第３図（ｂｌに示したように第２．第３の溝１０７
，１０８内を第１の電流ブロック層１０９が埋めてしま
うために、第２の電流ブロック層１１０を成長する直前
のメサストライプ１０６付近の形状が平坦になってしま
うので、第２の電流ブロック層１１０はメサストライプ
１０６の上部で途切れることなく全体を覆を設ける。こ
の場合には光注入用窓２０４に当たる部分のＡｕ−Ｚｎ
、キャップ層１１２を少なくとも除いて光注入用窓２０
４付近での光吸収がないようにする必要がある。次にｐ
側電極２０３をアロイした後基板１０１の表面にＡｕ−
Ｇｅ−Ｎｉのｎ側電極２０５を蒸着しアロイしてウェハ
ーの製作を終了する。この半導体レーザでは注入電流及
び光注入用窓２０４かもの光入力に対して安定な２値の
光出力を示し、光双安定素子として働くことを確認した
。光注入の場合では、光注入用窓２０４から入れている
ので光学系の端面からの反射光による半導体レーザの光
出力の変動は全く観測されなかった。又、そのときの外
部からの光入力は小さくてよく、効率良く活性層１０４
に吸収されていることが確認された。
この半導体レーザは活性層１０４が半導体層中に埋め込
まれた構造をしているので、室温で容易に低動作電流で
働かせることができる。この実施例では発振閾値が３Ｃ
ｋｎＡであり５０ｍＡ以下の低電流動作が可能であった
。この発明ではメサストライプ１０６の一部で活性層１
０４の幅を広く且つ厚く形成させてこの部分のメサスト
ライプが第２の電流ブロック層１１０で覆われることに
より、電流の注入されない可飽和吸収領域のある半導体
レーザな得ている。この実施例の素子の寸法は、メサス
トライプ１０６のうち第１の溝１０２と交差する部分２
０１の幅が１０μｍ、交差しない都合２０２の幅が２＃
Ｉ、交差する部分２０１での第２．第３の溝１０７．１
０８の幅が３μｍ交差しない部分２０２での第λ第３の
溝１０７．１０８の幅が７μｍ、交差する部分２０１で
の活性層１０４の厚さが０，５μｍ、交差しない部分２
０２での活性層１０４の厚さが０．１μｍ、第１の溝１
０２０幅が２−２光注入用窓２０４の大きさが２０ Ｘ
２０μｍ２である。結晶成長の様子は成長条件等により
大きく変わるので、その変化とともに適切な寸法を用い
るべきことは言うまでもない。
まれた構造をしているので、室温で容易に低動作電流で
働かせることができる。この実施例では発振閾値が３Ｃ
ｋｎＡであり５０ｍＡ以下の低電流動作が可能であった
。この発明ではメサストライプ１０６の一部で活性層１
０４の幅を広く且つ厚く形成させてこの部分のメサスト
ライプが第２の電流ブロック層１１０で覆われることに
より、電流の注入されない可飽和吸収領域のある半導体
レーザな得ている。この実施例の素子の寸法は、メサス
トライプ１０６のうち第１の溝１０２と交差する部分２
０１の幅が１０μｍ、交差しない都合２０２の幅が２＃
Ｉ、交差する部分２０１での第２．第３の溝１０７．１
０８の幅が３μｍ交差しない部分２０２での第λ第３の
溝１０７．１０８の幅が７μｍ、交差する部分２０１で
の活性層１０４の厚さが０，５μｍ、交差しない部分２
０２での活性層１０４の厚さが０．１μｍ、第１の溝１
０２０幅が２−２光注入用窓２０４の大きさが２０ Ｘ
２０μｍ２である。結晶成長の様子は成長条件等により
大きく変わるので、その変化とともに適切な寸法を用い
るべきことは言うまでもない。
なお、上記実施例においては、半導体材料はＩｎＰ／
ＩｎＧａＡ＋ｉＰ系に限らすＧａＡ４／ＡＡｔＣｍＡｓ
系等他のものであってもよい。又実施例においては光注
入用窓２０４を拡げてｐ側電極２０３を部分した。いわ
ゆるタンデム構造の半導体レーザとしてもよい。この場
合にはｐ側電極の一方を光増幅用に電流注入を行い残る
一方の電極への注入電流を制御して光人出ヵ特性や注入
電流−光出力特性での形状を変えることができる。
ＩｎＧａＡ＋ｉＰ系に限らすＧａＡ４／ＡＡｔＣｍＡｓ
系等他のものであってもよい。又実施例においては光注
入用窓２０４を拡げてｐ側電極２０３を部分した。いわ
ゆるタンデム構造の半導体レーザとしてもよい。この場
合にはｐ側電極の一方を光増幅用に電流注入を行い残る
一方の電極への注入電流を制御して光人出ヵ特性や注入
電流−光出力特性での形状を変えることができる。
以上の実施例では、第１の溝１０２と交差する部分２０
１を一箇所に限定したが、メサストライプ１０６上に活
性層１０４の幅が広く厚みのある部分を三箇所以上設け
て、２種類以上の光入力に対して動作するような半導体
レーザとしてもよい。
１を一箇所に限定したが、メサストライプ１０６上に活
性層１０４の幅が広く厚みのある部分を三箇所以上設け
て、２種類以上の光入力に対して動作するような半導体
