JPS5915161B2 - ガラス質エナメル抵抗体物質 - Google Patents
ガラス質エナメル抵抗体物質Info
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- JPS5915161B2 JPS5915161B2 JP51109518A JP10951876A JPS5915161B2 JP S5915161 B2 JPS5915161 B2 JP S5915161B2 JP 51109518 A JP51109518 A JP 51109518A JP 10951876 A JP10951876 A JP 10951876A JP S5915161 B2 JPS5915161 B2 JP S5915161B2
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- Japan
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- resistor
- resistor material
- tin oxide
- resistance
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗体物質に関する。
なお特に本発明は、広範囲の抵抗性および抵抗の比較的
低い温度係数を与える抵抗体物質を提供し、かつそれが
比較的安価な物質から作られるガラス質エナメル抵抗体
物質に関する。
低い温度係数を与える抵抗体物質を提供し、かつそれが
比較的安価な物質から作られるガラス質エナメル抵抗体
物質に関する。
最近経済的に使用されるようになった電気抵抗体物質の
種類はガラス質抵抗体物質であり、それはガラスフリッ
トと電気導伝物質の細かく分割された粒子の混合からな
る。
種類はガラス質抵抗体物質であり、それはガラスフリッ
トと電気導伝物質の細かく分割された粒子の混合からな
る。
ガラス質エナメル抵抗体物質は通常セラミックである電
気的絶縁物質の基板の面に被覆され、そしてガラスフリ
ットを溶かすように焼かれる。
気的絶縁物質の基板の面に被覆され、そしてガラスフリ
ットを溶かすように焼かれる。
冷されたとき、その中に分散された導電物質を有するガ
ラスの薄膜が形成される。
ラスの薄膜が形成される。
今まで広範囲な抵抗値を有する電気抵抗体が要望され、
それはそれぞれの特性で広範囲な抵抗値の抵抗体を作る
ことを可能にするガラス質エナメル抵抗体物質を有する
ことが好ましい。
それはそれぞれの特性で広範囲な抵抗値の抵抗体を作る
ことを可能にするガラス質エナメル抵抗体物質を有する
ことが好ましい。
しかしながら、高い抵抗性を有しかつまた温度変化で比
較的安定な、すなわち抵抗の低い温度係数を有する抵抗
体を提供するガラス質エナメル抵抗体物質の提供に関し
て問題が起った。
較的安定な、すなわち抵抗の低い温度係数を有する抵抗
体を提供するガラス質エナメル抵抗体物質の提供に関し
て問題が起った。
広範囲な抵抗性および抵抗の低い温度係数の両方を満す
抵抗体物質は導伝粒子として一般に貴金属を適用し、そ
れゆえ比較的高価となる。
抵抗体物質は導伝粒子として一般に貴金属を適用し、そ
れゆえ比較的高価となる。
スズ酸化物の熱分解的滞積薄膜が抵抗体として使用され
、それはJOURNAL OF THEBRITI
SHI、R,E、1961年4月301〜304頁に掲
載された″スズ酸化物抵抗体″においてR、H、W 、
Burkett により開示された。
、それはJOURNAL OF THEBRITI
SHI、R,E、1961年4月301〜304頁に掲
載された″スズ酸化物抵抗体″においてR、H、W 、
Burkett により開示された。
しかしながらBurkett により開示されたかか
るスズ酸化物抵抗体薄膜は比較的不安定でありかつ高い
負の抵抗温度係数を有した。
るスズ酸化物抵抗体薄膜は比較的不安定でありかつ高い
負の抵抗温度係数を有した。
スズ酸化物抵抗体薄膜の不安定さはまた、1951年8
月21日にJ ohn M 、M oche 1に許可
された米国特許第2564707号名称″ガラスおよび
他のセラミック体の電気的導伝被覆″にも示されている
。
月21日にJ ohn M 、M oche 1に許可
された米国特許第2564707号名称″ガラスおよび
他のセラミック体の電気的導伝被覆″にも示されている
。
Mochelはスズ酸化物を他の物質でドープすること
によりこの不安定を除去することを試みた。
によりこの不安定を除去することを試みた。
その技術として、ELECTRONIC