レーザとしてもよい。
また、以上の実施例では第１の溝１０２と交差する部分
２０１が第２の電流ブロック層１１０で覆われるように
したが、覆われなくともタンデム構造の半導体レーザと
して動作させれば、光双安定動作は可能である。
２０１が第２の電流ブロック層１１０で覆われるように
したが、覆われなくともタンデム構造の半導体レーザと
して動作させれば、光双安定動作は可能である。
第１図、第２図の正面断面図、第４図ｆａｔ〜（ｅ）は
各各第１図に示した実施例の製造方法を示すための斜視
図である。 図１＝おいて、１０１はｎ−ＩｎＰ基板、１ｏ２は第１
の溝、１０３はｎ−ＩｎＰクラッド層、１０４は活性層
、１０５はＰ−ＩｎＰクラッド層、１０６はメサストラ
イプ、１０７は第２の溝、１０８は第３の溝、１０９は
ｐ−Ｉ−第１の電流ブロック層、１１０はｎ−ｌ−第２
の電流ブロック層、１１１はｐ−Ｉ−埋め込み層、１１
２はキャッグ層、２０１は第１の溝と交差する部分、２
０２は第１の溝と交差しない部分、２０３はｐ側電極、
２０４は光注入用窓、２０５はｎ側電極をそれぞれ表わ
す。 Ａ′ Ｂ′ 第３図
各各第１図に示した実施例の製造方法を示すための斜視
図である。 図１＝おいて、１０１はｎ−ＩｎＰ基板、１ｏ２は第１
の溝、１０３はｎ−ＩｎＰクラッド層、１０４は活性層
、１０５はＰ−ＩｎＰクラッド層、１０６はメサストラ
イプ、１０７は第２の溝、１０８は第３の溝、１０９は
ｐ−Ｉ−第１の電流ブロック層、１１０はｎ−ｌ−第２
の電流ブロック層、１１１はｐ−Ｉ−埋め込み層、１１
２はキャッグ層、２０１は第１の溝と交差する部分、２
０２は第１の溝と交差しない部分、２０３はｐ側電極、
２０４は光注入用窓、２０５はｎ側電極をそれぞれ表わ
す。 Ａ′ Ｂ′ 第３図
Claims (1)
- ２本の溝で挾まれ、活性層を含む積層構造を有するメサ
ストライプを、このメサストライプを構成するメサスト
ライプ上部の半導体層とは異なる導電型の半導体層で埋
め込んだ埋め込みへテロ構造半導体レーザにおいて、前
記メサストライプにおける活性層が局部的に幅が広（か
つ層厚の厚い領域を備え、当該領域直上部には電極が形
成されていないことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2799983A JPS59154088A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2799983A JPS59154088A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154088A true JPS59154088A (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12236512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2799983A Pending JPS59154088A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59154088A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114588A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Nec Corp | 光双安定集積素子 |
| JPS621294A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS62286017A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Nec Corp | 光スイツチ |
-
1983
- 1983-02-22 JP JP2799983A patent/JPS59154088A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114588A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Nec Corp | 光双安定集積素子 |
| JPS621294A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS62286017A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Nec Corp | 光スイツチ |
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