COMPONENTS、1967年3月259−262
頁に題名″高値、高電圧抵抗体″としてJ。
頁に題名″高値、高電圧抵抗体″としてJ。
D eardenにより解説されたように、アンチモニ
ーでドープされたスズ酸化物がガラス質エナメル抵抗体
物質に使用されたが、この物質は高い負の抵抗温度係数
を有する。
ーでドープされたスズ酸化物がガラス質エナメル抵抗体
物質に使用されたが、この物質は高い負の抵抗温度係数
を有する。
それゆえ本発明の目的は、新規な抵抗体物質を提供する
ことにある。
ことにある。
本発明の他の目的は、新規なガラス質エナメル抵抗体物
質およびそれから作られる抵抗体を提供することにある
。
質およびそれから作られる抵抗体を提供することにある
。
本発明のさらに他の目的は、広範囲な抵抗性および比較
的低い抵抗温度係数の抵抗体を与えるガラス質エナメル
抵抗体物質を提供することにある。
的低い抵抗温度係数の抵抗体を与えるガラス質エナメル
抵抗体物質を提供することにある。
本発明のもう1つの目的は、高い抵抗性および比較的低
い抵抗温度係数を有し、かつ比較的安価な物質で作られ
る抵抗体を提供するガラス質エナメル抵抗体物質を提供
することにある。
い抵抗温度係数を有し、かつ比較的安価な物質で作られ
る抵抗体を提供するガラス質エナメル抵抗体物質を提供
することにある。
他の目的は以下に明らかにされる。
これらの目的はガラスフリットとスズ酸化物の細かく分
割された粒子との混合物からなる抵抗体物質により達成
される。
割された粒子との混合物からなる抵抗体物質により達成
される。
スズ酸化物はガラスフリットと混合される前に好ましく
は熱処理される。
は熱処理される。
したがって本発明は以下に述べられる組成で例示された
特性、本質および構成要素の関係を所有している物質の
組成を備え、発明の範囲は特許請求の範囲に示される。
特性、本質および構成要素の関係を所有している物質の
組成を備え、発明の範囲は特許請求の範囲に示される。
発明の性質および目的のより十分な理解のため、添付図
面と関係して以下の詳細な説明が参照される。
面と関係して以下の詳細な説明が参照される。
図は本発明の抵抗体物質で作られた抵抗体の部分の断面
図である。
図である。
本発明のガラス質エナメル抵抗体物質は全体としてガラ
ス質ガラスフリットおよびスズ酸化物(SnO2)の細
い粒子の混合物を備える。
ス質ガラスフリットおよびスズ酸化物(SnO2)の細
い粒子の混合物を備える。
ガラスフリットは体積で30係から80係の量、好まし
くは40%から60%の量の抵抗体物質を表わす。
くは40%から60%の量の抵抗体物質を表わす。
使用されるガラスフリットは導伝相のそれ以下の軟化点
を有さねばならない。
を有さねばならない。
硼珪酸塩フリット、特にバリウムまたはカルシウム硼珪
酸塩、71Jツトのようなアルカリ土類硼珪酸塩フリッ
トの使用が好ましいことが発見された。
酸塩、71Jツトのようなアルカリ土類硼珪酸塩フリッ
トの使用が好ましいことが発見された。
かかるフリットの調合はよく知られかつたとえばガラス
の構成要素に酸化物構成要素の形でいっしょに融解し、
そしてか〜る融解した組成を水にそそいでフリットの形
にする。
の構成要素に酸化物構成要素の形でいっしょに融解し、
そしてか〜る融解した組成を水にそそいでフリットの形
にする。
−かま分の成分はもちろんフリット製造の通常の状態の
もとで望ましい酸化物を生じるい(らかの混合物である
。
もとで望ましい酸化物を生じるい(らかの混合物である
。
たとえば硼素酸化物は硼酸から得られ、珪素二酸化物は
フリントから製造され、バリウム酸化物はバリウム炭酸
塩等から製造される。
フリントから製造され、バリウム酸化物はバリウム炭酸
塩等から製造される。
粗フリットはフリットの粒子寸法を減少しかつ略均−な
寸法のフリットを得るため好ましくはボールミルで製粉
される。
寸法のフリットを得るため好ましくはボールミルで製粉
される。
本発明の抵抗体物質はガラスフリットと相当量のスズ酸
化物粒子を十分に混合することにより作られうる。
化物粒子を十分に混合することにより作られうる。
混合は好ましくは水またはプチルカービトルアセテート
またはプチルカービトルアセテートとトルエンの混合物
のような有機媒体内で原料をボール製粉することにより
行なわれる。
またはプチルカービトルアセテートとトルエンの混合物
のような有機媒体内で原料をボール製粉することにより
行なわれる。
混合物はそれから基板に抵抗体物質を形成する好ましい
方法のため、混合物の液媒体を加減することにより適度
な粘度に調整される。
方法のため、混合物の液媒体を加減することにより適度
な粘度に調整される。
シルクスクリーン印刷、すなわちスクリーンステンシル
(5creenstencil )を行なうため、前記
液体は蒸発させられ、かつ前記混合物はL 、 Reu
scheおよびCompany 、NewarkNew
Jerseyにより製造されるようなスズ酸化物混合
物を流動化するためのキャリヤー液、すなわちスクリー
ニングビヒクル(スクリーニング媒介物)と混合される
。
(5creenstencil )を行なうため、前記
液体は蒸発させられ、かつ前記混合物はL 、 Reu
scheおよびCompany 、NewarkNew
Jerseyにより製造されるようなスズ酸化物混合
物を流動化するためのキャリヤー液、すなわちスクリー
ニングビヒクル(スクリーニング媒介物)と混合される
。
」広い抵抗範囲と抵抗温度係数のより良い制御を与える
抵抗体物質の他の製造方法はスズ酸化物を始めに熱処理
することである。
抵抗体物質の他の製造方法はスズ酸化物を始めに熱処理
することである。
なお、この熱処理は、抵抗体物質の電気的抵抗率を調整
するためにスズ酸化物の制御された還元をおこさせるた
めの工程であるが、しかし、満足すべき抵抗体は熱処理
することなしに作ることができるため、この熱処理はか
ならずしも必要ではない。
するためにスズ酸化物の制御された還元をおこさせるた
めの工程であるが、しかし、満足すべき抵抗体は熱処理
することなしに作ることができるため、この熱処理はか
ならずしも必要ではない。
熱処理されたスズ酸化物はそれから抵抗体物質を形成す
るガラスフリットと混合される。
るガラスフリットと混合される。
スズ酸化物粉末は以下の方法の1つで熱処理される。
熱処理1.スズ酸化物を入れたボートは連続炉のベルト
上に置かれる。
上に置かれる。
ボートは窒素雰囲気で1時間周期最高温度1100℃で
焼かれる。
焼かれる。
熱処理2.スズ酸化物を入れたボートは管炉に置かれか
つ形成ガス(95%N2および5%H2)が炉内に導入
され、それはボート上を流れる。
つ形成ガス(95%N2および5%H2)が炉内に導入
され、それはボート上を流れる。
炉は525℃に加熱され、短い時間(略10分まで)そ
の温度に保たれる。
の温度に保たれる。
炉はそれから止められ、スズ酸化物を入れたボートは炉
内で200℃またはそれ以下の温度に冷却させられる。
内で200℃またはそれ以下の温度に冷却させられる。
形成ガス雰囲気はスズ酸化物が炉から取り去られるまで
維持される。
維持される。
本発明の抵抗体物質で抵抗体を作るために、抵抗体物質
は基板の表面に均一な厚さに形成される。
は基板の表面に均一な厚さに形成される。
基板は抵抗体物質の焼(温度に耐えうるどのような物質
体でもよい。
体でもよい。
基礎は一般にガラス、磁器、煉石、バリウムチタン酸塩
、アルミナ等のセラミック体である。
、アルミナ等のセラミック体である。
抵抗体物質は基板の上にブラシング、ディッピング、ス
プレィリング、またはスクリーンステンミル法により形
成されうる。
プレィリング、またはスクリーンステンミル法により形
成されうる。
抵抗体物質はそれから低温たとえば155℃で15分間
加熱することによるなどで乾燥される。
加熱することによるなどで乾燥される。
スズ酸化物に混ぜられたスクリーニング媒介物は抵抗体
の燃焼の前にわずかに高い温度で加熱することにより焼
灼される。
の燃焼の前にわずかに高い温度で加熱することにより焼
灼される。
媒介物の焼灼は以下の方法の1つで行なわれる。
媒介物焼灼1.連続ベルト炉において窒素雰囲気中に時
間周期で最高温度350℃で焼く。
間周期で最高温度350℃で焼く。
媒介物焼灼2.連続ベルト炉において空気雰囲気中に時
間周期で最高温度350℃で焼く。
間周期で最高温度350℃で焼く。
媒介物焼灼3.連続ベルト炉において空気雰囲気中に時
間周期で最高温度400℃で焼く。
間周期で最高温度400℃で焼く。
媒介物焼灼41箱型炉において空気雰囲気中1時間温度
400℃で焼(。
400℃で焼(。
抵抗体物質被覆を有する基板はそれから通常の炉におい
てガラスフリットが融解するようになる温度で焼かれる
。
てガラスフリットが融解するようになる温度で焼かれる
。
抵抗体物質はアルゴン、ヘリウムまたは窒素のような不
活性雰囲気で焼かれる。
活性雰囲気で焼かれる。
抵抗および抵抗温度係数は使用される焼成温度により変
る。
る。
焼成温度は最適抵抗温度係数で所望の抵抗値を得るよう
に選択される。
に選択される。
しかしながら使用されるガラスフリットの融解特性によ
り最小焼成温度が決定される。
り最小焼成温度が決定される。
基板および抵抗体物質が冷されるとき、ガラス質エナメ
ルが固化し抵抗体物質を基板に固着する。
ルが固化し抵抗体物質を基板に固着する。
図に示すように、本発明の結果として得られる抵抗体は
全体的に10で示される。
全体的に10で示される。
抵抗体10は基板の上に被覆されかつ焼成された本発明
の抵抗体物質の層14を有するセラミック基板12を備
える。
の抵抗体物質の層14を有するセラミック基板12を備
える。
抵抗体物質層14はスズ酸化物の細く分割された粒子1
8を含んでいるガラス16を備える。
8を含んでいるガラス16を備える。
スズ酸化物粒子18はガラス16内に埋められかつ十分
に分散される。
に分散される。
以下実施例が発明のある好ましい詳細を説明するために
与えられるが、実施例の詳細は発明を限定する方法とし
て取られないことは理解される。
与えられるが、実施例の詳細は発明を限定する方法とし
て取られないことは理解される。
実施例 1
抵抗体物質はスズ酸化物粒子の体積50チ、および重量
で42%のバリウム酸化物(Bad)、20祇の硼素酸
化物(B203)および38%の珪素−酸化物(SiO
2)の組成のガラス粒子の体積50チを混合することに
よって作られる。
で42%のバリウム酸化物(Bad)、20祇の硼素酸
化物(B203)および38%の珪素−酸化物(SiO
2)の組成のガラス粒子の体積50チを混合することに
よって作られる。
スズ酸化物とガラスとの混合物はプチルカービトルアセ
テート内で1日中ボール製粉される。
テート内で1日中ボール製粉される。
プチルカービトールアセテートはそれから蒸発させら〕
?シ、乾燥した混合物はそれから三段圧延機でRue
5cheスクリーニング媒介物と混合される。
?シ、乾燥した混合物はそれから三段圧延機でRue
5cheスクリーニング媒介物と混合される。
抵抗体物質はアルミナ基板の上に物質をスクリーニング
(S creening )することにより抵抗体に作
られる。
(S creening )することにより抵抗体に作
られる。
抵抗体物質層は15分間150℃で乾燥されかつすでに
述べられた媒介物焼灼1に当てられる。
述べられた媒介物焼灼1に当てられる。
抵抗体の異った1つはそれから連続ベルト炉において窒
素雰囲気中に時間周期で850℃および1150℃間の
異った最高温度で焼成される。
素雰囲気中に時間周期で850℃および1150℃間の
異った最高温度で焼成される。
導伝銀塗料が6正方形抵抗体、すなわち長さが幅の6倍
を有する抵抗体を形成するために基板に適用される。
を有する抵抗体を形成するために基板に適用される。
銀塗料は200℃で1時間乾燥される。
以下の表に与えられた抵抗温度係数の値は室温(25℃
)と−81℃に取られた寒い側の測定値であり、ただし
表8と9は室温と一76℃に取られた寒い側の測定値で
ある。
)と−81℃に取られた寒い側の測定値であり、ただし
表8と9は室温と一76℃に取られた寒い側の測定値で
ある。
表1,7,14および15はまた室温と+150℃に取
られた暑い側の測定による抵抗温度係数の値を与える。
られた暑い側の測定による抵抗温度係数の値を与える。
寒い側および暑い側で取られた抵抗温度係数の値の比較
から、暑い側の値が対応している寒い側の値より一般に
より正であり、かつ抵抗温度係数は非常に安定している
として抵抗体を特徴づけることがわかる。
から、暑い側の値が対応している寒い側の値より一般に
より正であり、かつ抵抗温度係数は非常に安定している
として抵抗体を特徴づけることがわかる。
表1は実施例1にしたがって作られかつ異った温度で焼
成された種々な抵抗体の抵抗値および抵抗温度係数を示
す。
成された種々な抵抗体の抵抗値および抵抗温度係数を示
す。
実施例 2
抵抗体物質はスズ酸化物の体積20%およびガラス粒子
の体積80係を含んだ抵抗体物質である点を除いて実施
例1と同じ方法で作られる。
の体積80係を含んだ抵抗体物質である点を除いて実施
例1と同じ方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1で述べられたのと同じ方法で抵抗
体に作られる。
体に作られる。
表2は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 3
抵抗体物質はスズ酸化物の体積30%およびガラス粒子
の体積70チを含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例Iと同じ方法で作られる。
の体積70チを含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例Iと同じ方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1で述べられたのと同じ方法で抵抗
体に作られる。
体に作られる。
表3は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 4
抵抗体物質はスズ酸化物の体積40%およびガラス粒子
の体積60係を含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例1と同じ方法で作られる。
の体積60係を含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例1と同じ方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1で述べられたのと同じ方法で抵抗
体に作られる。
体に作られる。
表4は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 5
抵抗体物質はスズ酸化物の体積60%およびガラス粒子
の体積40係を含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例1と同じ方法で作られる。
の体積40係を含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例1と同じ方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1で述べられたのと同じ方法で抵抗
体に作られる。
体に作られる。
表5は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 6
抵抗体物質はスズ酸化物の体積70係およびガラス粒子
の体積40チを含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例1と同じ方法で作られる。
の体積40チを含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例1と同じ方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1で述べられたのと同じ方法で抵抗
体に作られる。
体に作られる。
表6は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 7
抵抗体物質は使用されるガラスが重量でバリウム酸化物
(BaO)48%、カルシウム酸化物(CaO)8%、
硼素酸化物(B203) 23 %および珪素二酸化物
(Sin2)の組成であることを除いて実施例1で述べ
られたのと同じ方法で作られる。
(BaO)48%、カルシウム酸化物(CaO)8%、
硼素酸化物(B203) 23 %および珪素二酸化物
(Sin2)の組成であることを除いて実施例1で述べ
られたのと同じ方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1と同じ方法で抵抗体に作られる。
表7は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 8
抵抗体物質は使用されるガラスが重量でバリウム酸化物
(BaO)46%、硼素酸化物(B202)20%、7
/L/ミニウム酸化物(A1203)4係および珪素酸
化物(Sin2)30%の組成であることを除いて実施
例1で述べられたのと同じ方法で作られる。
(BaO)46%、硼素酸化物(B202)20%、7
/L/ミニウム酸化物(A1203)4係および珪素酸
化物(Sin2)30%の組成であることを除いて実施
例1で述べられたのと同じ方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1と同じ方法で抵抗体に作られる。
表8は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 9
抵抗体物質は使用されるガラスが重量でバリウム酸化物
(BaO)31%、マグネシウム酸化物(MgO)0.
7%、カルシウム酸化物(CaO)9.1転硼素酸化物
(B203)4.5%、アルミニウム酸化物(A120
3)6.3係、珪素酸化物(S io 2)45.6%
およびジルコニウム酸化物(zrO2)2.8係の組成
であることを除いて実施例1で述べられたのと同じ方法
で作られる。
(BaO)31%、マグネシウム酸化物(MgO)0.
7%、カルシウム酸化物(CaO)9.1転硼素酸化物
(B203)4.5%、アルミニウム酸化物(A120
3)6.3係、珪素酸化物(S io 2)45.6%
およびジルコニウム酸化物(zrO2)2.8係の組成
であることを除いて実施例1で述べられたのと同じ方法
で作られる。
抵抗体物質は実施例1と同じ方法で抵抗体に作られる。
表9は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 10
抵抗体物質は実施例1と同じ方法で作られる。
抵抗体物質はそれが乾燥された後媒介物焼灼に服従しな
いことを除いて実施例1と同じ方法で抵抗体に作られる
。
いことを除いて実施例1と同じ方法で抵抗体に作られる
。
表10は異る温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 11
抵抗体物質は実施例1と同じ方法で作られる。
抵抗体物質はそれがすでに述べられた媒介物焼灼2を受
けることを除いて実施例1と同じ方法で抵抗体に作られ
る。
けることを除いて実施例1と同じ方法で抵抗体に作られ
る。
表11は異る温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 12
抵抗体物質は実施例1と同じ方法で作られる。
抵抗体物質はそれがすでに述べられた媒介物焼灼3を受
げることを除いて実施例1と同じ方法で抵抗体に作られ
る。
げることを除いて実施例1と同じ方法で抵抗体に作られ
る。
表12は異なる温度で焼灼された抵抗体の抵抗値および
抵抗温度係数を示す。
抵抗温度係数を示す。
実施例 13
抵抗体物質は実施例1で述べられた方法と同じ方法で作
られる。
られる。
抵抗体物質は抵抗体物質がすでに述べられた媒介物焼灼
4を受けさせられることを除いて実施例1で述べられた
方法と同じ方法で抵抗体に作られる。
4を受けさせられることを除いて実施例1で述べられた
方法と同じ方法で抵抗体に作られる。
表13は異なる温度で焼成された抵抗体の抵抗値および
抵抗温度係数を示す。
抵抗温度係数を示す。
実施例 14
抵抗体物質はスズ酸化物がガラス粒子と混合される前に
熱処理1を受けさせられることを除いて実施例1で述べ
られた方法と同じ方法で作られる。
熱処理1を受けさせられることを除いて実施例1で述べ
られた方法と同じ方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1と同じ方法で抵抗体に作られる。
表14は異る温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。
抗温度係数を示す。
実施例 15
抵抗体物質はスズ酸化物がガラス粒子と混合される前に
熱処理2を受けさせられることを除いて実施例1と同じ
方法で作られる。
熱処理2を受けさせられることを除いて実施例1と同じ
方法で作られる。
抵抗体物質は実施例1と同じ方法で抵抗体に作られる。
表15は異なる温度で焼成された抵抗体の抵抗値および
抵抗温度係数を示す。
抵抗温度係数を示す。
上記実施例から本発明の抵抗体の電気的特性において、
抵抗体物質の組成および抵抗物質を作る方法の変化の結
果が見られる。
抵抗体物質の組成および抵抗物質を作る方法の変化の結
果が見られる。
実施例1 、2 、3゜4.5および6はスズ酸化物と
ガラスフリットの割合を変化した結果を示す。
ガラスフリットの割合を変化した結果を示す。
実施例1,7,8および9はガラスフリットの組成を変
化した結果を示す。
化した結果を示す。
実施例1,10,11,12および13は媒介物焼灼状
態を変化した結果を示す。
態を変化した結果を示す。
実施例1゜14および15はスズ酸化物を熱処理した結
果を示す。
果を示す。
すべての実施例は抵抗体の焼成温度を変化した結果を示
す。
す。
かくして本発明により温度に関して比較的安定でありか
つ比較的安価な物質で作られスズ酸化物を導伝層として
使用しているガラス質エナメル抵抗体が提供される。
つ比較的安価な物質で作られスズ酸化物を導伝層として
使用しているガラス質エナメル抵抗体が提供される。
発明の抵抗体には市販のニッケル上薬
”CERMALDY7128 ″の端子が設けられかつ
温度周期試験が行なわれる。
温度周期試験が行なわれる。
試験中温度は一55℃と+85℃の間を5回繰り返され
る。
る。
結果としての抵抗変化は小さく、0.05%以下である
。
。
上記の結果はMochelにより達成されかつ彼の特許
第2564707号に述べられた熱分解的滞積スズ酸化
物抵抗体が温度周期により試験を受けさせられたときの
不安定性に比べて非常に満足できるものである。
第2564707号に述べられた熱分解的滞積スズ酸化
物抵抗体が温度周期により試験を受けさせられたときの
不安定性に比べて非常に満足できるものである。
貴金属を基本とする抵抗体上薬は一般的には白金、パラ
ジウムおよび金のような高価な貴金属を端子とする必要
がある。
ジウムおよび金のような高価な貴金属を端子とする必要
がある。
しかるに本発明の抵抗体は端子を銅やニッケルのような
非貴金属で作っても問題はない。
非貴金属で作っても問題はない。
これは抵抗体のコストの減少およびよりハンダ付けしや
すい端子の提供の両面で有利である。
すい端子の提供の両面で有利である。
本発明は上記実施例のみに限定されるものではなく、要
旨から逸脱しない範囲で種々変形して実施しうるもので
ある。
旨から逸脱しない範囲で種々変形して実施しうるもので
ある。
図は本発明の抵抗体物質で作られた抵抗体の部分的断面
図である。 10・・・抵抗体、12・・・セラミック基板、14・
・・抵抗体物質層、16・・・ガラス、18・・・スズ
酸化物粒子。
図である。 10・・・抵抗体、12・・・セラミック基板、14・
・・抵抗体物質層、16・・・ガラス、18・・・スズ
酸化物粒子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基板上に形成された後焼成されるスズ酸化物粒子お
よびガラスフリットの混合物な備え、前記ガラスフリッ
トは前記スズ酸化物粒子の融点以下の軟化点を有し、か
つ体積比で30係ないし80チの量含有するガラス質エ
ナメル抵抗体物質。 2 ガラスフリットを体積比で40係ないし60係の量
含有する特許請求の範囲第1項記載のガラス質エメラル
抵抗体物質。 3 スズ酸化物が熱処理スズ酸化物である特許請求の範
囲第1項記載のガラス質エナメル抵抗体物質。 4 ガラスフリットが硼珪酸塩ガラスである特許請求の
範囲第1項記載のガラス質エナメル抵抗。 5 ガラスフリットがアルカリ土類硼珪酸塩ガラスであ
る特許請求の範囲第4項記載のガラス質エナメル抵抗体
物質。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/613,433 US4322477A (en) | 1975-09-15 | 1975-09-15 | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5236796A JPS5236796A (en) | 1977-03-22 |
JPS5915161B2 true JPS5915161B2 (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=24457293
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51109518A Expired JPS5915161B2 (ja) | 1975-09-15 | 1976-09-14 | ガラス質エナメル抵抗体物質 |
JP58223047A Pending JPS59130401A (ja) | 1975-09-15 | 1983-11-26 | 電気的抵抗体およびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58223047A Pending JPS59130401A (ja) | 1975-09-15 | 1983-11-26 | 電気的抵抗体およびその製造方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
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JP (2) | JPS5915161B2 (ja) |
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CA (1) | CA1091918A (ja) |
DE (1) | DE2640316C2 (ja) |
DK (1) | DK154372C (ja) |
FR (1) | FR2324098A1 (ja) |
GB (1) | GB1538144A (ja) |
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NL (1) | NL184515C (ja) |
SE (1) | SE7610232L (ja) |
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US4293838A (en) * | 1979-01-29 | 1981-10-06 | Trw, Inc. | Resistance material, resistor and method of making the same |
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DE1193582B (de) * | 1958-10-27 | 1965-05-26 | Welwyn Electric Ltd | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstandsschichten |
GB857400A (en) * | 1958-10-27 | 1960-12-29 | Welwyn Electric Ltd | Improvements in or relating to electrical resistors |
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NL137152C (ja) * | 1966-10-24 | |||
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GB1209947A (en) * | 1966-12-07 | 1970-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductive elements |
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JPS5232080B2 (ja) * | 1972-11-08 | 1977-08-19 | ||
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-
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-
1976
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- 1976-08-31 AU AU17304/76A patent/AU497390B2/en not_active Expired
- 1976-09-08 DE DE2640316A patent/DE2640316C2/de not_active Expired
- 1976-09-14 NL NLAANVRAGE7610167,A patent/NL184515C/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-09-14 FR FR7627609A patent/FR2324098A1/fr active Granted
- 1976-09-14 CA CA261,202A patent/CA1091918A/en not_active Expired
- 1976-09-14 JP JP51109518A patent/JPS5915161B2/ja not_active Expired
- 1976-09-15 SE SE7610232A patent/SE7610232L/ not_active Application Discontinuation
- 1976-09-15 DK DK416076A patent/DK154372C/da not_active IP Right Cessation
- 1976-09-15 IT IT83645/76A patent/IT1068708B/it active
-
1983
- 1983-11-26 JP JP58223047A patent/JPS59130401A/ja active Pending
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---|---|
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DE2640316C2 (de) | 1982-02-11 |
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SE7610232L (sv) | 1977-03-16 |
CA1091918A (en) | 1980-12-23 |
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US4322477A (en) | 1982-03-30 |
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NL184515C (nl) | 1989-08-16 |
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